JPH02118421A - フオトン数の測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマから発生するフォトン数の見積方法及
び真空紫外線の発生量が少なく、安定かつ再現性の良い
プラズマ条件を決定する方法に関する。

〔従来の技術〕

プラズマは各種高エネルギー粒子（イオン、電子、Ｘ線
、紫外線）を発生している。そのため、ドライエツチン
グやプラズマＣＶＤ等のプラズマプロセスにおいては、
これらの高エネルギー粒子による照射損傷が問題となっ
ている。従来技術によれば、真空紫外線及びＸ線等のプ
ラズマ中での発生量を見積もるためには、分光器等を使
わなければならなかった。ところが、分光器は、かなり
大型の装置であるため、プロセス工程中随時、真空紫外
線及びＸ線等を測定することは難しい。また、上記公知
例のように、プラズマプロセスで加工を行う試料の表面
に紫外線等を遮蔽するための遮蔽膜を設けることにより
、紫外線等の高エネルギー粒子が試料面に入射するのを
防ぐという従来技術はあ不が、紫外線等高エネルギー粒
子の発生量の少ないプラズマ発生条件を簡単に決定する
方法は、知られていない。

なお、本発明に関連する技術としては、例えば特開昭６
０−３２４３０号等が挙げられる。

〔発明が解決しようとする課題〕

プラズマプロセスの際、プラズマから発生する真空紫外
線及びＸ線の試料面への入射を回避できない場合は、こ
れらの粒子による試料面への照射損傷量を推定する必要
があり、その為には、これらの粒子がプロセス工程中の
プラズマからどの程度発生しているかを随時測定しなく
てはならない。

しかも、その測定装置は、小型軽量であることが望まし
い。

また、これら高エネルギー粒子による照射損傷をできる
だけ抑えるためには、これらの粒子の発生量が少ないプ
ラズマ状態を選ぶ必要がある。加えて、プロセス工程に
使用するためには、このプラズマが安定ずつ再現性の良
ものでなくてはならない。

そこで、本発明の第一の目的は、プラズマから発生する
真空紫外線及びＸ線等任意の波長を有するフォトンの相
対フォトン数強度を簡単に見積もる方法を提供すること
である。

また、本発明の第二の目的は、プラズマから発生する真
空紫外線及びＸ線等任意のある波長を有するフォトンの
絶対フォトン数を見積もる方法を提供することである。

さらに、本発明の第三の目的は、プラズマから発生する
真空紫外線及びＸ線等任意の波長を有するフォトンの絶
対フォトン数を見積もる方法を提供することである。

本発明の第四の目的は、プラズマから発生するフォトン
のうち、照射試料表面に設けた薄膜を通過し、かつ８．
８　ｅ　ｖ　以上のエネルギーを有するフォトン数を簡
単に見積もる方法を提供することである。

本発明の第五の目的は、プロセス工程に使うプラズマに
ついて、真空紫外線及びＸ線等の高エネルギーフォトン
の発生量が少なく、かつ安定で再現性の良いプラズマ条
件を探す方法を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

プラズマチャンバ内におけるプラズマの状態に関与する
、装置外部から制御可能なパラメータを変化させたとき
の各プラズマ状態に対応するプラズマ照度を紫外域から
赤外域の間の何れかの領域に感度特性を有する光電変換
素子と増幅器からなる光検出器によって測定すれば、こ
の測定値がプラズマより発生している真空紫外線及びＸ
線等任意の波長λのフォトンの発生量に比例しているの
で、任意の波長λのフォトンの相対フォトン数Ｊ　（λ
）を見積もることでき、上記第一の目的が達成される。

前記プラズマチャンバ内で生成したプラズマから発生す
るフォトンの少なくとも一つの波長λｏに対する絶対フ
ォトン数測定と前記光検出器による照度の測定を同時に
行い、この両測定値の比を用いることによって、上記第
一の目的を達成するための方法によって見積もったフォ
トン相対フォトン数Ｊ（λ）から、前記波長λｏを有す
るフォトンの絶対フォトン数Ｉ（λｏ）を見積もること
ができ、第二の目的が達成される。

