JP2871460B2 - シリコンのエッチング方法 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマを利用したシリ
コン基板等の材料に微細加工を施すプラズマエッチング
方法に係り、特に加工速度を向上し、生産性を向上する
上で優位なシリコンのエッチング方法に関する。
コン基板等の材料に微細加工を施すプラズマエッチング
方法に係り、特に加工速度を向上し、生産性を向上する
上で優位なシリコンのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より塩素ガスをを用いてシリコン等
の材料をプラズマエッチングする方法は広く、一般的に
使用されてきた。また数パ−セントの酸素を添加するこ
とにより加工形状が改善され、下地材料（シリコン熱酸
化膜等）のエッチング速度との比（以下選択比と記す）
が各々の材料の物理的あるいは化学的披エッチング特性
の差から増大することも知られている。例えば、平成４
年１０月６日に産業図書株式会社より発行された「半導
体ドライエッチング技術」のＰ９５−１０３（４．２．
３ 多結晶シリコンのエッチング）に記載のものが挙げ
られる。
の材料をプラズマエッチングする方法は広く、一般的に
使用されてきた。また数パ−セントの酸素を添加するこ
とにより加工形状が改善され、下地材料（シリコン熱酸
化膜等）のエッチング速度との比（以下選択比と記す）
が各々の材料の物理的あるいは化学的披エッチング特性
の差から増大することも知られている。例えば、平成４
年１０月６日に産業図書株式会社より発行された「半導
体ドライエッチング技術」のＰ９５−１０３（４．２．
３ 多結晶シリコンのエッチング）に記載のものが挙げ
られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の条件下のエッチングにおいては、酸素の添加に
より形状制御性および選択比の向上は図れるものの、エ
ッチング速度そのものは増大せず、従って生産性が増大
しないような問題がある。
な従来の条件下のエッチングにおいては、酸素の添加に
より形状制御性および選択比の向上は図れるものの、エ
ッチング速度そのものは増大せず、従って生産性が増大
しないような問題がある。
【０００４】本発明の目的は、加工速度を向上し、生産
性を向上することのできるシリコンのエッチング方法を
提供することにある。
性を向上することのできるシリコンのエッチング方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】われわれは、従来のプラ
ズマエッチング装置で実現可能な圧力条件、すなわち真
空下（０．１〜１０Ｐａ）でのエッチングの表面の反応
機構について注意深く考察してきた。例えば、特開平５
−２５９１１９には高速排気の有用性について述べてい
る。この考え方によれば、ポリシリコンのエッチングに
おいては、プラズマ密度を大きく保ち、エッチャントの
供給律速にならないように高排気速度で低圧力を維持し
つつ、反応ガスを十分供給してシリコンのエッチング速
度を大きくすることができる。この際、イオンの加速エ
ネルギ−を低く保つことにより、下地材料のエッチング
速度を小さくして選択比を増大させることが可能とな
る。ところでこのような高速排気によった条件下では、
反応生成物の濃度が低下するために形状制御性（マスク
材料に忠実に垂直加工形状を得ること）が難しくなる。
このために何らかの形状制御性を向上させる手段が必要
となる。このため前述の酸素添加に加え、試料を冷却し
てエッチングすることを試みた。
ズマエッチング装置で実現可能な圧力条件、すなわち真
空下（０．１〜１０Ｐａ）でのエッチングの表面の反応
機構について注意深く考察してきた。例えば、特開平５
−２５９１１９には高速排気の有用性について述べてい
る。この考え方によれば、ポリシリコンのエッチングに
おいては、プラズマ密度を大きく保ち、エッチャントの
供給律速にならないように高排気速度で低圧力を維持し
つつ、反応ガスを十分供給してシリコンのエッチング速
度を大きくすることができる。この際、イオンの加速エ
ネルギ−を低く保つことにより、下地材料のエッチング
速度を小さくして選択比を増大させることが可能とな
る。ところでこのような高速排気によった条件下では、
反応生成物の濃度が低下するために形状制御性（マスク
材料に忠実に垂直加工形状を得ること）が難しくなる。
このために何らかの形状制御性を向上させる手段が必要
となる。このため前述の酸素添加に加え、試料を冷却し
てエッチングすることを試みた。
【０００６】その結果、高速排気の条件下（２５０ｍｌ
