JP2008193015A - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 52
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 89
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 244000287353 Crassocephalum crepidioides Species 0.000 description 1
- 206010016322 Feeling abnormal Diseases 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
【解決手段】パターニングした下層レジスト膜104等をマスクとして、被エッチング対象であるシリコン酸化膜103、シリコン窒化膜102、を順次プラズマエッチングし、ホール112を形成する。最後に被エッチング対象のうち最下層に位置するBPSG膜101をプラズマエッチングし、ホール113を形成する。このBPSG膜101のプラズマエッチングに、C4F6ガスとC3F8ガスとを含む混合ガスを用いる。
【選択図】図1
Description
圧力:4.00Pa(30mTorr)
電力:500/5500W (HF/LF)
温度(天井部/側壁部/載置台):100/80/20℃
バックサイドガス圧力(中央部/周縁部):
3333/5332Pa(25/40Torr)
処理時間:57秒
処理ガス:C4F6/Ar/O2=8/200/3 sccm
とし、C3F8ガスを添加しない点のみが相違する条件で上記したBPSG膜101のプラズマエッチング処理工程を行った。この結果、半導体ウエハWの中央部における下層レジスト膜104の残り量が200nm、半導体ウエハWの周縁部における下層レジスト膜104の残り量が204nmとなり、半導体ウエハWの中央部及び周縁部でマスク倒れが生じ、特に半導体ウエハWの周縁部でマスク倒れが多く発生した。
Claims (8)
- 被処理基板に形成された多層レジストマスクを用いて、多層レジストマスクの下層に位置する被エッチング膜であるシリコン酸化膜をプラズマエッチングした後、前記シリコン酸化膜の下層に位置するガラス系膜を前記多層レジストマスクを用いて、プラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記ガラス系膜のプラズマエッチングに用いる処理ガスとして、C4F6ガスとC3F8ガスとを含む混合ガスを用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、
プラズマエッチングによって、前記シリコン酸化膜及び前記ガラス系膜に形成されるホールのアスペクト比(ホールの深さ/ホールの径)が10以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法であって、
前記C3F8ガスの流量の前記C4F6ガス流量に対する割合(C3F8ガス流量/C4F6ガス流量)が3/8〜5/8であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記シリコン酸化膜及び前記ガラス系膜に、長径と短径とを有する長穴状のホールを形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記シリコン酸化膜と、前記ガラス系膜との間に、シリコン窒化膜が形成されていることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給された前記処理ガスをプラズマ化して前記被処理基板を処理するプラズマ生成手段と、
前記処理チャンバー内で請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007028749A JP5214152B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
US12/026,084 US7967997B2 (en) | 2007-02-08 | 2008-02-05 | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007028749A JP5214152B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008193015A true JP2008193015A (ja) | 2008-08-21 |
JP5214152B2 JP5214152B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=39684941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007028749A Active JP5214152B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7967997B2 (ja) |
JP (1) | JP5214152B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9039401B2 (en) | 2006-02-27 | 2015-05-26 | Microcontinuum, Inc. | Formation of pattern replicating tools |
US9589797B2 (en) * | 2013-05-17 | 2017-03-07 | Microcontinuum, Inc. | Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices |
CN108538818A (zh) * | 2017-05-19 | 2018-09-14 | 睿力集成电路有限公司 | 一种高深径比孔洞的制备方法及结构 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2002050885A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Tokyo Electron Limited | Procede de gravage pour film isolant |
WO2003043072A1 (fr) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de gravure et appareil de gravure par plasma |
JP2005109444A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-04-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6635335B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Etching methods and apparatus and substrate assemblies produced therewith |
JP2001053061A (ja) | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
US6815353B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-11-09 | Micrel, Incorporated | Multi-layer film stack polish stop |
US7465670B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer storage medium with enhanced selectivity |
-
2007
- 2007-02-08 JP JP2007028749A patent/JP5214152B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-05 US US12/026,084 patent/US7967997B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1056021A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-02-24 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2005109444A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-04-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080190892A1 (en) | 2008-08-14 |
JP5214152B2 (ja) | 2013-06-19 |
US7967997B2 (en) | 2011-06-28 |
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