JP5840973B2 - 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体に関する。
従来から、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板にプラズマを作用させて、エッチングや成膜等の処理を施すプラズマ処理が行われている。このような半導体装置の製造工程、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造工程では、誘電率の異なる２種の膜、例えば、絶縁膜と導電膜とが交互に積層された多層膜に対して、プラズマエッチングとマスクのトリミングを行い、階段状の構造を形成することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
上記のように、誘電率の異なる２種の膜、例えば、絶縁膜と導電膜とが交互に積層された多層膜から階段状の構造を形成する半導体装置の製造工程では、工程数が多くなり製造効率が悪化するとともに、堆積物の影響等で、多段の良好な形状の階段状の構造を形成することが困難であるという問題があった。
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、効率良く多段の良好な形状の階段状の構造を形成することのできる半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体を提供しようとするものである。
本発明の半導体装置の製造方法の一態様は、第１の誘電率を有する第１の膜と、前記第１の誘電率とは異なる第２の誘電率を有する第２の膜とが交互に積層された多層膜と、前記多層膜の上層に位置しエッチングマスクとして機能するフォトレジスト層とを有する基板をエッチングして、階段状の構造を形成する半導体装置の製造方法であって、前記フォトレジスト層をマスクとして前記第１の膜をプラズマエッチングする第１工程と、水素含有プラズマに前記フォトレジスト層を晒して前記フォトレジスト層の上面に改質膜を形成する第２工程と、前記フォトレジスト層をトリミングする第３工程と、前記第３工程によってトリミングしたフォトレジスト層及び前記第１工程でプラズマエッチングした前記第１の膜をマスクとして前記第２の膜をエッチングする第４工程とを有し、前記第１工程乃至前記第４工程を繰り返して行うことにより、前記多層膜を階段状の構造とすることを特徴とする。
本発明によれば、効率良く多段の良好な形状の階段状の構造を形成することのできる半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いるプラズマ処理装置の構成を示すものである。プラズマ処理装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー１を有している。
この処理チャンバー１は、円筒状とされ、例えば表面に陽極酸化皮膜を形成されたアルミニウム等から構成されている。処理チャンバー１内には、被処理基板である半導体ウエハＷが略水平に載置される載置台２が設けられている。この載置台２は、下部電極を兼ねたものであり、例えばアルミニウム等の導電性材料で構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、載置台２上の外周部分には、半導体ウエハＷの周囲を囲むように、環状に形成されたフォーカスリング５が設けられている。
載置台２には、第１マッチングボックス１１ａを介して第１高周波電源１０ａが接続されるとともに、第２マッチングボックス１１ｂを介して第２高周波電源１０ｂが接続されている。第１高周波電源１０ａからは、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。一方、第２高周波電源１０ｂからは、第１高周波電源１０ａより低い所定周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。
一方、載置台２に対向してその上方には、シャワーヘッド１６が載置台２と平行に対向して設けられており、このシャワーヘッド１６は接地電位とされている。したがって、これらのシャワーヘッド１６と載置台２とは、一対の対向電極（上部電極と下部電極）として機能するようになっている。
載置台２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力等によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されている。
載置台２の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させてその温度を制御できるようになっている。また、載置台２には、半導体ウエハＷの裏面側にヘリウムガス等のバックサイドガス（裏面側伝熱ガス）を供給するためのバックサイドガス供給配管３０ａ，３０ｂが接続されており、バックサイドガス供給源３１から半導体ウエハＷの裏面側にバックサイドガスを供給できるようになっている。なお、バックサイドガス供給配管３０ａは半導体ウエハＷの中央部に、バックサイドガス供給配管３０ｂは半導体ウエハＷの周縁部にバックサイドガスを供給するためのものである。このような構成によって、半導体ウエハＷを所定の温度に制御可能となっている。また、フォーカスリング５の外側下方には排気リング１３が設けられている。排気リング１３は支持台４を通して処理チャンバー１と導通している。