／分以上）では従来の酸素添加量よりもより小さな領域
（１．５％以下）で、合わせて試料を低温（試料温度を
０℃以下）に保持することにより、室温で得られるエッ
チング速度より大きなそれを得られることを見出した。
これにより、従来よりも高い生産性を保つことが可能と
なる。
／分以上）では従来の酸素添加量よりもより小さな領域
（１．５％以下）で、合わせて試料を低温（試料温度を
０℃以下）に保持することにより、室温で得られるエッ
チング速度より大きなそれを得られることを見出した。
これにより、従来よりも高い生産性を保つことが可能と
なる。
【０００７】
【作用】塩素ガスを用いたシリコンのエッチングにおい
ては、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｃｌ−Ｏのように結合した反
応生成物が試料の表面を覆っていることが、知られてい
るが、レジストマスク（有機膜）をもちいたエッチング
においてはカ−ボンの供給が有るため、Ｓｉ−Ｃｌ，Ｃ
ｌ−Ｏの結合エネルギ−（それぞれ３．９９ｅＶ，２．
７５ｅＶ）よりも大きな結合エネルギ−を有するＳｉ−
Ｃ（４．６４ｅＶ）が形成されており、シリコンのエッ
チングを阻害している。Ｓｉ−Ｓｉどうしの結合エネル
ギ−（３．２１ｅＶ）よりもＳｉ−Ｃの結合エネルギ−
の方が大きいことからも理解できる。極微量酸素はもち
ろん装置内の表面のアウトガスとして供給されるが、他
にもやオ−バ−エッチング中の酸化膜表面より供給され
る。エッチングの前期ではまだ下地酸化膜が露出してい
ないため、酸素の供給が反応的に不足し、前出のシリコ
ンのエッチングの阻害物質であるＳｉ−Ｃを、除去でき
ない。酸素はＣ−Ｏの結合エネルギ−（１１．１ｅＶ）
が十分に大きいことから容易にＳｉ−Ｃのボンドを切離
し、Ｃ−ＯとＳｉ−Ｃｌのような結合体を形成し阻害物
質Ｓｉ−Ｃを除去することができる。エッチングの後期
においては、下地酸化膜の一部が露出するが、選択比を
大きく取るようなエッチングとした場合に、酸化膜の削
れ量が少ないため酸素の供給量が反応的に不足し、やは
りエッチング速度を大きくできる理想的な酸素濃度に達
していないことがある。通常レジストは、酸化膜の２〜
５倍のエッチング速度を有しており、十分なカ−ボンの
供給源となっている。酸素ガスをある一定濃度でプラズ
マ中に積極的に供給してやることにより、化学反応平衡
に上記のような変化を与え、選択比やエッチング速度の
増大という良い効果をもたらすことができる。
ては、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｃｌ−Ｏのように結合した反
応生成物が試料の表面を覆っていることが、知られてい
るが、レジストマスク（有機膜）をもちいたエッチング
においてはカ−ボンの供給が有るため、Ｓｉ−Ｃｌ，Ｃ
ｌ−Ｏの結合エネルギ−（それぞれ３．９９ｅＶ，２．
７５ｅＶ）よりも大きな結合エネルギ−を有するＳｉ−
Ｃ（４．６４ｅＶ）が形成されており、シリコンのエッ
チングを阻害している。Ｓｉ−Ｓｉどうしの結合エネル
ギ−（３．２１ｅＶ）よりもＳｉ−Ｃの結合エネルギ−
の方が大きいことからも理解できる。極微量酸素はもち
ろん装置内の表面のアウトガスとして供給されるが、他
にもやオ−バ−エッチング中の酸化膜表面より供給され
る。エッチングの前期ではまだ下地酸化膜が露出してい
ないため、酸素の供給が反応的に不足し、前出のシリコ
ンのエッチングの阻害物質であるＳｉ−Ｃを、除去でき
ない。酸素はＣ−Ｏの結合エネルギ−（１１．１ｅＶ）
が十分に大きいことから容易にＳｉ−Ｃのボンドを切離
し、Ｃ−ＯとＳｉ−Ｃｌのような結合体を形成し阻害物
質Ｓｉ−Ｃを除去することができる。エッチングの後期
においては、下地酸化膜の一部が露出するが、選択比を
大きく取るようなエッチングとした場合に、酸化膜の削
れ量が少ないため酸素の供給量が反応的に不足し、やは
りエッチング速度を大きくできる理想的な酸素濃度に達
していないことがある。通常レジストは、酸化膜の２〜
５倍のエッチング速度を有しており、十分なカ−ボンの
供給源となっている。酸素ガスをある一定濃度でプラズ
マ中に積極的に供給してやることにより、化学反応平衡
に上記のような変化を与え、選択比やエッチング速度の
増大という良い効果をもたらすことができる。
【０００８】ところで、従来のエッチング装置において
は、プラズマ密度が十分でなく、エネルギ−律速となっ
ていたり、排気性能が十分でなくエチャントの供給律速
となっていたりすることが多く、かならずしもシリコン
のエッチング速度を大きくすることができなかった。高
