JP2535771B2 - 逆光電子分光用帯域幅可変光検出器 - Google Patents
逆光電子分光用帯域幅可変光検出器Info
- Publication number
- JP2535771B2 JP2535771B2 JP6053821A JP5382194A JP2535771B2 JP 2535771 B2 JP2535771 B2 JP 2535771B2 JP 6053821 A JP6053821 A JP 6053821A JP 5382194 A JP5382194 A JP 5382194A JP 2535771 B2 JP2535771 B2 JP 2535771B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodetector
- single crystal
- thin film
- temperature
- crystal window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24485—Energy spectrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/25—Tubes for localised analysis using electron or ion beams
- H01J2237/2505—Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
- H01J2237/2516—Secondary particles mass or energy spectrometry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は逆光電子分光用帯域幅可
変光検出器に係り、本発明の属する技術分野は電子技
術、光技術であって、高分解能逆光電子分光装置に使用
されるものである。
変光検出器に係り、本発明の属する技術分野は電子技
術、光技術であって、高分解能逆光電子分光装置に使用
されるものである。
【０００２】
【従来の技術】逆光電子分光用帯域フィルター型光検出
器はロ−・カット及びハイ−・カットフィルターの単純
な組み合わせで構成され、最近開発された最も性能のよ
い検出器ではロ−・カットフィルターとしてＫＣｌ薄膜
を表面に蒸着したＣｕ−ＢｅＯを第１ダイノードに持つ
光電子倍増管が、またハイ−・カットフィルターとして
ＳｒＦ2 単結晶窓が採用され、図１のような特性（中心
エネルギー9.40ｅＶ、半値幅0.47ｅＶ）が用いられてい
る。
器はロ−・カット及びハイ−・カットフィルターの単純
な組み合わせで構成され、最近開発された最も性能のよ
い検出器ではロ−・カットフィルターとしてＫＣｌ薄膜
を表面に蒸着したＣｕ−ＢｅＯを第１ダイノードに持つ
光電子倍増管が、またハイ−・カットフィルターとして
ＳｒＦ2 単結晶窓が採用され、図１のような特性（中心
エネルギー9.40ｅＶ、半値幅0.47ｅＶ）が用いられてい
る。
【０００３】この帯域フィルター型光検出器は、構造が
単純で動作の安定性も高いという特徴をもつ。しかし、
得られる分解能はせいぜい0.47ｅＶ程度であった。
単純で動作の安定性も高いという特徴をもつ。しかし、
得られる分解能はせいぜい0.47ｅＶ程度であった。
【０００４】光電子分光と逆光電子分光はそれぞれ物質
中の占有準位と非占有準位を直接観測する手段であり、
互いに相補的な関係にある。現在光電子分光の標準的な
分解能は0.3 ｅＶ程度である。逆光電子分光スぺクトル
と光電子スぺクトルを用い、占有準位と非占有準位を同
程度の精度で調べることは物質研究にとって極めて望ま
しいことである。このことを実現するためには、帯域フ
ィルター型光検出器の帯域幅を0.3 ｅＶ程度まで狭くす
る必要がある。
中の占有準位と非占有準位を直接観測する手段であり、
互いに相補的な関係にある。現在光電子分光の標準的な
分解能は0.3 ｅＶ程度である。逆光電子分光スぺクトル
と光電子スぺクトルを用い、占有準位と非占有準位を同
程度の精度で調べることは物質研究にとって極めて望ま
しいことである。このことを実現するためには、帯域フ
ィルター型光検出器の帯域幅を0.3 ｅＶ程度まで狭くす
る必要がある。
【０００５】一般的に、高分解能を行なおうとするとそ
れに伴って検出感度が低下する。この帯域フィルター型
光検出器の場合も同様である。測定試料の表面が真空中
で不安定なものの場合、長時間信号を積算するような実
験は不可能になる。この場合は、分解能を犠牲にして、
検出感度を高めることが要求される。従来の帯域フィル
ター型光検出器で、実験中に帯域幅を変化させることは
不可能である。従って、高分解能を実用化するために
は、検出感度がある程度低くても分解能の高い検出器
と、感度の高い検出器を２つ装置内に組み込んだものを
考える必要がある。
れに伴って検出感度が低下する。この帯域フィルター型
光検出器の場合も同様である。測定試料の表面が真空中
で不安定なものの場合、長時間信号を積算するような実
験は不可能になる。この場合は、分解能を犠牲にして、
検出感度を高めることが要求される。従来の帯域フィル
ター型光検出器で、実験中に帯域幅を変化させることは
不可能である。従って、高分解能を実用化するために
は、検出感度がある程度低くても分解能の高い検出器
と、感度の高い検出器を２つ装置内に組み込んだものを
考える必要がある。
【０００６】光電子分光と逆光電子分光は占有、非占有
電子状態に関する情報を提供し、両者の情報を合わせて
初めて物質の電子状態の全容が明らかにされる。通常の
光電子分光の分解能は約0.3 ｅＶで逆光電子分光の分解
能は約0.5 ｅＶ程度である。従って、両者のデーターを
比較検討する上で、同等の分解能にする必要がある。逆
