JPH1056021A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH1056021A JPH1056021A JP8212229A JP21222996A JPH1056021A JP H1056021 A JPH1056021 A JP H1056021A JP 8212229 A JP8212229 A JP 8212229A JP 21222996 A JP21222996 A JP 21222996A JP H1056021 A JPH1056021 A JP H1056021A
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- interlayer insulating
- film
- contact hole
- etching rate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程数の増加を最小限に抑えると共に、信頼
性のある口径が０．３５μｍ以下のコンタクトホールを
容易に且つ正確に形成する方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板又は適宜の導電層１０上に形
成される層間絶縁膜２上に、該層間絶縁膜２のエッチン
グレートの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁
性膜３を形成した後、該絶縁性膜３に、所定のエッチン
グ処理を施して、該絶縁性膜３の被エッチング処理部を
テーパ状端部１１を有する開孔部１２に形成し、当該端
部がテーパ状に形成された開孔部１２をマスクとして該
層間絶縁膜２をエッチング処理して本体部１３を形成す
る事によりコンタクトホール１５を形成する半導体装置
の製造方法。
性のある口径が０．３５μｍ以下のコンタクトホールを
容易に且つ正確に形成する方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板又は適宜の導電層１０上に形
成される層間絶縁膜２上に、該層間絶縁膜２のエッチン
グレートの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁
性膜３を形成した後、該絶縁性膜３に、所定のエッチン
グ処理を施して、該絶縁性膜３の被エッチング処理部を
テーパ状端部１１を有する開孔部１２に形成し、当該端
部がテーパ状に形成された開孔部１２をマスクとして該
層間絶縁膜２をエッチング処理して本体部１３を形成す
る事によりコンタクトホール１５を形成する半導体装置
の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するものであり、更に詳しくは、微細なコンタ
クトホールを効率良く形成する事が出来る半導体装置の
製造方法に関するものである。
方法に関するものであり、更に詳しくは、微細なコンタ
クトホールを効率良く形成する事が出来る半導体装置の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置に設けるコンタク
トホールを形成する方法に関しては多くの技術が開示さ
れて来ている。特に、近年に於いては、半導体装置の高
集積化に伴い、コンタクトホールの微細化が急速に進ん
でおり、係る微細な口径を有するコンタクトホールの製
造技術の開発が注目されて来ている。
トホールを形成する方法に関しては多くの技術が開示さ
れて来ている。特に、近年に於いては、半導体装置の高
集積化に伴い、コンタクトホールの微細化が急速に進ん
でおり、係る微細な口径を有するコンタクトホールの製
造技術の開発が注目されて来ている。
【０００３】例えば、半導体記憶装置である１６メガビ
ットダイナミックランダムアクセスメモリーの１６Ｍbi
t ＤＲＡＭではコンタクト径が０．５μｍ程度、又６４
Ｍbit ＤＲＡＭではコンタクト径が０．３５μｍ程度、
更には２５６Ｍbit ＤＲＡＭではコンタクト径が０．２
５μｍ程度と言う様に微細化されたコンタクトホールの
開孔部が必要となっている。
ットダイナミックランダムアクセスメモリーの１６Ｍbi
t ＤＲＡＭではコンタクト径が０．５μｍ程度、又６４
Ｍbit ＤＲＡＭではコンタクト径が０．３５μｍ程度、
更には２５６Ｍbit ＤＲＡＭではコンタクト径が０．２
５μｍ程度と言う様に微細化されたコンタクトホールの
開孔部が必要となっている。
【０００４】従来のコンタクトホールの形成方法の一例
を図４を参照して説明するならば、図４（Ａ）に示され
る様に、シリコン基板１０上のゲート１を覆う例えばＢ
ＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜２からなる積層体に図４
（Ｂ）で示す様に、レジスト３を塗布し、該レジスト３
を例えば縮小投影型露光機（ステッパー）で露光したの
ち、有機溶剤で現像して、次いで図４（Ｃ）で示す様
に、当該レジスト３をマスクにして該層間絶縁膜２を例
えば、フッ化炭素ガス単体若しくはフッ化炭素の混合ガ
ス又はこれらのガスに不活性ガスを添加した混合ガスを
用いたプラズマ発生装置により異法性的にエッチング
し、最後に図４（Ｄ）に示す様に、該レジスト３を例え
ばＯ2 ガスを用いたプラズマ発生装置等により除去する
事によって行われる。
を図４を参照して説明するならば、図４（Ａ）に示され
る様に、シリコン基板１０上のゲート１を覆う例えばＢ
ＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜２からなる積層体に図４
（Ｂ）で示す様に、レジスト３を塗布し、該レジスト３
を例えば縮小投影型露光機（ステッパー）で露光したの
ち、有機溶剤で現像して、次いで図４（Ｃ）で示す様
に、当該レジスト３をマスクにして該層間絶縁膜２を例
えば、フッ化炭素ガス単体若しくはフッ化炭素の混合ガ
ス又はこれらのガスに不活性ガスを添加した混合ガスを
用いたプラズマ発生装置により異法性的にエッチング
し、最後に図４（Ｄ）に示す様に、該レジスト３を例え
ばＯ2 ガスを用いたプラズマ発生装置等により除去する
事によって行われる。
【０００５】又、例えば特開平４ー１９６３１５号公報
に記載されている様な方法も知られており、係る方法に
於いては、シリコン基板であるウェフ上の配線を覆うシ
リコン酸化膜上にポリシリコンを堆積し、レジストマス
クを該ポリシリコン上に形成する。 次に該ポリシリコ
ン層をテーパー状にエッチングし、このテーパー部を利