密度のプラズマを維持しつつ、高速排気をすることで、
従来と異なる特性が見えてくる。重ねて試料を低温にす
ることで従来以上のエッッチャントをシリコン表面に吸
着させ、酸素添加による化学反応平衡の適正化によりエ
ッチング速度を大きくすることができたと考える。一方
シリコン酸化膜のほうは試料温度が−１００℃を下回る
ような非常に低温の領域で初めて反応を抑制できること
が知られており、エッチング速度に対しての低温化によ
る抑制効果はないものと考える。むしろ酸化膜表面への
過剰酸素の供給による化学的エッチング抑制（Ｓｉ−Ｏ
の再結合等）が支配的と考える。
は、プラズマ密度が十分でなく、エネルギ−律速となっ
ていたり、排気性能が十分でなくエチャントの供給律速
となっていたりすることが多く、かならずしもシリコン
のエッチング速度を大きくすることができなかった。高
密度のプラズマを維持しつつ、高速排気をすることで、
従来と異なる特性が見えてくる。重ねて試料を低温にす
ることで従来以上のエッッチャントをシリコン表面に吸
着させ、酸素添加による化学反応平衡の適正化によりエ
ッチング速度を大きくすることができたと考える。一方
シリコン酸化膜のほうは試料温度が−１００℃を下回る
ような非常に低温の領域で初めて反応を抑制できること
が知られており、エッチング速度に対しての低温化によ
る抑制効果はないものと考える。むしろ酸化膜表面への
過剰酸素の供給による化学的エッチング抑制（Ｓｉ−Ｏ
の再結合等）が支配的と考える。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例を図１、図２および図３に
より説明する。図１は塩素ガス流量と、酸素ガスの塩素
ガスの流量に対する添加率を変化させて、シリコンのエ
ッチング速度の挙動を調べたものである。このとき試料
温度を−３０℃（エッチング中の試料台温度は約−５０
℃）に保ち、高密度プラズマの維持のために、プラズマ
発生用電源は１ＫＷ、イオン引込み用のバイアス用電源
は６０Ｗで一定に保った。プラズマをたてないときの制
御圧力（下流）に対する放電部圧力（上流）を各流量ご
とにプレッシャ−・ドロップ分として計測して求めてお
き、エッチング中の制御圧力は放電部での圧力が１Ｐａ
で一定とみなせるように補正した。制御圧力測定位置か
ら放電部までの処理室の排気コンダクタンスが十分に大
きい場合（５００ｍｌ／分流しても圧力差が１０％以内
となるような場合）には、このような圧力補正をする必
要はない。図１に示すように、２５０ｍｌ／分以上のガ
ス流量を流した場合に従来のシリコンのエッチング速度
（通常３００ｎｍ／分）以上の値を得ている。特徴的な
のは、約１％の酸素添加位置で大流量側の高速排気の条
件とした場合のエッチング速度の増大である。１．５％
以上の酸素を添加すると逆にシリコンのエッチング速度
が酸素を添加しないときと同じような値まで低下する。
２５０ｍｌ／分以上の塩素ガス流量で、一定流量を保ち
酸素添加率を変化させて調べると、１．５％以下の酸素
添加した範囲ではシリコン酸化膜のエッチング速度は、
シリコンのエッチング速度の上昇比率と同じように上昇
するため選択比はほとんど一定であった。以上のように
１．５％以下の酸素添加率で２５０ｍｌ／分以上の塩素
ガスを用いることにより、選択比を低下させることなく
シリコンのエッチング速度を大きくすることができ生産
性の向上を図ることができる。
より説明する。図１は塩素ガス流量と、酸素ガスの塩素
ガスの流量に対する添加率を変化させて、シリコンのエ
ッチング速度の挙動を調べたものである。このとき試料
温度を−３０℃（エッチング中の試料台温度は約−５０
℃）に保ち、高密度プラズマの維持のために、プラズマ
発生用電源は１ＫＷ、イオン引込み用のバイアス用電源
は６０Ｗで一定に保った。プラズマをたてないときの制
御圧力（下流）に対する放電部圧力（上流）を各流量ご
とにプレッシャ−・ドロップ分として計測して求めてお
き、エッチング中の制御圧力は放電部での圧力が１Ｐａ
で一定とみなせるように補正した。制御圧力測定位置か
ら放電部までの処理室の排気コンダクタンスが十分に大
きい場合（５００ｍｌ／分流しても圧力差が１０％以内
となるような場合）には、このような圧力補正をする必
要はない。図１に示すように、２５０ｍｌ／分以上のガ
ス流量を流した場合に従来のシリコンのエッチング速度
（通常３００ｎｍ／分）以上の値を得ている。特徴的な
のは、約１％の酸素添加位置で大流量側の高速排気の条
件とした場合のエッチング速度の増大である。１．５％
以上の酸素を添加すると逆にシリコンのエッチング速度
が酸素を添加しないときと同じような値まで低下する。