処理チャンバー１の天壁部分に、載置台２に対向するように設けられたシャワーヘッド１６には、その下面に多数のガス吐出孔１８が設けられており、かつその上部にガス導入部１６ａが設けられている。そして、その内部には空間１７が形成されている。ガス導入部１６ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、プラズマエッチング用のガス（エッチングガス）等を供給する処理ガス供給系１５が接続されている。
処理ガス供給系１５から供給されるガスは、ガス供給配管１５ａ、ガス導入部１６ａを介してシャワーヘッド１６内部の空間１７に至り、ガス吐出孔１８から、半導体ウエハＷに向けて吐出される。
処理チャンバー１の下部には、排気ポート１９が形成されており、この排気ポート１９には排気系２０が接続されている。そして排気系２０に設けられた真空ポンプを作動させることにより処理チャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、処理チャンバー１の側壁には、半導体ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ２４が設けられている。
一方、処理チャンバー１の周囲には、同心状に、リング磁石２１が配置されている。このリング磁石２１は、上側リング磁石２１ａと、この上側リング磁石２１ａの下側に配置された下側リング磁石２１ｂとから構成されており、載置台２とシャワーヘッド１６との間の空間に、所定の磁場を形成するようになっている。このリング磁石２１は、図示しないモータ等の回転手段により回転可能となっている。
上記構成のプラズマ処理装置は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０は、ＣＰＵを備えプラズマ処理装置の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース部６２と、記憶部６３とを具備している。
ユーザインターフェース部６２は、工程管理者がプラズマ処理装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部６３には、プラズマ処理装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマ処理装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
次に、上記構成のプラズマ処理装置で、半導体ウエハＷをプラズマエッチングする手順について説明する。まず、ゲートバルブ２４が開かれ、半導体ウエハＷが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して処理チャンバー１内に搬入され、載置台２上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー１外に退避させ、ゲートバルブ２４を閉じる。そして、排気系２０の真空ポンプにより排気ポート１９を介して処理チャンバー１内が排気される。
処理チャンバー１内が所定の真空度になった後、処理チャンバー１内には処理ガス供給系１５から所定の処理ガスが導入され、処理チャンバー１内が所定の圧力、例えば１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）に保持され、この状態で第１高周波電源１０ａ、第２高周波電源１０ｂから載置台２に、高周波電力が供給される。このとき、直流電源１２から静電チャック６の電極６ａに所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハＷはクーロン力等により静電チャック６へ吸着される。
この場合に、上述のようにして下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。一方、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には、リング磁石２１により磁界が形成されているから、半導体ウエハＷが存在する処理空間には電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマの作用により、半導体ウエハＷに所定のプラズマ処理が施される。
そして、所定のプラズマ処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー１内から搬出される。
次に、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態について図２、図３を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る被処理基板として半導体ウエハＷの断面構成を模式的に示し、本実施形態の工程を示すものであり、図３は、本実施形態の工程を示すフローチャートである。
図２（ａ）に示すように、半導体ウエハＷの最上部には、所定形状にパターニングされ、マスクとしての機能を果たすフォトレジスト膜２００が形成されている。このフォトレジスト膜２００は、厚みが例えば５μｍ程度とされている。フォトレジスト膜２００の下側には、絶縁膜としての二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜２０１ａが形成され、二酸化シリコン膜２０１ａの下側には、導電膜としてポリシリコン膜（ドープドポリシリコン膜）２０２ａが形成されている。
また、ポリシリコン膜２０２ａの下側には、二酸化シリコン膜２０１ｂが形成され、二酸化シリコン膜２０１ｂの下側には、ポリシリコン膜２０２ｂが形成されている。このように、二酸化シリコン膜２０１とポリシリコン膜２０２とが交互に積層され、積層膜２１０が構成されている。積層膜２１０の積層数は、例えば二酸化シリコン膜２０１が３２層、ポリシリコン膜２０２が３２層、合計６４層等とされる。
