JP2022186456A - 試料加工装置および試料加工方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 308
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 81
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 118
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 69
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 123
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 80
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 28
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
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- G01N1/32—Polishing; Etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/226—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20207—Tilt
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24578—Spatial variables, e.g. position, distance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2482—Optical means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30466—Detecting endpoint of process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3151—Etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
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Abstract
【解決手段】試料にイオンビームを照射して前記試料を加工する試料加工装置であって、試料にイオンビームを照射するイオン源と、試料上に配置され、イオンビームを遮蔽する遮蔽部材と、試料を保持する試料ステージと、試料を撮影するカメラと、カメラの光軸に沿って照明光を試料に照射する同軸落射照明装置と、カメラで撮影された画像に基づいて、加工の終了を判断する処理部と、を含み、処理部は、目標加工幅の情報を取得する処理と、画像を取得する処理と、取得した画像において、加工幅を測定する処理と、測定された加工幅が目標加工幅以上になった場合に、加工を終了する処理と、を行う。
【選択図】図9
Description
試料にイオンビームを照射して前記試料を加工する試料加工装置であって、
前記試料に前記イオンビームを照射するイオン源と、
前記試料上に配置され、前記イオンビームを遮蔽する遮蔽部材と、
前記試料を保持する試料ステージと、
前記試料を撮影するカメラと、
前記カメラの光軸に沿って照明光を前記試料に照射する同軸落射照明装置と、
前記カメラで撮影された画像に基づいて、加工の終了を判断する処理部と、
を含み、
前記処理部は、
目標加工幅の情報を取得する処理と、
前記画像を取得する処理と、
取得した前記画像において、加工幅を測定する処理と、
測定された前記加工幅が前記目標加工幅以上になった場合に、加工を終了する処理と、を行う。
試料にイオンビームを照射して前記試料を加工する試料加工装置を用いた試料加工方法であって、
目標加工幅の情報を取得する工程と、
前記試料を同軸落射照明して撮影された画像を取得する工程と、
取得した前記画像において、加工幅を測定する工程と、
測定された前記加工幅が前記目標加工幅以上になった場合に、加工を終了する工程と、を含む。
まず、本発明の一実施形態に係る試料加工装置について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る試料加工装置100の構成を示す図である。図1には、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
2.1. 二段ミリング法
二段ミリング法は、例えば、基板上に形成された薄膜や、基板上に形成された、配線やトランジスタなどが形成された積層膜など、を断面方向から観察するための試料を作製する手法である。二段ミリング法では、試料を全体的に薄くする一次ミリングと、加工対象物である薄膜や積層膜を透過電子顕微鏡で観察可能な厚さまで薄くする二次ミリングと、
を行う。
図2~図4は、一次ミリングを説明するための図である。図2は、試料2および遮蔽部材30を模式的に示す斜視図である。図3は、試料2の揺動動作について説明するための図である。図4は、イオン源10の動作を説明するための図である。
ように加工される。なお、一次ミリングにおいて、加工領域5が遮蔽部材30とほぼ同じ厚さであって、第1端部2aから第2端部2bに向かうにしたがって膜厚が大きくなるように加工されてもよい。
図6は、二次ミリングを説明するための図である。
3.1. 一次ミリングの準備
3.1.1. 試料のセット
図1および図2に示すように、試料ステージ20に試料2をセットし、試料2上に遮蔽部材30を配置する。そして、チャンバー内を真空排気する。試料2および遮蔽部材30を透過照明装置40で透過照明し、同軸落射照明装置44で同軸落射照明する。