前記プラズマチャンバ内で生成したプラズマに於いて、
前記絶対測定を行った波長λｏを含む波長領域に対する
発光スペクトルの１（Ｉｑ定と前記光検出器による照度
の測定を同時に行い、発光スペクトルを測定した波長領
域内の任意の波長λ′に対応するスペクトル強度Ｓ（λ
′）と前記絶対測定を行った波長λｏに対応するスペク
トル強度Ｓ（λｏ）との比を求めることにより、この比
と、請求項２記載の方法によって求めた波長λｏを有す
るフォトンの絶対フォトン数’Ｉ（λｏ）とから任意の
波長λ′のフォトンの絶対フォトン数工（λ′）を見積
もることができ、上記第三の目的が達成される。

予め、ある波長範囲のフォトンのみ透過する保護膜を設
けたＳｉＯ２／Ｓｉ　基板に、前記保護膜を透過し、か
つ５ｉＯｚのバンドギャップエネルギー（８，８ｅＶ）
以上のエネルギーを有するフォトンを照射して、高周波
Ｃ−■測定によってフランＩ−バンド電圧のシフトΔＶ
ＦＢを測定し、前記フォトン一個当りのΔＶｒｎ（Ｖ／
ｃ）を求めておき、前記フォトン数を測定したい任意の
プラズマ中において、前記保護膜を有する前記試料と同
質なＳｉ○ｚ／Ｓｉ基板を照射した後この試料のΔＶＦ
Ｂを測定し、この測定値と、先に求めておいたフォトン
一個当りのΔＶＦＲ（Ｖ／Ｑ）を使って、該プラズマか
ら発生する前記エネルギーを有するフォトン数を見積も
ることができ、上記第四の目的が達成される。

プラズマ状態に関与する。装置外部から制御可能なパラ
メータを変化させて、前記光検出器を用いてプラズマ照
度を測定し、この測定値が小さい点で、かつ測定値の変
化が上記パラメータの変化量に対して小さい点を選出す
れば、これが、真空紫外線及びＸ線等高エネルギーフォ
トンの発生量が少なく、かつ安定で再現性の良いプラズ
マ状態になっているので、上記第五の目的が達成される
６〔作用〕 プラズマは、Ｘ線から赤外線に至るまでの広い波長範囲
の発光スペクトルを有する。プラズマが、ある状態（状
態ｌ）から別の状態（状態２）に変化したとき、この発
光スペクトルは、すべての波長λに対応するフォトン数
Ｔ　（λ）が−律に比例定数α倍になると考えられる。

プラズマから発生するフォトンの何れかの領域に感度特
性を有する光電変換素子と増幅器からなる光検出器は、
その受光面に入射したフォトン数に比例した電圧若しく
は電流を出力するので、測定しているプラズマの状態が
一律にα倍になれば、前記光検出器の出力りもα倍にな
る。即ち、 状態１　　　状態２ フォトン数　工（λ）　→　α工（λ）（１）照　　　
　度　　　Ｌ　　　→　　　αＬ（２）で、ある。つま
り、プラズマから発生するすべての波長λのフォトン数
工（λ）と前記光検出器の出力りとは比例関係にあるの
で、前記光検出器の出力りがわかれば、プラズマから発
生する任意の波長λのフォトン数の相対値Ｊ（λ）がわ
かる。即ち、Ｌα■（λ）：Ｊ（λ）（３） である。

次に、前記プラズマチャンバ内で生成したプラズマから
発生するフォトンの少なくとも一つの波長λｏに対する
絶対フォトン数丁（λｏ）の測定と前記光検出器による
照度りの測定を同時に行い、絶対フォトン数丁（λｏ）
と照度りの間の比例定数βを一旦決めておけば、以後、
同一プラズマチャンバ内のプラズマから発生するλｏに
対する絶対フォトン数丁（λｏ）は、その都度測定した
プラズマの照度りから次式で求めることができる。

■（λｏ）＝βＬ（４） さらに、前記プラズマチャンバ内で生成したプラズマに
於いて、前記絶対測定を行った波長λｏを含む波長領域
に対する発光スペクトルＳ（λ）の測定と前記光検出器
による照度りの測定を同時に行い、発光スペクトルを測
定した波長領域内の任意の波長λ′に対応するスペクト
ル強度Ｓ（λ′）と前記絶対測定を行った波長λｏに対
応するスペクトル強度Ｓ（λｏ）との比γ（λｏ．λ′
）を求める； Ｓ（λ′）＝γ（λｏ．λ′　）Ｓ（λｏ）　　　　　
（５）波長λに対する絶対フォトン数Ｉ　（λ）と発光
スペクトル強度Ｓ（λ）は比例しているから、上式％式
％（６） とかける。ここで、同時に測定したプラズマの照度りか
ら、式（４）より絶対フォトン数丁（λｏ）を求め、式
（６）に代入すれば、プラズマから発生する任意の波長
λのフ第１−ンの絶対フォトン数丁（λ′）を求めるこ
とができる。即ち、Ｉ（λ′）＝γ（λｏ．λ′）βＬ
（７）である。