なお、本実施形態では、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜とポリシリコン膜（ドープドポリシリコン膜）とを積層した積層膜を例に説明するが、積層膜としては、第１の誘電率を有する第１の膜と、第１の誘電率とは異なる第２の誘電率を有する第２の膜とを積層した構造の積層膜について適用することができる。より具体的には、例えば、二酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を積層して構成した積層膜、ポリシリコン膜とドープドポリシリコン膜を積層して構成した積層膜等に適用することができる。
図２（ａ）に示す状態から、まず、フォトレジスト膜２００をマスクとして、二酸化シリコン膜２０１ａをプラズマエッチングして図２（ｂ）の状態とする（図３に示す工程３０１）。このプラズマエッチング処理は、例えばＣＦ４＋ＣＨＦ３等の処理ガスのプラズマを用いて行う。
次に、プラズマエッチングによって発生した堆積物、特にフォトレジスト膜２００の側壁部に堆積した堆積物２２０を除去するための堆積物除去処理を行い図２（ｃ）の状態とする（図３に示す工程３０２）。この堆積物除去処理は、例えばＯ２＋ＣＦ４等の処理ガスのプラズマを用いて行う。
次に、フォトレジスト膜２００の上面を改質する改質処理（キュア）を行い、フォトレジスト膜２００の上面に改質膜２００ａを形成し、図２（ｄ）の状態とする（図３に示す工程３０３）。この改質処理（キュア）は、フォトレジスト膜２００を、水素を含むプラズマに晒すことによって行う。
次に、フォトレジスト膜２００のトリミング処理を行い、フォトレジスト膜２００の開口面積を広げる。つまり、フォトレジスト膜２００の下側の二酸化シリコン膜２０１ａの一部を露出させ、図２（ｅ）の状態とする（図３に示す工程３０４）。このトリミング処理は、例えばＯ２＋Ｎ２等の処理ガスのプラズマを用いて行う。
次に、フォトレジスト膜２００及び一部を露出させた二酸化シリコン膜２０１ａをマスクとして、二酸化シリコン膜２０１ａの下側のポリシリコン膜２０２ａをプラズマエッチングして図２（ｆ）の状態とする（図３に示す工程３０５）。このプラズマエッチング処理は、例えばＨＢｒ＋ＳＦ６＋Ｈｅ等の処理ガスのプラズマを用いて行う。
上記の工程によって、一段目の階段形状が形成される。この後、上記の二酸化シリコン膜２０１のプラズマエッチングから、ポリシリコン膜２０２のプラズマエッチングまでの工程を、所定回数繰り返して実施し（図３に示す工程３０６）、所定の段数の階段状の構造を形成する。
上記のように、本実施形態では、ポリシリコン膜２０２のプラズマエッチングを行う直前の工程で、フォトレジスト膜２００のトリミング処理を行う。これは、ポリシリコン膜２０２のプラズマエッチングを行った直後は、フォトレジスト膜２００の側壁等の堆積物の堆積量が増大し、容易にフォトレジスト膜２００のトリミングを行うことができないからである。
例えば、二酸化シリコン膜２０１のプラズマエッチングを行った後、次にポリシリコン膜２０２のプラズマエッチングを行い、この後、フォトレジスト膜２００のトリミングを行うと、フォトレジスト膜２００の側壁等へのポリシリコン膜２０２のエッチングに起因する堆積物の堆積量が増大し、容易にフォトレジスト膜２００のトリミングを行うことができない。
これに対して、本実施形態のように、ポリシリコン膜２０２のプラズマエッチングを行う直前の工程でフォトレジスト膜２００のトリミング処理を行うことにより、より容易に短時間で大きな量のトリミングを行うことができる。
なお、階段状の構造の次の段を形成する際には、ポリシリコン膜２０２のプラズマエッチングの後、二酸化シリコン膜２０１のプラズマエッチングと堆積物除去工程を実施しているので、同様にしてより容易に短時間で大きな量のトリミングを行うことができる。
また、本実施形態では、トリミング処理の前にフォトレジスト膜２００の上面の改質処理を行っているので、トリミング処理の際に、フォトレジスト膜２００の上面がトリミングされる量を抑制することができる。したがって、トリミング処理において、フォトレジスト膜２００の膜厚の減少（図２（ｅ）に示すｙ）が抑制され、フォトレジスト膜２００の水平方向のトリミング量（図２（ｅ）に示すｘ）の方が多くなり、トリム比ｙ／ｘを小さくすることができる。
実施例として、図１に示した構造のプラズマ処理装置を使用し、図２に示したように、絶縁膜としての二酸化シリコン膜と、導電膜としてポリシリコン膜が交互に積層された積層膜に対して以下の処理条件で処理を行い、階段状の構造を形成した。
（二酸化シリコン膜のエッチング）
処理ガス：ＣＦ４／ＣＨＦ３＝１７５／２５ｓｃｃｍ
圧力：１６．０Ｐａ（１２０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：５００Ｗ／２００Ｗ
（堆積物除去）
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圧力：２６．６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：１５００Ｗ／０Ｗ
（フォトレジスト膜の改質）
処理ガス：Ｈ２／Ｈｅ＝３００／５００ｓｃｃｍ
圧力：２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：３００Ｗ／０Ｗ
（フォトレジスト膜のトリミング）
処理ガス：Ｏ２／Ｎ２＝３００／７５ｓｃｃｍ
