CN102788916A - 等离子体监测系统 - Google Patents

等离子体监测系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102788916A
CN102788916A CN2012101477146A CN201210147714A CN102788916A CN 102788916 A CN102788916 A CN 102788916A CN 2012101477146 A CN2012101477146 A CN 2012101477146A CN 201210147714 A CN201210147714 A CN 201210147714A CN 102788916 A CN102788916 A CN 102788916A
Authority
CN
China
Prior art keywords
arc
chamber
sensor
optical fiber
end point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101477146A
Other languages
English (en)
Inventor
李淳钟
禹奉周
郑载勋
金学权
姜志澔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron SARL
Semisysco Co Ltd
Original Assignee
Semisysco Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semisysco Co Ltd filed Critical Semisysco Co Ltd
Publication of CN102788916A publication Critical patent/CN102788916A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32963—End-point detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32944—Arc detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于检测蚀刻工序等的结束点以及腔室内产生的电弧的电弧检测系统。该系统包括：与腔室连接的光谱仪；与腔室连接的电弧传感器；以及与所述光谱仪和所述电弧传感器连接的检测和控制模块。其中，所述检测和控制模块分析从所述光谱仪传输的OES数据而检测出结束点，分析从所述电弧传感器传输的电弧感知结果而检测出所述腔室内产生的电弧。

Description

等离子体监测系统
技术领域
本发明涉及一种等离子体监测系统，尤其涉及一种检测蚀刻工序的结束点和腔室内产生的电弧的检测系统。
背景技术
半导体制造工序中，一般在腔室内部形成等离子体气氛之后，进行蚀刻、沉积等多种工序。
在腔室内进行某些工序的期间，按照各个工序的要求，所述腔室内的环境会发生变化。这此过程中，由于该变化，电弧有可能产生在腔室内。该电弧会对所述腔室内制造的圆晶片等或所述腔室部件造成损伤。
因此需要可以迅速准确地检测出所述腔室内产生的电弧的系统，但现在还没有可以检测现有腔室内产生的电弧的方法或装置。
发明内容
技术问题
本发明的目的在于提供一种可迅速、准确地检测出腔室内产生的电弧的等离子体监测系统。
技术方案
为了实现上述目的，根据本发明一实施例的电弧检测系统包括：观察口，其与腔室直接结合；可视光转换部，其与所述观察口结合，将所述腔室内因电弧引起而产生的电弧光，的紫外线或红外线转换成可视光线；光纤，其与所述观察口连接，已转换的所述可视光线由所述光纤通过；以及电弧传感器，其与所述光纤连接，对通过所述光纤传输的可视光线进行检测。
根据本发明另一实施例的结束点和电弧检测系统包括：光谱仪，其与腔室连接；电弧传感器，其与腔室连接；以及检测和控制模块，其与所述光谱仪和所述电弧传感器连接。其中，所述检测和控制模块分析从所述光谱仪传输的OES数据而检测出结束点，分析从所述电弧传感器传输的电弧感知结果而检测出所述腔室内产生的电弧
根据本发明又一实施例的结束点和电弧检测系统包括：至少一个集光部，其与腔室结合；电弧传感器；光纤，其连接所述集光部和所述电弧传感器。其中，所述集光部聚集所述腔室内因电弧引起而产生的电弧光，聚集的所述电弧光通过所述光纤传输到所述电弧传感器，所述电弧传感器感知传输的所述光以电信号输出。
根据本发明又一实施例的电弧检测系统包括：光纤，其与腔室结合；以及电弧传感器，其与所述光纤连接。其中，从所述腔室内因电弧引起而产生的电弧光通过所述光纤传输到所述电弧传感器，所述电弧传感器则感知所述传输的光而以电信号输出。
有益效果
根据本发明的等离子体监测系统，可以利用光谱仪、电弧传感器以及检测和控制模块，迅速检测出蚀刻工序等的结束点以及腔室内产生的电弧。
另外，通过将与电弧传感器连接的光纤结合至腔室的观察口，不需对腔室施加特别变形，也可以实现传感器与腔室的连接。