２５０ｍｌ／分以上の塩素ガス流量で、一定流量を保ち
酸素添加率を変化させて調べると、１．５％以下の酸素
添加した範囲ではシリコン酸化膜のエッチング速度は、
シリコンのエッチング速度の上昇比率と同じように上昇
するため選択比はほとんど一定であった。以上のように
１．５％以下の酸素添加率で２５０ｍｌ／分以上の塩素
ガスを用いることにより、選択比を低下させることなく
シリコンのエッチング速度を大きくすることができ生産
性の向上を図ることができる。
【００１０】図２は塩素ガス流量を５００ｍｌ／分に保
ち、酸素の添加率を変えてエッチング形状を調べたもの
である。図２から判るように、酸素を２％以上添加する
と、側壁の保護膜を残してシリコン上のレジストが過度
に削られて不都合であるも。エッチングの後に実施され
るレジスト灰化処理の工程においても、この酸素２％以
上添加した場合の側壁保護膜が除去できない不良が発生
した。このことからも酸素の添加率を１．５％以下と規
定するものである。
ち、酸素の添加率を変えてエッチング形状を調べたもの
である。図２から判るように、酸素を２％以上添加する
と、側壁の保護膜を残してシリコン上のレジストが過度
に削られて不都合であるも。エッチングの後に実施され
るレジスト灰化処理の工程においても、この酸素２％以
上添加した場合の側壁保護膜が除去できない不良が発生
した。このことからも酸素の添加率を１．５％以下と規
定するものである。
【００１１】次に、図１に示した高速排気条件下におけ
るシリコンのエッチング速度の上昇が温度に対してどの
ようなふるまいをするか調べた。酸素の添加率を１％に
保ち、塩素ガス流量を変化させて調べた。結果を図３に
示す。試料温度を０℃以下にすることにより、シリコン
のエッチング速度が上昇できることが判る。、試料の温
度は裏面より輻射温度計を用いて測定した。通常は試料
を搭載したステ−ジ温度をコントロ−ルして間接的に温
度制御するが、放電中のステ−ジ温度はこの場合に約−
１０℃であった。このような高速排気と、高密度プラズ
マを用いてシリコンのエッチング速度を３００ｎｍ／ｍ
ｉｎ以上に増大できる条件においては、エッチング装置
のプラズマ形成方法による試料への入熱量に大差はない
ものと考えられ、またエッチング中のステ−ジと試料と
の間に温度差が現れるが、この間の伝熱方法により試料
温度は大きく変化する。本実施例のような試料温度をコ
ントロ−ルすることが重要なエッチングプロセスにおい
ては試料とステ−ジとの伝熱をできるだけ良くすること
が重要である。本実施例で得られた、０℃に試料温度を
保持する際に必要であったステ−ジ温度−１０℃により
規定するものである。
るシリコンのエッチング速度の上昇が温度に対してどの
ようなふるまいをするか調べた。酸素の添加率を１％に
保ち、塩素ガス流量を変化させて調べた。結果を図３に
示す。試料温度を０℃以下にすることにより、シリコン
のエッチング速度が上昇できることが判る。、試料の温
度は裏面より輻射温度計を用いて測定した。通常は試料
を搭載したステ−ジ温度をコントロ−ルして間接的に温
度制御するが、放電中のステ−ジ温度はこの場合に約−
１０℃であった。このような高速排気と、高密度プラズ
マを用いてシリコンのエッチング速度を３００ｎｍ／ｍ
ｉｎ以上に増大できる条件においては、エッチング装置
のプラズマ形成方法による試料への入熱量に大差はない
ものと考えられ、またエッチング中のステ−ジと試料と
の間に温度差が現れるが、この間の伝熱方法により試料
温度は大きく変化する。本実施例のような試料温度をコ
ントロ−ルすることが重要なエッチングプロセスにおい
ては試料とステ−ジとの伝熱をできるだけ良くすること
が重要である。本実施例で得られた、０℃に試料温度を
保持する際に必要であったステ−ジ温度−１０℃により
規定するものである。
【００１２】以上述べてきたように、特許請求の範囲の
プロセス条件でシリコンをエッチングすることにより、
選択比を低下させずにエッチング速度を大きくすること
ができ、処理時間が短縮されて生産性を向上させること
が可能となる。もちろん、ノンド−プドポリシリコン、
ド−プドポリシリコン、アモルファスシリコン等材料的
にシリコンを主体とする素材に対しては同等の効果が得
られる。
プロセス条件でシリコンをエッチングすることにより、
選択比を低下させずにエッチング速度を大きくすること
ができ、処理時間が短縮されて生産性を向上させること
が可能となる。もちろん、ノンド−プドポリシリコン、
ド−プドポリシリコン、アモルファスシリコン等材料的
にシリコンを主体とする素材に対しては同等の効果が得
られる。
【００１３】なお、前述の本発明を実施するエッチング
