JPH05267249A - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

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JPH05267249A
JPH05267249A JP4061736A JP6173692A JPH05267249A JP H05267249 A JPH05267249 A JP H05267249A JP 4061736 A JP4061736 A JP 4061736A JP 6173692 A JP6173692 A JP 6173692A JP H05267249 A JPH05267249 A JP H05267249A
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etching
processing chamber
sample
vacuum processing
dry etching
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Kosei Kumihashi
孝生 組橋
Kazunori Tsujimoto
和典 辻本
Shinichi Taji
新一 田地
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】異方性エッチングとオーバーエッチングを容易
に行なうことのできるドライエッチング方法とそのよう
な方法を行なうに適したドライエッチング装置を提供す
ること。 【構成】真空処理室の実効総排気速度及び処理ガスの流
量の少なくとも一方を、試料のエッチングパターン側壁
に堆積膜が生じる条件からエッチングパターン側壁に堆
積膜が生じない条件に又はその逆の順に変化させるドラ
イエッチング方法。ドライエッチング装置は、真空処理
室内に生成したプラズマの発光強度を測定する手段又は
エッチングされて露出した下地層の面積を測定する手段
を有し、これにより実効総排気速度と処理ガスの流量を
制御するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング方法
及びドライエッチング装置に係り、特に半導体微細加工
に好適なドライエッチング方法及びドライエッチング装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細加工において、異
方性加工は重要である。特にＤＲＡＭ（ダイナミック
ランダム アクセス メモリー）は集積度が高いため
に、それを構成するＭＯＳトランジスタ（絶縁ゲート形
電界効果トランジスタ）のゲートのエッチングや、蓄積
容量部のエッチングに極微細加工が必要である。これら
のエッチングでは、ドライエッチングにより高異方性加
工を実現している。近年ＤＲＡＭの集積度を上げるため
に、ＭＯＳトランジスタの上に蓄積容量部を形成するよ
うになった。この加工のためには、段差上のエッチング
が必要である。高異方性エッチングでは、エッチングス
テップで膜厚分のエッチングを行なうだけでは、段差側
壁にエッチングの残りが生じる。このエッチングの残り
を除去するためには、エッチング膜厚分以上のエッチン
グ、すなわちオーバーエッチングが必要である。
【０００３】オーバーエッチングは、等方性エッチング
の方がエッチング時間を短くできる。例えば特開昭６１
−６１４２３に記載の方法は、エッチングステップ後に
側壁保護膜を形成した後、等方性エッチングでエッチン
グの残りを除去している。またオーバーエッチングにお
ける下地層の削れを防ぐために、特開昭６３−６５６２
８に記載の方法は、側壁保護膜形成後に高選択エッチン
グを行なっている。ＭＯＳトランジスタのゲートや蓄積
容量部は、多結晶Ｓｉやポリサイドで形成することが多
い。多結晶Ｓｉやポリサイドのエッチングには、レジス
トマスクを用いて、塩素系や臭素系のガスプラズマを用
いる方法が１９９０年第５１回秋季応用物理学会２６ｐ
−ＺＦ−１、２６ｐ−ＺＦ−４等に記載されている。ま
た、特開平２−１０５４１３に記載の方法は、微細化に
対応するために、ガスの切り替えによりエッチングの異
方性を高めている。この方法ではエッチング性のガスと
堆積性のガスを周期的に切り替えることにより、高異方
性を実現している。
【０００４】素子の集積度を上げるためには、高異方性
エッチングにより垂直形状を形成することが必要であ
る。しかしエッチング後の加工条件によっては、エッチ
ング時に側壁にテーパー角をつけて台形型に加工する必
要もある。テーパーエッチングの例としては、プロシー
ディングス オブ シンポジウム オン ドライ プロ
セス（１９８６）第４８頁（Proceedings of Symposi
um on Dry Process（1986）p．48）に、堆積性ガス
を添加する方法が報告されている。また特開平１−３２
６３３には、基板温度によりサイドエッチング速度を制
御してテーパーエッチングする方法が報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術は、そ
れぞれ次のような問題があった。すなわち、オーバーエ
ッチング時に等方性エッチングに切り替えたり、エッチ
ング性ガスと堆積性ガスを周期的に切り替えたりする技
術は、処理ガスを切り替えなければならないので、ガ
ス切り替えに時間を要し、スループットが落ちる、各
エッチングガスにおけるプロセス条件を最適化しなけれ
ばならない等の問題があった。
【０００６】多結晶Ｓｉやポリサイドのエッチングで、
レジストマスクを用いて、塩素系や臭素系のガスプラズ
マを用いる方法は、次のような問題があった。マスクや
被エッチング層の反応生成物はプラズマ中で活性化し、
試料に再付着する。この再付着物が側壁保護膜として作
用して、サイドエッチングを防ぎ、そのために高異方性
エッチングを行なうことができた。しかしこの再付着物
の量は従来制御されていなかった。そのため、再付着物
が多すぎて異物が発生して歩留まりが低下するという問
題があった。
【０００７】側壁保護膜形成後に高選択エッチングを行
なう方法は、次のような問題があった。再付着物の量は