光電子分光は、単色化した電子線を試料に照射し、試料
表面から放出される光の中である単一のエネルギー成分
に着目し、電子線のエネルギーの関数としてその光の強
度を観測することで、試料の非占有電子状態を知る方法
である。電子線のエネルギー幅は、電子源の熱電子の広
がりで決まり、約0.25ｅＶである。一方帯域フィルター
型光検出器の帯域幅は、従来の最小なもので約0.47ｅＶ
であり最近の技術開発により0.35ｅＶにまで向上してき
た。しかし、光電子分光と同程度の分解能にするために
は、光検出器の帯域幅を、電子線の幅0.25ｅＶ程度まで
狭くする必要がある。
電子状態に関する情報を提供し、両者の情報を合わせて
初めて物質の電子状態の全容が明らかにされる。通常の
光電子分光の分解能は約0.3 ｅＶで逆光電子分光の分解
能は約0.5 ｅＶ程度である。従って、両者のデーターを
比較検討する上で、同等の分解能にする必要がある。逆
光電子分光は、単色化した電子線を試料に照射し、試料
表面から放出される光の中である単一のエネルギー成分
に着目し、電子線のエネルギーの関数としてその光の強
度を観測することで、試料の非占有電子状態を知る方法
である。電子線のエネルギー幅は、電子源の熱電子の広
がりで決まり、約0.25ｅＶである。一方帯域フィルター
型光検出器の帯域幅は、従来の最小なもので約0.47ｅＶ
であり最近の技術開発により0.35ｅＶにまで向上してき
た。しかし、光電子分光と同程度の分解能にするために
は、光検出器の帯域幅を、電子線の幅0.25ｅＶ程度まで
狭くする必要がある。
【０００７】一般に、分解能を高めると、検出感度が低
下する。逆光電子分光用帯域フィルター型光検出器の場
合も同様で、半値幅を小さくすると検出器の感度は低下
し、測定に多くの時間を必要とする。一方、半値幅を大
きくすると感度は向上し、短時間で測定が終了できる。
一般に、分解能を優先するか感度を優先するかは、測定
に要する時間の制約と、測定する物質が、逆光電子分光
測定を行う超高真空中で安定か否かで決められる。
下する。逆光電子分光用帯域フィルター型光検出器の場
合も同様で、半値幅を小さくすると検出器の感度は低下
し、測定に多くの時間を必要とする。一方、半値幅を大
きくすると感度は向上し、短時間で測定が終了できる。
一般に、分解能を優先するか感度を優先するかは、測定
に要する時間の制約と、測定する物質が、逆光電子分光
測定を行う超高真空中で安定か否かで決められる。
【０００８】本発明は、従来よりも高い分解能（通常の
光電子分光と同程度またはそれ以上）から低い分解能ま
で連続的に変化させる技術であり、実際の高分解能実験
で威力を発揮することが必要になる。
光電子分光と同程度またはそれ以上）から低い分解能ま
で連続的に変化させる技術であり、実際の高分解能実験
で威力を発揮することが必要になる。
【０００９】本発明は、上述の分解能を優先するか、感
度を優先するかの選択を可能にするもので、実験中に実
験装置を変更することなく、帯域フィルターの半値幅を
電気的に制御することによりこの選択を可能とするもの
である。本発明によるとこれにより、実験時間を大幅に
節約でき、また長時間測定に適さない物質の測定も、分
解能をある程度犠牲にして感度を高めることで対応で
き、本発明は物性研究に大いに貢献する。
度を優先するかの選択を可能にするもので、実験中に実
験装置を変更することなく、帯域フィルターの半値幅を
電気的に制御することによりこの選択を可能とするもの
である。本発明によるとこれにより、実験時間を大幅に
節約でき、また長時間測定に適さない物質の測定も、分
解能をある程度犠牲にして感度を高めることで対応で
き、本発明は物性研究に大いに貢献する。
【００１０】本発明は、電子銃よりの電子線を試料に当
てその反射光を集光し、光検出を行う逆光電子分光装置
の光検出器において、前記光検出器の光電子増倍管の前
面にＫＣｌ薄膜を蒸着したＬｉＦ単結晶窓とＣａＦ2 単
結晶窓とを設け、これら窓に液体窒素温度付近から150
℃程度まで温度を任意に設定できる手段を設け、前記光
電子増倍管の第１ダイノードの表面にＫＣｌ薄膜を蒸着
したものより成り、前記光電子増倍管の出力側を増幅器
を介してパルス計数回路に接続し、逆光電子分光用帯域
フィルターとしての光吸収特性、窓の透過率、感度より
選ばれた特性を測定するよう構成したことを特徴とする
逆光電子分光用帯域幅可変光検出器にある。〔構成〕
てその反射光を集光し、光検出を行う逆光電子分光装置
の光検出器において、前記光検出器の光電子増倍管の前
面にＫＣｌ薄膜を蒸着したＬｉＦ単結晶窓とＣａＦ2 単
結晶窓とを設け、これら窓に液体窒素温度付近から150
℃程度まで温度を任意に設定できる手段を設け、前記光
電子増倍管の第１ダイノードの表面にＫＣｌ薄膜を蒸着
したものより成り、前記光電子増倍管の出力側を増幅器
を介してパルス計数回路に接続し、逆光電子分光用帯域
フィルターとしての光吸収特性、窓の透過率、感度より
選ばれた特性を測定するよう構成したことを特徴とする
逆光電子分光用帯域幅可変光検出器にある。〔構成〕
【００１１】本発明の具体例を以下図面について詳細に
説明する。図２は逆光電子分光装置の原理を示す概略図
であり、１は電子銃、２はそれより放射される電子線、
３は試料であり、電子銃１より放射された電子線２は試
料３に当り、試料３より放出された光４が集光鏡５に当
って集光され、光検出器６に投射される。
説明する。図２は逆光電子分光装置の原理を示す概略図
であり、１は電子銃、２はそれより放射される電子線、
３は試料であり、電子銃１より放射された電子線２は試
料３に当り、試料３より放出された光４が集光鏡５に当
って集光され、光検出器６に投射される。
【００１２】図３は本発明の逆光電子分光用帯域幅可変
光検出器の原理を示す概略図である。図３において、図