カメラ60で撮影された画像I2のノイズレベルを測定する。情報処理装置70は、例えば、カメラ60の視野内の同一箇所の輝度を複数回測定し、最大輝度から最小輝度を引いた値をノイズレベルとする。このようにして、ノイズレベルを数値化する。
ユーザーは、画像I2において、加工幅Wを測定する位置を指定する。図8は、加工幅Wを測定する位置を指定するためのカーソルCを模式的に示す図である。
ユーザーは、目標加工幅TWを指定する。例えば、情報処理装置70は、表示部80にGUI(Graphical User Interface)画面を表示させる。GUI画面は、目標加工幅TWを入力するためのテキストボックスを含み、ユーザーが操作部を介してテキストボックスに目標加工幅TWを入力することで、情報処理装置70に目標加工幅TWの情報が入力される。目標加工幅TWが入力されると、図8に示すように、ラインL上に目標加工幅TWに対応するマーカーMが表示される。なお、目標加工幅TWの設定方法はこれに限定されない。
3.2.1. 一次ミリングの流れ
試料加工装置100では、情報処理装置70が一次ミリングにより試料2を加工するための一次ミリング処理を行う。図9は、情報処理装置70の一次ミリング処理の一例を示すフローチャートである。
2を撮影した場合では、スイング機構の機械的な動作ガタによって、画像間にずれが生じる場合がある。上記のように、試料2の揺動動作の1周期に1回、画像I2を取得することによって、動作ガタによる画像間のずれを低減できる。
、その他の条件で判断してもよい。例えば、集合体を構成するピクセル数が所定数よりも少ない場合や、加工時間が設定された時間よりも短い場合、集合体の領域の変化が大きい場合などに、傾斜面3を抽出できていないと判定してもよい。
一般的に加工が正常に進むと、試料2と遮蔽部材30との間の隙間にミリングされた試料2等が付着するため、隙間が小さくなる。これに対して、加工が進むにしたがって、隙間が大きくなる場合には、試料2の加工領域5の上端が、遮蔽部材30の直下からずれてミリングされている可能性がある。すなわち、加工が正常に進んでいない可能性が高い。
I2の隙間に相当する領域の輝度プロファイルを示している。
情報処理装置70は、上述した一次ミリング処理と並行して、加工の終了時間を予測する処理を行う。
理装置70は、二値化画像I2Bにおいて集合体が1つの場合には、集合体の外側のエッジの位置の変化または集合体の内側のエッジの位置の変化から加工の終了時間を予測してもよい。
3.3.1. 試料のセット
一次ミリングが終了した後、二次ミリングを開始する前に、図6に示すように、試料2の上下を反転させて、試料2の第2端部2bを上、第1端部2aを下にする。例えば、チャンバーを大気開放した後、ユーザーが試料ステージ20に配置された試料2の上下を反転させる。試料2の上下を反転して試料ステージ20に試料2を固定した後、遮蔽部材30を取り外す。そして、チャンバー内を真空排気する。
図17は、目標位置TPを指定する処理を説明するための図である。
3.4.1. 二次ミリングの流れ
試料加工装置100では、情報処理装置70が二次ミリングにより試料2を加工するための二次ミリング処理を行う。図18は、情報処理装置70の二次ミリング処理の一例を示すフローチャートである。
情報処理装置70は、上述した二次ミリング処理と並行して、加工の終了時間を予測する処理を行う。
上述した図18に示す二次ミリング処理では、図17に示すように、ユーザーがカーソルCを用いて目標位置TPを指定することによって目標位置TPを設定した。これに対して、情報処理装置70が自動で目標位置TPを設定してもよい。例えば、情報処理装置70は、積層膜6と保護部材8の境界に、自動で目標位置TPを設定する。
4.1. 一次ミリングにおける効果
試料加工装置100では、情報処理装置70は、目標加工幅TWの情報を取得する処理と、同軸落射照明された試料2を撮影して得られた画像I2を取得する処理と、取得した画像I2において、加工幅Wを測定する処理と、測定された加工幅Wが目標加工幅TW以上になった場合に、加工を終了する処理と、を行う。
い場合に、加工を終了する処理と、を行う。そのため、試料加工装置100では、試料2の加工が正常に進んでいない場合に、自動で加工を中止することができる。
試料加工装置100では、情報処理装置70は、画像I2を取得する処理と、加工の目標位置TPの情報を取得する処理と、画像I2において加工領域5のエッジEを検出する処理と、画像I2において加工領域5に形成された孔Hを検出する処理と、加工領域5のエッジEまたは孔Hが目標位置TPに到達したか否かを判定する処理と、加工領域5のエッジEまたは孔Hが目標位置TPに到達したと判定した場合に、加工を終了する処理と、行う。
5.1. 第1変形例
上述した実施形態では、二次ミリングにおいて試料2の厚さに応じて、段階的に加速電圧を変更してもよい。例えば、試料2が薄くなるにしたがって、加速電圧を下げてもよい。これにより、イオンビームIBの照射による試料2の損傷の影響を低減できる。
図9に示す一次ミリング処理において、情報処理装置70は、画像I2の位置ずれを補正する処理を行ってもよい。
上述した実施形態では、二段ミリング法の一次ミリングにおいて、加工幅Wに基づいて加工の終了を判断したが、この加工の終了を判断する手法はその他の試料加工方法にも適用できる。例えば、クロスセクションポリッシャ(登録商標)で断面試料を作製する場合にも、加工幅Wに基づいて加工の終了を判断できる。
理S116が異なる。
Claims (7)
- 試料にイオンビームを照射して前記試料を加工する試料加工装置であって、
前記試料に前記イオンビームを照射するイオン源と、