エッチングステップ中に変化する。例えば、エッチン
グ速度はウエハ内で完全には均一ではない、被エッチ
ング層の厚さは完全に均一でないという理由のために、
エッチングステップ終了直前には被エッチング層の面積
が徐々に減少していく。それに伴い、反応生成物の発生
量が減少していくので、再付着物の量も減少していく。
つまり、エッチングステップ終了直前では、側壁保護膜
の膜厚が減少していく。その結果、被エッチング層と下
地層の界面付近で側壁保護膜が薄くなる。この薄くなっ
た部分が破れて、界面付近に異常なサイドエッチングが
起こるという問題があった。
【０００８】堆積性ガスを添加してテーパーエッチング
する方法では、処理室内全体で堆積物が発生するため
に、異物が発生して歩留まりが低下するという問題があ
った。基板温度制御によりテーパーエッチングする方法
では、基板温度を安定に制御するのが難しい、基板
温度を変えるのは時間がかかるので微妙な制御が難しい
という問題があった。
【０００９】本発明の第１の目的は、異方性エッチング
とオーバーエッチングを容易に行なうことのできるドラ
イエッチング方法を提供することにある。本発明の第２
の目的は、そのようなドライエッチング方法を行なうに
適したドライエッチング装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、
（１）真空処理室内に試料を設置し、該真空処理室内に
処理ガスを流し、該試料をエッチングするドライエッチ
ング方法において、上記真空処理室の実効総排気速度及
び上記処理ガスの流量の少なくとも一方を、試料のエッ
チングパターン側壁に堆積膜が生じる条件からエッチン
グパターン側壁に堆積膜が生じない条件に又はその逆の
順に変化させることを特徴とするドライエッチング方
法、（２）上記１記載のドライエッチング方法におい
て、上記実効総排気速度及び上記処理ガスの流量の少な
くとも一方の変化は、周期的に行なうことを特徴とする
ドライエッチング方法、（３）真空処理室内に試料を設
置し、該真空処理室内に処理ガスを流し、該試料をエッ
チングするドライエッチング方法において、上記真空処
理室の実効総排気速度及び上記処理ガスの流量の少なく
とも一方を、試料のエッチングパターン側壁形状がテー
パー形状になる条件から垂直形状若しくはアンダーカッ
ト形状になる条件に又はその逆の順に変化させることを
特徴とするドライエッチング方法、（４）真空処理室内
に試料を設置し、該真空処理室内に処理ガスを流し、該
試料をエッチングするドライエッチング方法において、
上記真空処理室の実効総排気速度及び上記処理ガスの流
量の少なくとも一方を、試料のエッチングパターン側壁
のテーパー形状が変化するように変化させることを特徴
とするドライエッチング方法、（５）真空処理室内に試
料を設置し、該真空処理室内に処理ガスを流し、該試料
をエッチングするドライエッチング方法において、上記
処理ガスの流入粒子数が所定の値以下から該値を越えた
値に又はその逆の順に変化するように、上記真空処理室
の実効総排気速度及び上記処理ガスの流量の少なくとも
一方を変化させることを特徴とするドライエッチング方
法、（６）上記５記載のドライエッチング方法におい
て、上記所定の値は、上記処理ガスの種類、それをプラ
ズマとする条件及び上記試料の被エッチング部の材質の
少なくとも一によって定められた値であることを特徴と
するドライエッチング方法、（７）上記５記載のドライ
エッチング方法において、上記所定の値は、上記試料に
入射する粒子数の３倍であることを特徴とするドライエ
ッチング方法、（８）真空処理室内に試料を設置する工
程、該真空処理室内に処理ガスを流す工程、該試料の被
エッチング層をマスクパターンにエッチングするエッチ
ング工程及びエッチングの残りを取り除くオーバーエッ
チング工程を少なくとも有するドライエッチング方法に
おいて、上記オーバーエッチング工程における上記真空
処理室の実効総排気速度を、上記エッチング工程のそれ
より大きくすることを特徴とするドライエッチング方
法、（９）真空処理室内に試料を設置する工程、該真空
処理室内に処理ガスを流す工程、該試料の被エッチング
層をマスクパターンにエッチングするエッチング工程及
びエッチングの残りを取り除くオーバーエッチング工程
を少なくとも有するドライエッチング方法において、上
記真空処理室の実効総排気速度及び上記処理ガスの流量
の少なくとも一方を、上記エッチング工程では被エッチ
ング層のエッチングパターン側壁に堆積膜が生じる条件
に、上記オーバーエッチング工程では被エッチング層の
エッチングパターン側壁に堆積膜が生じない条件にする
ことを特徴とするドライエッチング方法、（１０）真空
処理室内に試料を設置し、該真空処理室内に処理ガスを
流し、該試料をエッチングするドライエッチング方法に
おいて、上記真空処理室内に生成したプラズマの発光を
測定し、その強度に基づいて上記真空処理室の実効総排
気速度及び上記処理ガスの流量の少なくとも一方を制御
することを特徴とするドライエッチング方法、（１１）
真空処理室内に試料を設置し、該真空処理室内に処理ガ
スを流し、該試料をエッチングするドライエッチング方
法において、上記試料の被エッチング層がエッチングさ
れて露出した下地層の面積を測定し、該面積に基づいて
上記真空処理室の実効総排気速度及び上記処理ガスの流
量の少なくとも一方を制御することを特徴とするドライ
エッチング方法によって達成される。
【００１１】上記第２の目的は、（１２）真空処理室
と、該真空処理室内に処理ガスを導入するための導入口
と、該真空処理室内に試料を設置するための試料台とを
有し、該試料をエッチングするためのドライエッチング
装置において、上記真空処理室内に生成したプラズマの
発光強度を測定する手段と、上記真空処理室の実効総排
気速度を制御する第１の制御手段と、上記処理ガスの流
量を制御する第２の制御手段と、該測定する手段からの
信号に基づいて該第１及び第２の制御手段の少なくとも
一方を制御する第３の制御手段とを有することを特徴と
するドライエッチング装置、（１３）真空処理室と、該
真空処理室内に処理ガスを導入するための導入口と、該
真空処理室内に試料を設置するための試料台とを有し、
該試料をエッチングするためのドライエッチング装置に