ＳｉＯ２／Ｓｉ基板に、５ｉＯｚのバンドギャップエネ
ルギーＥｇ（８，８ａ’Ｖ）以上のエネルギーεを有す
るフォトンを照射して、高周波Ｃ−ｖ測定によってフラ
ットバンド電圧のシフトΔＶＦＢを測定すると、このΔ
ＶＦＢは、照射した前記エネルギーを有するフォトン数
に比例している。即ち、ΔＶｊａ＝に工　（ε）（８） ここで、には比例定数、■（ε）は、前記エネルギーε
を有する照射フォトン数である。

さて、前述した絶対光子数測定方法によって５ｉ（）ｚ
のバンドギャップエネルギーＥｇ（８，８ｅＶ）以上の
エネルギーＥを有するフォトン数工　（ε）を測定し、
このエネルギーを有するフォトンをＳｉＯ２／Ｓｉ　基
板に照射してΔＶＦＢを測定し、（８）式によって、予
め、比例定数にを求めておく。

次に、上記と同質なＳｉＯ２／Ｓｉ　　基板の上に、エ
ネルギーＥを有するフォトンのみ透過できる薄膜をつけ
る。エネルギーεを有するフォトン数を測定したい任意
のプラズマ中でこの試料を照射した後、この試料のフラ
ットバンド電圧のシフトΔＶＦＢ’　を測定する。この
時、試料表面には、薄膜が有るため、プラズマから発生
するイオン、中性粒子、電子、前記エネルギー以外のエ
ネルギーを有するフォトン等は、５ｉＯｚ面には入射し
ないので、前記測定値ΔＶＦＢ’はエネルギーεを有す
るフォトンにのみ起因する。

この様にして求めたΔＶＦＢ’　と、予め求めておいた
にから該プラズマより発生するエネルギーεを有するフ
ォトン数工　（ε）′は、 Ｉ　（ε）′＝にΔＶＦＢ　　　　　　　　　（９）よ
り、求めることができる。

また、式（３）に示したように、プラズマから発生する
フォトンの絶対フォトン数丁（λ）とプラズマの照度り
とは、比例関係にあるので、プラズマ状態に関与する、
装置外部から制御可能なパラメータを変化させて、前記
光検出器を用いてプラズマ照度を測定し、この測定値が
小さい点を探せば、真空紫外線及びＸ線の発生量が少な
いプラズマを得ることができる。さらに、上記パラメー
タの変化量に対して、プラズマの照度の変化が小さい点
では、プラズマの状態が安定していると考えられる。よ
って、このような条件を選べば、安定で再現性の良いプ
ラズマを得ることができる。

〔実施例〕

（実施例１） 第１図は、本発明の一実施例に基づいて、有磁場マイク
ロ波プラズマ装置と石英ガラス１０を介して光検出器１
１を設置した図である。

この様な構成の装置により、ガス導入口２からＨｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｓ等の希ガス、Ｓ　Ｆｅ。

ＣＦ　４　ｔ　ＣＨＦ　ａ等のフッ素系のガスおよびＨ
ｘ　。

○ｚ、Ｎｘ、等のガスを各々導入し、プラズマチャンバ
７内の圧力を１０−１１〜１０−”ｔｏｒｒに保って、
導波管１に沿ってマイクロ波電力１００〜５００Ｗのマ
イクロ波を導入し、プラズマチャンバ７内にプラズマを
発生させて、試料台９の上に設置した試料８のプラズマ
表面処理を行う。その際、表面処理を行っている時のプ
ラズマの照度を石英ガラス１０を介して光検出器１１を
用いて検出し、この信号を増幅器１２で増幅した後レコ
ーダ１３にて経時的に記録した。すると、このレコーダ
の記録は、試料８に入射した真空紫外線等任意の波長の
フォトンの相対フォトン数Ｊ　（λ）を表しているので
、任意の波長のフォトンの相対フォトン数Ｊ（λ）を測
定することができた。

