JP2009200080A - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングしたSOG膜104をマスクとして、下層レジスト103をプラズマエッチングし、開口112を形成する。このプラズマエッチング工程では、処理ガス(エッチングガス)として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。
【選択図】図1
【解決手段】パターニングしたSOG膜104をマスクとして、下層レジスト103をプラズマエッチングし、開口112を形成する。このプラズマエッチング工程では、処理ガス(エッチングガス)として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板に形成された所定パターンのマスク層を介して当該マスク層の下側に形成された有機膜又は窒化シリコン膜からなる下層膜を、処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
従来から、半導体装置の製造工程においては、マスク層を介してプラズマエッチング処理を行い、有機膜や窒化シリコン膜を所望のパターンに形成することが行われている。また、このようなプラズマエッチングでは、多層レジストマスクを用いることにより、より微細な加工を精度良く行う技術が知られている。
多層レジストマスクを使用する場合、例えば、所定パターンにパターニングされたArFレジストをマスクとして下層のSOG膜やSi−ARC(Antireflective Coating)等のシリコン含有無機化合膜をプラズマエッチングして所定パターンとし、次に、この所定パターンとしたシリコン含有無機化合膜をマスク層として、有機膜からなる下層レジストをプラズマエッチングすることが行われる。
上記のように、シリコン含有無機化合膜をマスク層として、有機膜からなる下層レジストをプラズマエッチングする場合、従来は、例えば、CO+O2+N2、CO2+O2+N2、CO+N2等の処理ガス(エッチングガス)が使用されている。しかしながら、このような処理ガスを用いてプラズマエッチングを行った場合、側壁を保護するための堆積性のガス(デポガス)が含まれていない。このため、形成しようとするラインの幅が細くなったり、ホールの径が拡がってしまう等の問題が生じていた。なお、側壁を保護するための堆積性のガスとしては、通常CH2F2、CHF3等が使用されるが、このようなフッ素を含むガスは、上記のようにシリコン含有無機化合膜をマスク層として使用する場合、このマスク層がエッチングされてしまうため、使用することができない。
なお、レジストをマスクとして有機膜からなるBARCをプラズマエッチングする際に、酸素ガス雰囲気とすると、レジストもエッチングされるためパターン寸法の変化が発生し、寸法制御が困難となるので、主たる処理ガスとしてSO2等の硫黄を含むガスを使用することが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2004−363150号公報
上記したように、例えば、シリコン含有無機化合膜をマスク層として、有機膜からなる下層レジストをプラズマエッチングする場合等は、有効な側壁保護手段が無く、形成しようとするラインの幅が細くなったり、ホールの径が拡がってしまう等の問題が生じ、所望の寸法及び所望の形状が得られないという課題があった。
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供することを目的とする。
請求項1のプラズマエッチング方法は、基板に形成された所定パターンのマスク層を介して当該マスク層の下側に形成された有機膜からなる下層膜を、処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスに、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用することを特徴とする。
請求項2のプラズマエッチング方法は、請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、前記酸素を含むガスが、O2ガス、COガス、CO2ガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせであることを特徴とする。
請求項3のプラズマエッチング方法は、請求項1又は2に記載のプラズマエッチング方法であって、前記マスク層がシリコン含有無機化合物からなることを特徴とする。
請求項4のプラズマエッチング方法は、基板に形成された所定パターンのマスク層を介して当該マスク層の下側に形成された窒化シリコン膜からなる下層膜を、処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスに、硫黄を含み酸素を含まないガスを添加することを特徴とする。
請求項5のプラズマエッチング方法は、請求項1〜4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、前記硫黄を含み酸素を含まないガスが、CS2ガス、H2Sガス、S2Cl2ガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせであることを特徴とする。