おいて、上記試料の被エッチング層がエッチングされて
露出した下地層の面積を測定する手段と、上記真空処理
室の実効総排気速度を制御する第１の制御手段と、上記
処理ガスの流量を制御する第２の制御手段と、該測定す
る手段からの信号に基づいて該第１及び第２の制御手段
の少なくとも一方を制御する第３の制御手段とを有する
ことを特徴とするドライエッチング装置によって達成さ
れる。
【００１２】
【作用】ドライエッチング装置の実効総排気速度を変え
ると、エッチング特性が変化する。実効総排気速度のみ
変化させて、他のエッチング条件を変えなければ、ガス
圧力が変わるので、エッチング特性は変化する。また圧
力が一定になるように処理ガスの流量をも同時に変化さ
せても、エッチング特性は変化する。実効総排気速度と
エッチング特性との関係を考察する。エッチング中の真
空処理室内のガス粒子の流入・流出の様子を図２に示
す。単位時間当りに真空処理室内へ流入する処理ガス粒
子の個数をＱ（／ｓ）、真空処理室の実効総排気速度を
Ｓ（ｍ3／ｓ）とする。エッチング反応が起こらないと
きには、真空処理室内のガス圧力Ｐは、 Ｐ＝ｋＴＱ／Ｓ …… （１） となる。ここでｋはボルツマン定数、Ｔはガスの絶対温
度である。
【００１３】エッチング反応が起きている時には、真空
処理室内の圧力は（１）式の値とは異なる。ガスの組成
も処理ガスだけでなく、エッチング反応生成物も存在す
る。実効総排気速度とエッチング特性の関係を考察する
ために、ここでは、以下の２点を仮定する。処理ガス
はウエハに入射すると全てエッチング反応で消費され
る。反応生成物はただ１種類である。この仮定は、例
えば、流入する処理ガスが塩素原子ガスであり、塩素原
子ガスがウエハに入射すると全てＳｉエッチングに寄与
し、ＳｉＣｌ4となって真空処理室内に出てくるという
状況に対応する。現実のドライエッチングでは主なエッ
チャントはハロゲン原子であり、反応は供給律速であ
り、反応生成物は安定なハロゲン化物であるから、上記
の仮定は現実のエッチングを反映する。
【００１４】上の仮定では、エッチング速度は処理ガス
の入射フラックスで決まる。入射フラックスは圧力で決
まる。処理ガスの分圧をＰ1とすると、単位面積・単位
時間当り入射する処理ガス粒子の個数Γ1は圧力Ｐ1に比
例し、 Γ1＝αＰ1 …… （２） となる。ここでαは、
【００１５】
【数３】
【００１６】で決まる定数であり、ｍ1は処理ガス粒子
の質量である。ウエハの面積をＷとすると、処理ガスは
単位時間当りΓ1Ｗ消費される。また排気系により単位
時間当り排出されるガス粒子の個数は、（１）式の関係
よりＰ1Ｓ／ｋＴである。圧力の変動がない時には、流
入する処理ガス粒子の個数Ｑと、エッチングで消費され
る処理ガス粒子の個数Γ1Ｗ、排気系により排出される
処理ガス粒子の個数Ｐ1Ｓ／ｋＴの個数とは釣り合って
いる。すなわち Ｑ＝Γ1Ｗ ＋ Ｐ1Ｓ／ｋＴ …… （４） が成り立つ。（４）式に（２）式を代入して、Ｐ1につ
いて解くと、 Ｐ1＝ｋＴＱ／（Ｓ＋αｋＴＷ） …… （５） となる。
【００１７】反応生成物が単位面積・単位時間当りウエ
ハから出射する個数Γ2は、入射する処理ガスの粒子数
Γ1に比例する。すなわち、 Γ2＝ｘΓ1 …… （６） である。例えば処理ガス粒子が塩素原子であり、反応生
成物がＳｉＣｌ4の場合は、ｘ＝１／４となる。反応生
成物は単位時間当りΓ2Ｗの個数が生成される。圧力が
変動しない時には、生成される反応生成物の個数と、排
気系により排出される反応生成物の個数は等しい。反応
生成物の真空処理室内の分圧をＰ2とすると、排気系に
より排出される反応生成物の粒子数は単位時間当りＰ2
Ｓ／ｋＴとなる。すなわち、 Γ2Ｗ＝Ｐ2Ｓ／ｋＴ …… （７） が成り立つ。（７）式に（２）式と（６）式を代入して
Ｐ2について解くと、 Ｐ2＝ｘｋＴαＷＰ1／Ｓ …… （８） となる。
【００１８】真空処理室内の圧力Ｐと、処理ガスの分圧
Ｐ1、反応生成物の分圧Ｐ2とは、 Ｐ＝Ｐ1＋Ｐ2 …… （９） の関係がある。（９）式に（５）、（８）式を適用して
Ｐ1とＰ2を消去すると、 ＰＳ2−ｋＴ（Ｑ−αＷＰ）Ｓ−ｘ（ｋＴ）2αＷＱ＝０ …… （１０） となる。この式がエッチング反応が起きている時の実効
総排気速度と圧力との関係式である。この式をＳについ
て解くと、
【００１９】
【数１１】
【００２０】となる。この（１１）式を用いれば、所定
の圧力に設定するための実効総排気速度を求めることが
できる。その値を（５）式に代入すれば、処理ガスの分
圧を求めることができる。本考察では、ウエハに入射す
る処理ガス粒子は全てエッチング反応を起こすと仮定し
たから、エッチング速度は処理ガス分圧に比例する。
【００２１】以上の関係を用いて、実効総排気速度とエ
ッチング特性の関係を具体例を検討する。ここでは、処
理ガスは塩素原子ガスで、反応生成物はＳｉＣｌ4であ
るとする。処理ガスの温度は室温とする。処理ガス流量
を固定して実効総排気速度のみを変化させた時には、全
圧力Ｐと実効総排気速度Ｓとの関係は、図３のようにな
る。ここでガス流量は１００ｓｃｃｍ、ウエハサイズは
５インチウエハとした。この図で点線で示したのは、エ
ッチング反応が起きない場合、すなわち（１）式が成り
立つ時の圧力と排気速度との関係である。低圧力領域で
は（１）式が成り立つが、圧力が高い領域では、排気速
度は小さくなる。これは反応が起きるとガス粒子数が４
つのＣｌから１つのＳｉＣｌ4に個数が減少するため、
その分排気速度を小さくしなければ圧力を保持できない
ためである。
【００２２】低圧力領域で排気速度を小さくしなくても
圧力を保持できるのは、エッチング反応で消費される処
理ガス粒子に比べて、処理室内に流入する処理ガス粒子
数の方が圧倒的に多くなるためである。そのため、低圧
力領域では処理ガスの分圧が高くなる。処理ガス流量を
一定とした時に排気速度を変えた時の、全圧力と処理ガ
スの分圧との関係を図４に示した。この図で点線は、エ
ッチング反応が起きていない時の処理ガスの圧力、すな
わちＰ＝Ｐ1の線である。低圧力領域では全圧力のほと
んど全てが処理ガスの圧力となる。
【００２３】これに対し高圧力領域では、処理ガスの分
圧はＰ＝Ｐ1の下側に離れていく。これは全圧力に対し