２の光検出器に組込まれる逆光電子分光装置の構成を示
す。図３において、７はＫＣｌ薄膜を表面に100 Å蒸着
したＬｉＦ単結晶窓でこのＬｉＦ単結晶窓７は液体窒素
８を収納したクライオスタット９で冷却され液体窒素温
度近辺まで冷却されているものとする。10は熱電対、11
はヒーターを示す。12はＣａＦ2 単結晶窓を示し、Ｌｉ
Ｆ単結晶窓７と同じく、液体窒素８を収納したクライオ
スタット９に支持され、熱電対10、ヒーター11より成る
温度調整装置が付設される。
光検出器の原理を示す概略図である。図３において、図
２の光検出器に組込まれる逆光電子分光装置の構成を示
す。図３において、７はＫＣｌ薄膜を表面に100 Å蒸着
したＬｉＦ単結晶窓でこのＬｉＦ単結晶窓７は液体窒素
８を収納したクライオスタット９で冷却され液体窒素温
度近辺まで冷却されているものとする。10は熱電対、11
はヒーターを示す。12はＣａＦ2 単結晶窓を示し、Ｌｉ
Ｆ単結晶窓７と同じく、液体窒素８を収納したクライオ
スタット９に支持され、熱電対10、ヒーター11より成る
温度調整装置が付設される。
【００１３】図３に示す光14は図２の光検出器６に入射
される光であり、これが液体窒素温度まで冷却されたＬ
ｉＦ単結晶窓７と、ＣａＦ2 単結晶窓12を通った光はソ
ーラーブラインド型（ＨＴＶ：Ｒ−595 等）の光電子増
幅管15のＫＣｌ薄膜を表面に1000Å蒸着した第１ダイノ
ード16に入射する。
される光であり、これが液体窒素温度まで冷却されたＬ
ｉＦ単結晶窓７と、ＣａＦ2 単結晶窓12を通った光はソ
ーラーブラインド型（ＨＴＶ：Ｒ−595 等）の光電子増
幅管15のＫＣｌ薄膜を表面に1000Å蒸着した第１ダイノ
ード16に入射する。
【００１４】図２の光検出器６に入射した光は、図３に
示すＫＣｌ薄膜を被覆したＬｉＦ単結晶７とＣａＦ2 単
結晶窓12の２枚の窓を通過する。ＬｉＦ結晶窓７の遮断
エネルギーは12ｅＶ（室温）で、ＣａＦ2 単結晶窓12の
遮断エネルギー10ｅＶ（室温）であり、結局図４に示す
ように、約10ｅＶ以上の光は、通過できないことにな
る。図４は窓の透過率のエネルギー依存性を示す。
示すＫＣｌ薄膜を被覆したＬｉＦ単結晶７とＣａＦ2 単
結晶窓12の２枚の窓を通過する。ＬｉＦ結晶窓７の遮断
エネルギーは12ｅＶ（室温）で、ＣａＦ2 単結晶窓12の
遮断エネルギー10ｅＶ（室温）であり、結局図４に示す
ように、約10ｅＶ以上の光は、通過できないことにな
る。図４は窓の透過率のエネルギー依存性を示す。
【００１５】図５に示すようにＫＣｌ薄膜は、強く鋭い
光吸収ピークを約9.5 ｅＶと約８ｅＶにもち、低温に冷
却されることでその特性は強調され、吸収構造が鋭くか
つ大きくなる。この効果により、室温で同じ150 Åの膜
厚が必要なところを100 Å程度の膜厚でほぼ同じ効果が
得られる。さらに9.8 ｅＶ近傍のＫＣｌ薄膜の吸収が、
低温で室温よりもわずかに小さくなるため、ＣａＦ2 結
晶窓の遮断エネルギー手前の9.8 ｅＶ近傍の光が通過し
やすく、かつ9.5 ｅＶ近傍の光が通過しにくい状況が造
られる。
光吸収ピークを約9.5 ｅＶと約８ｅＶにもち、低温に冷
却されることでその特性は強調され、吸収構造が鋭くか
つ大きくなる。この効果により、室温で同じ150 Åの膜
厚が必要なところを100 Å程度の膜厚でほぼ同じ効果が
得られる。さらに9.8 ｅＶ近傍のＫＣｌ薄膜の吸収が、
低温で室温よりもわずかに小さくなるため、ＣａＦ2 結
晶窓の遮断エネルギー手前の9.8 ｅＶ近傍の光が通過し
やすく、かつ9.5 ｅＶ近傍の光が通過しにくい状況が造
られる。
【００１６】ＬｉＦ単結晶窓７、ＣａＦ2 単結晶窓12を
通過した光は光検出器６の第１ダイノード16をもつ光電
子増倍管15に入射する。ここで、光はＫＣｌ薄膜（膜厚
1000Å）に当り、表面から光電子が発生し、光電子増倍
管15で増幅される。ＫＣｌ薄膜の光電子放出特性は、約
８ｅＶ近傍から放出されはじめ９ｅＶ近傍から急激に増
大する。ＬｉＦ単結晶窓７とＣａＦ2 単結晶窓12との組
合せは、ＣａＦ2 単結晶窓の遮断エネルギー（約10ｅ
Ｖ）近傍にバンドパス的な構造をもつハイ−・カットフ
ィルターになっており、光電子増倍管15と第１ダイノー
ド16の組合せは、９ｅＶ近傍以上で高い感度を持つた
め、ロ−・カットフィルターとなっている。
通過した光は光検出器６の第１ダイノード16をもつ光電
子増倍管15に入射する。ここで、光はＫＣｌ薄膜（膜厚
1000Å）に当り、表面から光電子が発生し、光電子増倍
管15で増幅される。ＫＣｌ薄膜の光電子放出特性は、約
８ｅＶ近傍から放出されはじめ９ｅＶ近傍から急激に増
大する。ＬｉＦ単結晶窓７とＣａＦ2 単結晶窓12との組
合せは、ＣａＦ2 単結晶窓の遮断エネルギー（約10ｅ
Ｖ）近傍にバンドパス的な構造をもつハイ−・カットフ
ィルターになっており、光電子増倍管15と第１ダイノー
ド16の組合せは、９ｅＶ近傍以上で高い感度を持つた
め、ロ−・カットフィルターとなっている。
【００１７】光電子増倍管15と第１ダイノード16とＬｉ
Ｆ単結晶窓７とＣａＦ2 単結晶窓12との組合せで、9.8
ｅＶにピークをもつバンドパス特性が得られる。ＣａＦ
2 単結晶窓の温度は低温（液体窒素温度）から高温（約
150 ℃）まで変化でき、任意の温度で保てるようになっ
ている。ＣａＦ2 単結晶窓12の遮断エネルギーは室温で
約10ｅＶで、低温にすると高エネルギー側に移動し、高
温に加熱すると低エネルギー側に移動する。すなわち高
温側150 ℃まで加熱すると約0.3 ｅＶの低エネルギーに
移動する。帯域フィルター型の特性の高エネルギー側の
特性が、ＣａＦ2 単結晶窓12の遮断特性で決められてい
るため、ＣａＦ2 単結晶窓12の温度を変化させることで
帯域幅が変化する。150 ℃まで加熱すると帯域幅が約0.