圧力：３３．３Ｐａ（２５０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：５００Ｗ／０Ｗ
（ポリシリコン膜のエッチング）
処理ガス：ＨＢｒ／ＳＦ６／Ｈｅ＝４００／７０／２００ｓｃｃｍ
圧力：６．６６Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：０Ｗ／５００Ｗ
上記の工程を複数回繰り返して実施した後、半導体ウエハＷを電子顕微鏡で拡大して観察したところ、良好な形状の階段状の構造が形成されていることを確認することができた。
（二酸化シリコン膜のエッチング）
処理ガス：ＣＦ４／ＣＨＦ３＝１７５／２５ｓｃｃｍ
圧力：１６．０Ｐａ（１２０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：５００Ｗ／２００Ｗ
（堆積物除去）
処理ガス：Ｏ２／ＣＦ４＝１５０／３５０ｓｃｃｍ
圧力：２６．６Ｐａ（２００ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：１５００Ｗ／０Ｗ
（フォトレジスト膜の改質）
処理ガス：Ｈ２／Ｈｅ＝３００／５００ｓｃｃｍ
圧力：２．６６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：３００Ｗ／０Ｗ
（フォトレジスト膜のトリミング）
処理ガス：Ｏ２／Ｎ２＝３００／７５ｓｃｃｍ
圧力：３３．３Ｐａ（２５０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：５００Ｗ／０Ｗ
（ポリシリコン膜のエッチング）
処理ガス：ＨＢｒ／ＳＦ６／Ｈｅ＝４００／７０／２００ｓｃｃｍ
圧力：６．６６Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：０Ｗ／５００Ｗ
上記の工程を複数回繰り返して実施した後、半導体ウエハＷを電子顕微鏡で拡大して観察したところ、良好な形状の階段状の構造が形成されていることを確認することができた。
また、上記のトリミング工程におけるトリム比（ｙ／ｘ）は、０．７程度であった。一方、比較例として、トリミング工程の前にフォトレジストの改質を行わなかった場合についてトリム比（ｙ／ｘ）を測定したところ、１．６程度となった。したがって、本実施例のようにフォトレジストの改質を行うことによって、大幅にトリム比を改善することができることを確認できた。なお、上記のように、フォトレジストの改質において処理ガスとしてＨ２／Ｈｅの混合ガスを使用するのは、Ｈ２の単ガスを使用してフォトレジストの改質を行うと、改質の効果が高すぎて、トリミング工程におけるトリミングが難しくなるためであり、Ｈｅガスを加えることによって、フォトレジストの改質の効果を抑制することができる。
なお、フォトレジストの改質の工程で使用できるＨｅ／Ｈ２の流量比は、改質効果とトリミングのし易さを考慮した上で、概ね０〜１０％の範囲で調整することができる。また、圧力は１．３３〜６．６６Ｐａ（１０〜５０ｍＴ）の範囲を使用することが可能であり、圧力が高い方がトリム比を良くできるが、フォトレジスト層の側壁の荒れとトレードオフの関係になる。更に、プラズマ生成に寄与する高周波電力のパワーは、２００〜５００Ｗの範囲を使用することが可能であり、パワーが高い方がトリム比を良くできるが、フォトレジスト層の側壁の荒れとトレードオフの関係になる。
また、上記のトリミング工程におけるｘ方向のトリム量は、上記の工程を複数回繰り返した際に、１回目から１０回目まで３００ｎｍ程度で略一定であった。一方、堆積物除去を行わなかった比較例では、１回目のｘ方向のトリム量が２２０ｎｍ程度であり、１０回目では１８０ｎｍ程度まで低下した。したがって、本実施例のように堆積物除去を行うことにより、ｘ方向のトリム量を多くすることができ、かつ、複数回工程を繰り返した際にも安定したｘ方向のトリム量とすることができることを確認できた。
上記したフォトレジスト膜２００の上面の改質処理では、処理ガスとしてＨ２ガスとＨｅガスとの混合ガスを使用したが、処理ガスとしてＨ２ガスとＨｅガスとシリコン含有ガス（例えば、ＳｉＦ４ガス、ＳｉＣｌ４ガス等）の混合ガスを使用することができる。このような混合ガスを使用した場合、Ｈ２ガスの作用によるフォトレジストの改質の他、フォトレジストの表面にシリケートカーボン等のコーティング層を形成することができ、これによってトリム比（ｙ／ｘ）を減少させることができる。
図４のグラフは、縦軸をトリム比（ｙ／ｘ）、横軸をＳｉＦ４ガス流量としてＳｉＦ４ガス流量とトリム比との関係を調べた結果を示している。なお、この場合のフォトレジスト膜２００の上面の改質処理は、以下の条件で行った。
処理ガス：Ｈ２／Ｈｅ／ＳｉＦ４＝１００／７００／ＸＸｓｃｃｍ
圧力：２０．０Ｐａ（１５０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：３００Ｗ／３００Ｗ
処理ガス：Ｈ２／Ｈｅ／ＳｉＦ４＝１００／７００／ＸＸｓｃｃｍ
圧力：２０．０Ｐａ（１５０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：３００Ｗ／３００Ｗ
図４のグラフに示されるように、ＳｉＦ４ガスの流量を０から２０ｓｃｃｍまで増加させていくと、ＳｉＦ４の流量に応じてトリム比が低下することを確認できた。なお、トリム比を低下させる効果を得るためには、ある程度の量のＳｉＦ４ガスを流す必要がある。一方、ＳｉＦ４ガス流量を多くし過ぎるとトリム比は低下するが、フォトレジスト膜のトリミング速度が低下して、所望のトリミング量を得るための処理時間が長くなる。このため、ＳｉＦ４ガスの流量は、Ｈ２ガスに対する流量比（ＳｉＦ４ガス流量／Ｈ２ガス流量）を５〜３０％の範囲内とすることが好ましく、１０〜２０％の範囲内とすることがさらに好ましい。