て反応生成物の分圧が高くなること、すなわちガス中の
反応生成物の割合が増加していることを示す。ガス中に
おける処理ガスの割合を図５に示す。低圧力領域ではほ
ぼ１００％が処理ガスであるが、圧力が高くなるにつ
れ、すなわち排気速度が小さくなるにつれて、処理ガス
の割合が減少していく。
【００２４】以上に示したように、圧力が高くなると、
すなわち排気速度が小さくなると、ガス中の反応生成物
の割合が増加する。反応生成物の割合が増加すると、反
応生成物のプラズマ中での再解離・ウエハへの再付着な
どが起きる。塩素系や臭素系のガスによるエッチングで
できる側壁保護膜は、レジストやＳｉのエッチング反応
生成物が再付着したものである。従来のエッチングは例
えばガス流量１００ｓｃｃｍ、圧力５ｍｔｏｒｒで５イ
ンチウエハの加工を行なっていた。図５を見ると、この
時にはガスの７割は反応生成物である。
【００２５】実効総排気速度を変えることにより、再付
着の程度を制御することができる。再付着の程度を増や
すには、実効総排気速度を小さくして、ガス中の反応生
成物の割合を増やせばよい。反応生成物の再付着を抑え
るためには、実効総排気速度を大きくして、ガス中の反
応生成物の割合を減らせばよい。実効総排気速度を増や
すということは、（１１）式の右辺において、（Ｑ−α
ＷＰ）の項を大きくするということである。その極限で
ある（Ｑ−αＷＰ）≫０ということは、ウエハに入射す
るガス粒子数に比べて処理ガス粒子の流入数が多いこと
を意味する。この状況は、（１）式が成り立つ極限に相
当する。この時には、ガス中において、ほとんど全ての
粒子は処理ガス粒子となっており、反応生成物の再付着
は起こらない。これに対し、（Ｑ−αＷＰ）≪０の極限
は、ウエハに入射するガス粒子の方が処理ガス粒子の流
入数よりも多いことを意味する。このような極限では、
ガス中の粒子の大部分が反応生成物になり、反応生成物
の再付着量は多い。
【００２６】以上に示したように、反応生成物の再付着
の特性はガス中の反応生成物の割合で決まり、その割合
はＱとαＷＰとの大小関係で決まる。反応生成物の再付
着を抑えるためには、ガス中の反応生成物の割合を２割
以下にすればよい。図５に示した具体例ではＱ／αＷＰ
＞３の関係が成り立てば、ガス中の反応生成物の割合を
２割以下にすることができる。
【００２７】上記の具体例ではｘ＝１／４の場合であっ
た。ｘ＝１の時には、（１１）式は Ｓ＝ｋＴＱ／Ｐ …… （１２） と、（１）式が成り立つ。（１２）式を（５）式に代入
すると、 Ｐ1＝ＱＰ／（Ｑ＋αＷＰ） …… （１３） となる。ガス中の処理ガスの割合Ｐ1／Ｐは、 Ｐ1／Ｐ＝Ｑ／（Ｑ＋αＷＰ） …… （１４） となり、Ｑ／αＷＰ＝Ｃとすると、（１４）式は、 Ｐ1／Ｐ＝Ｃ／（Ｃ＋１） …… （１５） となる。ガス中の反応生成物の割合が２割以下になる、
すなわち処理ガスの割合が８割以上になるのは、（１
５）式よりＣ＞４の時である。つまりＱ／αＷＰが３を
越える又は４を越える時には、反応生成物の再付着は起
こらない。そしてＱ／αＷＰが３以下又は４以下の時に
は、反応生成物の再付着が起きる。
【００２８】以上のように、ドライエッチング装置の実
効総排気速度を変化させるだけで、反応生成物の再付着
を制御することができる。しかしガス流量を固定してお
くと圧力が変わるので、エッチング速度等の基本的なエ
ッチング特性も変化してしまう。実効総排気速度の変化
に伴ってガス流量を調整し、圧力を一定にしておいても
反応生成物の再付着を制御することができる。
【００２９】図６は圧力を０．５ｍｔｏｒｒと一定に保
つように、実効総排気速度と共にガス流量も変化させた
ときの、処理ガスの分圧変化を示したものである。この
図の例も、図５の具体例と同じ系で計算した。図５の例
と同様に、Ｑ／αＷＰ＞３の時は、ガス中のほとんどは
処理ガスになる。これに対し、Ｑ／αＷＰ＜３の時に
は、処理ガスの分圧は減少する。この時には、反応生成
物の割合が増加して、反応生成物の再付着が起きる。こ
のように、圧力を一定に保つようにガス流量調整を同じ
に行なっても、実効総排気速度を変えることにより反応
生成物の再付着を制御することができる。さらに、実効
総排気速度を変えることにより反応生成物の再付着量を
制御して、側壁形状をサイドエッチングによるアンダー
カット形状又は垂直形状からテーパー形状に制御できる
ようになった。実効総排気速度を周期的に変えることに
より、エッチングと堆積を交互に繰り返すタイムモジュ
レーションエッチングを、ガスを切り替えることなくで
きるようになった。
【００３０】エッチングステップ終了直前の被エッチン
グ層面積の減少に伴い実効総排気速度を下げていくこと
により、反応生成物の再付着量を制御して界面付近の側
壁保護膜が薄くならないようにした。その結果、界面付
近の異常サイドエッチングを防ぐことができた。プラズ
マ発光強度、若しくはプラズマ発光の特定波長の強度変
化に連動してドライエッチング装置の実効総排気速度を
変化することをできるようにしたために、エッチングス
テップ終了直前の実効総排気速度を、ガス中の反応生成
物の割合をモニターしながら制御できるようになった。
【００３１】エッチングステップ終了直前の下地層露出
部分の面積変化、若しくは被エッチング層の面積変化を
モニターする装置を取り付け、そのモニターを利用しな
がらドライエッチング装置の実効総排気速度を変化する
ことができるようになったために、エッチングステップ
終了直前の実効総排気速度を高精度に制御できるように
なった。
【００３２】反応生成物の再付着による側壁保護膜の形
成は、塩素系や臭素系ガスによる多結晶Ｓｉやポリサイ
ドのエッチングで重要な役割を果たしている。しかしオ
ーバーエッチング時には側壁保護膜の形成は不必要であ
る。本発明ではオーバーエッチング時に反応生成物の再
付着を起こさないために、オーバーエッチング時に実効
総排気速度を上げた。その結果、オーバーエッチング時
にはエッチング速度が上がり、スループットが向上し
た。またオーバーエッチングをする部分には側壁保護膜
が形成されないので、エッチングが等方的になり、段差
上のエッチ残りを効果的に除去できるようになった。さ
らに、ガスを切り替えることなしに異方性エッチングか
