JPH05179467A - エッチング終点検出方法 - Google Patents
エッチング終点検出方法Info
- Publication number
- JPH05179467A JPH05179467A JP34610291A JP34610291A JPH05179467A JP H05179467 A JPH05179467 A JP H05179467A JP 34610291 A JP34610291 A JP 34610291A JP 34610291 A JP34610291 A JP 34610291A JP H05179467 A JPH05179467 A JP H05179467A
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- JP
- Japan
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- etching
- end point
- light
- plasma
- etched
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ドライエッチング中の被エッチング膜上から
集光した干渉光およびプラズマ光を光ファイバーケーブ
ル１９を用いて取り出し、この光をパラレルに赤、緑、
青の３種類のカラーフィルター２０ａ、２０ｂ、２０ｃ
に通し、この後フォトダイオード２１ａ、２１ｂ、２１
ｃにより電圧変換し、これら３つの電圧値の変動により
エッチングの終点を検出するエッチング終点検出方法。 【効果】 被エッチング面積が微少な場合においても終
点を検出することができ、エッチング条件の異なる場合
においてもハードの変更を必要としない。
集光した干渉光およびプラズマ光を光ファイバーケーブ
ル１９を用いて取り出し、この光をパラレルに赤、緑、
青の３種類のカラーフィルター２０ａ、２０ｂ、２０ｃ
に通し、この後フォトダイオード２１ａ、２１ｂ、２１
ｃにより電圧変換し、これら３つの電圧値の変動により
エッチングの終点を検出するエッチング終点検出方法。 【効果】 被エッチング面積が微少な場合においても終
点を検出することができ、エッチング条件の異なる場合
においてもハードの変更を必要としない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエッチング終点検出方
法、より詳細には光ファイバーケーブルを用いたエッチ
ング終点検出方法に関する。
法、より詳細には光ファイバーケーブルを用いたエッチ
ング終点検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ（半導体素子）の高密度及び微細
化には、フォトリソグラフィ技術と並んでエッチング技
術が重要な役割を担う。そしてこのエッチング技術にお
いては、所望のエッチングが行なわれたか否かの判定、
すなわち所望のエッチングが終了したか否かを検出する
技術が重要となる。
化には、フォトリソグラフィ技術と並んでエッチング技
術が重要な役割を担う。そしてこのエッチング技術にお
いては、所望のエッチングが行なわれたか否かの判定、
すなわち所望のエッチングが終了したか否かを検出する
技術が重要となる。
【０００３】従来のエッチング終了検出方法は、図２に
示したシステムにより行なわれている。図中３１はエッ
チングチャンバーを示しており、エッチングチャンバー
３１の下部には下部電極３５が配設されており、下部電
極３５上にはシリコンウエハ３２が載置されている。ま
たエッチングチャンバー３１の上部には上部電極３４が
配設されており、エッチングチャンバー３１の側面には
石英窓３３が形成されている。石英窓３３に集光レンズ
３７が近設されており、集光レンズ３７はモノクロメー
タ３９に接続されている。さらにモノクロメータ３９は
電圧計４２を介してペンレコーダー４３に接続されてい
る。また、モノクロメータ３９にはプログラマブルコン
トローラ３８も接続されており、プログラマブルコント
ローラ３８はＲＦ電源３６に接続されている。このＲＦ
電源３６はシリコンウエハ３２上面の電荷を正負に交互
に変化させるための高周波を下部電極３５に与えるよう
に下部電極３５に接続されている。
示したシステムにより行なわれている。図中３１はエッ
チングチャンバーを示しており、エッチングチャンバー
３１の下部には下部電極３５が配設されており、下部電
極３５上にはシリコンウエハ３２が載置されている。ま
たエッチングチャンバー３１の上部には上部電極３４が
配設されており、エッチングチャンバー３１の側面には