また、上記の実施形態及び実施例では、積層膜２１０が、絶縁膜としての二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜２０１ａ等と、導電膜としてポリシリコン膜（ドープドポリシリコン膜）２０２ａ等とから構成されている場合について説明した。しかし、前述したとおり、誘電率の異なる２種の膜、例えば、二酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を積層して構成した積層膜、ポリシリコン膜とドープドポリシリコン膜を積層して構成した積層膜等に適用することができる。
この場合、堆積物除去、フォトレジスト上面の改質、フォトレジストのトリミングについては、上述した実施例と同様にして行うことができる。また、エッチングについても、二酸化シリコン膜、ポリシリコン膜及びドープドポリシリコン膜については、上述した実施例と同様にして行うことができる。窒化シリコン膜のエッチングについては、例えば、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ等のガス系を用いることができる。より具体的には、例えば、
処理ガス：ＣＦ４／ＣＨＦ３＝２５／１７５ｓｃｃｍ
圧力：１６．０Ｐａ（１２０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：５００Ｗ／２００Ｗ
等の条件で窒化シリコン膜のエッチングを行うことができる。
処理ガス：ＣＦ４／ＣＨＦ３＝２５／１７５ｓｃｃｍ
圧力：１６．０Ｐａ（１２０ｍＴｏｒｒ）
高周波電力（高い周波数の高周波／低い周波数の高周波）：５００Ｗ／２００Ｗ
等の条件で窒化シリコン膜のエッチングを行うことができる。
なお、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマ処理装置は、図に示した平行平板型の下部２周波印加型に限らず、例えば、上部電極と下部電極に夫々高周波を印加するタイプのプラズマ処理装置や、下部電極に１周波の高周波電力を印加するタイプのプラズマ処理装置等、各種のプラズマ処理装置を用いることができる。
２００……フォトレジスト膜、２０１……二酸化シリコン膜、２０２……ポリシリコン膜、２１０……積層膜、Ｗ……半導体ウエハ。
Claims (9)
- 第１の誘電率を有する第１の膜と、前記第１の誘電率とは異なる第２の誘電率を有する第２の膜とが交互に積層された多層膜と、前記多層膜の上層に位置しエッチングマスクとして機能するフォトレジスト層とを有する基板をエッチングして、階段状の構造を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記フォトレジスト層をマスクとして前記第１の膜をプラズマエッチングする第１工程と、
水素含有プラズマに前記フォトレジスト層を晒して前記フォトレジスト層の上面に改質膜を形成する第２工程と、
前記フォトレジスト層をトリミングする第３工程と、
前記第３工程によってトリミングしたフォトレジスト層及び前記第１工程でプラズマエッチングした前記第１の膜をマスクとして前記第２の膜をエッチングする第４工程とを有し、
前記第１工程乃至前記第４工程を繰り返して行うことにより、前記多層膜を階段状の構造とする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１の膜は絶縁膜であり、前記第２の膜は導電膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１の膜と前記第２の膜は、
二酸化シリコン膜とドープドポリシリコン膜、
二酸化シリコン膜と窒化シリコン膜、
ポリシリコン膜とドープドポリシリコン膜
のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１工程と、前記第２工程との間に、前記フォトレジスト層に付着した堆積物を除去する堆積物除去工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２工程では、水素ガスとヘリウムガスの混合ガスのプラズマを使用する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２工程では、水素ガスとヘリウムガスとシリコン含有ガスの混合ガスのプラズマを使用する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２工程では、処理チャンバー内の圧力が１．３３〜６．６６Ｐａに調整されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１〜７いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１の膜と、前記第２の膜は、合計６４層以上積層されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被処理基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と
を具備したプラズマ処理装置を制御する制御プログラムが記録されたコンピュータ記録媒体であって、
前記制御プログラムは、請求項１〜８いずれか１項記載の半導体装置の製造方法が実行されるように前記プラズマ処理装置を制御する
ことを特徴とするコンピュータ記録媒体。
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