ら等方的エッチングにすることができるため、スループ
ットが向上した。
【００３３】
【実施例】
実施例１ 本発明のドライエッチング方法の一実施例として、段差
上の多結晶Ｓｉのエッチングについて説明する。本実施
例ではレジストマスクを用い、Ｃｌ2プラズマにより多
結晶Ｓｉをエッチングした。試料構造を図７（ａ）に示
した。Ｓｉ基板４には、１μｍの段差がある。この上
に、２００ｎｍ厚のＳｉＯ2膜３を下地層として形成し
た後、多結晶Ｓｉ層２を５００ｎｍ堆積させた。その上
にレジストマスク１を形成した。このマスクの膜厚は
１．５μｍである。Ｓｉ基板４は、５インチウエハを用
いた。エッチングはＣｌ2ガスプラズマを用いて行なっ
た。エッチングステップの条件は、圧力５ｍｔｏｒｒ、
ガス流量１００ｓｃｃｍで、マイクロ波放電によりプラ
ズマを発生させた。この時のドライエッチング装置の実
効総排気速度は１７０ｌ／ｓであった。ウエハ温度を１
０℃にし、２ＭＨｚのＲＦバイアスをＳｉ基板４に印加
した。
【００３４】Ｃｌ2ガスプラズマによるＳｉエッチング
をウエハ温度１０℃で行なうと、通常はサイドエッチン
グが起こる。しかしレジストマスクを用いると、図７
（ｂ）に示すように、側壁保護膜５が形成されるので、
サイドエッチングが抑えられる。本エッチング条件では
Ｑ＝４．１８×１０19／ｓ、αＷＰ＝２．１８×１０20
／ｓであり、Ｑ／αＷＰ＝０．１９なので、ガス中の反
応生成物の割合は約８割と高い。そのため反応生成物の
再付着が起こり、試料の垂直部分には側壁保護膜５が形
成される。側壁以外の部分では入射イオンによりエッチ
ング反応が進むために、再付着物はすぐに除去されて堆
積膜は形成しない。しかしエッチング速度は、再付着が
起こらない条件に比べて小さくなる。本エッチング条件
では、エッチング速度は３００ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００３５】多結晶Ｓｉ膜厚分のエッチングが終了した
時には、図７（ｃ）に示した状態になっている。サイド
エッチングを抑えて高異方性エッチングを行なったため
に、段差側壁にエッチングの残りがある。このエッチン
グの残りを除去するためには、オーバーエッチングステ
ップが必要である。従来のドライエッチング方法では、
オーバーエッチングステップもエッチングステップと同
じ条件でエッチングをするか、ガスを切り替えてエッチ
ングをしていた。これに対し、本実施例ではドライエッ
チング装置の実効総排気速度を大きくしてオーバーエッ
チングを行なった。
【００３６】オーバーエッチングの条件は、ガス圧力
０．５ｍｔｏｒｒ、ガス流量１６０ｓｃｃｍとし、他の
条件はエッチングステップ時と同じにした。この時の実
効総排気速度は、４０００ ｌ／ｓであった。本エッチ
ング条件ではＱ＝６．６９×１０19／ｓ、αＷＰ＝２．
１８×１０19／ｓであり、Ｑ／αＷＰ＝３．１となるの
で、ガス中の反応生成物の割合は２割未満になる。その
ため反応生成物の再付着がなくなるので、エッチング速
度が上がり、等方的にエッチングが進むようになる。エ
ッチング速度は６００ｎｍ／ｍｉｎと、エッチングステ
ップ時の２倍の速度が得られた（図７（ｄ））。
【００３７】この時、ガス圧力が０．５ｍｔｏｒｒと低
圧力なので、入射イオンの方向性が高い。そのため、側
壁保護膜５はほとんど削られない。その結果、パターン
のサイドエッチングは起こらない。エッチングの残りの
側壁保護膜５もしばらくは残るが、ある程度オーバーエ
ッチングが進むとエッチ残りの垂直部分が無くなるの
で、取り除かれる。それ以降は等方的にエッチングが進
むために、エッチングの残りを残さずにオーバーエッチ
ングをすることができる（図７（ｅ））。
【００３８】以上のエッチング条件のタイムチャートを
図１にまとめた。図１（ａ）は実効総排気速度の時間に
よる変化を示す図、図１（ｂ）は原料ガスの時間による
変化を示す図、図１（ｃ）はガス圧力の時間による変化
を示す図、図１（ｄ）は反応生成物の割合の時間による
変化を示す図である。このようにオーバーエッチング時
の実効総排気速度を大きくすることにより、オーバーエ
ッチング時のエッチング速度を２倍にし、等方的にエッ
チングすることができるので、オーバーエッチング時間
を従来の半分以下にすることができた。また、微量のエ
ッチングの残りによるショートを防ぐことができた。さ
らに、下地層のＳｉＯ2層３が露出した後には、プラズ
マ中におけるレジスト由来の炭素の割合が小さくなるの
で、極めて下地ＳｉＯ2層３との選択比が高くなり、低
ダメージのエッチングを行なうことができた。
【００３９】本実施例では、レジストマスクを用いたＣ
ｌ2プラズマによる多結晶Ｓｉエッチングについて説明
した。本発明の効果は、主に反応生成物の再付着により
側壁保護膜を形成し、オーバーエッチングが必要なエッ
チングには全て効果があり、例えば、酸化膜マスクでの
Ｃｌ2＋Ｏ2エッチングやポリサイドのエッチング、臭素
系ガスプラズマによるエッチングや、Ａｌ、Ｗ等の金属
のエッチングにも同様の効果がある。
【００４０】実施例２ 本発明の一実施例のドライエッチング装置を図８に示
す。この装置では真空処理室１９にエッチングガスを導
入し、マイクロ波発生器１７において２．４５ＧＨｚの
高周波を発生させ、この高周波を導波管１８を通し、マ
イクロ波導入窓１４を介して真空処理室１９に輸送して
ガスプラズマを発生させる。高効率放電のために磁場発
生用のソレノイドコイル１５を真空処理室周辺に配置
し、８７５ガウスの磁場による電子サイクロトロン共鳴
を用いて高密度プラズマを発生させた。真空処理室１９
には試料台１６があり、この上にウエハ６を設置して、
ガスプラズマによりエッチング処理をする。
【００４１】処理ガスはガス配管１１を通し、ガス流量
コントローラ１０を経て、バッファ室１２を通して、メ
ッシュ上の小孔のガス導入口７から真空処理室１９に導
入され、排気ポンプ８により真空処理室１９の外に排出
される。この際、コンダクタンスバルブ９により、排気
速度を変えることができる。バッファ室１２を設けたこ
とと、メッシュ上の小孔によりガス開口面積を広くした
ことにより、ガス導入時のガス流速を１／３以下にし、
かつ均一な流れにすることができた。またガス配管１１