請求項6のプラズマエッチング方法は、基板上に形成された被エッチング層を、当該被エッチング層の直上から順に少なくとも、第1シリコン含有無機化合物層と、第1レジスト層と、第2シリコン含有無機化合物層と、第2レジスト層とが積層された多層マスクを用いてエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記第2レジスト層をマスクとしてパターン形成された前記第2シリコン含有無機化合物層をマスクとし、少なくとも、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスとを、含む処理ガスをプラズマ化して前記第1レジスト層をエッチングすることにより、前記第1シリコン含有無機化合物層をエッチングするためのレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを介して前記第1シリコン含有無機化合物層をエッチングすることにより、ハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクを介して前記被エッチング層をエッチングする工程とを具備することを特徴とする。
請求項7のプラズマエッチング装置は、基板を収容する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段から供給された前記処理ガスをプラズマ化して前記基板を処理するプラズマ生成手段と、前記処理チャンバー内で請求項1から請求項6いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部とを備えたことを特徴とする。
請求項8の制御プログラムは、コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項6いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする。
請求項9のコンピュータ記憶媒体は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項6いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする。
本発明によれば、プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマエッチング方法における被処理基板としての半導体ウエハの断面構成を拡大して示すものである。また、図2は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示すものである。まず、図2を参照してプラズマエッチング装置の構成について説明する。
プラズマエッチング装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー1を有している。この処理チャンバー1は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理チャンバー1内には、被処理基板である半導体ウエハWを水平に支持する載置台2が設けられている。載置台2は例えばアルミニウム等で構成されており、絶縁板3を介して導体の支持台4に支持されている。また、載置台2の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング5が設けられている。
載置台2には、マッチングボックス11を介してRF電源10が接続されている。このRF電源10からは所定周波数(例えば13.56MHz)の高周波電力が載置台2に供給されるようになっている。一方、載置台2の上方には、載置台2と平行に対向するように、シャワーヘッド16が設けられており、このシャワーヘッド16は接地されている。したがって、これらの載置台2とシャワーヘッド16は、一対の電極として機能するようになっている。
載置台2の上面には、半導体ウエハWを静電吸着するための静電チャック6が設けられている。この静電チャック6は絶縁体6bの間に電極6aを介在させて構成されており、電極6aには直流電源12が接続されている。そして電極6aに直流電源12から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハWが吸着されるよう構成されている。
載置台2の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させることによって、載置台2を所定の温度に制御可能となっている。また、載置台2等を貫通するように、半導体ウエハWの裏面側にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス(バックサイドガス)を供給するためのバックサイドガス供給配管30a、30bが設けられており、これらのバックサイドガス供給配管30a、30bは、バックサイドガス(ヘリウムガス等)供給源31に接続されている。なお、バックサイドガス供給配管30aは、半導体ウエハWの中央部分にバックサイドガスを供給し、バックサイドガス供給配管30bは、半導体ウエハWの周縁部分にバックサイドガスを供給するように構成されている。そして、バックサイドガスの圧力を、半導体ウエハWの中央部分と周縁部分とで、供給エリア毎に別々に制御できるように構成されている。これらの構成によって、載置台2の上面に静電チャック6によって吸着保持された半導体ウエハWを、所定の温度に制御可能となっている。
また、上記したフォーカスリング5の外側には排気リング13が設けられている。排気リング13は支持台4を通して処理チャンバー1と導通している。
上記したシャワーヘッド16は、処理チャンバー1の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド16は、その下面に多数のガス吐出孔18が設けられており、かつその上部にガス導入部16aを有している。そして、その内部には空間17が形成されている。ガス導入部16aにはガス供給配管15aが接続されており、このガス供給配管15aの他端には、エッチング用の処理ガス(エッチングガス)を供給する処理ガス供給系15が接続されている。