用してシリコン酸化膜を異方的にエッチングする。 そ
の後該レジストを例えばＯ2 ガスを用いたプラズマ発生
装置等により除去する事により微細なコンタクトホール
を形成するものである。
に記載されている様な方法も知られており、係る方法に
於いては、シリコン基板であるウェフ上の配線を覆うシ
リコン酸化膜上にポリシリコンを堆積し、レジストマス
クを該ポリシリコン上に形成する。 次に該ポリシリコ
ン層をテーパー状にエッチングし、このテーパー部を利
用してシリコン酸化膜を異方的にエッチングする。 そ
の後該レジストを例えばＯ2 ガスを用いたプラズマ発生
装置等により除去する事により微細なコンタクトホール
を形成するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、上記した
従来技術に於いては、以下の様な問題点が存在してい
る。即ち、第１の問題点は、該コンタクトホールの開口
径が図４（Ｂ）の工程で設定される口径ｌ1 により決定
されてしまうので、微細なコンタクトホールの形成に
は、レジストを微細に露光現像する必要がある。
従来技術に於いては、以下の様な問題点が存在してい
る。即ち、第１の問題点は、該コンタクトホールの開口
径が図４（Ｂ）の工程で設定される口径ｌ1 により決定
されてしまうので、微細なコンタクトホールの形成に
は、レジストを微細に露光現像する必要がある。
【０００７】しかしながら、現在使用可能なステッパー
の解像度は、使用する波長に制約されるものであり、例
えば、既存のｉ線ステッパー（波長３６５ｎｍ）では、
０．３５μｍ以下のレジストパターンを形成する事は出
来ない。 又ＫｒＦエキシマレーザーステッパー（波長
２４８ｎｍ）では、０．３５μｍ程度のパターンを形成
することは可能であるが、０．２５μｍのパターンの形
成は困難であり、目的とするより微細な口径を有するコ
ンタクトホールを形成することが困難で有った。
の解像度は、使用する波長に制約されるものであり、例
えば、既存のｉ線ステッパー（波長３６５ｎｍ）では、
０．３５μｍ以下のレジストパターンを形成する事は出
来ない。 又ＫｒＦエキシマレーザーステッパー（波長
２４８ｎｍ）では、０．３５μｍ程度のパターンを形成
することは可能であるが、０．２５μｍのパターンの形
成は困難であり、目的とするより微細な口径を有するコ
ンタクトホールを形成することが困難で有った。
【０００８】又、第２の問題点は、該コンタクトホール
を形成後、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属によっ
て配線を形成する場合、ポリシリコン層が残っている
と、該ポリシリコン層と該アルミニウム配線とが接触し
て不必要な導電部が形成されたり、リーク、ショート等
の問題も発生するので、該アルミニウム配線のエッチン
グ時に該ポリシリコンのエッチングステップが必要とな
ることから、形状制御が困難となる事や、配線が高アス
ペクト化すると言った問題が発生する。
を形成後、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属によっ
て配線を形成する場合、ポリシリコン層が残っている
と、該ポリシリコン層と該アルミニウム配線とが接触し
て不必要な導電部が形成されたり、リーク、ショート等
の問題も発生するので、該アルミニウム配線のエッチン
グ時に該ポリシリコンのエッチングステップが必要とな
ることから、形状制御が困難となる事や、配線が高アス
ペクト化すると言った問題が発生する。
【０００９】従って、該ポリシリコンを使用する係る従
来例に於いては、該ポリシリコン層を除去する工程が必
要であり、従って係るポリシリコン層の除去工程の追加
による工程数の増加とそれに伴う生産コストの増加に加
えて、係る工程の導入により、シリコン基板等の下地に
ダメージを与えると言う問題が有った。更に、図４に示
す従来の方法に於いては、当該コンタクトホールの開口
面からその内径が微細に構成される為、配線の被覆性が
低い場合、当該開口部での配線の段切れを生じ、オープ
ン不良の原因となっていた。
来例に於いては、該ポリシリコン層を除去する工程が必
要であり、従って係るポリシリコン層の除去工程の追加
による工程数の増加とそれに伴う生産コストの増加に加
えて、係る工程の導入により、シリコン基板等の下地に
ダメージを与えると言う問題が有った。更に、図４に示
す従来の方法に於いては、当該コンタクトホールの開口
面からその内径が微細に構成される為、配線の被覆性が
低い場合、当該開口部での配線の段切れを生じ、オープ
ン不良の原因となっていた。
【００１０】本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を改良し、工程数の増加を最小限に抑えると共に、信頼
性のある口径が０．３５μｍ以下のコンタクトホールを
容易に且つ正確に形成する方法を提供するものである。
を改良し、工程数の増加を最小限に抑えると共に、信頼
性のある口径が０．３５μｍ以下のコンタクトホールを
容易に且つ正確に形成する方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に於ける第
１の態様は、少なくとも、半導体基板上又は適宜の導電
層上に形成された層間絶縁膜と該層間絶縁膜上に形成さ
れた、当該層間絶縁膜のエッチングレートの値よりも低
いエッチングレートを有する絶縁性膜とから構成される
積層体に設けられているコンタクトホールであって、該
コンタクトホールは、当該層間絶縁膜を介して形成され
た細径形状の本体部分と、該絶縁性膜を介して形成され
た該細径形状の本体部分の１端部から該本体部分から離
れる方向に末広がり状に形成されたテーパー状導入部と
が組み合わされて構成されているコンタクトホールを有
する半導体装置であり、又第２の態様としては、半導体
基板又は適宜の導電層上に形成される層間絶縁膜上に、
該層間絶縁膜のエッチングレートの値よりも低いエッチ
ングレートを有する絶縁性膜を形成した後、該絶縁性膜
に、所定のエッチング処理を施して、該絶縁性膜の被エ
ッチング処理部をテーパ状端部を有する開孔部に形成
し、当該端部がテーパ状に形成された開孔部をマスクと
して該層間絶縁膜をエッチング処理して本体部を形成す
る事によりコンタクトホールを形成する半導体装置の製
造方法である。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に於ける第
１の態様は、少なくとも、半導体基板上又は適宜の導電
層上に形成された層間絶縁膜と該層間絶縁膜上に形成さ