から真空処理室１９にガスを導入するときに、２か所以
上のガス導入口７を真空処理室の中心軸に対して対称に
配置した。このことにより、ガスプラズマ中のガス分布
の片寄りを抑えることができた。
【００４２】試料台１６にはＲＦ電源１３を備え、４０
０ｋＨｚから１３．５６ＭＨｚまでのＲＦバイアスを印
加できるようにした。試料台１６に冷却機構や加熱機構
を備えれば、ウエハ温度を制御したエッチングもするこ
とができる。プラズマの発光を受光装置２２で受光した
後、分光・光検出器２０により分光・光検出を行なっ
た。この分光・光検出器２０は、特定波長の分光を検出
し、その光強度を電気信号にして一括制御器２１に送
る。またこの分光・光検出器２０は、特定波長の分光だ
けでなく、プラズマ発光全体の光強度も測定することが
できる。一括制御器２１はコンダクタンスバルブ９の開
閉も制御する。このような構成にしたので、プラズマ発
光の強度変化に合わせて、ドライエッチング装置の実効
総排気速度を制御できるようになった。
【００４３】従来のドライエッチングでは、反応生成物
由来の発光強度は図９のように変化した。エッチングス
テップ中は反応生成物由来の発光強度は一定であり、エ
ッチングステップ終了直前に発光強度は徐々に減少す
る。発光強度が徐々に減少するのは、図１０のように、
被エッチング層２５の面積が徐々に減少し、下地層２６
が露出してくるためである。発光強度が減少し始める時
間（図９のｔ1）は、エッチング速度が最も速いところ
の被エッチング層が消滅し始める時間（図１０（ａ））
である。発光強度が半分程度になった時（図９のｔ2）
には、被エッチング層の面積も半分程度に減少している
（図１０（ｂ））。反応生成物由来の発光強度がほぼゼ
ロになるのは（図９のｔ3）、被エッチング層が完全に
エッチングされた時（図１０（ｃ））である。ただし、
まだ側壁部には被エッチング層のエッチングの残りが存
在するので、オーバーエッチングが必要である。
【００４４】図１０（ｂ）のように被エッチング層２５
の面積が減少した時には、反応生成物の生成量も少なく
なる。そのために反応生成物の再付着も減るので、側壁
保護膜も薄くなる。その様子を図１１に示した。図１１
（ａ）のようなＳｉ基板４上に下地層２６を堆積し、そ
の上に被エッチング層２５を堆積し、その上にマスク２
７を形成する。図１１（ｂ）に示したのは、エッチング
ステップ終了直前の様子である。パターン側壁には、側
壁保護膜５が形成される。エッチング速度が大きな部分
（図１１（ｂ）左側）では、下地層２６が露出するまで
反応生成物の生成量は変わらないので、界面まで側壁保
護膜５は十分に形成される。これに対し、エッチング速
度が遅い部分（図１１（ｂ）右側）では、図１０（ｂ）
のように、被エッチング層２５の面積が減少するため、
下地層２６との界面付近の側壁保護膜２８は薄くなる
（図１１（ｃ）右側）。そのためオーバーエッチング時
に側壁保護膜２８が破れて、異常サイドエッチング部２
９が界面に生じやすい。
【００４５】反応生成物の生成量減少に合わせて実効総
排気速度を小さくすれば、ガス中の反応生成物量の減少
を抑えることができるので、側壁保護膜が薄くなるのを
抑えることができる。本実施例で説明したドライエッチ
ング装置では反応生成物由来の発光強度をモニターし、
その強度により実効総排気速度を制御できるようにした
ので、側壁保護膜が薄くなるのを抑えて異常サイドエッ
チングが生じないようにした。
【００４６】この実効総排気速度の制御の一例を図１２
（ａ）（ｂ）に示す。エッチングステップ終了直前に反
応生成物由来の発光強度が１／２程度に減少したのに連
動して、コンダクタンスバルブの開度を徐々に閉めて、
反応生成物由来の発光強度が一定に保つようにした。こ
の間、反応生成物の再付着量は変わらないので、側壁保
護膜が薄くなるのを防ぐことができた。
【００４７】被エッチング層が完全にエッチングされる
と、コンダクタンスバルブをほとんど閉じても反応生成
物由来の発光強度は減少し始める。その後にコンダクタ
ンスバルブを開けてオーバーエッチングステップに進ん
でもよい。ただし、実効総排気速度を小さくしているの
で、エッチング速度が遅くなるために、発光強度が減少
するまでにはかなりの時間がかかる。そこで本実施例で
はスループットを上げるために、コンダクタンスバルブ
を９割閉じたところをエッチングステップの終了点とみ
なして、コンダクタンスバルブを開けてオーバーエッチ
ングステップに進んだ。このように、エッチングステッ
プ終了直前の実効総排気速度を、発光強度をモニターし
ながら小さくしていくことにより、側壁保護膜の減少を
抑えて異常サイドエッチングを防ぐことができた。
【００４８】エッチング条件によってはコンダクタンス
バルブを８割閉じたところでオーバーエッチングに進ん
でも異常サイドエッチングが生じないときもあるし、９
割閉じたところでオーバーエッチングステップに切り替
えるまでコンダクタンスバルブが９割以上閉じたところ
まで待っても異常サイドエッチングが起きることがあ
る。そこで実効総排気速度の制御をさらに精度良く行な
うために、発光強度のモニターでなく、被エッチング層
の面積又は露出した下地層の面積をモニターして実効総
排気速度を制御するようにした。そのドライエッチング
装置の一実施例を図１３に示す。
【００４９】本実施例は、図８で示したドライエッチン
グ装置の受光装置２２、分光・光検出器２０の代わり
に、ビデオカメラ２３、画像処理器２４を取り付けた。
ビデオカメラ２３で、エッチングステップ終了直前の被
エッチング層の面積変化をモニターし、画像処理器２４
でその面積を電気信号にして一括制御器２１に送る。被
エッチング層や下地層の面積変化に合わせて実効総排気
速度を調節することにより、側壁保護膜の厚さを一定に
して異常サイドエッチングを抑えることができた。
【００５０】本実施例に、プラズマ発光強度によるモニ
ター方法を組み合わせれば、実効総排気速度をより高精
度に調節することができる。例えば、エッチングステッ
プ終了直前にはプラズマ発光強度が一定になるように実
効総排気速度を調整し、カメラ系では被エッチング層が
消滅する時をモニターに使えば、オーバーエッチングス
テップに進むタイミングを高精度に決めることができ