另外，等离子体监测系统不但检测出蚀刻工序等结束点，也可以检测出电弧而准确检测出等离子体工序的工序状态以及异常状况。
另外，等离子体监测系统还可以选择性地感知可视光线、紫外线、红外线，因此根据环境可以利用多种方法检测出电弧。
附图说明
图1为根据本发明第一实施例的结束点和电弧检测系统的示意图；
图2为根据本发明第二实施例的结束点和电弧检测系统的示意图；
图3为根据本发明第三实施例的结束点和电弧检测系统的示意图；
图4为根据本发明第四实施例的结束点和电弧检测系统的示意图；
图5为根据本发明一实施例的检测和控制模块结构的简要方框图；
图6为根据本发明第五实施例的结束点和电弧检测系统的示意图；
图7为根据本发明一实施例显示图6的观察口连接结构的示意图。
具体实施方式
下面参见附图，对本发明实施例进行详细说明。
图1为根据本发明第一实施例的结束点和电弧检测系统的示意图。
本实施例的等离子体监测系统属于一种结束点(End Point)以及电弧(Arc)检测系统，用于判断蚀刻室、CVD室等多种腔室100内等离子体工序的工序状态以及异常状况，以下简称结束点和电弧检测系统。
等离子体通过等离子体供应通道102注入至腔室100内，例如，在圆晶片106置于支撑部件104的状态下，利用所述等离子体进行蚀刻、沉积等工序。
进行这些工序的过程中，所述腔室100内的环境会发生变化。由于该变化，电弧有可能产生在腔室内。当然，其它因素也会造成产生电弧现象。腔室100内产生的电弧对产品(如，圆晶片等)或者腔室部件造成损伤，由此显示出对这些电弧迅速准确进行检测的重要性。
如图1所示，本实施例的结束点和电弧检测系统包括光纤122和124、光谱仪(Optical Emission Spectroscopy：OES)108、电弧传感器110以及检测和控制模块112。
光谱仪108用于检查蚀刻工序等过程中等离子体的状态，以检测结束点。光谱仪108通过第一光纤122与腔室100的观察口(View Port)120连接。例如，观察口120以透光性能优良的两个透明耐热耐压玻璃窗形成，密封地设置于腔室100侧面壁的开口。
在腔室100内进行工序诸如蚀刻工序，则蚀刻材料会与所述等离子体产生反应，在所述反应过程中放射出光。所述放射光根据反应后副产物(By-product)，会具有多种波长，而光谱仪108则利用电荷耦合器件(ChargeCoupled Device：CCD)分析所述放射的光谱，并以OES数据输出其分析结果。
根据本发明一实施例，光谱仪108在进行等离子体工序期间，不是连续动作。例如，只能以1ms单位中的100··分析光。其余900··可以被用于检测和控制模块112检测结束点的信号处理。
电弧传感器110通过第二光纤124连接于观察口120，感知因电弧引起的电弧光。更具体地涉及，因各种原因造成腔室100内产生电弧时，电弧光通过第二光纤124输入到电弧传感器110，电弧传感器110将感知结果以电信号输出。
根据本发明一实施例，电弧传感器110可以包括光电二极管(PhotoDiode)或者RGB传感器等，并实时运行。
因电弧引起的电弧光包括紫外线、可视光线以及红外线，但主要为210nm至230nm的波段或者320nm至330nm的波段的强度最高。因此，感知210nm至230nm的波段或者320nm至330nm的波段的光，用于分析会更加有效。
根据本发明另一实施例，将紫外线滤光器与腔室100结合，则通过所述紫外线滤光器的光会传输到电弧传感器110。具体地说，因电弧引起的电弧光通过所述紫外线滤光器，则只有210nm至230nm的波段或者320nm至330nm波段的紫外线才被过滤。随之，通过所述紫外线滤光器的紫外线会通过光纤124传输到电弧传感器110。电弧传感器110则感知所传送紫外线而以电信号输出。
光谱仪108和电弧传感器110通过诸如各个信号电缆连接于检测和控制模块112时检测和控制模块112分析从光谱仪108传送的OES数据而检测出结束点，分析从电弧传感器110输出的电信号而检测出为否产生电弧以及电弧的强度。
从结束点检测进程来看，OES数据可以分为蚀刻终止之前的波长状态和蚀刻终止之后的波长状态，波长在蚀刻终止地点发生变化。检测和控制模块112感知波长变化的地点而检测出蚀刻工序等结束点。在这里，检测和控制模块112可以应用隐马尔可夫模型(Hidden Markov Model)等多种模型来检测所述结束点。
从电弧检测过程来看，如果将光电二极管作为电弧传感器110使用，则从电弧传感器110输出的电信号，会根据电弧光的强度出现变化。因此，从电弧传感器110传送的电信号强度在标准值以上，则由检测和控制模块112判断产生电弧而测定电弧的强度。
概括地说，本实施例的结束点和电弧检测系统在一个检测和控制模块112检测结束点以及电弧，将检测结束点的光谱仪108和检测电弧的电弧传感器110独立分别连接于腔室100。尤其，光谱仪108和电弧传感器110会通过光纤122和124连接于腔室100的观察口120。优选地，多个观察口120中之一可以连接用于连接光谱仪108的光纤122，另外一个可以连接用于连接电弧传感器110的光纤124。