れた、当該層間絶縁膜のエッチングレートの値よりも低
いエッチングレートを有する絶縁性膜とから構成される
積層体に設けられているコンタクトホールであって、該
コンタクトホールは、当該層間絶縁膜を介して形成され
た細径形状の本体部分と、該絶縁性膜を介して形成され
た該細径形状の本体部分の１端部から該本体部分から離
れる方向に末広がり状に形成されたテーパー状導入部と
が組み合わされて構成されているコンタクトホールを有
する半導体装置であり、又第２の態様としては、半導体
基板又は適宜の導電層上に形成される層間絶縁膜上に、
該層間絶縁膜のエッチングレートの値よりも低いエッチ
ングレートを有する絶縁性膜を形成した後、該絶縁性膜
に、所定のエッチング処理を施して、該絶縁性膜の被エ
ッチング処理部をテーパ状端部を有する開孔部に形成
し、当該端部がテーパ状に形成された開孔部をマスクと
して該層間絶縁膜をエッチング処理して本体部を形成す
る事によりコンタクトホールを形成する半導体装置の製
造方法である。
【００１２】
【実施の形態】本発明に係る半導体装置及びその製造方
法は、上記した様な技術構成を採用している事から、コ
ンタクトホールのエッチング時に於いて、先ず層間絶縁
膜のエッチングレートの値よりも低いエッチングレート
を有する絶縁性膜が、テーパー状にエッチングされ、係
るテーパー状にエッチングされた部分をマスクとして層
間絶縁膜をエッチングするので、ｉ線ステッパーを用い
ても０．３５μｍ以下の口径を有する微細なコンタクト
ホールを容易に且つ正確に形成する事が可能となり、更
にＫｒＦエキシマレーザーステッパーを使用すれば、
ｍ）では、０．２５μｍ以下の口径を有する微細なコン
タクトホールも容易に形成する事が可能となる。
法は、上記した様な技術構成を採用している事から、コ
ンタクトホールのエッチング時に於いて、先ず層間絶縁
膜のエッチングレートの値よりも低いエッチングレート
を有する絶縁性膜が、テーパー状にエッチングされ、係
るテーパー状にエッチングされた部分をマスクとして層
間絶縁膜をエッチングするので、ｉ線ステッパーを用い
ても０．３５μｍ以下の口径を有する微細なコンタクト
ホールを容易に且つ正確に形成する事が可能となり、更
にＫｒＦエキシマレーザーステッパーを使用すれば、
ｍ）では、０．２５μｍ以下の口径を有する微細なコン
タクトホールも容易に形成する事が可能となる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体装置及びその製
造方法の具体例を図１及び図２を参照しながら詳細に説
明する。図１は、本発明に係る半導体装置の製造方法の
１具体例の工程の手順を示す断面図である。
造方法の具体例を図１及び図２を参照しながら詳細に説
明する。図１は、本発明に係る半導体装置の製造方法の
１具体例の工程の手順を示す断面図である。
【００１４】即ち、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、本発明
に係る半導体装置の製造方法の一具体例の構成に付いて
示されており、半導体基板又は適宜の導電層１０上に形
成される層間絶縁膜２上に、該層間絶縁膜２のエッチン
グレートの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁
性膜３を形成した後、該絶縁性膜３に、所定のエッチン
グ処理を施して、該絶縁性膜３の被エッチング処理部を
テーパ状端部１１を有する開孔部１２に形成し、当該端
部がテーパ状に形成された開孔部１２をマスクとして該
層間絶縁膜２をエッチング処理して本体部１３を形成す
る事によりコンタクトホール１５を形成する半導体装置
の製造方法が示されている。
に係る半導体装置の製造方法の一具体例の構成に付いて
示されており、半導体基板又は適宜の導電層１０上に形
成される層間絶縁膜２上に、該層間絶縁膜２のエッチン
グレートの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁
性膜３を形成した後、該絶縁性膜３に、所定のエッチン
グ処理を施して、該絶縁性膜３の被エッチング処理部を
テーパ状端部１１を有する開孔部１２に形成し、当該端
部がテーパ状に形成された開孔部１２をマスクとして該
層間絶縁膜２をエッチング処理して本体部１３を形成す
る事によりコンタクトホール１５を形成する半導体装置
の製造方法が示されている。
【００１５】尚、図中１は、適宜に構成された配線部或
いはゲート部を示す。即ち、本発明に於いて使用される
該層間絶縁膜２としては、例えばボロン・リンを主体と
するＢＰＳＧ膜或いはプラズマＳｉＯ2 膜等が使用され
るものである。又、本発明に於ける特徴的事項は、該層
間絶縁膜２上に形成される絶縁性膜３のエッチングレー
トの値を該層間絶縁膜２が有するエッチングレートの値
よりも低い値となる様にする事にあり、その関係が満足
しえる様な絶縁性を有する膜材料から選択する事にな
る。
いはゲート部を示す。即ち、本発明に於いて使用される
該層間絶縁膜２としては、例えばボロン・リンを主体と
するＢＰＳＧ膜或いはプラズマＳｉＯ2 膜等が使用され
るものである。又、本発明に於ける特徴的事項は、該層
間絶縁膜２上に形成される絶縁性膜３のエッチングレー
トの値を該層間絶縁膜２が有するエッチングレートの値
よりも低い値となる様にする事にあり、その関係が満足
しえる様な絶縁性を有する膜材料から選択する事にな
る。
【００１６】本発明に於いて使用しえる該絶縁性膜の範
囲を図３（Ａ）及び（Ｂ）を参照しながら説明する。即
ち、本願発明者は、種々の膜材料に付いてそのエッチン
グレートと当該膜材料がエッチングされた場合にその開
口部端部に形成されるテーパー角度に付いて実験を行い
検討した結果を図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す。
囲を図３（Ａ）及び（Ｂ）を参照しながら説明する。即
ち、本願発明者は、種々の膜材料に付いてそのエッチン
グレートと当該膜材料がエッチングされた場合にその開
口部端部に形成されるテーパー角度に付いて実験を行い
検討した結果を図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す。
【００１７】即ち、図３（Ａ）及び（Ｂ）は、各種の膜
材料に対して、フッ化炭素ガスプラズマによる同一条件
による異方性エッチングを行った場合のエッチングレー
トと当該テーパー角度を示すものであり、係る実験結果
から判断すると、該絶縁性膜のエッチングレートと該絶
縁性膜に形成されるエッチング後の開口部端部のテーパ