装置の一実施例を図４に示す。真空容器７内には試料第
６が設けられ、試料第６に対向して真空容器７の上部に
反応室１が形成されている。反応室１の上部にはマイク
ロ波の導入窓を介して空洞共振機２が形成され、さらに
導波管３を介してマグネトロン４が設けられている。一
方、真空容器７の底部には、試料台６を挾んで真空ポン
プ８および９が設けられている。真空ポンプ８および９
は、この場合、真空容器７内を高速に排気するために、
それぞれ２０００ｌ／ｓｅｃの排気流量を有している。
試料台６は図示を省略した冷却装置により試料台温度を
制御可能になっている。反応室１内には図示を省略した
処理ガス供給装置によりエッチングガスが導入される。
装置の一実施例を図４に示す。真空容器７内には試料第
６が設けられ、試料第６に対向して真空容器７の上部に
反応室１が形成されている。反応室１の上部にはマイク
ロ波の導入窓を介して空洞共振機２が形成され、さらに
導波管３を介してマグネトロン４が設けられている。一
方、真空容器７の底部には、試料台６を挾んで真空ポン
プ８および９が設けられている。真空ポンプ８および９
は、この場合、真空容器７内を高速に排気するために、
それぞれ２０００ｌ／ｓｅｃの排気流量を有している。
試料台６は図示を省略した冷却装置により試料台温度を
制御可能になっている。反応室１内には図示を省略した
処理ガス供給装置によりエッチングガスが導入される。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、選択比を大きく保った
ままシリコンのエッチング速度を増大でき、有効であ
る。またエッチングレジストマスクにも過度のダメ−ジ
を与えないでエッチングすることが可能である。エッチ
ング速度の増大によりエッチング装置の生産性を向上さ
せることが可能となる。
ままシリコンのエッチング速度を増大でき、有効であ
る。またエッチングレジストマスクにも過度のダメ−ジ
を与えないでエッチングすることが可能である。エッチ
ング速度の増大によりエッチング装置の生産性を向上さ
せることが可能となる。
【図１】本発明を説明する塩素ガス流量と酸素添加率に
対するシリコンのエッチング速度の変化特性を示しず図
である。
対するシリコンのエッチング速度の変化特性を示しず図
である。
【図２】本発明を説明する酸素添加率に対する加工形状
の変化を表す図である。
の変化を表す図である。
【図３】本発明を説明する試料温度に対するシリコンの
エッチング速度の変化特性を表す図である。
エッチング速度の変化特性を表す図である。
【図４】本発明を実施するエッチング装置の一実施例を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
１…反応室、２…空洞共振器、３…導波管、４…マグネ
トロン、５…ソレノイドコイル、６…試料台、７…真空
容器、８，９…真空ポンプ。
トロン、５…ソレノイドコイル、６…試料台、７…真空
容器、８，９…真空ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 縄田 誠 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (72)発明者 加治 哲徳 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 平５−259119（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−350932（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】プラズマを用いたシリコンのエッチング方
法において、２５０ｍｌ／分以上の塩素ガス流量を使用
し、塩素ガスの１．５％（体積比）以下の酸素ガスを添
加し、さらに試料温度を０℃以下もしくは試料を搭載し
たステ−ジ温度を−１０℃以下にしてエッチングするこ
とを特徴とするシリコンのエッチング方法。 - 【請求項２】請求項１記載のシリコンのエッチング方法
において、高密度のプラズマを維持しつつ高速排気する
シリコンのエッチング方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP6106447A JP2871460B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | シリコンのエッチング方法 |
| TW084104844A TW275704B (ja) | 1994-05-20 | 1995-05-16 | |