按照上述内容，由一个检测和控制模块112同时检测出结束点和电弧，但实际上，检测结束点和电弧的检测和控制模块也可以分别独立存在。
图2为根据本发明第二实施例的结束点和电弧检测系统的示意图。
如图2所示，根据本实施例的结束点和电弧检测系统包括光谱仪光谱仪202、电弧传感器204、检测和控制模块206、集光部201以及诸光纤220及222。
光谱仪202与腔室200的观察口208结合，感知光而向检测和控制模块206传输OES数据。
集光部210安装在腔室200的外侧面，将腔室200内产生的光，尤其是电弧光聚集在一起。根据本发明一实施例，集光部210可以采用集光镜。
电弧传感器204通过光纤222连接于集光部210，并且感知通过集光部201聚集的光而向检测和控制模块206输出电信号。
检测和控制模块206分析从光谱仪202传输的OES数据而检测出结束点，并且分析从电弧传感器204传输的电信号而检测出电弧。
概括地说，根据本实施例的结束点和电弧检测系统通过利用集光部210聚集光之后感知电弧。
根据上述的本实施例集光部210和观察口208被分离设置，但集光部210也可以设置在观察口208上。
根据本明发另一实施例，集光部210前端设置紫外线滤光器，通过所述紫外线滤光器的紫外线可以由集光部210聚集。
图3为根据本发明第三实施例的结束点和电弧检测系统的示意图。
如图3所示，根据本实施例的结束点和电弧检测系统包括集光部302、光谱仪304、电弧传感器306、检测和控制模块308以及光纤310。
光谱仪304和电弧传感器306可以通过一个光纤310连接于集光部302。就是说，光纤310的一端可以连接于集光部302，另一端可以以分支方式连接至光谱仪304和电弧传感器306。
光谱仪304和电弧传感器306与检测和控制模块308分别独立连接。
检测和控制模块308分析从光谱仪304传输的OES数据而检测出结束点，并且分析从电弧传感器306传输的电信号而检测出电弧。
概括地说，光谱仪304和电弧传感器306分别感知通过光纤传输的光。
图4为根据本发明第四实施例的结束点和电弧检测系统的示意图。图4没图示检测结束点的光谱仪结构。
如图4所示，根据本实施例的结束点和电弧检测系统包括多个集光部402、404、406及408、电弧传感器410以及检测和控制模块412。
诸集光部402、404、406及408设置在腔室400中的各种位置，并且连接于一个电弧传感器410。根据本实施例，无论腔室400内产生电弧的位置在哪里，电弧光均通过诸集光部402、404、406及408而被电弧传感器410准确感知。
检测和控制模块412分析从光谱仪传输的OES数据而检测结束点，分析从电弧传感器410传输的电信号而检测出电弧。
概括地说，本实施例的结束点和电弧检测系统为在腔室400各处设置集光部402、404、406及408而检测出电弧。
根据本发明另一实施例，如图3所示，与诸集光部402、404、406和408中的至少一个连接的光纤，可以采用分支形态实现。即与特定集光部连接的光纤中的一部分可以连接于电弧传感器410，其余的则连接于光谱仪。
图5为根据本发明一实施例的检测和控制模块结构的简要方框图。但，为了便于说明，假定所述检测和控制模块为图3的结束点和电弧检测系统中使用的模块308。
如图5所示，根据本实施例的检测和控制模块308包括分析部510、结束点检测部512、放大部520、A/D转换部522以及电弧检测部524。
分析部510分析从光谱仪304传输的OES数据。
结束点检测部512通过隐马尔可夫模型等方法，感知波长变化而检测出蚀刻工序等的结束点。
放大部520可以放大电弧传感器306输出的电信号。
A/D转换部522将放大的电信号转换成数值。
电弧检测部524分析从A和D转换部522输出的数值而检测出有无产生电弧及其强度等。
根据本发明另一实施例，结束点和电弧检测系统还可以包括电弧控制部500。
电弧控制部500可以包括状态诊断部530和系统控制部532。
状态诊断部530根据电弧检测结果诊断腔室的状态。
系统控制部532根据状态诊断部530的诊断结果，控制系统动作。例如，腔室中进行的工序状态被诊断为非常规时，系统控制部532会控制系统关掉电源。
图6为根据本发明第五实施例的结束点和电弧检测系统的示意图，图7为根据本发明一实施例显示图6的观察口连接结构的示意图。
图6为根据本发明第五实施例的结束点和电弧检测系统示意图，图7为根据本发明一实施例中图6的观察口连接结构示意图，而结束点检测的光谱仪结构则省略。
根据图6和图7(A)，根据本实施例的结束点和电弧检测系统包括电弧传感器602、检测和控制模块604以及可视光转换部612。
腔室600设置有观察口610，观察口610具有孔或者凹部620。
根据本发明一实施例，如图7B所示，可视光转换部612插入至观察口610的孔或者凹部620。虽未在图7显示，但观察口610的孔或者凹部620周围形成有接头，并且光纤606可以连接于所述接头。
可视光转换部612可以将电弧中紫外线或者红外线转换成可视光线，即从可视光转换部612可以输出可视光线。