ー角度には相関関係がある事が判る。
材料に対して、フッ化炭素ガスプラズマによる同一条件
による異方性エッチングを行った場合のエッチングレー
トと当該テーパー角度を示すものであり、係る実験結果
から判断すると、該絶縁性膜のエッチングレートと該絶
縁性膜に形成されるエッチング後の開口部端部のテーパ
ー角度には相関関係がある事が判る。
【００１８】つまり、図から明らかな様に、エッチング
レートが低い程、該テーパー角度が小さくなっている事
が判る。例えば、該層間絶縁膜として一般的なボロン・
リンを主体とするＢＰＳＧ膜では、エッチングレートが
０．９μｍ／ｍｉｎであり、当該テーパー角度は略垂直
の９０°を示しているのに対し、同一の条件で窒化シリ
コン膜（Si3 N 4)をエッチングした場合には、当該テー
パー角度は略６５度となり、そのエッチングレートは約
０．６μｍ／ｍｉｎで有った。
レートが低い程、該テーパー角度が小さくなっている事
が判る。例えば、該層間絶縁膜として一般的なボロン・
リンを主体とするＢＰＳＧ膜では、エッチングレートが
０．９μｍ／ｍｉｎであり、当該テーパー角度は略垂直
の９０°を示しているのに対し、同一の条件で窒化シリ
コン膜（Si3 N 4)をエッチングした場合には、当該テー
パー角度は略６５度となり、そのエッチングレートは約
０．６μｍ／ｍｉｎで有った。
【００１９】又、絶縁性膜として、高温酸化シリコン膜
（ＨＴＯ膜）を使用して同一の条件でエッチングした場
合には、当該テーパー角度は略７７度となり、そのエッ
チングレートは約０．８μｍ／ｍｉｎで有った。一方、
ポリシリコン膜を上記と同一条件でエッチングした場合
には、当該テーパー角度は略４０度となり、そのエッチ
ングレートは約０．０５μｍ／ｍｉｎで有った。
（ＨＴＯ膜）を使用して同一の条件でエッチングした場
合には、当該テーパー角度は略７７度となり、そのエッ
チングレートは約０．８μｍ／ｍｉｎで有った。一方、
ポリシリコン膜を上記と同一条件でエッチングした場合
には、当該テーパー角度は略４０度となり、そのエッチ
ングレートは約０．０５μｍ／ｍｉｎで有った。
【００２０】従って、微細なコンタクトホールの口径部
をエッチング方法で形成するには、テーパー角度を出来
るだけ小さくする事が望ましく、その点からすると上記
ポリシリコン膜が適切ではあるが、上記した様に、当該
ポリシリコン膜は絶縁性が無い事から本発明では使用出
来ないので、上記したＨＴＯ膜（高温酸化シリコン膜）
或いは窒化シリコン膜（Si3 N 4)等を使用する事が望ま
しい。
をエッチング方法で形成するには、テーパー角度を出来
るだけ小さくする事が望ましく、その点からすると上記
ポリシリコン膜が適切ではあるが、上記した様に、当該
ポリシリコン膜は絶縁性が無い事から本発明では使用出
来ないので、上記したＨＴＯ膜（高温酸化シリコン膜）
或いは窒化シリコン膜（Si3 N 4)等を使用する事が望ま
しい。
【００２１】本発明に於いては、係る絶縁性膜に形成さ
れる開口部のテーパー状端部を層間絶縁膜のエッチング
用マスクとして使用する事により微細なコンタクトホー
ルを形成する事が出来る。つまり、ＢＰＳＧ膜等からな
る層間絶縁膜上にＨＴＯ膜（高温酸化シリコン膜）或い
は窒化シリコン膜（Si3 N 4)等を配置してエッチング操
作を行う様にしたので、該ＨＴＯ膜或いは窒化シリコン
膜がコンタクトホール形成時にテーパー状となり、当初
に設定するコンタクトホール用の開口部の口径に対して
実際のコンタクトホールの口径を縮小できるので、コン
タクトホールの微細化が可能となる。
れる開口部のテーパー状端部を層間絶縁膜のエッチング
用マスクとして使用する事により微細なコンタクトホー
ルを形成する事が出来る。つまり、ＢＰＳＧ膜等からな
る層間絶縁膜上にＨＴＯ膜（高温酸化シリコン膜）或い
は窒化シリコン膜（Si3 N 4)等を配置してエッチング操
作を行う様にしたので、該ＨＴＯ膜或いは窒化シリコン
膜がコンタクトホール形成時にテーパー状となり、当初
に設定するコンタクトホール用の開口部の口径に対して
実際のコンタクトホールの口径を縮小できるので、コン
タクトホールの微細化が可能となる。
【００２２】更に、本発明に於いては、係るＨＴＯ膜或
いは窒化シリコン膜が何れも絶縁性を有するものである
事から次工程に於いて配線形成時に除去する必要が無
く、工程数の増加にはならないと言う利点がある。又、
本発明に於いては、係る絶縁性膜３の膜厚を制御する事
によって、該コンタクトホールの口径を適宜制御する事
が可能である。
いは窒化シリコン膜が何れも絶縁性を有するものである
事から次工程に於いて配線形成時に除去する必要が無
く、工程数の増加にはならないと言う利点がある。又、
本発明に於いては、係る絶縁性膜３の膜厚を制御する事
によって、該コンタクトホールの口径を適宜制御する事
が可能である。
【００２３】本発明に於いては、上記した方法により製
造されたコンタクトホールは、例えば、少なくとも、半
導体基板上又は適宜の導電層１０上に形成された層間絶
縁膜２と該層間絶縁膜２上に形成された、当該層間絶縁
膜２のエッチングレートの値よりも低いエッチングレー
トを有する絶縁性膜３とから構成される積層体５に設け
られているコンタクトホール１５であって、該コンタク
トホール１５は、当該層間絶縁膜２を介して形成された
細径形状の本体部分１３と、該絶縁性膜３を介して形成
された該細径形状の本体部分１５の１端部１６から該本
体部分１５から離れる方向に末広がり状に形成されたテ
ーパー状部１１を有する開孔部１２からなる導入部１７
とが組み合わされた構成を有するものである。
造されたコンタクトホールは、例えば、少なくとも、半
導体基板上又は適宜の導電層１０上に形成された層間絶
縁膜２と該層間絶縁膜２上に形成された、当該層間絶縁
膜２のエッチングレートの値よりも低いエッチングレー
トを有する絶縁性膜３とから構成される積層体５に設け
られているコンタクトホール１５であって、該コンタク
トホール１５は、当該層間絶縁膜２を介して形成された
細径形状の本体部分１３と、該絶縁性膜３を介して形成
された該細径形状の本体部分１５の１端部１６から該本
体部分１５から離れる方向に末広がり状に形成されたテ
ーパー状部１１を有する開孔部１２からなる導入部１７
とが組み合わされた構成を有するものである。
【００２４】尚、上記した本発明に係るコンタクトホー
ル１５は、必ずしもシリコン基板等の基板に直接的に形
成されるものに限るものではなく、適宜の層間絶縁膜を
介してその上下に更に形成される回路群、接続端子群と