処理ガス供給系15から供給される処理ガスは、ガス供給配管15a、ガス導入部16aを介してシャワーヘッド16内部の空間17に至り、ガス吐出孔18から半導体ウエハWに向けて吐出される。
処理チャンバー1の下部には、排気ポート19が形成されており、この排気ポート19には排気系20が接続されている。そして排気系20に設けられた真空ポンプを作動させることにより処理チャンバー1内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、処理チャンバー1の側壁には、ウエハWの搬入出口を開閉するゲートバルブ24が設けられている。
処理チャンバー1の周囲には、同心状に、リング磁石21が配置されており、載置台2とシャワーヘッド16との間の空間に磁界を及ぼすようになっている。このリング磁石21は、図示しないモータ等の回転手段により回転可能となっている。
上記構成のプラズマエッチング装置は、制御部60によって、その動作が統括的に制御される。この制御部60には、CPUを備えプラズマエッチング装置の各部を制御するプロセスコントローラ61と、ユーザインターフェース62と、記憶部63とが設けられている。
ユーザインターフェース62は、工程管理者がプラズマエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部63には、プラズマエッチング装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ61の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース62からの指示等にて任意のレシピを記憶部63から呼び出してプロセスコントローラ61に実行させることで、プロセスコントローラ61の制御下で、プラズマエッチング装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体(例えば、ハードディスク、CD、フレキシブルディスク、半導体メモリ等)などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
このように構成されたプラズマエッチング装置で、半導体ウエハWに形成された有機膜である下層レジスト等をプラズマエッチングする手順について説明する。まず、ゲートバルブ24が開かれ、半導体ウエハWが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して処理チャンバー1内に搬入され、載置台2上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー1外に退避させ、ゲートバルブ24を閉じる。そして、排気系20の真空ポンプにより排気ポート19を介して処理チャンバー1内が排気される。
処理チャンバー1内が所定の真空度になった後、処理チャンバー1内には処理ガス供給系15から所定の処理ガス(エッチングガス)が導入され、処理チャンバー1内が所定の圧力、例えば13.3Pa(100mTorr)に保持され、この状態でRF電源10から載置台2に、高周波電力が供給される。このとき、直流電源12から静電チャック6の電極6aに所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハWはクーロン力により吸着される。
この場合に、上述のようにして下部電極である載置台2に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド16と下部電極である載置台2との間には電界が形成される。一方、処理チャンバー1の内部にはリング磁石21により水平磁界が形成されているから、半導体ウエハWが存在する処理空間には電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハW上に形成された下層レジスト等がエッチング処理される。
そして、上記したエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー1内から搬出される。
次に、図1を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図1(a)〜(d)は、本実施形態における被処理基板としての半導体ウエハWの要部構成を拡大して示すものである。図1(a)に示すように、半導体ウエハWには、被エッチング層101が形成されており、この被エッチング層101の上に被エッチング層101をエッチングするためのハードマスクを構成するための層として、本実施形態では酸化シリコン層102が形成されている。この酸化シリコン層102の上には、多層レジストマスクを構成するために、有機膜からなる下層レジスト103、SOG膜(又はSi−ARC(Antireflective Coating)若しくはCVD−SiON、以下、同じ)104、ArFレジスト105が、下側からこの順で設けられている。
最上層に設けられたArFレジスト105は、精密写真転写工程によりパターニングされ、所定形状(例えば、ライン状又はホール状)の開口110が形成されている。
上記構造の半導体ウエハWを、図2に示した装置の処理チャンバー1内に収容し、載置台2に載置して、図1(a)に示す状態から、まず、ArFレジスト105をマスクとして、SOG膜104をプラズマエッチングし、開口111を形成して図1(b)の状態とする。このプラズマエッチング工程では、CxFyガス又はCxHyFzガスと、希ガスと、O2ガス又はN2ガスの混合ガス等を処理ガス(エッチングガス)として使用することができる。