从可视光转换部612输出的可视光线可以由电弧传感器602检测，检测和控制模块604分析从电弧传感器602传输的电信号而检测出电弧。
根据本发明一实施例，由于可视光转换部612将电弧中紫外线或者红外线转换成可视光线，电弧光的可视光线能够透过可视光转换部612。因此，由紫外线或者红外线转换的可视光线和透过的可视光线，能够通过光纤606传输到电弧传感器602。不仅如此，可以控制使电弧光中的可视光线不能透过可视光转换部612。
根据本发明另一实施例，可视光转换部612的前端可以设置紫外线滤光器。此处，电弧光中只有紫外线才能通过所述紫外线滤光器，所述通过的紫外线会通过可视光转换部612转换成可视光，然后转换的可视光线会通过光纤606传输到电弧传感器602。
根据本发明另一实施例，集光器内侧设置有可视光转换部，集光器可以向光纤606进行输出。
概括地说，本实施例的结束点和电弧检测系统将电弧光中紫外线或者红外线转换成可视光线之后检测电弧。
工业应用性
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (14)

1.一种电弧检测系统，其特征在于，包括：
观察口，其与腔室直接结合；
可视光转换部，其与所述观察口结合，将所述腔室内因电弧引起而产生的电弧光，的紫外线或红外线转换成可视光线；
光纤，其与所述观察口连接，已转换的所述可视光线由所述光纤通过；以及
电弧传感器，其与所述光纤连接，对通过所述光纤传输的可视光线进行检测。
2.根据权利要求1所述的电弧检测系统，其特征在于，
所述观察口的一部分形成有孔或凹部，所述可视光转换部具有圆筒形状并插入至所述观察口的孔或者凹部，所述观察口上形成有接头，所述光纤则连接于所述接头。
3.一种结束点和电弧检测系统，其特征在于，包括：
光谱仪，其与腔室连接；
电弧传感器，其与腔室连接；以及
检测和控制模块，其与所述光谱仪和所述电弧传感器连接；
其中，所述检测和控制模块分析从所述光谱仪传输的OES数据而检测出结束点，分析从所述电弧传感器传输的电弧感知结果而检测出所述腔室内产生的电弧。
4.根据权利要求3所述的结束点和电弧检测系统，其特征在于，
所述光谱仪和所述电弧传感器通过各个光纤分别连接于所述腔室的观察口。
5.根据权利要求3所述的结束点和电弧检测系统，其特征在于，所述结束点和电弧检测系统还包括：
集光镜，其与所述腔室外侧面连接，将所述腔室内产生的光聚集起来；
其中，所述集光镜将所述聚集的光通过光纤传输到所述电弧传感器，所述电弧传感器为光电二极管。
6.根据权利要求5所述的结束点和电弧检测系统，其特征在于，
与所述集光镜连接的光纤被分配连接于所述光谱仪和所述电弧传感器，通过所述集光镜聚集的光输入到所述光谱仪和所述电弧传感器。
7.根据权利要求5所述的结束点和电弧检测系统，其特征在于，
所述腔室设置有多个集光镜，通过所述集光镜的光均输入到所述电弧传感器。
8.一种结束点和电弧检测系统，其特征在于，包括：
至少一个集光部，其与腔室结合；
电弧传感器；以及
光纤，其连接所述集光部和所述电弧传感器；
其中，所述集光部聚集所述腔室内因电弧引起而产生的电弧光，聚集的所述电弧光通过所述光纤传输到所述电弧传感器，所述电弧传感器感知传输的所述光以电信号输出。
9.根据权利要求8所述的结束点和电弧检测系统，其特征在于，所述结束点和电弧检测系统还包含：
光谱仪，其与所述腔室的观察口连接；以及
检测和控制模块，其与所述电弧传感器和所述光谱仪连接；
其中，所述检测和控制模块分析从所述光谱仪传输的OES数据而检测出结束点，并且分析从所述电弧传感器传输的感知电弧结果而检测出所述腔室内产生的电弧，所述电弧传感器为光电二极管。
10.根据权利要求9所述的结束点和电弧检测系统，其特征在于，
所述光纤从所述集光部延伸并被分配连接于所述电弧传感器和所述光谱仪。
11.一种电弧检测系统，其特征在于，包括：
光纤，其与腔室结合；以及
电弧传感器，其与所述光纤连接；
其中，从所述腔室内因电弧引起而产生的电弧光通过所述光纤传输到所述电弧传感器，所述电弧传感器则感知所述传输的光而以电信号输出。
12.根据权利要求11所述的电弧检测系统，其特征在于，所述电弧检测系统还包括：
集光部；以及
检测和控制模块，其与所述电弧传感器连接；
其中，所述集光部聚集从所述腔室内因电弧引起而产生的电弧光，聚集的所述电弧光传输到所述电弧传感器，所述检测和控制模块分析从所述电弧传感器输出的电信号而检测出所述电弧，所述电弧传感器为光电二极管。
13.根据权利要求12所述的电弧检测系统，其特征在于，
所述腔室上设置有多个所述集光部，多个所述集光部均连接于所述电弧传感器。
14.根据权利要求14所述的电弧检测系统，其特征在于，
所述光纤连接于所述腔室的观察口。
CN2012101477146A 2011-05-11 2012-05-11 等离子体监测系统 Pending CN102788916A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0044181 2011-05-11