を接続する場合のコンタクトホールにも適用されるもの
である事は言うまでもない。次に、本発明に係る該半導
体装置の製造方法の他の具体例を図２を参照して説明す
る。
ル１５は、必ずしもシリコン基板等の基板に直接的に形
成されるものに限るものではなく、適宜の層間絶縁膜を
介してその上下に更に形成される回路群、接続端子群と
を接続する場合のコンタクトホールにも適用されるもの
である事は言うまでもない。次に、本発明に係る該半導
体装置の製造方法の他の具体例を図２を参照して説明す
る。
【００２５】図２は、本発明に係る半導体装置の製造方
法の他の具体例の工程の手順を示す断面図である。即
ち、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、本発明に係る半導体装
置の製造方法の他の具体例の構成に付いて示されてお
り、半導体基板又は適宜の導電層１０上に、第１の層間
絶縁膜２と当該層間絶縁膜２のエッチングレートの値よ
りも低いエッチングレートを有する絶縁性膜３及び第２
の層間絶縁膜２０とをこの順に積層して積層体５を形成
した後、該第２の層間絶縁膜２０に、目標とするコンタ
クトホール１５の本体部の内径よりも大なる内径を有す
る案内部２１をエッチングして形成すると共に、該絶縁
性膜３の被エッチング処理部をテーパ状端部１１を有す
る開口部１２に形成し、当該端部１１がテーパ状に形成
された開孔部１２をマスクとして該第１の層間絶縁膜２
をエッチング処理して本体部１３を形成し、目的のコン
タクトホール１５を形成する半導体装置の製造方法が示
されている。
法の他の具体例の工程の手順を示す断面図である。即
ち、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、本発明に係る半導体装
置の製造方法の他の具体例の構成に付いて示されてお
り、半導体基板又は適宜の導電層１０上に、第１の層間
絶縁膜２と当該層間絶縁膜２のエッチングレートの値よ
りも低いエッチングレートを有する絶縁性膜３及び第２
の層間絶縁膜２０とをこの順に積層して積層体５を形成
した後、該第２の層間絶縁膜２０に、目標とするコンタ
クトホール１５の本体部の内径よりも大なる内径を有す
る案内部２１をエッチングして形成すると共に、該絶縁
性膜３の被エッチング処理部をテーパ状端部１１を有す
る開口部１２に形成し、当該端部１１がテーパ状に形成
された開孔部１２をマスクとして該第１の層間絶縁膜２
をエッチング処理して本体部１３を形成し、目的のコン
タクトホール１５を形成する半導体装置の製造方法が示
されている。
【００２６】即ち、本具体例に於いては、前記した具体
例の応用として、層間絶縁膜の途中に該層間絶縁膜のエ
ッチングレートの値よりも低い値のエッチングレートを
持ったＨＴＯ膜或いは窒化シリコン膜等からなる絶縁性
膜３を設け、当該絶縁性膜３をテーパー状にエッチング
する事によって、微細な口径を有するコンタクトホール
を形成するものである。
例の応用として、層間絶縁膜の途中に該層間絶縁膜のエ
ッチングレートの値よりも低い値のエッチングレートを
持ったＨＴＯ膜或いは窒化シリコン膜等からなる絶縁性
膜３を設け、当該絶縁性膜３をテーパー状にエッチング
する事によって、微細な口径を有するコンタクトホール
を形成するものである。
【００２７】尚、図中１は、適宜に構成された配線部或
いはゲート部を示す。本具体例に於いては、層間絶縁膜
の中間部に絶縁性膜を配置しているので、形成されたコ
ンタクトホール１５の案内部２１に当たる開口部は、相
対的に広く形成されており、微細な口径が必要とされる
部分のみが縮小されて形成されているので、以後の工程
に於ける配線形成工程に於いて段切れ等によるオープン
不良を防ぐ事が可能になる。
いはゲート部を示す。本具体例に於いては、層間絶縁膜
の中間部に絶縁性膜を配置しているので、形成されたコ
ンタクトホール１５の案内部２１に当たる開口部は、相
対的に広く形成されており、微細な口径が必要とされる
部分のみが縮小されて形成されているので、以後の工程
に於ける配線形成工程に於いて段切れ等によるオープン
不良を防ぐ事が可能になる。
【００２８】即ち、本発明に係る第２の具体例により形
成されるコンタクトホールの形状としては、例えば、少
なくとも、半導体基板上又は適宜の導電層１０上に、第
１の層間絶縁膜２と当該層間絶縁膜２のエッチングレー
トの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁性膜３
及び第２の層間絶縁膜２０とがこの順に積層されて形成
された積層体５に設けられているコンタクトホール１５
であって、該コンタクトホール１５は、当該層間絶縁膜
２を介して形成された細径形状の本体部分１３と、該絶
縁性膜３を介して形成された該細径形状の本体部分１３
の１端部から該本体部分１３から離れる方向に末広がり
状に形成されたテーパー状部分１１を有する開口部１２
からなる導入部１７と、更には、該第２の層間絶縁膜２
０を介して形成された、該テーパー状導入部１７の最大
内径部端縁２２に接続され、前記細径形状の本体部分１
３の内径よりも大なる内径を有する案内部２１とが組み
合わされて構成されているものである。
成されるコンタクトホールの形状としては、例えば、少
なくとも、半導体基板上又は適宜の導電層１０上に、第
１の層間絶縁膜２と当該層間絶縁膜２のエッチングレー
トの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁性膜３
及び第２の層間絶縁膜２０とがこの順に積層されて形成
された積層体５に設けられているコンタクトホール１５
であって、該コンタクトホール１５は、当該層間絶縁膜
２を介して形成された細径形状の本体部分１３と、該絶
縁性膜３を介して形成された該細径形状の本体部分１３
の１端部から該本体部分１３から離れる方向に末広がり
状に形成されたテーパー状部分１１を有する開口部１２
からなる導入部１７と、更には、該第２の層間絶縁膜２
０を介して形成された、該テーパー状導入部１７の最大
内径部端縁２２に接続され、前記細径形状の本体部分１
３の内径よりも大なる内径を有する案内部２１とが組み
合わされて構成されているものである。
【００２９】本具体例に於いては、該第２の層間絶縁膜
２０は、第１の層間絶縁膜２と同一材料で構成されるも
のである事が望ましい。又、本発明に於いては、以下に
詳述する様に、該コンタクトホール１５に於ける該本体
部１３の内径ｌ1 は、該案内部２２の内径 l2 、該絶縁
性膜３の構成成分及び絶縁性膜３の厚みｄ等の要素によ
り決定されるものである。