2ｅＶにまで小さくなる。室温では0.35ｅＶである。こ
の範囲で任意の半値幅を設定できる。
Ｆ単結晶窓７とＣａＦ2 単結晶窓12との組合せで、9.8
ｅＶにピークをもつバンドパス特性が得られる。ＣａＦ
2 単結晶窓の温度は低温（液体窒素温度）から高温（約
150 ℃）まで変化でき、任意の温度で保てるようになっ
ている。ＣａＦ2 単結晶窓12の遮断エネルギーは室温で
約10ｅＶで、低温にすると高エネルギー側に移動し、高
温に加熱すると低エネルギー側に移動する。すなわち高
温側150 ℃まで加熱すると約0.3 ｅＶの低エネルギーに
移動する。帯域フィルター型の特性の高エネルギー側の
特性が、ＣａＦ2 単結晶窓12の遮断特性で決められてい
るため、ＣａＦ2 単結晶窓12の温度を変化させることで
帯域幅が変化する。150 ℃まで加熱すると帯域幅が約0.
2ｅＶにまで小さくなる。室温では0.35ｅＶである。こ
の範囲で任意の半値幅を設定できる。
【００１８】
【実施例】本発明の逆光電子分光用帯域幅可変光検出器
を具体的実施例について説明する。光検出器の構造は、
図８の通りである。図８は図２の光検出器６の具体的構
成の一例を示すもので、14は図３に示す入射光、７はＫ
Ｃｌ薄膜を100 Å蒸着したＬｉＦ単結晶窓、12はＣａＦ
2 単結晶窓を示し、15は光電子増倍管、16はＫＣｌを10
00Åの薄膜で蒸着した第１ダイノードを示す。17は光電
子増倍管15の出力側に接続した増幅器、18はパルス計数
回路を示す。
を具体的実施例について説明する。光検出器の構造は、
図８の通りである。図８は図２の光検出器６の具体的構
成の一例を示すもので、14は図３に示す入射光、７はＫ
Ｃｌ薄膜を100 Å蒸着したＬｉＦ単結晶窓、12はＣａＦ
2 単結晶窓を示し、15は光電子増倍管、16はＫＣｌを10
00Åの薄膜で蒸着した第１ダイノードを示す。17は光電
子増倍管15の出力側に接続した増幅器、18はパルス計数
回路を示す。
【００１９】ＣａＦ2 単結晶窓の光の透過特性はロ−パ
スフィルターの特性を示し、励起子吸収のはじまる10ｅ
Ｖ近傍で吸収係数が急激に大きくなり、このカットオフ
エネルギー以上では、光が透過しなくなる。一方このカ
ットオフエネルギー以下のエネルギーをもつ光に対して
ＣａＦ2 単結晶窓は透明であり、透過特性がほとんど平
坦になっている。
スフィルターの特性を示し、励起子吸収のはじまる10ｅ
Ｖ近傍で吸収係数が急激に大きくなり、このカットオフ
エネルギー以上では、光が透過しなくなる。一方このカ
ットオフエネルギー以下のエネルギーをもつ光に対して
ＣａＦ2 単結晶窓は透明であり、透過特性がほとんど平
坦になっている。
【００２０】カットオフエネルギーがエキシトンの吸収
位置で生じているため、結晶温度でその位置が変化す
る。実際にこの吸収のはじまる位置は結晶温度を液体窒
素温度（74Ｋ）から375 Ｋまで変化させると図９
（Ａ），（Ｂ）のように変化する。
位置で生じているため、結晶温度でその位置が変化す
る。実際にこの吸収のはじまる位置は結晶温度を液体窒
素温度（74Ｋ）から375 Ｋまで変化させると図９
（Ａ），（Ｂ）のように変化する。
【００２１】温度を変化させた場合でも、吸収端以下の
エネルギー領域での透過特性は平坦であり、まさにカッ
トオフ可変ロ−パスフィルターが実現されることにな
る。次にＫＣｌを1000Å蒸着した第１ダイノード16を有
する光電子増倍管15の光検出特性について説明する。第
１ダイノード16はＣｕＢｅ−Ｏでできており、この第１
ダイノード16の光電子収量は約６ｅＶ付近から有限な値
を示し、光エネルギーの増大とともに急激に増加する。
この第１ダイノード16の表面にＫＣｌ薄膜を蒸着する
と、この光電子収量特性が変化し、光エネルギーに対し
てより急激に増大するようになる（図10参照）。これ
は、ＫＣｌ薄膜の光電子収量特性を反映しているためで
ある。ＫＣｌはイオン結晶でそれ自身絶縁体である。し
たがって、光電子を取り出すと帯電してしまい、あまり
厚くＫＣｌ薄膜を蒸着すると収量が減少してしまうこと
になる。一方あまりに薄いとＫＣｌ薄膜の収量の寄与が
小さく、光電子収量は減ってしまう。したがって最適な
ＫＣｌ薄膜の膜厚を選定する必要があるわけである。
エネルギー領域での透過特性は平坦であり、まさにカッ
トオフ可変ロ−パスフィルターが実現されることにな
る。次にＫＣｌを1000Å蒸着した第１ダイノード16を有
する光電子増倍管15の光検出特性について説明する。第
１ダイノード16はＣｕＢｅ−Ｏでできており、この第１
ダイノード16の光電子収量は約６ｅＶ付近から有限な値
を示し、光エネルギーの増大とともに急激に増加する。
この第１ダイノード16の表面にＫＣｌ薄膜を蒸着する
と、この光電子収量特性が変化し、光エネルギーに対し
てより急激に増大するようになる（図10参照）。これ
は、ＫＣｌ薄膜の光電子収量特性を反映しているためで
ある。ＫＣｌはイオン結晶でそれ自身絶縁体である。し
たがって、光電子を取り出すと帯電してしまい、あまり
厚くＫＣｌ薄膜を蒸着すると収量が減少してしまうこと
になる。一方あまりに薄いとＫＣｌ薄膜の収量の寄与が
小さく、光電子収量は減ってしまう。したがって最適な
ＫＣｌ薄膜の膜厚を選定する必要があるわけである。
【００２２】ＫＣｌ薄膜の膜厚を増やして光電子収量を
測定すると、図10に示すように1000Å付近までほぼ単調
に収量が増大するのがわかった。それ以上の膜厚では飽
和の傾向を示す。光電子収量の膜厚依存性をさらに詳し
く観測すると、８ｅＶ付近の光電子収量が1000Å付近で
小さくなることがわかった。したがって、1000Å膜厚の
ＫＣｌ薄膜を蒸着することで８ｅＶ付近の光電子収量を
減らし９ｅＶ以降で急激に増大する特性を実現すること
ができる。
測定すると、図10に示すように1000Å付近までほぼ単調
に収量が増大するのがわかった。それ以上の膜厚では飽
和の傾向を示す。光電子収量の膜厚依存性をさらに詳し
く観測すると、８ｅＶ付近の光電子収量が1000Å付近で
小さくなることがわかった。したがって、1000Å膜厚の
ＫＣｌ薄膜を蒸着することで８ｅＶ付近の光電子収量を
減らし９ｅＶ以降で急激に増大する特性を実現すること
ができる。
【００２３】第１ダイノード16からの光電子19は複数段
の二次電子倍増用の電極20で106 程度に増幅されコレク
ター21に集められ、増幅器（プリアンプ）17で増幅した
のちパルス計数回路18でその強度を観測する。この光電
子増倍管15の特性は、光エネルギーに対してバイパスフ
ィルターになっている。したがって、そのカットオフエ
ネルギーは、ＫＣｌの光電子収量の立ち上がりで決まり
約９ｅＶ付近に位置する。
の二次電子倍増用の電極20で106 程度に増幅されコレク
ター21に集められ、増幅器（プリアンプ）17で増幅した