石英窓３３が形成されている。石英窓３３に集光レンズ
３７が近設されており、集光レンズ３７はモノクロメー
タ３９に接続されている。さらにモノクロメータ３９は
電圧計４２を介してペンレコーダー４３に接続されてい
る。また、モノクロメータ３９にはプログラマブルコン
トローラ３８も接続されており、プログラマブルコント
ローラ３８はＲＦ電源３６に接続されている。このＲＦ
電源３６はシリコンウエハ３２上面の電荷を正負に交互
に変化させるための高周波を下部電極３５に与えるよう
に下部電極３５に接続されている。
【０００４】このように構成されたシステムを用いてシ
リコンウエハ３２表面にエッチングを施す場合、まずエ
ッチングチャンバー３１内を排気した後エッチングガス
を供給する。次にＲＦ電源３６から上部電極３４又は下
部電極３５に高周波電界を印加することにより、エッチ
ングチャンバー３１内にプラズマを発生させる。このプ
ラズマがシリコンウエハ３２の表面に達すると、プラズ
マ流中のイオン及びラジカル粒子により表面反応が生起
され、このことによってシリコンウエハ３２表面がエッ
チングされる。
リコンウエハ３２表面にエッチングを施す場合、まずエ
ッチングチャンバー３１内を排気した後エッチングガス
を供給する。次にＲＦ電源３６から上部電極３４又は下
部電極３５に高周波電界を印加することにより、エッチ
ングチャンバー３１内にプラズマを発生させる。このプ
ラズマがシリコンウエハ３２の表面に達すると、プラズ
マ流中のイオン及びラジカル粒子により表面反応が生起
され、このことによってシリコンウエハ３２表面がエッ
チングされる。
【０００５】一方、エッチングの終点を検出するために
エッチング処理中に発生したプラズマ発光を集光し、そ
の中からエッチングガスと被エッチング物質との、もし
くは下地膜との反応生成物（例えばＣＯ、ＳｉＦ等）の
発光単一波長のみを分光して終点の検出を行なう。その
ために集光レンズ３７により集光させたプラズマ発光を
モノクロメータ３９で分光し、この分光したデータを電
圧計４２に送り、電圧計４２で測定された電圧変化をペ
ンレコーダー４３によって記憶させる。このとき、モノ
クロメータ３９で分光した発光単一波長の電圧変化デー
タがモノクロメータ３９からプログラマブルコントロー
ラ３８に入力され、この入力結果に基づいてプログラマ
ブルコントローラ３８はエッチングの終点を判断し、Ｒ
Ｆ電源３６のＯＮ、ＯＦＦの制御を行なう。
エッチング処理中に発生したプラズマ発光を集光し、そ
の中からエッチングガスと被エッチング物質との、もし
くは下地膜との反応生成物（例えばＣＯ、ＳｉＦ等）の
発光単一波長のみを分光して終点の検出を行なう。その
ために集光レンズ３７により集光させたプラズマ発光を
モノクロメータ３９で分光し、この分光したデータを電
圧計４２に送り、電圧計４２で測定された電圧変化をペ
ンレコーダー４３によって記憶させる。このとき、モノ
クロメータ３９で分光した発光単一波長の電圧変化デー
タがモノクロメータ３９からプログラマブルコントロー
ラ３８に入力され、この入力結果に基づいてプログラマ
ブルコントローラ３８はエッチングの終点を判断し、Ｒ
Ｆ電源３６のＯＮ、ＯＦＦの制御を行なう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のエッチング終点検出方法においては、エッチン
グの際発生するプラズマ発光を集光し、目的の発光単一
波長のみを分光して、エッチングの終点検出を行なうた
め、コンタクトホール加工などの被エッチング面積が微
少な場合には十分な発光強度が得られず、終点検出がで
きないという課題があった。
た従来のエッチング終点検出方法においては、エッチン
グの際発生するプラズマ発光を集光し、目的の発光単一
波長のみを分光して、エッチングの終点検出を行なうた
め、コンタクトホール加工などの被エッチング面積が微
少な場合には十分な発光強度が得られず、終点検出がで
きないという課題があった。
【０００７】またエッチングガス及び被エッチング物質
等のエッチング系が異なると、発生するプラズマ状態が
変化する。発光するプラズマ状態の変化に応じて分光す
る波長を変える必要が生じるため、モノクロメータを多
数用意するかもしくは２０００から８０００Åの波長を
カバーする分光器を用意する必要があるという課題があ
った。
等のエッチング系が異なると、発生するプラズマ状態が
変化する。発光するプラズマ状態の変化に応じて分光す
る波長を変える必要が生じるため、モノクロメータを多
数用意するかもしくは２０００から８０００Åの波長を
カバーする分光器を用意する必要があるという課題があ
った。