前記試料上に配置され、前記イオンビームを遮蔽する遮蔽部材と、
前記試料を保持する試料ステージと、
前記試料を撮影するカメラと、
前記カメラの光軸に沿って照明光を前記試料に照射する同軸落射照明装置と、
前記カメラで撮影された画像に基づいて、加工の終了を判断する処理部と、
を含み、
前記処理部は、
目標加工幅の情報を取得する処理と、
前記画像を取得する処理と、
取得した前記画像において、加工幅を測定する処理と、
測定された前記加工幅が前記目標加工幅以上になった場合に、加工を終了する処理と、を行う、試料加工装置。 - 請求項1において、
前記処理部は、前記加工幅を測定する処理において、前記画像を二値化して二値化画像を生成し、前記二値化画像において前記加工幅を測定する、試料加工装置。 - 請求項2において、
前記処理部は、前記加工幅を測定する処理において、
前記画像を二値化して加工によって形成された傾斜面を抽出し、
抽出された前記傾斜面の数が2つか否かを判定し、
前記傾斜面が2つの場合に、2つの前記傾斜面の間の距離を測定することによって前記加工幅を測定する、試料加工装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記試料を透過照明する照明光を発する透過照明装置を含み、
前記カメラは、同軸落射照明および透過照明された前記試料を撮影する、試料加工装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記処理部は、前記加工幅の測定結果に基づいて、加工の終了時間を予測する処理を行う、試料加工装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記試料ステージは、前記試料を揺動させるスイング機構を有し、
前記処理部は、前記画像を取得する処理において、前記試料が水平になったタイミングで前記カメラで撮影された前記画像を取得する、試料加工装置。 - 試料にイオンビームを照射して前記試料を加工する試料加工装置を用いた試料加工方法であって、
目標加工幅の情報を取得する工程と、
前記試料を同軸落射照明して撮影された画像を取得する工程と、
取得した前記画像において、加工幅を測定する工程と、
測定された前記加工幅が前記目標加工幅以上になった場合に、加工を終了する工程と、を含む、試料加工方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021094687A JP7285884B2 (ja) | 2021-06-04 | 2021-06-04 | 試料加工装置および試料加工方法 |
EP22176775.9A EP4098995A1 (en) | 2021-06-04 | 2022-06-01 | Specimen machining device and specimen machining method |
US17/832,054 US20220392739A1 (en) | 2021-06-04 | 2022-06-03 | Specimen Machining Device and Specimen Machining Method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021094687A JP7285884B2 (ja) | 2021-06-04 | 2021-06-04 | 試料加工装置および試料加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022186456A true JP2022186456A (ja) | 2022-12-15 |
JP7285884B2 JP7285884B2 (ja) | 2023-06-02 |
Family
ID=82214447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021094687A Active JP7285884B2 (ja) | 2021-06-04 | 2021-06-04 | 試料加工装置および試料加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220392739A1 (ja) |
EP (1) | EP4098995A1 (ja) |
JP (1) | JP7285884B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5657435B2 (ja) | 2011-03-15 | 2015-01-21 | 日本電子株式会社 | 薄膜試料作製方法 |
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2021
- 2021-06-04 JP JP2021094687A patent/JP7285884B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-01 EP EP22176775.9A patent/EP4098995A1/en active Pending
- 2022-06-03 US US17/832,054 patent/US20220392739A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7285884B2 (ja) | 2023-06-02 |
EP4098995A1 (en) | 2022-12-07 |
US20220392739A1 (en) | 2022-12-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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