（実施例２） 第２図に基づいて、本発明の実施例２を説明する。第２
図は、石英ガラスを介して光検出器を設置した有磁場マ
イクロ波プラズマ装置と、導管を介してプラズマチャン
バ７に接続した真空紫外分光器からなる装置を示してい
る。

まず、実施例１と同様にしてプラズマチャンバ７内にプ
ラズマを発生させた。このプラズマから発生する真空紫
外光等のある波長λｏを有するフォトンの絶対測定を次
のようにして行った。この時、例えばＨｅならば５８．
４ｎｍ、Ｎｅならば７３．６ｎｍ、Ａｒならば１０６．
７ｎｍ、Ｋｒならば１２３．６ｎｍ、Ｘｓならば１４７
．０ｎｍ等に大きな発光ピークがあり、各々のガスプラ
ズマにおける波長λｏをこの波長にきめることにより、
精度よい絶対測定ができた。−例として、Ｎｅの波長７
３．６ｎｍ　を有するフォトンについての絶発生した前
記波長を含むフォトンフラックスを接続導管１４．スリ
ット１５を通して、真空紫外分光器の回折格子１７に入
射させ、この回折格子１７の角度を調節して、前記波長
７３．６ｎｍ　を有するフォトンのみスリット１８を通
るようにした。スリット１８を通過した前記波長を有す
るフォトンは、石英ガラス２０の表面に塗布したサリチ
ル酸ナトリウム膜により１石英ガラス２０を透過できる
波長３００〜６００ｎｍのフォトンに波長変換される。

波長変換された前記波長を有するフォトンは、光電子増
倍管２１により検出されその出力をフォトンカウンタ２
２に入力することにより測定する。この測定値について
、光電子増倍管２１の受光面の光電変換量子効率とその
波長依存性、サリチル酸ナトリウム膜１９の波長変換歇
子効率と膜厚による減衰、真空紫外分光器チャンバ１６
内ガスによる減衰、真空紫外分光器の回折格子１７の反
射率、接続導管１４内ガスによる減衰、スリット１５を
通過して回折格子１７に入射するフォトンの立体角等の
補正を行って、実際にプラズマチャンバ７で発生してい
るフォトン数丁が計算できた。また、この測定と同時に
プラズマの照度りを測定し、この工とＬから式（４）を
使って、比例係数βを求めた。以後、このプラズマチャ
ンバから発生する波長７３．６　ｎ　ｍ　を有するフォ
トンは、プラズマの照度さえ測定すれば、その測定値り
に比例定数βを掛けることにより求めることができた。

即ち、−Ｅある波長７３．６　ｎｍで絶対測定を行って
おけば、以後、分光器等を用いなくても照度さえ測定す
れば、波長７３．６ｎｍを有するフォトンの絶対フォト
ン数を求めることができた。

（実施例３） 実施例２に引き続き、第２図を用いて、Ｎｅガスプラズ
マから発生するフォトンを例にとって、実施例３を説明
する。実施例２に従って、波長７３．６ｎｍ　　を有す
るフォトンの絶対測定を行った。次に、回折格子１７を
連続的に動かすことにより１例えば４０ｎｍ〜４００ｎ
ｍの波長範囲において、光電子増倍管２１にて各波長の
スペクトル強度Ｓ（λ）を測定した。このスペクトル強
度Ｓ（λ）は、波長λに対する絶対フォトン数丁（λ）
に比例しているので、（６）式が成立する。

この（６）式の工（λｏ）に、実施例２で求めた波長７
３．６ｎｍ　　を有するフォトンの絶対フォトン数丁を
代入し、式（５）に示した、求めたい波長λ′のスペク
トル強度Ｓ（λ′）の、波長７３．６ｎｍを有するフォ
トンのスペクトル強度Ｓ　（７３，６ｎｍ）に対する比
γ（７３−６ｎ　ｍ　＠　λ′）を代入すると、波長λ
′を有するフォトンの絶対フォトン数丁　（λ′）を求
めることができた。