【０００８】本発明はこのような課題に鑑み発明された
方法であって、被エッチング面積が微少な場合において
も終点を検出することができ、エッチング条件が異なる
場合においてもハードの変更を必要としないエッチング
終点検出方法を提供することを目的としている。
方法であって、被エッチング面積が微少な場合において
も終点を検出することができ、エッチング条件が異なる
場合においてもハードの変更を必要としないエッチング
終点検出方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るエッチング終点検出方法は、ドライエッ
チング中の被エッチング膜上から集光した干渉光および
プラズマ光を光ファイバーケーブルを用いて取り出し、
この光をパラレルに赤、緑、青の３種類のカラーフィル
ターに通し、この後フォトダイオードにより電圧変換
し、これら３つの電圧値の変動によりエッチングの終点
を検出することを特徴としている。
に本発明に係るエッチング終点検出方法は、ドライエッ
チング中の被エッチング膜上から集光した干渉光および
プラズマ光を光ファイバーケーブルを用いて取り出し、
この光をパラレルに赤、緑、青の３種類のカラーフィル
ターに通し、この後フォトダイオードにより電圧変換
し、これら３つの電圧値の変動によりエッチングの終点
を検出することを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記した方法によれば、ドライエッチング中の
被エッチング膜上から集光した干渉光およびプラズマ光
を光ファイバーケーブルを用いて取り出し、この光をパ
ラレルに赤、緑、青の３種類のカラーフィルターに通
し、この後フォトダイオードにより電圧変換し、これら
３つの電圧値の変動によりエッチングの終点を検出する
ので、エッチングガス及び被エッチング膜が異なって
も、またエッチング面積にかかわらず干渉光及びプラズ
マ光の集光により、確実にエッチングの終点を検出する
ことが可能となる。
被エッチング膜上から集光した干渉光およびプラズマ光
を光ファイバーケーブルを用いて取り出し、この光をパ
ラレルに赤、緑、青の３種類のカラーフィルターに通
し、この後フォトダイオードにより電圧変換し、これら
３つの電圧値の変動によりエッチングの終点を検出する
ので、エッチングガス及び被エッチング膜が異なって
も、またエッチング面積にかかわらず干渉光及びプラズ
マ光の集光により、確実にエッチングの終点を検出する
ことが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係るエッチング終点検出方法
の実施例を図面に基づいて説明する。
の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１２】図１は本発明に係るエッチング終点検出方
法を示したシステム図である。図中１１はエッチングチ
ャンバーを示しており、エッチングチャンバー１１の下
部には下部電極１５が配設されており、下部電極１５上
にはシリコンウエハ１２が載置されている。またエッチ
ングチャンバー１１の上部には上部電極１４が配設され
ており、エッチングチャンバー１１の上面には直径５ｃ
ｍ以下の円形の石英窓１３が形成されている。石英窓１
３には集光レンズ１７が近設されており、集光レンズ１
７は光ファイバーケーブル１９の先端部に装着されてい
る。光ファイバーケーブル１９はカラーフィルター２０
に接続されている。このカラーフィルタ２０はカラーフ
ィルターＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラー
フィルターＢ２０ｃの３種類に分割されており、カラー
フィルターＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラ
ーフィルターＢ２０ｃそれぞれにフォトダイオード２１
ａ、２１ｂ、２１ｃが装着されている。フォトダイオー
ド２１ａ、２１ｂ、２１ｃには電圧計２２ａ、２２ｂ、
２２ｃが接続されており、電圧計２２ａ、２２ｂ、２２
ｃはさらにペンレコーダー２３ａ、２３ｂ、２３ｃに接
続されている。また、フォトダイオード２１ａ、２１
ｂ、２１ｃにはプログラマブルコントローラ１８も接続
されており、プログラマブルコントローラ１８はＲＦ電
源１６に接続されている。このＲＦ電源１６はシリコン
ウエハ１２上面の電荷を正負に交互に変化させるため高
周波を下部電極１５に与えるように下部電極１５に接続
されている。
法を示したシステム図である。図中１１はエッチングチ
ャンバーを示しており、エッチングチャンバー１１の下