| SG1995000472A SG32354A1 (en) | 1994-05-20 | 1995-05-18 | Method of plasma etching |
| EP95303360A EP0683510A1 (en) | 1994-05-20 | 1995-05-19 | Method of plasma etching |
| KR1019950012507A KR950034553A (ko) | 1994-05-20 | 1995-05-19 | 플라즈마 에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6106447A JP2871460B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | シリコンのエッチング方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321092A JPH07321092A (ja) | 1995-12-08 |
| JP2871460B2 true JP2871460B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=14433877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6106447A Expired - Fee Related JP2871460B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | シリコンのエッチング方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0683510A1 (ja) |
| JP (1) | JP2871460B2 (ja) |
| KR (1) | KR950034553A (ja) |
| TW (1) | TW275704B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR102109884B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2020-05-12 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 및 이의 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0779102B2 (ja) | 1990-08-23 | 1995-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100237687B1 (ko) * | 1991-04-04 | 2000-01-15 | 가나이 쓰도무 | 드라이에칭 방법 |
| JP3323530B2 (ja) | 1991-04-04 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05267249A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP6106447A patent/JP2871460B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-16 TW TW084104844A patent/TW275704B/zh active
- 1995-05-19 EP EP95303360A patent/EP0683510A1/en not_active Withdrawn
- 1995-05-19 KR KR1019950012507A patent/KR950034553A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
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|---|---|
| EP0683510A1 (en) | 1995-11-22 |
| JPH07321092A (ja) | 1995-12-08 |
| KR950034553A (ko) | 1995-12-28 |
| TW275704B (ja) | 1996-05-11 |
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|---|---|---|---|
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