る。
【００５１】実施例３ 実効総排気速度を変えることにより反応生成物が再付着
したりしなかったりする性質を使うと、堆積性ガスとエ
ッチングガスを交互に切り替えてエッチングするタイム
モジュレーションエッチングを一種類のガスで行なうこ
とができる。本実施例では、レジストマスクを用い、Ｃ
ｌ2プラズマにより多結晶Ｓｉをエッチングするとき
に、実効総排気速度を図１４のように１７０ ｌ／ｓと
４０００ｌ／ｓに周期的に変化させた。実効総排気速度
が１７０ ｌ／ｓの時には、圧力５ｍｔｏｒｒ、ガス流
量１００ｓｃｃｍでウエハ温度は１０℃にした。この時
には反応生成物の再付着による堆積現象が起こる。実効
総排気速度が４０００ ｌ／ｓの時には、ガス圧力０．
５ｍｔｏｒｒ、ガス流量１６０ｓｃｃｍとした。この時
には反応生成物の再付着がなくなるので、エッチング速
度が上がり、等方的にエッチングが進む。以上のように
一種類のガスでも、堆積とエッチングを周期的に繰り返
すタイムモジュレーションエッチングができ、マイクロ
ローディング効果を抑えた高精度のエッチングを行なう
ことができた。
【００５２】実施例４ 実効総排気速度を変えることにより、ガス中の反応生成
物の割合を変えることができる。そのために堆積速度を
制御できるので、テーパーエッチングのテーパー角を実
効総排気速度により制御することが可能になる。実効総
排気速度と側壁形状の関係の一例を図１５に示す。これ
はレジストマスクでＣｌ2プラズマにより５インチウエ
ハ上の多結晶Ｓｉをエッチングするときに、圧力５ｍｔ
ｏｒｒ、ウエハ温度は１０℃でマイクロ波プラズマによ
りエッチングしたときの特性である。
【００５３】この条件ではαＷＰ＝２．１８×１０20／
ｓであるから、その３倍のＱ＝６．５４×１０20／ｓ、
すなわち１６００ｓｃｃｍ以上のガス流量を流せるよう
に、実効総排気速度を大きくすると、反応生成物の再付
着が起きないためにサイドエッチングによるアンダーカ
ット形状が生じる。実効総排気速度を小さくしていく
と、反応生成物の再付着の効果により、サイドエッチン
グ量が小さくなり、ガス流量２００ｓｃｃｍでサイドエ
ッチングは生じなくなった。さらに実効総排気速度を小
さくすると、反応生成物の再付着による堆積が増え、テ
ーパー角がつき始める。ガス流量１０ｓｃｃｍではテー
パー角は７０度であった。このように、実効総排気速度
を変えることにより、側壁形状を制御することができ
た。また、同様のエッチングを、ガス流量以外は上記と
同じ条件とし、最初にガス流量２００ｓｃｃｍで、次に
１０ｓｃｃｍで、さらに再び２００ｓｃｃｍで行なうこ
とにより、上部がほぼ垂直で、中央部がテーパー角を持
ち、下部がほぼ垂直な構造を得ることができた。
【００５４】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明は、前述のエッチング装置に限らず、例えば、マグネ
トロン型ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置
やヘリコン共振型ＲＩＥ装置等の他の装置にも適用して
同様の効果が認められた。また、エッチング材料もアル
ミニウム、タングステン、タングステンシリサイド、
銅、ＧａＡｓ、Ｓｉ窒化膜等の他の材料について適用し
ても同様の効果が認められた。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、エッチング中に実効総
排気速度を変化させることにより、側壁形状を制御した
高精度のエッチングができる。またガスを切り替えるこ
となしに堆積性と等方性のエッチング条件に変えること
ができるので、スループットを向上させることができ
た。また、本発明のドライエッチング装置により、上記
のエッチングを容易に行なうことができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の実効総排気速度、原料ガ
ス、ガス圧力、反応生成物の割合の時間による変化を示
す図である。
【図２】本発明の効果を説明するためのガス粒子の流入
・流出を示す図である。
【図３】本発明の効果を説明するための全圧力と実効総
排気速度との関係図である。
【図４】本発明の効果を説明するための全圧力と処理ガ
スの分圧との関係図である。
【図５】本発明の効果を説明するためのガス中における
処理ガスの割合を示す図である。
【図６】本発明の効果を説明するための実効総排気速度
と共にガス流量を変化させた時の処理ガスの分圧を示す
図である。
【図７】本発明のドライエッチング方法の一実施例を示
す半導体装置の製造工程図である。
【図８】本発明のドライエッチング装置の一実施例の断
面図である。
【図９】従来のドライエッチング時の発光強度変化を示
す図である。
【図１０】エッチングステップ終了直前の被エッチング
層部の面積変化を示す図である。
【図１１】異常サイドエッチングを説明するための半導
体装置の製造工程図である。
【図１２】本発明の一実施例における反応生成物由来の
発光強度とコンダクタンスバルブの開度の時間変化を示
す図である。
【図１３】本発明の一実施例のドライエッチング装置の
断面図である。
【図１４】本発明の一実施例における実効総排気速度の
時間変化を示す図である。
【図１５】本発明の効果を説明するための実効総排気速
度と側壁形状の関係図である。
【符号の説明】
１ レジストマスク ２ 多結晶Ｓｉ層 ３ ＳｉＯ2膜 ４ Ｓｉ基板 ５、２８ 側壁保護膜 ６ ウエハ ７ ガス導入口 ８ 排気ポンプ ９ コンダクタンスバルブ １０ ガス流量コントローラ １１ ガス配管 １２ バッファ室 １３ ＲＦ電源 １４ マイクロ波導入窓 １５ ソレノイドコイル １６ 試料台 １７ マイクロ波発生器 １８ 導波管 １９ 真空処理室 ２０ 分光・光検出器 ２１ 一括制御器 ２２ 受光装置 ２３ ビデオカメラ ２４ 画像処理器 ２５ 被エッチング層 ２６ 下地層 ２７ マスク ２９ 異常サイドエッチング部

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空処理室内に試料を設置し、該真空処理
    室内に処理ガスを流し、該試料をエッチングするドライ