部には下部電極１５が配設されており、下部電極１５上
にはシリコンウエハ１２が載置されている。またエッチ
ングチャンバー１１の上部には上部電極１４が配設され
ており、エッチングチャンバー１１の上面には直径５ｃ
ｍ以下の円形の石英窓１３が形成されている。石英窓１
３には集光レンズ１７が近設されており、集光レンズ１
７は光ファイバーケーブル１９の先端部に装着されてい
る。光ファイバーケーブル１９はカラーフィルター２０
に接続されている。このカラーフィルタ２０はカラーフ
ィルターＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラー
フィルターＢ２０ｃの３種類に分割されており、カラー
フィルターＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラ
ーフィルターＢ２０ｃそれぞれにフォトダイオード２１
ａ、２１ｂ、２１ｃが装着されている。フォトダイオー
ド２１ａ、２１ｂ、２１ｃには電圧計２２ａ、２２ｂ、
２２ｃが接続されており、電圧計２２ａ、２２ｂ、２２
ｃはさらにペンレコーダー２３ａ、２３ｂ、２３ｃに接
続されている。また、フォトダイオード２１ａ、２１
ｂ、２１ｃにはプログラマブルコントローラ１８も接続
されており、プログラマブルコントローラ１８はＲＦ電
源１６に接続されている。このＲＦ電源１６はシリコン
ウエハ１２上面の電荷を正負に交互に変化させるため高
周波を下部電極１５に与えるように下部電極１５に接続
されている。
【００１３】このように構成された装置を用いてシリコ
ンウエハ１２表面にエッチングを施す場合、まずエッチ
ングチャンバー１１内を排気した後エッチングガスを供
給する。次にＲＦ電源１６から上部電極１４又は下部電
極１５に高周波電界を印加することにより、エッチング
チャンバー１１内にプラズマを発生させる。このプラズ
マがシリコンウエハ１２の表面に達すると、プラズマ流
中のイオン及びラジカル粒子により表面反応が生起さ
れ、このことによってシリコンウエハ１２表面がエッチ
ングされる。
ンウエハ１２表面にエッチングを施す場合、まずエッチ
ングチャンバー１１内を排気した後エッチングガスを供
給する。次にＲＦ電源１６から上部電極１４又は下部電
極１５に高周波電界を印加することにより、エッチング
チャンバー１１内にプラズマを発生させる。このプラズ
マがシリコンウエハ１２の表面に達すると、プラズマ流
中のイオン及びラジカル粒子により表面反応が生起さ
れ、このことによってシリコンウエハ１２表面がエッチ
ングされる。
【００１４】一方、エッチングの終点を検出するために
エッチング処理中に発生した被エッチング膜の干渉光お
よびプラズマ光を集光レンズ１７により集光し、集光し
た光を光ファイバーケーブル１９を介してカラーフィル
ターＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラーフィ
ルターＢ２０ｃに通した後フォトダイオード２１ａ、２
１ｂ、２１ｃにおいて受光させ、受光した光強度を電圧
変換する。電圧変換した電圧値を電圧計２２ａ、２２
ｂ、２２ｃで測定し、その測定値をペンレコーダ２３
ａ、２３ｂ、２３ｃで記録させる。また電圧変換した電
圧値はプログラマブルコントローラ１８にも入力され
る。基本的にはエッチング膜が薄くなるにつれて干渉光
が変わるため、エッチングが進むにつれてカラーフィル
タＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラーフィル
ターＢ２０ｃの各々を通して出力される光強度が変化
し、フォトダイオード２１ａ、２１ｂ、２１ｃで測定さ
れる値が時間の経過とともに変化してゆく。この変化を
利用してエッチングの終点を検出する。例えば下地膜の
エッチングレートが遅いことを利用し、強度変化の変化
率が遅くなった時点で終点とすることができる。このよ
うな変化率をあらかじめプログラマブルコントローラ１
８に記憶させておき、実際のエッチング時のデータとを
比較させてエッチングの終点を検出し、プログラマブル
コントローラ１８からＲＦ電源１６に終点シグナルを出
力する。この終点検出シグナルによりＲＦ電源１６をＯ
ＦＦし、エッチングを終了する。
エッチング処理中に発生した被エッチング膜の干渉光お
よびプラズマ光を集光レンズ１７により集光し、集光し
た光を光ファイバーケーブル１９を介してカラーフィル
ターＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラーフィ
ルターＢ２０ｃに通した後フォトダイオード２１ａ、２
１ｂ、２１ｃにおいて受光させ、受光した光強度を電圧