のちパルス計数回路18でその強度を観測する。この光電
子増倍管15の特性は、光エネルギーに対してバイパスフ
ィルターになっている。したがって、そのカットオフエ
ネルギーは、ＫＣｌの光電子収量の立ち上がりで決まり
約９ｅＶ付近に位置する。
【００２４】ＣａＦ2 単結晶窓12とＫＣｌ薄膜を蒸着し
た光電子増倍管15の第１ダイノード16の組合せ（すなわ
ち、ロ−パスフィルターとハイパスフィルターの組み合
わせ）でバンドパスフィルターが実現でき、両者のカッ
トオフエネルギーの差がバンド幅になる。実際の特性は
理想的なステップ関数状のフィルター特性を示さず、カ
ットオフ付近でなだらかに変化するので、得られるバン
ドパス特性は、両者の立ち上がり特性を反映にて非対称
なピーク構造を示す。（図11参照）
た光電子増倍管15の第１ダイノード16の組合せ（すなわ
ち、ロ−パスフィルターとハイパスフィルターの組み合
わせ）でバンドパスフィルターが実現でき、両者のカッ
トオフエネルギーの差がバンド幅になる。実際の特性は
理想的なステップ関数状のフィルター特性を示さず、カ
ットオフ付近でなだらかに変化するので、得られるバン
ドパス特性は、両者の立ち上がり特性を反映にて非対称
なピーク構造を示す。（図11参照）
【００２５】ロ−パスフィルターのカットオフ特性はエ
キシトンの吸収を用いているため、良質なＣａＦ2 単結
晶窓では、シャープであるが、ハイパスフィルターのカ
ットオフはＫＣｌ薄膜のバンド間の遷移を反映した光電
子収量特性で構成されているため比較的なだらかになっ
てしまう。バンドパスの半値幅を小さくするためには、
ハイパスフィルターの特性を改善する必要がでてくる。
そこで登場したのがＫＣｌ薄膜を蒸着したＬｉＦ単結晶
窓７である。
キシトンの吸収を用いているため、良質なＣａＦ2 単結
晶窓では、シャープであるが、ハイパスフィルターのカ
ットオフはＫＣｌ薄膜のバンド間の遷移を反映した光電
子収量特性で構成されているため比較的なだらかになっ
てしまう。バンドパスの半値幅を小さくするためには、
ハイパスフィルターの特性を改善する必要がでてくる。
そこで登場したのがＫＣｌ薄膜を蒸着したＬｉＦ単結晶
窓７である。
【００２６】ＫＣｌ薄膜の透過特性は、9.5 ｅＶ付近に
鋭いエキシトンの吸収特性をもち、この吸収位置はロ−
パスフィルターのカットオフよりもわずかに低エネルギ
ーに位置し、ハイパスフィルターのカットオフの位置に
あたる。（図12参照）
鋭いエキシトンの吸収特性をもち、この吸収位置はロ−
パスフィルターのカットオフよりもわずかに低エネルギ
ーに位置し、ハイパスフィルターのカットオフの位置に
あたる。（図12参照）
【００２７】前述の光電子増倍管15の第１ダイノードに
ＫＣｌ薄膜を組み合わせることでカットオフの改善され
たハイパスフィルターが実現される。ＬｉＦ結晶窓７の
透過特性は11ｅＶ付近まで透明であり、ＫＣｌ蒸着薄膜
の基盤として使用している。これら、三者を組み合わせ
ることで、中心エネルギー9.9 ｅＶ、半値幅0.37ｅＶの
バンドパス特性が得られる。（図13参照）
ＫＣｌ薄膜を組み合わせることでカットオフの改善され
たハイパスフィルターが実現される。ＬｉＦ結晶窓７の
透過特性は11ｅＶ付近まで透明であり、ＫＣｌ蒸着薄膜
の基盤として使用している。これら、三者を組み合わせ
ることで、中心エネルギー9.9 ｅＶ、半値幅0.37ｅＶの
バンドパス特性が得られる。（図13参照）
【００２８】ＣａＦ2 単結晶窓12の透過特性は理想的な
ロ−パスフィルターに近い特性であり、そのカットオフ
は結晶の温度で決定される特性をもっている。ＣａＦ2
単結晶窓12を低温に冷却すると、カットオフエネルギー
は高エネルギー側にシフトし、逆に高温に加熱すると低
エネルギー側にシフトする（図９（Ａ），（Ｂ）参
照）。そのため、バンドパスフィルターの特性は、高エ
ネルギーのカットオフの変化に対応した特性の変化を示
し、ＣａＦ2 単結晶窓12を高温に加熱するとバンド幅が
増大し、冷却するとバンド幅が減少する。バンド幅の変
化の他に感度、中心エネルギー位置の変化も伴うが、温
度の関数として較正することで、逆光電子分光測定に使
用可能となる。（図14参照）
ロ−パスフィルターに近い特性であり、そのカットオフ
は結晶の温度で決定される特性をもっている。ＣａＦ2
単結晶窓12を低温に冷却すると、カットオフエネルギー
は高エネルギー側にシフトし、逆に高温に加熱すると低
エネルギー側にシフトする（図９（Ａ），（Ｂ）参
照）。そのため、バンドパスフィルターの特性は、高エ
ネルギーのカットオフの変化に対応した特性の変化を示
し、ＣａＦ2 単結晶窓12を高温に加熱するとバンド幅が
増大し、冷却するとバンド幅が減少する。バンド幅の変
化の他に感度、中心エネルギー位置の変化も伴うが、温
度の関数として較正することで、逆光電子分光測定に使
用可能となる。（図14参照）
【００２９】高い分解能で測定する場合、どうしても測
定感度の低下を伴うため、通常の分解能で測定する場合
よりも多くの時間を必要とする。実際の測定では高い分
解能での測定が好ましいが、測定時間との関連で分解能
をある程度犠牲にして感度向上をはかる必要がでてく
る。そのとき、本発明の帯域幅可変光検出器６が有用に
なる。この光検出器６はあらかじめ校正しておくことで
利用可能となる。これは、ＫＣｌ薄膜を蒸着した窓を利
用した高分解能化された光検出器６と同じ構造で、図３
のように温度可変機構を追加することで新たな特性が得
られることを意味している。
定感度の低下を伴うため、通常の分解能で測定する場合
よりも多くの時間を必要とする。実際の測定では高い分
解能での測定が好ましいが、測定時間との関連で分解能
をある程度犠牲にして感度向上をはかる必要がでてく
る。そのとき、本発明の帯域幅可変光検出器６が有用に
なる。この光検出器６はあらかじめ校正しておくことで
利用可能となる。これは、ＫＣｌ薄膜を蒸着した窓を利
用した高分解能化された光検出器６と同じ構造で、図３
のように温度可変機構を追加することで新たな特性が得
られることを意味している。
【００３０】ＣａＦ2 単結晶窓12に直接ＫＣｌ薄膜を蒸
着しても理論的には同様の性能が得られるが、温度可変
機構が追加され、加熱される状況では、ＫＣｌ薄膜とＣ
ａＦ2 単結晶窓の反応が問題となる可能性が高く、あえ
てＬｉＦ単結晶窓７をもうけてＫＣｌ薄膜の基板とした
方が好ましい結果が得られた。
着しても理論的には同様の性能が得られるが、温度可変
機構が追加され、加熱される状況では、ＫＣｌ薄膜とＣ
ａＦ2 単結晶窓の反応が問題となる可能性が高く、あえ
てＬｉＦ単結晶窓７をもうけてＫＣｌ薄膜の基板とした
方が好ましい結果が得られた。
【００３１】
【発明の効果】窓の結晶を加熱するという単純な方法