KR1020110044181A KR20120126418A (ko) 2011-05-11 2011-05-11 플라즈마 모니터링 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102788916A true CN102788916A (zh) 2012-11-21

Family

ID=47154372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101477146A Pending CN102788916A (zh) 2011-05-11 2012-05-11 等离子体监测系统

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20120126418A (zh)
CN (1) CN102788916A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105445152A (zh) * 2015-12-20 2016-03-30 华南理工大学 一种使用激光方法检测固体物料颗粒流成分的测量室
DE102015220162A1 (de) * 2015-10-16 2017-04-20 Robert Bosch Gmbh Steuergerät für ein Fahrzeug mit einem Lichtbogensensor
US10436717B2 (en) * 2016-11-18 2019-10-08 Tokyo Electron Limited Compositional optical emission spectroscopy for detection of particle induced arcs in a fabrication process
WO2020051979A1 (zh) * 2018-09-11 2020-03-19 惠科股份有限公司 一种监控装置、静电卡盘和监控方法
CN110931399A (zh) * 2019-12-23 2020-03-27 武汉大学 一种多种检测功能的rie半导体材料刻蚀装置
CN112635285A (zh) * 2020-12-03 2021-04-09 长江存储科技有限责任公司 等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10692705B2 (en) 2015-11-16 2020-06-23 Tokyo Electron Limited Advanced optical sensor and method for detecting an optical event in a light emission signal in a plasma chamber
US9824941B2 (en) * 2015-11-17 2017-11-21 Lam Research Corporation Systems and methods for detection of plasma instability by electrical measurement
JP6974668B2 (ja) 2016-03-31 2021-12-01 東京エレクトロン株式会社 ウェハレスドライクリーニング発光分光法を使用するドライエッチングプロセス特徴の制御
KR20190121864A (ko) 2017-03-17 2019-10-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 메트릭 향상을 위한 표면 개질 제어
KR20220030439A (ko) 2020-08-31 2022-03-11 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 공정의 모니터링 방법 및 이를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
KR102673673B1 (ko) * 2021-12-09 2024-06-07 한국핵융합에너지연구원 Rf 신호를 이용한 플라즈마 상태 감지 장치 및 이를 이용한 플라즈마 상태 감지 방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179467A (ja) * 1991-12-27 1993-07-20 Sharp Corp エッチング終点検出方法
JPH08298259A (ja) * 1995-04-27 1996-11-12 Nec Corp ドライエッチング方法及び装置
US5851343A (en) * 1997-05-16 1998-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protective shield around the inner edge of endpoint window in a plasma etching chamber