変換する。電圧変換した電圧値を電圧計２２ａ、２２
ｂ、２２ｃで測定し、その測定値をペンレコーダ２３
ａ、２３ｂ、２３ｃで記録させる。また電圧変換した電
圧値はプログラマブルコントローラ１８にも入力され
る。基本的にはエッチング膜が薄くなるにつれて干渉光
が変わるため、エッチングが進むにつれてカラーフィル
タＲ２０ａ、カラーフィルターＧ２０ｂ、カラーフィル
ターＢ２０ｃの各々を通して出力される光強度が変化
し、フォトダイオード２１ａ、２１ｂ、２１ｃで測定さ
れる値が時間の経過とともに変化してゆく。この変化を
利用してエッチングの終点を検出する。例えば下地膜の
エッチングレートが遅いことを利用し、強度変化の変化
率が遅くなった時点で終点とすることができる。このよ
うな変化率をあらかじめプログラマブルコントローラ１
８に記憶させておき、実際のエッチング時のデータとを
比較させてエッチングの終点を検出し、プログラマブル
コントローラ１８からＲＦ電源１６に終点シグナルを出
力する。この終点検出シグナルによりＲＦ電源１６をＯ
ＦＦし、エッチングを終了する。
【００１５】また被エッチング面積が広い場合、例えば
被エッチング面積比がシリコンウエハ１２全面に対して
５０％以上の場合、光ファイバーケーブル１９先端に装
着する集光レンズ１７を凸レンズにすることによりシリ
コンウエハ１２全面より集光することができる。一方、
被エッチング面積が微少な場合、例えば被エッチング面
積比がシリコンウエハ１２全面に対して５０％以下の場
合、集光レンズ１７を凹レンズにすることにより、スク
ライブラインにより対応させることができるダミーパタ
ーン部分を設定し、例えば１０-2ｍｍ2 の大きさのシリ
コンウエハ１２部分を設定し、この部分からの干渉光の
変化をモニターすることができる。従って被エッチング
面積が微少であっても、エッチングの終点を精度よく検
出することができる。
被エッチング面積比がシリコンウエハ１２全面に対して
５０％以上の場合、光ファイバーケーブル１９先端に装
着する集光レンズ１７を凸レンズにすることによりシリ
コンウエハ１２全面より集光することができる。一方、
被エッチング面積が微少な場合、例えば被エッチング面
積比がシリコンウエハ１２全面に対して５０％以下の場
合、集光レンズ１７を凹レンズにすることにより、スク
ライブラインにより対応させることができるダミーパタ
ーン部分を設定し、例えば１０-2ｍｍ2 の大きさのシリ
コンウエハ１２部分を設定し、この部分からの干渉光の
変化をモニターすることができる。従って被エッチング
面積が微少であっても、エッチングの終点を精度よく検
出することができる。
【００１６】このように、上記したエッチング終点検出
方法を用いてエッチング終点を検出する場合、カラーフ
ィルター２０ａ、２０ｂ、２０ｃを通した干渉光及びプ
ラズマ光をフォトダイオード２１ａ、２１ｂ、２１ｃで
電圧に変換しているので、被エッチング面積の大きさに
かかわらず、エッチング終点の検出をすることができ
る。また、エッチングの条件の異なる場合においても同
様の装置を用いてエッチング終点の検出をすることもで
きる。
方法を用いてエッチング終点を検出する場合、カラーフ
ィルター２０ａ、２０ｂ、２０ｃを通した干渉光及びプ
ラズマ光をフォトダイオード２１ａ、２１ｂ、２１ｃで
電圧に変換しているので、被エッチング面積の大きさに
かかわらず、エッチング終点の検出をすることができ
る。また、エッチングの条件の異なる場合においても同
様の装置を用いてエッチング終点の検出をすることもで
きる。
【００１７】なお上記実施例ではエッチング装置として
平行平板型のＲＩＥを例に挙げて説明しているが、エッ
チング装置としてはこの他にＥＣＲ励起エッチング装
置、マグネトロンエンハンスメントエッチング装置等で
あっても良く、これらの装置を用いた場合にも同様に本
発明に係る方法を適用することができる。
平行平板型のＲＩＥを例に挙げて説明しているが、エッ
チング装置としてはこの他にＥＣＲ励起エッチング装
置、マグネトロンエンハンスメントエッチング装置等で
あっても良く、これらの装置を用いた場合にも同様に本
発明に係る方法を適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るエッチ
ング終点検出方法においては、ドライエッチング中の被
エッチング膜上から集光した干渉光およびプラズマ光を
光ファイバーケーブルを用いて取り出し、この光をパラ
レルに赤、緑、青の３種類のカラーフィルターに通し、
この後フォトダイオードにより電圧変換し、これら３つ
の電圧値の変動によりエッチングの終点を検出するの