次に、上記のようにしてパターニングしたSOG膜104をマスクとして、下層レジスト103をプラズマエッチングし、開口112を形成して図1(c)の状態とする。このプラズマエッチング工程では、処理ガス(エッチングガス)として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。酸素を含むガスとしては、例えば、O2ガス、CO2ガス、COガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせを使用する。また、硫黄を含み酸素を含まないガスとしては、例えば、CS2ガス、H2Sガス、S2Cl2ガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせを使用する。また、これらのガスに、必要に応じて希ガスを混合したガスを使用することができる。
このプラズマエッチング工程では、有機膜である下層レジスト103をプラズマエッチングするための主ガスとして、O2ガス等の酸素を含むガスを用いている。また、CS2ガス等の硫黄を含み酸素を含まないガスは、硫黄と炭素との作用により側壁を保護する堆積性ガスとして主ガスに添加して用いている。そして、希ガスは、プラズマの着火性、安定性及びイオンエネルギーの運搬等を目的として用いられており、化学的な作用は行わない。
上記のように、本実施形態では、側壁保護のための堆積性ガスとして、CS2ガス等の硫黄を含み酸素を含まないガスを用いているので、マスク層としてのSi含有無機化合物であるSOG膜104に対する選択比を低下させることなく、有機膜である下層レジスト103の寸法制御及び形状制御を高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることができる。この時、CS2ガス等の流量を多くして、側壁に対する堆積物の堆積量を多くすれば、ラインの場合線幅を太くするように寸法制御することができ、ホールの場合は孔径を小さくするように寸法制御することができる。
次に、上記のようにしてパターニングした下層レジスト103をマスクとして、酸化シリコン層102をプラズマエッチングし、開口113を形成して図1(d)の状態とする。この酸化シリコン層102が、被エッチング層101をエッチングするためのハードマスクとなる。このプラズマエッチング工程では、処理ガス(エッチングガス)として、CxFyガス又はCxHyFzガスと、希ガスと、O2ガス又はN2ガスの混合ガス等を使用することができる。
次に、図3を参照して第2の実施形態について説明する。図3(a)〜(d)は、第2の実施形態における被処理基板としての半導体ウエハWの要部構成を拡大して示すものである。図3(a)に示すように、半導体ウエハWには、被エッチング層201が形成されており、この被エッチング層201の上に被エッチング層201をエッチングするためのハードマスクを構成するための層として、本実施形態では窒化シリコン層202が形成されている。この窒化シリコン層202の上には、多層レジストマスクを構成するために、有機膜からなる下層レジスト203、SOG膜(又はSi−ARC(Antireflective Coating)若しくはCVD−SiON、以下、同じ)204、ArFレジスト205が、下側からこの順で設けられている。
最上層に設けられたArFレジスト205は、精密写真転写工程によりパターニングされ、所定形状(例えば、ライン状又はホール状)の開口210が形成されている。
上記構造の半導体ウエハWを、図2に示した装置の処理チャンバー1内に収容し、載置台2に載置して、図3(a)に示す状態から、まず、ArFレジスト205をマスクとして、SOG膜204をプラズマエッチングし、開口211を形成して図3(b)の状態とする。このプラズマエッチング工程では、CxFyガス又はCxHyFzガスと、希ガスと、O2ガス又はN2ガスの混合ガス等を処理ガス(エッチングガス)として使用することができる。
次に、上記のようにしてパターニングしたSOG膜204をマスクとして、下層レジスト203をプラズマエッチングし、開口212を形成して図3(c)の状態とする。このプラズマエッチング工程では、処理ガス(エッチングガス)として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。酸素を含むガスとしては、例えば、O2ガス、CO2ガス、COガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせを使用する。また、硫黄を含み酸素を含まないガスとしては、例えば、CS2ガス、H2Sガス、S2Cl2ガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせを使用する。また、これらのガスに、必要に応じて希ガスを混合したガスを使用することができる。
このプラズマエッチング工程では、有機膜である下層レジスト203をプラズマエッチングするための主ガスとして、O2ガス等の酸素を含むガスを用いている。また、CS2ガス等の硫黄を含み酸素を含まないガスは、硫黄と炭素との作用により側壁を保護する堆積性ガスとして主ガスに添加して用いている。そして、希ガスは、プラズマの着火性、安定性及びイオンエネルギーの運搬等を目的として用いられており、化学的な作用は行わない。
上記のように、本実施形態では、側壁保護のための堆積性ガスとして、CS2ガス等の硫黄を含み酸素を含まないガスを用いているので、マスク層としてのSi含有無機化合物であるSOG膜204に対する選択比を低下させることなく、有機膜である下層レジスト203の寸法制御及び形状制御を高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることができる。この時、CS2ガス等の流量を多くして、側壁に対する堆積物の堆積量を多くすれば、ラインの場合線幅を太くするように寸法制御することができ、ホールの場合は孔径を小さくするように寸法制御することができる。