EP1089146A2 (en) * 1999-07-07 2001-04-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a process by employing principal component analysis
KR20030006812A (ko) * 2001-07-16 2003-01-23 삼성전자 주식회사 건식 식각 장치
US7063988B1 (en) * 2004-01-15 2006-06-20 Newport Fab, Llc Circuit for detecting arcing in an etch tool during wafer processing
CN101006550A (zh) * 2004-06-30 2007-07-25 朗姆研究公司 用于在等离子体处理系统中确定端点的方法和装置
US20110040508A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 Kang Lee Apparatus and method for detecting arcs
WO2011022294A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-24 Verity Instruments, Inc. Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface of substrate
US20110090503A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Kang Lee Apparatus for detecting arcs

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179467A (ja) * 1991-12-27 1993-07-20 Sharp Corp エッチング終点検出方法
JPH08298259A (ja) * 1995-04-27 1996-11-12 Nec Corp ドライエッチング方法及び装置
US5851343A (en) * 1997-05-16 1998-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protective shield around the inner edge of endpoint window in a plasma etching chamber
EP1089146A2 (en) * 1999-07-07 2001-04-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a process by employing principal component analysis
KR20030006812A (ko) * 2001-07-16 2003-01-23 삼성전자 주식회사 건식 식각 장치
US7063988B1 (en) * 2004-01-15 2006-06-20 Newport Fab, Llc Circuit for detecting arcing in an etch tool during wafer processing
CN101006550A (zh) * 2004-06-30 2007-07-25 朗姆研究公司 用于在等离子体处理系统中确定端点的方法和装置
US20110040508A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 Kang Lee Apparatus and method for detecting arcs
WO2011022294A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-24 Verity Instruments, Inc. Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface of substrate
US20110090503A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Kang Lee Apparatus for detecting arcs

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015220162A1 (de) * 2015-10-16 2017-04-20 Robert Bosch Gmbh Steuergerät für ein Fahrzeug mit einem Lichtbogensensor
CN105445152A (zh) * 2015-12-20 2016-03-30 华南理工大学 一种使用激光方法检测固体物料颗粒流成分的测量室