で、従来の帯域幅0.35ｅＶから0.2 ｅＶの狭帯域幅まで
連続的に変化できる。逆に冷却すると、帯域幅は広が
り、液体窒素温度で帯域幅は約0.9 ｅＶまで広がる。検
出感度は帯域幅が広いほど高く、狭帯域幅では感度は低
くなる。すべての物質を多くの時間を費やして高分解能
で測定することは少なく、物質によってはできるだけ短
時間で測定しなければならない場合もある（例えば有機
物質、表面の不安定な物質など）。また同一試料におい
ても、全体を低分解能で測定し、極く一部を高分解能で
測定したい場合もある。光検出器の分解能を任意に（範
囲は限られるが）設定できることで効率的である。従来
の技術では、複数の装置を必要とした測定が、本発明に
より１台の装置で可能となる工業上だなる利点がある。
で、従来の帯域幅0.35ｅＶから0.2 ｅＶの狭帯域幅まで
連続的に変化できる。逆に冷却すると、帯域幅は広が
り、液体窒素温度で帯域幅は約0.9 ｅＶまで広がる。検
出感度は帯域幅が広いほど高く、狭帯域幅では感度は低
くなる。すべての物質を多くの時間を費やして高分解能
で測定することは少なく、物質によってはできるだけ短
時間で測定しなければならない場合もある（例えば有機
物質、表面の不安定な物質など）。また同一試料におい
ても、全体を低分解能で測定し、極く一部を高分解能で
測定したい場合もある。光検出器の分解能を任意に（範
囲は限られるが）設定できることで効率的である。従来
の技術では、複数の装置を必要とした測定が、本発明に
より１台の装置で可能となる工業上だなる利点がある。
【００３２】本発明の逆光電子分光用帯域フィルター型
光検出器は、ハイ−・カットフィルターとしてＣａＦ2
単結晶窓が用いられ、ロ−・カットフィルターとして真
空紫外線のエネルギー領域以上の領域で感度をもつ光電
子増倍管を用いている。この基本構成に加えて、性能の
向上のために、光の通過領域のＬｉＦ単結晶窓７及びＣ
ａＦ2 単結晶窓12にＫＣｌ薄膜を被着し、ＫＣｌ薄膜固
有の吸収特性を用いて、帯域フィルターの低エネルギー
側の特性を改善している。また、光電子増倍管の光電面
には感度を高める物質（通常ＫＣｌ薄膜）が蒸着されて
いる。本発明では、ここで用いられている、ＣａＦ2 単
結晶窓及びＫＣｌ薄膜の光吸収特性の温度依存性に着目
し、帯域幅及び感度を改善しつつ、帯域幅を任意に設定
できるようにしたのが特徴である。
光検出器は、ハイ−・カットフィルターとしてＣａＦ2
単結晶窓が用いられ、ロ−・カットフィルターとして真
空紫外線のエネルギー領域以上の領域で感度をもつ光電
子増倍管を用いている。この基本構成に加えて、性能の
向上のために、光の通過領域のＬｉＦ単結晶窓７及びＣ
ａＦ2 単結晶窓12にＫＣｌ薄膜を被着し、ＫＣｌ薄膜固
有の吸収特性を用いて、帯域フィルターの低エネルギー
側の特性を改善している。また、光電子増倍管の光電面
には感度を高める物質（通常ＫＣｌ薄膜）が蒸着されて
いる。本発明では、ここで用いられている、ＣａＦ2 単
結晶窓及びＫＣｌ薄膜の光吸収特性の温度依存性に着目
し、帯域幅及び感度を改善しつつ、帯域幅を任意に設定
できるようにしたのが特徴である。
【００３３】ＫＣｌ薄膜の光吸収特性は図５に示したよ
うに、低温で9.5 ｅＶ近傍の吸収が鋭く大きくなる、ま
たバンドパス領域の9.8 ｅＶ近傍の吸収が小さくなり光
が通過しやすくなる。吸収が低温で大きくなることか
ら、より薄い膜厚で同様の吸収量が得られることにな
り、室温では150 Å必要とした膜厚を100 Å程度まで薄
くできる。これによりさらに、バンドパス領域の光を透
過しやすくなる。
うに、低温で9.5 ｅＶ近傍の吸収が鋭く大きくなる、ま
たバンドパス領域の9.8 ｅＶ近傍の吸収が小さくなり光
が通過しやすくなる。吸収が低温で大きくなることか
ら、より薄い膜厚で同様の吸収量が得られることにな
り、室温では150 Å必要とした膜厚を100 Å程度まで薄
くできる。これによりさらに、バンドパス領域の光を透
過しやすくなる。
【００３４】ＣａＦ2 単結晶窓12の遮断エネルギーの温
度依存性は、高温で低エネルギー側に移動し、低温で高
エネルギー側に移動する。吸収の鋭さ、及び透過領域で
の透過率の変化は小さく無視できる。このＣａＦ2 単結
晶窓の温度制御により、帯域幅を任意に設定できる（図
７参照）。帯域幅をある程度任意に設定できることによ
って、本発明者の目的に応じた測定が可能となった。
度依存性は、高温で低エネルギー側に移動し、低温で高
エネルギー側に移動する。吸収の鋭さ、及び透過領域で
の透過率の変化は小さく無視できる。このＣａＦ2 単結
晶窓の温度制御により、帯域幅を任意に設定できる（図
７参照）。帯域幅をある程度任意に設定できることによ
って、本発明者の目的に応じた測定が可能となった。
【００３５】この、帯域幅可変機構は、ＣａＦ2 単結晶
以外のＳｒＦ2 ，ＭｇＦ2 ，ＬｉＦより選択された単結
晶窓をハイ−・カットフィルターとして用いた帯域フィ
ルター型光検出器にも適用できる。
以外のＳｒＦ2 ，ＭｇＦ2 ，ＬｉＦより選択された単結
晶窓をハイ−・カットフィルターとして用いた帯域フィ
ルター型光検出器にも適用できる。
【図１】図１は従来の逆光電子分光用帯域フィルター型
光検出器の特性図である。
光検出器の特性図である。
【図２】図２は本発明の逆光電子分光用帯域幅可変光検
出器の原理を示す概略図である。
出器の原理を示す概略図である。
【図３】図３は本発明の光検出器の実施の一例を示す原
理説明用構成配置図である。
理説明用構成配置図である。
【図４】図４は本発明光検出器の窓の透過率のエネルギ
ー依存性を示す特性図である。
ー依存性を示す特性図である。
【図５】図５は本発明光検出器のＫＣｌ薄膜の光吸収特
性図である。
性図である。
【図６】図６は本発明光検出器のＫＣｌ薄膜を蒸着した
光電子増倍管の感度特性図である。
光電子増倍管の感度特性図である。
【図７】図７は本発明の帯域幅可変光検出器の帯域フィ
ルターの特性図である。
ルターの特性図である。
【図８】図８は本発明の光検出器の具体的構成を示す原
理説明用図である。
理説明用図である。
【図９】図９（Ａ），（Ｂ）は74Ｋ，273 Ｋ，275 Ｋに
おけるフォトンエネルギーに対する吸収率の温度依存性
及び伝送係数の温度依存性を示す特性図である。
おけるフォトンエネルギーに対する吸収率の温度依存性
及び伝送係数の温度依存性を示す特性図である。
【図１０】図10は本発明光検出器の1000Å，1500Å，50
0 ÅのＫＣｌ薄膜蒸着による光電子収量特性図である。
0 ÅのＫＣｌ薄膜蒸着による光電子収量特性図である。
【図１１】図11は本発明光検出器のＣａＦ2 単結晶窓と
ＫＣｌ蒸着した光電子増倍管の第１ダイノードを組み合
わせた非対称なピーク構造を示すバンドパスフィルター
特性図である。