次に、上記のようにしてパターニングした下層レジスト203をマスクとして、窒化シリコン層202をプラズマエッチングし、開口213を形成して図3(d)の状態とする。この窒化シリコン層202が、被エッチング層201をエッチングするためのハードマスクとなる。このプラズマエッチング工程では、処理ガス(エッチングガス)として、CxFyガス又はCxHyFzガスと、希ガスと、O2ガス又はN2ガスと、硫黄を含み酸素を含まないガス(例えば、CS2ガス、H2Sガス、S2Cl2ガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせ)等を使用する。
このように、第2実施形態では、窒化シリコン層202のプラズマエッチングの際にも、側壁保護用の堆積性ガスとして、CS2ガス等の硫黄を含み酸素を含まないガスを添加する。これによって、窒化シリコン層202のプラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることができる。なお、この場合も、CS2ガス等の流量を多くして、側壁に対する堆積物の堆積量を多くすれば、ラインの場合線幅を太くするように寸法制御することができ、ホールの場合は孔径を小さくするように寸法制御することができる。
以上説明したとおり、上記した各実施形態によれば、プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることができる。なお、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマエッチング装置は、図2に示した平行平板型の下部1周波印加型に限らず、上下2周波印加型のプラズマエッチング装置や、下部2周波印加型のプラズマエッチング装置等の他、ICP、TCP、ECR等の各種のプラズマエッチング装置を使用することができる。
W……半導体ウエハ、101……被エッチング層、102……酸化シリコン層、103……下層レジスト、104……SOG膜(又はSi−ARC(Antireflective Coating)若しくはCVD−SiON)、105……ArFレジスト、110,111,112,113……開口。
Claims (9)
- 基板に形成された所定パターンのマスク層を介して当該マスク層の下側に形成された有機膜からなる下層膜を、処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記処理ガスに、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、
前記酸素を含むガスが、O2ガス、COガス、CO2ガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1又は2に記載のプラズマエッチング方法であって、
前記マスク層がシリコン含有無機化合物からなることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 基板に形成された所定パターンのマスク層を介して当該マスク層の下側に形成された窒化シリコン膜からなる下層膜を、処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記処理ガスに、硫黄を含み酸素を含まないガスを添加することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記硫黄を含み酸素を含まないガスが、CS2ガス、H2Sガス、S2Cl2ガスのいずれか一種又はこれらの組み合わせであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 基板上に形成された被エッチング層を、当該被エッチング層の直上から順に少なくとも、第1シリコン含有無機化合物層と、第1レジスト層と、第2シリコン含有無機化合物層と、第2レジスト層とが積層された多層マスクを用いてエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記第2レジスト層をマスクとしてパターン形成された前記第2シリコン含有無機化合物層をマスクとし、少なくとも、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスとを、含む処理ガスをプラズマ化して前記第1レジスト層をエッチングすることにより、前記第1シリコン含有無機化合物層をエッチングするためのレジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクを介して前記第1シリコン含有無機化合物層をエッチングすることにより、ハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクを介して前記被エッチング層をエッチングする工程と
を具備することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給された前記処理ガスをプラズマ化して前記基板を処理するプラズマ生成手段と、
前記処理チャンバー内で請求項1から請求項6いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項6いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項6いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (2)
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