で、エッチング面積にかかわらず干渉光及びプラズマ光
の集光により精度良くエッチング終点を検出することが
できる。従って、被エッチング面積が微少な場合におい
ても終点を検出することができ、またエッチング条件の
異なる場合においてもハードの変更を必要としない。
ング終点検出方法においては、ドライエッチング中の被
エッチング膜上から集光した干渉光およびプラズマ光を
光ファイバーケーブルを用いて取り出し、この光をパラ
レルに赤、緑、青の３種類のカラーフィルターに通し、
この後フォトダイオードにより電圧変換し、これら３つ
の電圧値の変動によりエッチングの終点を検出するの
で、エッチング面積にかかわらず干渉光及びプラズマ光
の集光により精度良くエッチング終点を検出することが
できる。従って、被エッチング面積が微少な場合におい
ても終点を検出することができ、またエッチング条件の
異なる場合においてもハードの変更を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るエッチング終点検出方法の実施例
を説明するためのシステム図である。
を説明するためのシステム図である。
【図２】従来のエッチング終点検出方法を説明するため
のシステム図である。
のシステム図である。
１９ 光ファイバーケーブル ２０ａ カラーフィルターＲ ２０ｂ カラーフィルターＧ ２０ｃ カラーフィルターＢ ２１ａ、２１ｂ、２１ｃ フォトダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 ドライエッチング中の被エッチング膜上
から集光した干渉光およびプラズマ光を光ファイバーケ
ーブルを用いて取り出し、この光をパラレルに赤、緑、
青の３種類のカラーフィルターに通し、この後フォトダ
イオードにより電圧変換し、これら３つの電圧値の変動
によりエッチングの終点を検出するエッチング終点検出
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34610291A JPH05179467A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エッチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34610291A JPH05179467A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エッチング終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05179467A true JPH05179467A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=18381149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34610291A Pending JPH05179467A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | エッチング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05179467A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6890771B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-05-10 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method using spectroscopic processing unit |
| US6903826B2 (en) | 2001-09-06 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process |
| US6961131B2 (en) | 2000-06-20 | 2005-11-01 | Opnext Japan, Inc. | Film thickness measuring method of member to be processed using emission spectroscopy and processing method of the member using the measuring method |
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