２０は、第１の層間絶縁膜２と同一材料で構成されるも
のである事が望ましい。又、本発明に於いては、以下に
詳述する様に、該コンタクトホール１５に於ける該本体
部１３の内径ｌ1 は、該案内部２２の内径 l2 、該絶縁
性膜３の構成成分及び絶縁性膜３の厚みｄ等の要素によ
り決定されるものである。
【００３０】本発明に於いては、上記の構成によって、
アスペクト比を１．２以下に抑える様に各要素を設定す
る事が出来るので、従来の微細な口径を有するコンタク
トホールに於いて配線との接続不良、配線の断線等によ
る不良品の発生を効果的に抑える事が可能となる。以下
に本発明に係る第１の具体例に於ける半導体装置の製造
方法に付いての詳細な実施例を図１を参照しながら説明
する。
アスペクト比を１．２以下に抑える様に各要素を設定す
る事が出来るので、従来の微細な口径を有するコンタク
トホールに於いて配線との接続不良、配線の断線等によ
る不良品の発生を効果的に抑える事が可能となる。以下
に本発明に係る第１の具体例に於ける半導体装置の製造
方法に付いての詳細な実施例を図１を参照しながら説明
する。
【００３１】図１に於いて、図１（Ａ）に示す様に、例
えばシリコン基板１０であるウェハー上の配線、例えば
ゲート１を被覆するＢＰＳＧ膜２の上に窒化シリコン膜
３を堆積する。次に図１（Ｂ）に示す様に、レジスト４
を該窒化シリコン膜３の上に形成しそれを適当なマスク
を用いて露光し現像する。 その後図１（Ｃ）に示す様
に、該窒化シリコン膜３及びＢＰＳＧ膜２をフッ化炭素
ガスプラズマを用いて、両者を同一の条件でエッチング
する。
えばシリコン基板１０であるウェハー上の配線、例えば
ゲート１を被覆するＢＰＳＧ膜２の上に窒化シリコン膜
３を堆積する。次に図１（Ｂ）に示す様に、レジスト４
を該窒化シリコン膜３の上に形成しそれを適当なマスク
を用いて露光し現像する。 その後図１（Ｃ）に示す様
に、該窒化シリコン膜３及びＢＰＳＧ膜２をフッ化炭素
ガスプラズマを用いて、両者を同一の条件でエッチング
する。
【００３２】その後図１（Ｄ）に示す様に、該レジスト
４をＯ2 ガスプラズマ等を使用して除去し、目標とする
コンタクトホール１５を完成させる。ここで、目標とす
るコンタクトホール１５の口径ｌ1 はエッチング条件及
び窒化シリコン膜３の膜厚ｄとに依存する。 即ち、当
該レジスト４に開口される開口部の開口径ｌ1 、窒化シ
リコン膜３の膜厚をｄ、テーパー角度をθとすると、目
標とするコンタクトホール１５の口径は、以下の式で表
される。
４をＯ2 ガスプラズマ等を使用して除去し、目標とする
コンタクトホール１５を完成させる。ここで、目標とす
るコンタクトホール１５の口径ｌ1 はエッチング条件及
び窒化シリコン膜３の膜厚ｄとに依存する。 即ち、当
該レジスト４に開口される開口部の開口径ｌ1 、窒化シ
リコン膜３の膜厚をｄ、テーパー角度をθとすると、目
標とするコンタクトホール１５の口径は、以下の式で表
される。
【００３３】l2 ＝ ｌ1 − ２×ｄ／ｔａｎθ 例えば、ｌ1 ＝０．５μｍの場合、コンタクトホールの
目標口径 l2 を、 l2＝０．３５μｍとした場合、従来
一般的に使用されている平衡平板型のエッチング装置を
使用してエッチング条件を圧力２５０ｍＴｏｒｒ、エッ
チングガスとしてＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ａｒ＝３０／４０
／１００ｓｃｃｍを使用し、高周波電源電力＝１５００
Ｗ、電極間隔＝０．９５ｃｍ、上部電極温度＝４０℃、
下部電極＝ −２５℃ とすると該窒化シリコン膜のテ
ーパー角度θは６５度となるので、当該窒化シリコン膜
の膜厚ｄは ｄ＝０．１６μｍとすれば良い事が判る。
目標口径 l2 を、 l2＝０．３５μｍとした場合、従来
一般的に使用されている平衡平板型のエッチング装置を
使用してエッチング条件を圧力２５０ｍＴｏｒｒ、エッ
チングガスとしてＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ａｒ＝３０／４０
／１００ｓｃｃｍを使用し、高周波電源電力＝１５００
Ｗ、電極間隔＝０．９５ｃｍ、上部電極温度＝４０℃、
下部電極＝ −２５℃ とすると該窒化シリコン膜のテ
ーパー角度θは６５度となるので、当該窒化シリコン膜
の膜厚ｄは ｄ＝０．１６μｍとすれば良い事が判る。
【００３４】又、窒化シリコン膜の代わりにＨＴＯ膜を
用いた場合には、上記の条件で、当該ＨＴＯ膜のテーパ
ー角度が７７度となるので、該ＨＴＯ膜の膜厚ｄは、ｄ
＝０．３２μｍとすれば良い事が判る。本発明に於いて
は、該窒化シリコン膜やＨＴＯ膜は絶縁性の為、後工程
で除去する必要がなくそのための除去工程は必要がな
い。
用いた場合には、上記の条件で、当該ＨＴＯ膜のテーパ
ー角度が７７度となるので、該ＨＴＯ膜の膜厚ｄは、ｄ
＝０．３２μｍとすれば良い事が判る。本発明に於いて
は、該窒化シリコン膜やＨＴＯ膜は絶縁性の為、後工程
で除去する必要がなくそのための除去工程は必要がな
い。
【００３５】又、本発明に係る第２の具体例に付いて図
２を参照しながら詳細に説明するならば、図２（Ａ）に
於いて、例えばシリコン基板１０であるウェハー上の配
線、例えばゲート１を被覆するＢＰＳＧ膜２の上に窒化
シリコン膜３を堆積し、更にその上に第２のＢＰＳＧ膜
２０を堆積する。次に図２（Ｂ）に示す様に、レジスト
４を該ＢＰＳＧ膜２０の上に形成しそれを適当なマスク
を用いて露光し現像する。 その後図２（Ｃ）に示す様
に、該第２のＢＰＳＧ膜２０、窒化シリコン膜３及びＢ
ＰＳＧ膜２をフッ化炭素ガスプラズマを用いて、それぞ
れの膜を同一の条件でエッチングする。
２を参照しながら詳細に説明するならば、図２（Ａ）に
於いて、例えばシリコン基板１０であるウェハー上の配
線、例えばゲート１を被覆するＢＰＳＧ膜２の上に窒化
シリコン膜３を堆積し、更にその上に第２のＢＰＳＧ膜
２０を堆積する。次に図２（Ｂ）に示す様に、レジスト
４を該ＢＰＳＧ膜２０の上に形成しそれを適当なマスク
を用いて露光し現像する。 その後図２（Ｃ）に示す様
に、該第２のＢＰＳＧ膜２０、窒化シリコン膜３及びＢ
ＰＳＧ膜２をフッ化炭素ガスプラズマを用いて、それぞ
れの膜を同一の条件でエッチングする。
【００３６】その後図２（Ｄ）に示す様に、該レジスト
４をＯ2 ガスプラズマ等を使用して除去し、目標とする
コンタクトホール１５を完成させる。ここで、目標とす
るコンタクトホール１５の口径ｌ1 は、本発明に係る具
体例１の場合と同様に、エッチング条件及び窒化シリコ
ン膜３の膜厚ｄとに依存する。