US10436717B2 (en) * 2016-11-18 2019-10-08 Tokyo Electron Limited Compositional optical emission spectroscopy for detection of particle induced arcs in a fabrication process
TWI828612B (zh) * 2016-11-18 2024-01-11 日商東京威力科創股份有限公司 用於判定與電漿處理系統中之異常事件相關聯之化學物種的方法及設備
WO2020051979A1 (zh) * 2018-09-11 2020-03-19 惠科股份有限公司 一种监控装置、静电卡盘和监控方法
US11269001B2 (en) * 2018-09-11 2022-03-08 HKC Corporation Limited Monitoring device for monitoring an arc discharge in a dry etching machine configured to dry-etch a display panel, electrostatic chuck of the dry-etching machine, and monitoring method of the monitoring device
CN110931399A (zh) * 2019-12-23 2020-03-27 武汉大学 一种多种检测功能的rie半导体材料刻蚀装置
CN112635285A (zh) * 2020-12-03 2021-04-09 长江存储科技有限责任公司 等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统
CN112635285B (zh) * 2020-12-03 2023-12-12 长江存储科技有限责任公司 等离子体工艺腔室电弧放电的监测方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120126418A (ko) 2012-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102788916A (zh) 等离子体监测系统
CN105699050A (zh) 融合混沌光源和相干探测的复合型分布式光纤传感方法及系统
CN105510276A (zh) 基于tdlas的多组分气体多点监测系统
WO2012054423A1 (en) Systems and methods for simultaneous optical testing of a plurality of devices under test
CN108375555B (zh) 光纤甲烷传感模块、光纤多点光电式甲烷传感器及系统
CN104040915A (zh) 波分复用光通信装置
CN112254769A (zh) 一种航天器结构多功能健康监测系统和方法
US9768866B2 (en) Optical wavelength and power measurement device
CN108181880A (zh) 光检测装置以及设备管理系统
CN101517872B (zh) 旋转电机监视装置及旋转电机监视方法
CN105403348A (zh) 一种可编程高集成多通道压力测试装置
KR20120127350A (ko) 플라즈마 모니터링 시스템
US10871396B2 (en) Optical emission spectroscopy calibration device and system including the same
CN104935376A (zh) 光功率测量装置
KR20200118349A (ko) 광학 방출 분석 캘리브레이션 장치 및 시스템
CN207336376U (zh) 一种新型卷烟机水松纸接头检测装置
KR20120127349A (ko) 플라즈마 모니터링 시스템
CA2988258A1 (en) Optical fiber test apparatus
CN205537695U (zh) 一种16通道光纤Bragg光栅传感器解调仪
WO2022122577A3 (en) An optical absorbance spectrometer, optical device and method of optical absorbance spectrometry
CN112558230A (zh) 一种多通道分时复测光耦合装置与使用方法
CN113009292A (zh) 局部放电微光光谱探测器
CN107389191B (zh) 一种c波段无源光谱分析仪及其分析系统
CN205898337U (zh) 一种基于dwdm技术和光开关的波长解调器
CN207083086U (zh) 一种光模块的监控指示系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121121