ＫＣｌ蒸着した光電子増倍管の第１ダイノードを組み合
わせた非対称なピーク構造を示すバンドパスフィルター
特性図である。
【図１２】図12は本発明の光検出器のＫＣｌ薄膜蒸着し
たＬｉＦ単結晶窓の透過特性図である。
たＬｉＦ単結晶窓の透過特性図である。
【図１３】図13は本発明の光検出器のＫＣｌ蒸着膜の基
盤としてＬｉＦ単結晶窓を使用した透過特性図である。
盤としてＬｉＦ単結晶窓を使用した透過特性図である。
【図１４】図14は本発明の光検出器のバンドパスフィル
ターの温度依存性を示す特性図である。
ターの温度依存性を示す特性図である。
１ 電子銃 ２ 電子線 ３ 試料 ４ 反射光 ５ 集光鏡 ６ 光検出器 ７ ＫＣｌ薄膜を蒸着したＬｉＦ単結晶窓 ８ 液体窒素 ９ クライオスタット １０ 熱電対 １１ ヒーター １２ ＫＣｌ薄膜を被着したＣａＦ2 単結晶窓 １３ ＫＣｌ薄膜 １４ 光 １５ 光電子増倍管 １６ 第１ダイノード
Claims (1)
- 【請求項１】 電子銃よりの電子線を試料に当てその反
射光を集光し、光検出を行う逆光電子分光装置の光検出
器において、前記光検出器の光電子増倍管の前面にＫＣ
ｌ薄膜を蒸着したＬｉＦ単結晶窓とＣａＦ2 単結晶窓と
を設け、これら窓に液体窒素温度付近から150 ℃程度ま
で温度を任意に設定できる手段を設け、前記光電子増倍
管の第１ダイノードの表面にＫＣｌ薄膜を蒸着したもの
より成り、前記光電子増倍管の出力側を増幅器を介して
パルス計数回路に接続し、逆光電子分光用帯域フィルタ
ーとしての光吸収特性、窓の透過率、感度より選ばれた
特性を測定するよう構成したことを特徴とする逆光電子
分光用帯域幅可変光検出器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053821A JP2535771B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 逆光電子分光用帯域幅可変光検出器 |
| US08/404,554 US5554844A (en) | 1994-03-24 | 1995-03-15 | Passband-adjustable photo-detector for inverse photoemission spectroscopy |
| EP95301781A EP0674169B1 (en) | 1994-03-24 | 1995-03-17 | Passband-adjustable photo-detector for inverse photoemission spectroscopy |
| DE69528304T DE69528304T2 (de) | 1994-03-24 | 1995-03-17 | Photodetektor mit einstellbarem Durchlassbereich zur inversen Photoemissionspektroskopie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053821A JP2535771B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 逆光電子分光用帯域幅可変光検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07260717A JPH07260717A (ja) | 1995-10-13 |
| JP2535771B2 true JP2535771B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=12953463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6053821A Expired - Lifetime JP2535771B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | 逆光電子分光用帯域幅可変光検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5554844A (ja) |
| EP (1) | EP0674169B1 (ja) |
| JP (1) | JP2535771B2 (ja) |
| DE (1) | DE69528304T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2982262B2 (ja) | 1990-09-10 | 1999-11-22 | 株式会社島津製作所 | 逆光電子分光装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2807602B1 (fr) * | 2000-04-06 | 2002-07-05 | Ge Med Sys Global Tech Co Llc | Dispositif et procede de traitement de lumiere, cassette de prise d'images, module de mesure de dose et appareil de radiologie |
| JP4804251B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2011-11-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像ユニット |
| US9792255B2 (en) * | 2010-08-18 | 2017-10-17 | Osaka University | Electronic state calculation method, electronic state calculation device, and recording medium |
| US20170199131A1 (en) * | 2014-05-29 | 2017-07-13 | Japan Science And Technology Agency | Inverse Photoelectron Spectroscopy Device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3712700A (en) * | 1971-01-18 | 1973-01-23 | Rca Corp | Method of making an electron emitter device |
| JP2982262B2 (ja) * | 1990-09-10 | 1999-11-22 | 株式会社島津製作所 | 逆光電子分光装置 |