    エッチング方法において、上記真空処理室の実効総排気
    速度及び上記処理ガスの流量の少なくとも一方を、試料
    のエッチングパターン側壁に堆積膜が生じる条件からエ
    ッチングパターン側壁に堆積膜が生じない条件に又はそ
    の逆の順に変化させることを特徴とするドライエッチン
    グ方法。
  2. 【請求項２】請求項１記載のドライエッチング方法にお
    いて、上記実効総排気速度及び上記処理ガスの流量の少
    なくとも一方の変化は、周期的に行なうことを特徴とす
    るドライエッチング方法。
  3. 【請求項３】真空処理室内に試料を設置し、該真空処理
    室内に処理ガスを流し、該試料をエッチングするドライ
    エッチング方法において、上記真空処理室の実効総排気
    速度及び上記処理ガスの流量の少なくとも一方を、試料
    のエッチングパターン側壁形状がテーパー形状になる条
    件から垂直形状若しくはアンダーカット形状になる条件
    に又はその逆の順に変化させることを特徴とするドライ
    エッチング方法。
  4. 【請求項４】真空処理室内に試料を設置し、該真空処理
    室内に処理ガスを流し、該試料をエッチングするドライ
    エッチング方法において、上記真空処理室の実効総排気
    速度及び上記処理ガスの流量の少なくとも一方を、試料
    のエッチングパターン側壁のテーパー形状が変化するよ
    うに変化させることを特徴とするドライエッチング方
    法。
  5. 【請求項５】真空処理室内に試料を設置し、該真空処理
    室内に処理ガスを流し、該試料をエッチングするドライ
    エッチング方法において、上記処理ガスの流入粒子数が
    所定の値以下から該値を越えた値に又はその逆の順に変
    化するように、上記真空処理室の実効総排気速度及び上
    記処理ガスの流量の少なくとも一方を変化させることを
    特徴とするドライエッチング方法。
  6. 【請求項６】請求項５記載のドライエッチング方法にお
    いて、上記所定の値は、上記処理ガスの種類、それをプ
    ラズマとする条件及び上記試料の被エッチング部の材質
    の少なくとも一によって定められた値であることを特徴
    とするドライエッチング方法。
  7. 【請求項７】請求項５記載のドライエッチング方法にお
    いて、上記所定の値は、上記試料に入射する粒子数の３
    倍であることを特徴とするドライエッチング方法。
  8. 【請求項８】真空処理室内に試料を設置する工程、該真
    空処理室内に処理ガスを流す工程、該試料の被エッチン
    グ層をマスクパターンにエッチングするエッチング工程
    及びエッチングの残りを取り除くオーバーエッチング工
    程を少なくとも有するドライエッチング方法において、
    上記オーバーエッチング工程における上記真空処理室の
    実効総排気速度を、上記エッチング工程のそれより大き
    くすることを特徴とするドライエッチング方法。
  9. 【請求項９】真空処理室内に試料を設置する工程、該真
    空処理室内に処理ガスを流す工程、該試料の被エッチン
    グ層をマスクパターンにエッチングするエッチング工程
    及びエッチングの残りを取り除くオーバーエッチング工
    程を少なくとも有するドライエッチング方法において、
    上記真空処理室の実効総排気速度及び上記処理ガスの流
    量の少なくとも一方を、上記エッチング工程では被エッ
    チング層のエッチングパターン側壁に堆積膜が生じる条
    件に、上記オーバーエッチング工程では被エッチング層
    のエッチングパターン側壁に堆積膜が生じない条件にす
    ることを特徴とするドライエッチング方法。
  10. 【請求項１０】真空処理室内に試料を設置し、該真空処
    理室内に処理ガスを流し、該試料をエッチングするドラ
    イエッチング方法において、上記真空処理室内に生成し
    たプラズマの発光を測定し、その強度に基づいて上記真
    空処理室の実効総排気速度及び上記処理ガスの流量の少
    なくとも一方を制御することを特徴とするドライエッチ
    ング方法。
  11. 【請求項１１】真空処理室内に試料を設置し、該真空処
    理室内に処理ガスを流し、該試料をエッチングするドラ
    イエッチング方法において、上記試料の被エッチング層
    がエッチングされて露出した下地層の面積を測定し、該
    面積に基づいて上記真空処理室の実効総排気速度及び上
    記処理ガスの流量の少なくとも一方を制御することを特
    徴とするドライエッチング方法。
  12. 【請求項１２】真空処理室と、該真空処理室内に処理ガ
    スを導入するための導入口と、該真空処理室内に試料を
    設置するための試料台とを有し、該試料をエッチングす
    るためのドライエッチング装置において、上記真空処理
    室内に生成したプラズマの発光強度を測定する手段と、
    上記真空処理室の実効総排気速度を制御する第１の制御
    手段と、上記処理ガスの流量を制御する第２の制御手段
    と、該測定する手段からの信号に基づいて該第１及び第
    ２の制御手段の少なくとも一方を制御する第３の制御手
    段とを有することを特徴とするドライエッチング装置。
  13. 【請求項１３】真空処理室と、該真空処理室内に処理ガ
    スを導入するための導入口と、該真空処理室内に試料を
    設置するための試料台とを有し、該試料をエッチングす
    るためのドライエッチング装置において、上記試料の被
    エッチング層がエッチングされて露出した下地層の面積
    を測定する手段と、上記真空処理室の実効総排気速度を
    制御する第１の制御手段と、上記処理ガスの流量を制御
    する第２の制御手段と、該測定する手段からの信号に基
    づいて該第１及び第２の制御手段の少なくとも一方を制
    御する第３の制御手段とを有することを特徴とするドラ
    イエッチング装置。
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