４をＯ2 ガスプラズマ等を使用して除去し、目標とする
コンタクトホール１５を完成させる。ここで、目標とす
るコンタクトホール１５の口径ｌ1 は、本発明に係る具
体例１の場合と同様に、エッチング条件及び窒化シリコ
ン膜３の膜厚ｄとに依存する。
【００３７】又、目標とするコンタクトホール１５の口
径も、上記した式で表される。従って、上記した具体例
と同様に、例えば、ｌ1 ＝０．５μｍの場合、コンタク
トホールの目標口径 l2 を、 l2 ＝０．３５μｍとした
場合、平衡平板型のエッチング装置を使用してエッチン
グ条件を圧力２５０ｍＴｏｒｒ、エッチングガスとして
ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ａｒ＝３０／４０／１００ｓｃｃｍ
を使用し、高周波電源電力＝１５００Ｗ、電極間隔＝
０．９５ｃｍ、上部電極温度＝４０℃、下部電極＝ −
２５℃ とすると該窒化シリコン膜のテーパー角度θは
６５度となるので、当該窒化シリコン膜の膜厚ｄは ｄ
＝０．１６μｍとすれば良い事が判る。
径も、上記した式で表される。従って、上記した具体例
と同様に、例えば、ｌ1 ＝０．５μｍの場合、コンタク
トホールの目標口径 l2 を、 l2 ＝０．３５μｍとした
場合、平衡平板型のエッチング装置を使用してエッチン
グ条件を圧力２５０ｍＴｏｒｒ、エッチングガスとして
ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ａｒ＝３０／４０／１００ｓｃｃｍ
を使用し、高周波電源電力＝１５００Ｗ、電極間隔＝
０．９５ｃｍ、上部電極温度＝４０℃、下部電極＝ −
２５℃ とすると該窒化シリコン膜のテーパー角度θは
６５度となるので、当該窒化シリコン膜の膜厚ｄは ｄ
＝０．１６μｍとすれば良い事が判る。
【００３８】又、窒化シリコン膜の代わりにＨＴＯ膜を
用いた場合には、上記の条件で、当該ＨＴＯ膜のテーパ
ー角度が７７度となるので、該ＨＴＯ膜の膜厚ｄは、ｄ
＝０．３２μｍとすれば良い事が判る。本具体例に於い
ては、目的のコンタクト径が得られるだけでなく、開口
面は広く維持されたままで形成が可能な為、次工程での
配線形成時に段切れによるオープン不良を防ぐ事が可能
となる。
用いた場合には、上記の条件で、当該ＨＴＯ膜のテーパ
ー角度が７７度となるので、該ＨＴＯ膜の膜厚ｄは、ｄ
＝０．３２μｍとすれば良い事が判る。本具体例に於い
ては、目的のコンタクト径が得られるだけでなく、開口
面は広く維持されたままで形成が可能な為、次工程での
配線形成時に段切れによるオープン不良を防ぐ事が可能
となる。
【００３９】例えば、０．３５μｍのコンタクトホール
径を６０００Åの深さで形成する場合、従来の方法で形
成されたコンタクトホールに於けるアスペクト比（深さ
／開口径）は１．７となるのに対し、本発明により形成
されたコンタクトホールに於けるアスペクト比は１．２
となり、配線の被覆性は１．４倍向上する事になる。
径を６０００Åの深さで形成する場合、従来の方法で形
成されたコンタクトホールに於けるアスペクト比（深さ
／開口径）は１．７となるのに対し、本発明により形成
されたコンタクトホールに於けるアスペクト比は１．２
となり、配線の被覆性は１．４倍向上する事になる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明に係る半導体
装置及びその製造方法に於いては、層間絶縁膜上若しく
は層間絶縁膜の途中に、該層間絶縁膜のエッチングレー
トよりも低いエッチングレートを持つ絶縁性膜を設ける
事によって、該絶縁性膜をエッチングした際に当該絶縁
性膜がテーパー状に開口されるので、該テーパー状の開
口部をマスクとして使用して当該絶縁性膜の下部にある
層間絶縁膜をエッチングする事によって、口径が０．３
５μｍ以下の微細な口径を有するコンタクトホールを容
易に形成する事が可能となる。
装置及びその製造方法に於いては、層間絶縁膜上若しく
は層間絶縁膜の途中に、該層間絶縁膜のエッチングレー
トよりも低いエッチングレートを持つ絶縁性膜を設ける
事によって、該絶縁性膜をエッチングした際に当該絶縁
性膜がテーパー状に開口されるので、該テーパー状の開
口部をマスクとして使用して当該絶縁性膜の下部にある
層間絶縁膜をエッチングする事によって、口径が０．３
５μｍ以下の微細な口径を有するコンタクトホールを容
易に形成する事が可能となる。
【００４１】又、かかる絶縁性膜を層間絶縁膜の途中に
設ける場合には、当該開口部が広く配線剤の被覆性が向
上する事により、段切れによるオープン不良の発生が防
止出来るので、コンタクトの信頼性は４０％以上向上す
ると言う効果も有る。
設ける場合には、当該開口部が広く配線剤の被覆性が向
上する事により、段切れによるオープン不良の発生が防
止出来るので、コンタクトの信頼性は４０％以上向上す
ると言う効果も有る。
【図１】図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係る半導体装
置の製造方法の１具体例の工程手順を示す断面図であ
る。
置の製造方法の１具体例の工程手順を示す断面図であ
る。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係る半導体装
置の製造方法の他の具体例の工程手順を示す断面図であ
る。
置の製造方法の他の具体例の工程手順を示す断面図であ
る。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｂ）は、絶縁性膜のエッチング
レートとテーパー角度の相関関係を示すグラフである。
レートとテーパー角度の相関関係を示すグラフである。
【図４】図４は、従来の半導体装置の製造方法に於ける
工程手順を示す断面図である。
工程手順を示す断面図である。
１…ゲート ２…層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜 ３…絶縁性膜、窒化シリコン膜、ＨＴＯ膜 ４…レジスト ５…積層体 １０…シリコン基板 １１…テーパー部 １２…開口部 １３…本体部 １５…コンタクトホール １６…コンタクトホールの端部 １７…導入部 ２０…第２の層間絶縁膜 ２１…案内部 ２２…案内部端部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/8242 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６８１Ｂ
Claims (12)
- 【請求項１】 少なくとも、半導体基板上又は適宜の導
