JP5214152B2 - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Description
請求項7のプラズマエッチング方法は、チャンバ内で下層側から順に、ガラス系膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及び円形でない開口がパターニングされたフォトレジスト膜が形成されている被処理基板に対して、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ガラス系膜を順次プラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記被処理基板を前記チャンバ内に収容する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして、前記シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングして第1のホールを形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして、前記ガラス系膜をC4F6ガスとC3F8ガスとArガスとO2ガスとを含む混合ガスを用いてエッチングして第2のホールを形成する工程と、を備え、記第2のホールを形成する工程は、前記C4F6ガス流量に対する前記C3F8ガスの流量の割合(C3F8ガス流量/C4F6ガス流量)が3/8〜5/8で行われ、プラズマエッチングによって、前記シリコン酸化膜及び前記ガラス系膜に形成されるホールのアスペクト比(ホールの深さ/ホールの径)が10以上であることを特徴とする。
請求項8のプラズマエッチング方法は、請求項7記載のプラズマエッチング方法であって、前記開口の形状は、長径と短径とを有する長穴状のホールであることを特徴とする。
請求項9のプラズマエッチング方法は、請求項8項記載のプラズマエッチング方法であって、前記長径は、前記短径の2〜2.5倍であることを特徴とする。
圧力:4.00Pa(30mTorr)
電力:500/5500W (HF/LF)
温度(天井部/側壁部/載置台):100/80/20℃
バックサイドガス圧力(中央部/周縁部):
3333/5332Pa(25/40Torr)
処理時間:57秒
処理ガス:C4F6/Ar/O2=8/200/3 sccm
とし、C3F8ガスを添加しない点のみが相違する条件で上記したBPSG膜101のプラズマエッチング処理工程を行った。この結果、半導体ウエハWの中央部における下層レジスト膜104の残り量が200nm、半導体ウエハWの周縁部における下層レジスト膜104の残り量が204nmとなり、半導体ウエハWの中央部及び周縁部でマスク倒れが生じ、特に半導体ウエハWの周縁部でマスク倒れが多く発生した。
Claims (9)
- 下層側から順に、ガラス系膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及び円形でない開口がパターニングされたフォトレジスト膜が形成されている被処理基板に対して、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記シリコン酸化膜、前記シリコン窒化膜、前記ガラス系膜を順次プラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記ガラス系膜のプラズマエッチングに用いる処理ガスとして、C4F6ガスとC3F8ガスとArガスとO2ガスとを含む混合ガスを用い、
前記C3F8ガスの流量の前記C4F6ガス流量に対する割合(C3F8ガス流量/C4F6ガス流量)が3/8〜5/8であり、
プラズマエッチングによって、前記シリコン酸化膜及び前記ガラス系膜に形成されるホールのアスペクト比(ホールの深さ/ホールの径)が10以上である
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、
前記開口の形状は、長径と短径とを有する長穴状のホールであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項2記載のプラズマエッチング方法であって、
前記長径は、前記短径の2〜2.5倍であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給された前記処理ガスをプラズマ化して前記被処理基板を処理するプラズマ生成手段と、
前記処理チャンバー内で請求項1から請求項3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。 - チャンバ内で下層側から順に、ガラス系膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及び円形でない開口がパターニングされたフォトレジスト膜が形成されている被処理基板に対して、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ガラス系膜を順次プラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記被処理基板を前記チャンバ内に収容する工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして、前記シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングして第1のホールを形成する工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして、前記ガラス系膜をC4F6ガスとC3F8ガスとArガスとO2ガスとを含む混合ガスを用いてエッチングして第2のホールを形成する工程と、
を備え、
記第2のホールを形成する工程は、
前記C4F6ガス流量に対する前記C3F8ガスの流量の割合(C3F8ガス流量/C4F6ガス流量)が3/8〜5/8で行われ、
プラズマエッチングによって、前記シリコン酸化膜及び前記ガラス系膜に形成されるホールのアスペクト比(ホールの深さ/ホールの径)が10以上である
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項7記載のプラズマエッチング方法であって、
前記開口の形状は、長径と短径とを有する長穴状のホールであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項8項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記長径は、前記短径の2〜2.5倍であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
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