（実施例４） 実施例３に引き続き、第２図を用いて、Ｎｅガスプラズ
マから発生するフォトンを例にとって、実施例４を説明
する。

まず、サリチル酸ナトリウム膜の前に、Ｐ型１０Ω■の
Ｓｉ基板をドライ熱酸化して、厚さ１１５ｎｍ（７）Ｓ
ｉＯｚを形成したＳ　ｉ　Ｏｘ／　Ｓ　ｉ基板を設置し
、実施例２に示した方法により、Ｎｅガスプラズマを発
生させ、波長７３．６　ｎｍ　を有するフォトンのみス
リット１８を通過するようにして、波長７３．６ｎｍを
有するフォトンを前述した基板に照射した。照射した基
板は、高周波Ｃ−■測定によりフラットバンド電圧のシ
フトΔＶＦＢを測定した。次に実施例２に従って、スリ
ット２を通過するフォトン数を測定し、（８）式によっ
て比例定数にを求めておく。

さて、第２図のプラズマチャンバとは別のプラズマチャ
ンバにて生成したＮｅガスプラズマがら発生する波長を
有するフォトン数を測定する。前記基板と同質の基板の
ＳｉＯｘの表面にＡｆｉ膜を１１００ｎ蒸着した試料を
用意する。この試料を該プラズマ中にて照射した後、高
周波ｃ　−ｖ　ｇ＋す定によってフラットバンド電圧の
シフトΔＶＦＢ’　を測定する。波長７３．６　ｎｍ　
を有するフォトンは厚さ１１００ｎのＡｆｌ膜を約５０
％透過するので、前記測定値を２倍した値と、予め求め
ておいた比例定数にを式（９）に代入することにより、
該プラズマから発生する波長７３．６　ｎｍ　を有する
フォトン数を求めることができた。

（実施例５） 第１図を用いて実施例５について説明する。実施例１に
示した方法にしたがってプラズマを発生させる。次に、
ソレノイド５をながれる電流を一定に保ち、ある一つの
ガス圧力に対してマイクロ波電力を１００〜４００Ｗの
範囲で変化させたときのプラズマの照度の変化を光検出
器１１にて測定する、という１連の測定を１０−１！１
〜１０−”ｔｏｒｒの範囲の中の数種類のガス圧力にた
いしておこなった。

まず、測定した照度の値がなるべく小さい点の条件を選
ぶことにより、真空紫外線強度の小さなプラズマ状態が
得られる。

次に、マイクロ波電力の変化に対するプラズマ照度の変
化を見ると、■はぼ一定の部分、■単調に増加する部分
、■突然、階段状に変化する部分、■局所的にピークを
持つ部分、■激しく振動する部分等が有ることがわかっ
た。この中で、■はぼ一定の部分、あるいは、■単調に
増加する部分の中でもゆるやかに増加している部分を選
べば、この時のプラズマ状態が、安定かつ再現性のよい
条件となっていた。

〔発明の効果〕

以上で説明したように１本発明によれば、まず、照度計
を用いるだけで、プラズマから発生する真空紫外線等任
意の波長を有するフォトンの相対フォトン数を測定する
ことができる。

また、本発明によれば、ある一つの波長について絶対測
定を行っておけば、以後、プラズマの照度を８１！Ｉ定
するだけで、前記絶対測定を行った波長を有するフォト
ンの絶対フォトン数を測定することができる。

さらに、本発明によれば、前記絶対測定を行った波長を
含む波長範囲で、プラズマの発光スペクトルを測定して
おけば、以後、プラズマの照度を測定するだけで、前記
発光スペクトルを測定した波長範囲内の任意の波長に対
する絶対フォトン数を測定することができる。

さらに、本発明によれば、ＳｉＯ２／Ｓｉ　　基板に、
５ｉＯｚのバンドギャップエネルギー以上のエネルギー
を有するフォトンを照射し、高周波Ｃ−Ｖ測定すること
により、フォトン１個当りのフラットバンド電圧のシフ
トΔＶｐａを測定しておけば、以後、同質の基板を使っ
て任意のプラズマチャンバにて生成されるプラズマより
発生する前記エネルギーを有するフォトンの絶対フォト
ン数を見積もることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は有磁場マイクロ波プラズマ装置とそのプラズマ
チャンバに設置した照度計を示した概念図である。 第２図は、有磁場マイクロ波プラズマ装置とそのプラズ
マチャンバに設置した照度計と、接続導管を介して接続
した真空紫外分光器の概念図である。 １・・・マイクロ波、２・・・ガス導入管、３・・・排
気、４・・・導波管、５・・・ソレノイド、６・・・放
電管、７・・・プラズマチャンバ、８・・・試料、９・
・・試料台、１０・・・石英ガラス、１１・・・照度計
、１２・・・前置増幅器および増幅器、１３・・・レコ
ーダ、１．４・・・接続導管。 １５・・・入射スリット、１６・・・分光器チャンバ、
１７・・・回折格子、１８・・・出射スリット、１９・
・・サリチル酸ナトリウム膜、２０・・・石英ガラス、
２１・・・光電子増倍管、２２・・・フォトンカウンタ
、２３・・・排気、２４・・・シャッタ１．２５・・・
シャッタ２．。 第　１　図 ＄２　目

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、プラズマチャンバ内におけるプラズマの状態に関与
   する、装置外部から制御可能なパラメータを変化させた
   とき、各プラズマ状態に対応するプラズマ照度を紫外域
   から赤外域の間の何才かの領域に感度特性を有する光電
   変換素子と増幅器からなる光検出器によつて測定し、こ
   の測定値から、プラズマより発生している任意の波長λ
   を有するフォトンの相対フォトン数Ｊ（λ）を見積もる
   ことを特徴とするフォトン数の測定方法。 ２、前記プラズマチャンバ内で生成したプラズマから発
   生するフォトンの少なくとも一つの波長λ＿ｏに対する
   絶対フォトン数の測定と前記光検出器による照度の測定
   を同時に行い、この両測定値の比を用いることにより、
   請求項１記載の方法によつて見積もつたフォトンの相対
   フォトン数Ｊ（λ）から、前記波長λ＿ｏを有するフォ
   トンの絶対フォトン数Ｉ（λ＿ｏ）を見積もることを特
   徴とするフォトン数の測定方法。 ３、前記プラズマチャンバ内で生成したプラズマに於い
   て、前記絶対測定を行つた波長λ＿ｏを含む波長領域に
   対する発光スペクトルの測定と前記光検出器による照度
   の測定を同時に行い、発光スペクトルを測定した波長領
   域内の任意の波長λ′に対応するスペクトル強度Ｓ（λ
   ′）と前記絶対測定を行つた波長λ＿ｏに対応するスペ
   クトル強度Ｓ（λ＿ｏ）との比を求め、この比と、請求
   項第２項記載の方法によつて求めた波長λ＿ｏを有する
   フォトンの絶対フォトン数Ｉ（λ＿ｏ）とから任意の波
   長λ′のフォトンの絶対フォトン数Ｉ（λ′）を見積も
   ることを特徴とするフォトン数の測定方法。 ４、予め、ある波長範囲のフォトンのみ透過する保護膜
   を設けたＳｉＯ＿２／Ｓｉ基板に、前記保護膜を透過し
   、かつＳｉＯ＿２のバンドギャップエネルギー（８．８
   ｅＶ）以上のエネルギーを有するフォトンを照射して、
   高周波Ｃ−Ｖ測定によつてフラットバンド電圧のシフト
   ΔＶ＿Ｆ＿Ｂを測定し、前記エネルギーを有するフォト
   ン一個当りのΔＶ＿Ｆ＿Ｂ（Ｖ／ｃ）を求めておき、前
   記エネルギーを有するフォトン数を測定したいプラズマ
   中に於いて、前記保護膜を有する前記試料と同質のＳｉ
   Ｏ＿２／Ｓｉ基板を照射した後この試料のΔＶ＿Ｆ＿Ｂ
   を測定し、この測定値と、先に求めておいたフォトン一
   個当りのΔＶ＿Ｆ＿Ｂ（Ｖ／ｃ）を使つて、該プラズマ
   から発生する前記エネルギーを有する絶対フォトン数を
   見積もることを特徴とするフォトン数の測定方法。 ５、プラズマ状態に関与する、装置外部から制御可能な
   パラメータを変化させ、光検出器を用いて測定したプラ
   ズマ照度の測定値が小さい点を選出し、プラズマから発
   生する真空紫外線強度の小さなプラズマ状態を発生させ
   ることを特徴とするプラズマ発生制御方法。 ６、プラズマ状態に関与する、装置外部から制御可能な
   パラメータを変化させ、光検出器を用いて測定したプラ
   ズマ照度の測定値の変化が、上記パラメータの変化量に
   対して小さい点を選出することを特徴とするプラズマ発
   生制御方法。