電層上に形成された層間絶縁膜と該層間絶縁膜上に形成
された、当該層間絶縁膜のエッチングレートの値よりも
低いエッチングレートを有する絶縁性膜とから構成され
る積層体に設けられているコンタクトホールであって、
該コンタクトホールは、当該層間絶縁膜を介して形成さ
れた細径形状の本体部分と、該絶縁性膜を介して形成さ
れた該細径形状の本体部分の１端部から該本体部分から
離れる方向に末広がり状に形成されたテーパー状導入部
とが組み合わされて構成されているコンタクトホールを
有する半導体装置。 - 【請求項２】 少なくとも、半導体基板上又は適宜の導
電層上に、第１の層間絶縁膜と当該層間絶縁膜のエッチ
ングレートの値よりも低いエッチングレートを有する絶
縁性膜及び第２の層間絶縁膜とがこの順に積層されて形
成された積層体に設けられているコンタクトホールであ
って、該コンタクトホールは、当該層間絶縁膜を介して
形成された細径形状の本体部分と、該絶縁性膜を介して
形成された該細径形状の本体部分の１端部から該本体部
分から離れる方向に末広がり状に形成されたテーパー状
導入部と、更には、該第２の層間絶縁膜を介して形成さ
れた、該テーパー状導入部の最大内径部端縁に接続さ
れ、前記細径形状の本体部分の内径よりも大なる内径を
有する案内部とが組み合わされて構成されているコンタ
クトホールを有する半導体装置。 - 【請求項３】 該層間絶縁膜は、ＢＰＳＧ膜、或いはプ
ラズマＳｉＯ2 から選択された一つで構成されている事
を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 該第２の層間絶縁膜は、第１の層間絶縁
膜と同一材料で構成されるものである事を特徴とする請
求項２記載の半導体装置。 - 【請求項５】 該絶縁性膜は、ＨＴＯ膜（高温酸化シリ
コン膜）或いは窒化シリコン膜から選択された一つで構
成されている事を特徴とする請求項１又は２に記載の半
導体装置。 - 【請求項６】 半導体基板又は適宜の導電層上に形成さ
れる層間絶縁膜上に、該層間絶縁膜のエッチングレート
の値よりも低いエッチングレートを有する絶縁性膜を形
成した後、該絶縁性膜に、所定のエッチング処理を施し
て、該絶縁性膜の被エッチング処理部をテーパ状端部を
有する開孔部に形成し、当該端部がテーパ状に形成され
た開孔部をマスクとして該層間絶縁膜をエッチング処理
して本体部を形成する事によりコンタクトホールを形成
する事を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体基板又は適宜の導電層上に、第１
の層間絶縁膜と当該層間絶縁膜のエッチングレートの値
よりも低いエッチングレートを有する絶縁性膜及び第２
の層間絶縁膜とをこの順に積層して積層体を形成した
後、該第２の層間絶縁膜に、目標とするコンタクトホー
ルの本体部の内径よりも大なる内径を有する案内部をエ
ッチングして形成すると共に、該絶縁性膜の被エッチン
グ処理部をテーパ状端部を有する開孔部に形成し、当該
端部がテーパ状に形成された開孔部をマスクとして該層
間絶縁膜をエッチング処理してコンタクトホールを形成
する事を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 該層間絶縁膜は、ＢＰＳＧ膜、或いはプ
ラズマＳｉＯ2 から選択された一つで構成されている事
を特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項９】 該第２の層間絶縁膜は、第１の層間絶縁
膜と同一材料で構成されるものである事を特徴とする請
求項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 該絶縁性膜は、ＨＴＯ（高温酸化シリ
コン）膜或いは窒素シリコン膜から選択された一つで構
成されている事を特徴とする請求項６又は７に記載の半
導体装置。 - 【請求項１１】 該コンタクトホールに於ける該本体部
の内径は、該案内部の内径、該絶縁性膜の構成成分及び
絶縁性膜の厚み等の要素により決定されるものである事
を特徴とする請求項６乃至１０の何れかに記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１２】 アスペクト比を１．２以下に抑える様
に各要素を設定する事を特徴とする請求項１１記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212229A JPH1056021A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212229A JPH1056021A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056021A true JPH1056021A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16619105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8212229A Pending JPH1056021A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1056021A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7041602B2 (en) | 2003-01-31 | 2006-05-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| US7169682B2 (en) | 2004-01-29 | 2007-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor device |
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| JP2015070152A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
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-
1996
- 1996-08-12 JP JP8212229A patent/JPH1056021A/ja active Pending
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