| JP2636113B2 (ja) * | 1992-03-26 | 1997-07-30 | 広島大学長 | 帯域フィルター型逆光電子分光検出装置 |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP6053821A patent/JP2535771B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-15 US US08/404,554 patent/US5554844A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-17 EP EP95301781A patent/EP0674169B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-17 DE DE69528304T patent/DE69528304T2/de not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「逆電子分光」、分光研究、第３９巻第１号、ＰＰ．２−１８、（１９９０） |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2982262B2 (ja) | 1990-09-10 | 1999-11-22 | 株式会社島津製作所 | 逆光電子分光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0674169B1 (en) | 2002-09-25 |
| US5554844A (en) | 1996-09-10 |
| DE69528304T2 (de) | 2003-01-23 |
| JPH07260717A (ja) | 1995-10-13 |
| EP0674169A1 (en) | 1995-09-27 |
| DE69528304D1 (de) | 2002-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Miller et al. | Streaked optical pyrometer system for laser-driven shock-wave experiments on OMEGA | |
| James et al. | Excitation pulse‐shape mimic technique for improving picosecond‐laser‐excited time‐correlated single‐photon counting deconvolutions | |
| CN110057446A (zh) | 一种具有宽光谱范围和大量程范围的光功率计 | |
| JP2535771B2 (ja) | 逆光電子分光用帯域幅可変光検出器 | |
| CN110657888B (zh) | 一种日盲紫外像增强器带外光谱灵敏度测量装置及方法 | |
| JP4725873B2 (ja) | ウエハ処理システム及びウエハ処理工程を監視する方法 | |
| JPH1062238A (ja) | 光学スペクトロメータ | |
| Ushida et al. | Implementation of an image intensifier coupled with a linear position‐sensitive detector for measurements of absorption and emission spectra from the nanosecond to millisecond time regime | |
| Tremsin et al. | UV radiation resistance and solar blindness of CsI and KBr photocathodes | |
| JP2535772B2 (ja) | 逆光電子分光用狭帯域高感度光検出器 | |
| Braddick | Photoelectric photometry | |
| CN111426380B (zh) | 用于远紫外波段带外杂散光差分测量的滤光片轮及方法 | |
| Skidmore et al. | Superconducting bolometer for far-infrared Fourier transform spectroscopy | |
| Karasik et al. | Development of the nano-HEB array for low-background far-IR applications | |
| Shefer et al. | Laboratory production of efficient alkali-antimonide photocathodes | |
| Siegmund et al. | Optical and UV sensing sealed tube microchannel plate imaging detectors with high time resolution | |
| Menningen et al. | CH3 and CH densities in a diamond growth dc discharge | |
| JP2982262B2 (ja) | 逆光電子分光装置 | |
| Vo-Dinh | Basic instrumentation in photonics | |
| Smith et al. | A tunable infra-red interference filter | |
| Tsang | Multichannel detection and Raman spectroscopy of surface layers and interfaces | |
| Morrey et al. | High-temperature absorption spectrophotometry—II: The effect of black-body and sample emission on absorption spectra | |
| Teather et al. | Two fast photodiodes for use in pulse radiolysis | |
| Jahangiri et al. | An Array of Bandpass Detectors for Measuring Beam Spectral Components | |
| JPS61129555A (ja) | 空間分解能を有するモニタ− |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |