JP2725616B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィー
技術による開孔の形成の限界寸法より小さな径のコンタ
クトホールを形成する半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高集積化に伴って基板上に
形成される配線の幅が狭くなり、そのため、コンタクト
ホール径も小さなってきた。配線幅を狭く、コンタクト
ホール径を小さなものとする半導体装置では、加工の
際、コンタクトホールと該コンタクトホール上に形成さ
れる配線層との目合わせマージンを小さくすることが必
要とされる。しかし、コンタクトホールと配線層との目
合わせマージンを小さくする場合、次のような問題があ
る。すなわち、目合わせマージンを小さくすると、配線
を加工する際に配線層がコンタクトホール部を完全に覆
わないことがあり、この場合にはコンタクトホール内部
にスリットが発生してしまう。さらには、目合わせずれ
によって配線間ショートが生じる可能性が増える。

【０００３】上記各問題の対策として、コンタクトホー
ルの開孔をフォトリソグラフィー技術による開孔の形成
の限界寸法（ＰＲの解像度の限界）より小さくすること
により、目合わせマージンを大きく取れるようにした方
法が提案されている。以下に、この方法の具体的な例と
して、特開平３−２５７９６３号公報および特開平４−
１９６３１５号公報に開示されている２つの方法を挙げ
る。

【０００４】まず、特開平３−２５７９６３号公報に開
示されている方法を図６を参照して説明する。

【０００５】図６は、マスクをポリシリコンとし、サイ
ドウォール形成技術を用いてコンタクトホール径を縮小
する方法（ポリシリコンサイドウォールコンタクト）の
手順を示す工程図で、（ａ）〜（ｄ）にそれぞれの工程
の製造状態が示されている。

【０００６】上記公報に開示されている方法では、ま
ず、図６（ａ）に示すような構成のものを次のようにし
て作製する。Ｐ型シリコン基板１０１上にフィールド酸
化膜１０２と、例えばヒ素のイオン注入により形成され
たＮ型拡散層１０４を形成し、該Ｎ型拡散層１０４上に
ゲート酸化膜１０３を形成する。このように形成された
層上に、層間絶縁膜１０５として、例えばＣＶＤ法によ
りシリコン酸化膜を4000Åの厚みまで積層し、しかる後
に、シリコン層１０６をその層間絶縁膜１０５上に約20
00Åの厚みまで積層する。そして、フォトレジスト１０
８をマスクとしてシリコン層１０６をエッチング処理
し、シリコン層１０６にコンタクトホールを開孔する領
域を形成する。なお、ここでは、フィールド酸化膜１０
２およびゲート酸化膜１０３は通常のＬＯＣＯＳ法によ
って形成されている。

【０００７】続いて、上記図６（ａ）の工程で形成され
たシリコン層１０６上にシリコン酸化膜１１６を約1000
Åの厚みまで積層し（図６（ｂ）の状態）、さらに、形
成されたシリコン酸化膜１１６を異方性エッチし、これ
によりシリコン層１０６の側壁部にシリコン酸化膜１１
６のサイドウォールを形成する（図６（ｃ）の状態）。

【０００８】シリコン層１０６の側壁部にシリコン酸化
膜１１６のサイドウォールが形成されると、続いて、そ
のシリコン酸化膜１１６のサイドウォールとシリコン層
１０６をマスクとして、層間絶縁膜１０５およびゲート
酸化膜１０３をエッチング処理し、これら層間絶縁膜１
０５およびゲート酸化膜１０３にコンタクトホールを開
孔する（図６（ｄ）の状態）。

【０００９】以上の図６（ａ）〜（ｄ）に示す各工程に
よって、コンタクトホールの開孔をＰＲの解像度の限界
より小さなものとし、これにより目合わせマージンを大
きく取ることが可能となる。

【００１０】また、上記公報には、上記方法とは異なる
以下のような方法も開示されている。

【００１１】図７は、図６に示す方法とは異なる、サイ
ドウォール形成技術を用いてコンタクトホール径を縮小
する方法（酸化膜サイドウォールコンタクト）の手順を
示す工程図で、（ａ）〜（ｃ）にそれぞれの工程の状態
が示されている。

【００１２】まず、図７（ａ）に示すような構成のもの
を次のようにして作製する。Ｐ型シリコン基板２０１上
に、図６（ａ）の場合と同様に、フィールド酸化膜２０
２と、例えばヒ素のイオン注入により形成されたＮ型拡
散層２０４を形成し、該Ｎ型拡散層２０４上にゲート酸
化膜２０３を形成する。このように形成された層上に、
層間絶縁膜２０５として、例えばＣＶＤ法によりシリコ
ン酸化膜を4000Åの厚みまで積層し、しかる後に、フォ
トレジスト２０８をマスクとして層間絶縁膜１０５およ
びゲート酸化膜２０３をそれぞれエッチング処理し、コ
ンタクトホールを開孔する領域を形成する。

【００１３】続いて、上記のように作製されたものから
フォトレジスト２０８を取り除いた後、シリコン酸化膜
２１７を例えば1000Åの厚みまで積層する（図７（ｂ）
の状態）。さらに、形成されたシリコン酸化膜２１７を
異方性エッチし、これにより層間絶縁膜１０５およびゲ
ート酸化膜２０３側壁部にシリコン酸化膜２１７のサイ
ドウォールを形成する（図７（ｃ）の状態）。

【００１４】以上の図７（ａ）〜（ｃ）に示す各工程に
よって、コンタクトホールの開孔をＰＲの解像度の限界
より小さなものとし、これにより目合わせマージンを大
きく取ることが可能となる。

【００１５】次に、特開平４−１９６３１５号公報に開
示されている方法について簡単に説明する。

【００１６】図８は、ポリシリコン膜上に形成されたレ
ジスト膜のパターンを基に、該ポリシリコン膜をテーパ
ー状とすることによりコンタクトホール径を縮小する方
法の手順を示す工程図で、（ａ）〜（ｅ）にそれぞれの
工程の状態が示されている。

【００１７】まず、図８（ａ）に示すような構成のもの
を次のようにして作製する。Ｐ型シリコン基板３０１上
に、シリコン酸化膜の層間絶縁膜３０５および一対の電
極配線３０２ａ，３０２ｂを形成し、さらに該層間絶縁
膜３０５上にポリコンシリコン膜３１４を堆積する。

【００１８】続いて、上記のようにして作製されたもの
の上にレジスト３０８を塗布し、これを露光、現像する
ことによって所定のレジストパターンを形成する（図８
（ｂ）の状態）。レジストパターンが形成されると、こ
のレジストパターンを基に、ポリコンシリコン膜３１４
をテーパーエッチングする（図８（ｃ）の状態）。

【００１９】ポリコンシリコン膜３１４がテーパーエッ
チングされると、そのテーパーエッチングされたポリコ
ンシリコン膜３１４を基に、層間絶縁膜３０５を異方性
エッチングし（図８（ｄ）の状態）、しかる後に、レジ
スト３０８をＯ₂プラズマにより除去する（図８（ｅ）
の状態）。

【００２０】以上のように、ポリシリコン膜３１４上に
形成されたレジスト３０８のパターンを基に、該ポリシ
リコン膜３１４をテーパー状にすることにより、コンタ
クトホールの開孔径をレジスト３０８のマスク径よりも
縮小されたものとすることができ、これにより、コンタ
クトホールの開孔をＰＲの解像度の限界より小さなもの
にでき、目合わせマージンを大きく取ることが可能とな
る。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たコンタクトホールの開孔をＰＲの解像度の限界より小
さなものとする従来の方法のそれぞれには、以下のよう
な問題点がある。

【００２２】（１）サイドウォール形成技術を用いてコ
ンタクトホール径を縮小する方法の場合、 ポリシリコンサイドウォールコンタクトによる方法 サイドウォールシリコンの膜を十分な厚みのものとする
ためには、サイドウォール形成時のマスクとなる上層の
シリコン層１０６を厚くする必要がある。このように、
シリコン層１０６を厚くする必要があるため、そのシリ
コン層の形成、エッチング等の処理に時間がかかるとい
う問題点がある。

【００２３】また、シリコン層１０６が厚くなると、結
果的に配線層が厚いものとなって凹凸面が生じる。微細
加工を目的とするものにおいては焦点深度が浅いため、
凹凸面が生じると、その上に形成される層に露光により
微細なパターン形成することができなくなるという問題
点がある。

【００２４】さらには、エッチバックによりサイドウォ
ールを形成しているので、寸法の制御が難しいという問
題点がある。

【００２５】酸化膜サイドウォールコンタクトによる
方法 図７（ａ）に示す層間絶縁膜１０５に形成されるコンタ
クトホールの開孔領域は、ＰＲ限界寸法となっているの
で、下地の配線層とのマージンがないと配線層がエッチ
ングによりダメージを受けるという問題点がある。

【００２６】また、酸化膜サイドウォールの形成はエッ
チバックにより行なわれるので、制御が難しいという問
題点がある。

【００２７】さらには、図７（ｃ）に示す層間絶縁膜２
０５の上部の径は、フォトレジスト２０８に形成された
径と同じ大きさのものとなっているので、結果的には、
配線とコンタクトホールとのマージンは改善されないと
いう問題点がある。

【００２８】（２）特開平4-196315号公報に開示されて
いる、ポリシリコン膜をテーパー状にエッチングしてコ
ンタクトホール径の縮小を図る方法の場合 ポリシリコン膜をテーパー状にエッチングしてコンタク
トホール径の縮小を図る方法においては、ポリシリコン
サイドウォールによる方法に比べて、コンタクトホール
形成に必要な工程数が少なくなるものの、以下のような
問題点がある。

【００２９】コンタクトホール径をより微細なものとす
るには、ポリシリコン層を厚くする必要がある。よっ
て、ポリシリコンサイドウォールコンタクトの場合と同
様、そのポリシリコン層の形成、エッチング等の処理に
時間がかかるという問題点がある。さらに、配線層が厚
いものとなることにより生じる凹凸面によって、ポリシ
リコンサイドウォールコンタクトの場合と同様、露光に
より微細なパターンを形成することができなくなるとい
う問題点がある。

【００３０】また、テーパ角の制御が難しいため、コン
タクトホール径の縮小を精度良く行なうことができない
という問題点がある。

【００３１】さらには、テーパ角を小さくした場合、テ
ーパ端部のポリシリコン膜の厚みが薄くなるため、シリ
コン酸化膜をエッチングする際にポリシリコン膜が同時
にエッチングされてしまい、コンタクトホール径が設計
寸法よりも広がってしまうという問題点がある。この問
題は、テーパ角を小さくすればするほど、すなわち、コ
ンタクトホール径の縮小を小さなものにすればするほど
顕著に現れる。

【００３２】本発明の目的は、簡単な工程でＰＲ限界寸
法より小さなコンタクトホールを精度良く形成すること
ができる半導体装置製造方法を提供することにある。

【００３３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート酸化膜、
フィールド酸化膜および拡散層が所定の手順で形成され
た半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜上
にシリコン層を形成する第１の工程と、前記第１の工程
で形成されたシリコン層上にシリコン窒化膜を形成し、
該シリコン窒化膜を所定パターンのマスクを基にエッチ
ングしてシリコン窒化膜のマスクを形成する第２の工程
と、前記第２の工程のシリコン窒化膜のマスクの形成に
より露出したシリコン層の露出面を熱酸化し、該シリコ
ン層の露出面の表面層近傍および前記シリコン窒化膜の
マスク下のシリコン層の一部にまで拡大されたシリコン
酸化膜を形成し、前記シリコン層の下層部については未
酸化層として残す第３の工程と、前記第２の工程で形成
されたシリコン窒化膜のマスクを除去し、前記第３の工
程で形成されたシリコン酸化膜をマスクとして、前記第
３の工程によってシリコン酸化膜にて覆われなかったシ
リコン層をエッチングして開口領域を形成し、しかる後
に、該開口領域が形成されたシリコン層をマスクとし
て、前記シリコン酸化膜と同時に前記層間絶縁膜および
ゲート酸化膜を順次エッチングにより除去してコンタク
トホールを形成する第４の工程とを含むことを特徴とす
る。

【００３４】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
ゲート酸化膜、フィールド酸化膜および拡散層が所定の
手順で形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、
該層間絶縁膜上にシリコン層を形成する第１の工程と、
前記第１の工程で形成されたシリコン層上に膜厚の薄い
第１のシリコン酸化膜を形成する第２の工程と、前記第
２の工程で形成された第１のシリコン酸化膜上にシリコ
ン窒化膜を形成し、該シリコン窒化膜を所定パターンの
マスクを基にエッチングしてシリコン窒化膜のマスクを
形成する第３の工程と、前記第３の工程のシリコン窒化
膜のマスクの形成により露出した第１のシリコン酸化膜
の露出面を熱酸化して、該露出面領域における前記シリ
コン層の、前記第１のシリコン酸化膜との界面近傍、お
よび前記シリコン窒化膜のマスク下のシリコン層の一部
にまで拡大された第２のシリコン酸化膜を形成し、前記
シリコン層の下層部については未酸化層として残す第４
の工程と、前記第３の工程で形成されたシリコン窒化膜
のマスク、および前記第２の工程で形成された第１のシ
リコン酸化膜の部分をそれぞれ除去し、前記第４の工程
で形成された第２のシリコン酸化膜をマスクとして、前
記第４の工程によって第２のシリコン酸化膜にて覆われ
なかったシリコン層をエッチングして開口領域を形成
し、しかる後に、該開口領域が形成されたシリコン層を
マスクとして、前記第２のシリコン酸化膜と同時に前記
層間絶縁膜およびゲート酸化膜を順次エッチングにより
除去してコンタクトホールを形成する第５の工程とを含
むことを特徴とする。

【００３５】

【００３６】

【００３７】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
電極配線が形成された半導体基板上に、第１のシリコン
酸化膜、ポリシリコン膜および第２のシリコン酸化膜を
順次堆積させて層間膜を形成する第１の工程と、所定パ
ターンのマスクを基に前記第１の工程で形成された層間
膜を、前記ポリシリコン膜上に選択的保護膜形成可能な
ガスプラズマにより異方的にエッチングし、前記第２の
シリコン酸化膜に第１の開孔を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の第１の開孔の形成により露出したポリ
シリコン膜を、前記第２の工程のガスプラズマによる異
方的エッチングによって、該露出面の周辺部においては
該エッチングに用いられたガスの構成元素からなる保護
膜の形成を行なわせ、中心部においてはエッチングを行
なわせて、該ポリシリコン膜に前記第２の工程で形成さ
れた第１の開孔より小さな第２の開孔を形成する第３の
工程と、前記ガスプラズマによる異方的エッチングによ
り、前記第２の工程で形成された第２の開孔と同じ大き
さの第３の開孔を前記第１のシリコン酸化膜に形成する
第４の工程と、前記第２のシリコン酸化膜および前記第
３の工程でポリシリコン膜上に形成された保護膜を除去
し、コンタクトホールを形成する第５の工程とを含んで
なることを特徴とする。

【００３８】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
電極配線が形成された半導体基板上に、第１のシリコン
酸化膜、窒化シリコン膜および第２のシリコン酸化膜を
順次堆積させて層間膜を形成する第１の工程と、所定パ
ターンのマスクを基に前記第１の工程で形成された層間
膜を、前記窒化シリコン膜上に選択的保護膜形成可能な
ガスプラズマにより異方的にエッチングし、前記第２の
シリコン酸化膜に第１の開孔を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の第１の開孔の形成により露出した窒化
シリコン膜を、前記第２の工程のガスプラズマによる異
方的エッチングによって、該露出面の周辺部においては
該エッチングに用いられたガスの構成元素からなる保護
膜の形成を行なわせ、中心部においてはエッチングを行
なわせて、該窒化シリコン膜に前記第２の工程で形成さ
れた第１の開孔より小さな第２の開孔を形成する第３の
工程と、前記ガスプラズマによる異方的エッチングによ
り、前記第２の工程で形成された第２の開孔と同じ大き
さの第３の開孔を前記第１のシリコン酸化膜に形成する
第４の工程と、前記第２のシリコン酸化膜および前記第
３の工程で窒化シリコン膜上に形成された保護膜を除去
し、コンタクトホールを形成する第５の工程とを含んで
なることを特徴とする。

【００３９】上述のガスプラズマを用いた半導体装置の
製造方法のいずれも、ガスプラズマに使用されるガスと
してＣＨＦ ₃ ガスを用いようにしてもよい。

【００４０】さらに、ガスプラズマに使用されるガスと
して、ＣＨＦ₃ガスとＣＯガスとの混合ガスを用いよう
にしてもよい。

【００４１】

【作用】本発明のうち、所定のマスクを基にシリコン層
を熱酸化し、該シリコン層にシリコン酸化膜のマスクを
形成するものにおいては、シリコン層を熱酸化してシリ
コン酸化膜を形成する際に、シリコン層内部における酸
素の拡散によって生じる酸化領域が拡大された、いわゆ
るバーズビークによって、マスク下のシリコン層の一部
まで酸化領域とされるので、基となるマスクの大きさよ
り小さな開孔を有するシリコン酸化膜を形成することが
できる。したがって、このシリコン酸化膜をマスクとし
て、シリコン層あるいはシリコン窒化膜、および層間絶
縁膜ならびにゲート酸化膜を順次エッチングすれば、基
となったマスクの大きさより小さな開孔のコンタクトホ
ールを形成することができる。

【００４２】また、本発明のうち、第１のシリコン酸化
膜、ポリシリコン膜および第２のシリコン酸化膜を順次
堆積させて層間膜を形成し、該層間膜をガスプラズマに
より異方的に順次エッチングするものにおいては、シリ
コン酸化膜およびポリシリコン膜をガスプラズマにより
異方的に順次エッチングした際に生じる、ポリシリコン
膜上への保護膜の形成が利用される。すなわち、本発明
では、第１のシリコン酸化膜における第１の開孔の形成
によって露出されたポリシリコン膜の露出面が以下のよ
うにしてエッチングされる。

【００４３】第１のシリコン酸化膜およびポリシリコン
膜がガスプラズマにより異方的に順次エッチングされる
と、ガスプラズマ中におけるガス分解による、例えば炭
素、フッ素を成分とした保護膜の前駆体が形成される。
この形成された保護膜の前駆体は、ポリシリコン膜の露
出面では、膜中に酸素原子が存在しないため、保護膜と
して堆積する。このポリシリコン膜の露出面における保
護膜の堆積はエッチングと同時に進行している。よっ
て、ポリシリコン膜の露出面の周辺部ではエッチングよ
り保護膜の形成の方が優勢となって保護膜の形成が進行
し、中心部では保護膜の形成よりイオン衝撃によるエッ
チングの方が優勢となってエッチングが進行する。その
結果、ポリシリコン膜の露出面の周辺部には保護膜が形
成され、中心部のみがエッチングされることになり、こ
れにより、ポリシリコン膜に第２のシリコン酸化膜に形
成された第１の開孔よりも小さな第２の開孔が形成され
る。

【００４４】上記のようにしてポリシリコン膜に第２の
開孔が形成されれば、第１のシリコン酸化膜にはポリシ
リコン膜に形成された第２の開孔と同じ大きさの第３の
開孔が形成される。よって、第２のシリコン酸化膜を除
去すれば、第１の開孔すなわち所定のマスクより小さな
開孔のコンタクトホールが形成される。

【００４５】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００４６】図１は、本発明の第１の実施例の半導体装
置の製造方法の工程を説明するための工程図で、（ａ）
〜（ｄ）にそれぞれの工程における半導体装置の製造状
態が示されている。

【００４７】本実施例の半導体装置製造方法では、ま
ず、Ｐ型シリコン基板１上にフィールド酸化膜２および
ゲート酸化膜３を通常のＬＯＣＯＳ法により形成し、Ｐ
型シリコン基板１とゲート酸化膜３の間に、例えばヒ素
のイオン注入によりＮ型拡散層４を形成する。このよう
に形成されたものの上に、層間絶縁膜５として、例えば
ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を4000Åの厚みまで積層
し、しかる後に、シリコン層６をその層間絶縁膜５上に
約2000Åの厚みまで積層する。さらに、シリコン層６上
にシリコン窒化膜７を7000Åの厚みまで積層し、しかる
後に、所定のマスクパターンにより形成されたフォトレ
ジスト８をマスクとして、コンタクトホールを形成する
以外の部分のシリコン窒化膜７をエッチング除去する
（図１（ａ）の状態）。

【００４８】上記のようにしてシリコン窒化膜７のコン
タクトホールを形成する以外の部分がエッチング除去さ
れると、下層のシリコン層６の表面が露出する。このシ
リコン層６の露出面を熱酸化して、例えば、1000Åの厚
さシリコン酸化膜９を形成する。この形成されるシリコ
ン酸化膜９は、パターニングされたシリコン窒化膜７の
膜下では、シリコン窒化膜７の縁から内側方向に酸素の
拡散によって生じる酸化領域が拡大された、いわゆるバ
ーズビークのために約1000Åくい込んだ状態のものとな
る（図１（ｂ）の状態））。

【００４９】シリコン層６の表面にシリコン酸化膜９が
形成されると、続いて、シリコン窒化膜７を除去し、シ
リコン酸化膜９をマスクとしてシリコン層６をエッチン
グ処理する。このエッチング処理によって、シリコン層
６には、パターニングされたシリコン窒化膜７よりも上
記シリコン酸化膜９のくい込み分だけ小さな開孔領域が
形成される（図１（ｃ）の状態）。

【００５０】シリコン層６に開孔領域が形成されると、
続いて、シリコン酸化膜９、層間絶縁膜５およびゲート
酸化膜３を順次エッチング処理により除去する。この処
理によって、層間絶縁膜５およびゲート酸化膜３に、シ
リコン層６に形成された開孔領域と同じ径の大きさの開
孔が形成される（図１（ｄ）の状態）。

【００５１】以上の図１（ａ）〜（ｄ）に示す工程によ
って、コンタクトホールの開孔をＰＲの解像度の限界よ
り上記シリコン酸化膜９のくい込み分だけ小さくしたも
のが得られる。これにより、目合わせマージンを大きく
取ることが可能となる。

【００５２】次に、本発明の第２の実施例の半導体装置
の製造方法について説明する。

【００５３】図２は、本発明の第２の実施例の半導体装
置の製造方法の各工程を説明するための工程図で、
（ａ）〜（ｄ）にそれぞれの工程における半導体装置の
製造状態が示されている。

【００５４】本実施例の半導体装置製造方法では、Ｐ型
シリコン基板２１上にフィールド酸化膜２２、ゲート酸
化膜２３、Ｎ型拡散層２４、層間絶縁膜２５およびシリ
コン層２６を上述の第１の実施例の場合と同様に形成す
る。しかる後に、シリコン層２６上にシリコン酸化膜２
９を、例えばＣＶＤ法により約100Åの厚みまで積層す
る。さらに、シリコン酸化膜２９上にシリコン窒化膜２
７を7000Åの厚みまで積層し、しかる後に、第１の実施
例の場合と同様に、所定のマスクパターンにより形成さ
れたフォトレジスト２８をマスクとして、シリコン窒化
膜２７をエッチング除去する（図２（ａ）の状態）。こ
のとき、本実施例では、シリコン層２６とシリコン窒化
膜２７との間にシリコン酸化膜２９が設けられているの
で、シリコン窒化膜２７のエッチングによるシリコン層
２６へのダメージはほととんど生じることはない。

【００５５】上記のようにしてシリコン窒化膜７のコン
タクトホールを形成する以外の部分がエッチング除去さ
れると、続いて、シリコン酸化膜２９の露出面を熱酸化
する。すると、シリコン酸化膜２９の膜厚は100Åと薄
いため、シリコン酸化膜２９の下の形成されているシリ
コン層２６が酸化され、シリコン層２６のシリコン酸化
膜２９との界面近傍にシリコン酸化膜２９’が形成され
る。ここで形成されるシリコン酸化膜２９’は、パター
ニングされたシリコン窒化膜２７の膜下で、第１実施例
の場合と同様、シリコン窒化膜２７の縁から内側方向に
酸化領域がくい込んだ状態のものとなっており、その膜
厚はシリコン酸化膜２９に比べて十分大きなものとなっ
ている（図２（ｂ）の状態）。

【００５６】シリコン層２６のシリコン酸化膜２９との
界面近傍にシリコン酸化膜２９’が形成されると、続い
て、シリコン窒化膜７およびシリコン酸化膜２９を順次
エッチングにより除去する。すると、上記の熱酸化の際
に酸化されなかった部分のシリコン層２６が露出する。
この露出したシリコン層２６を、シリコン酸化膜２９’
をマスクとしてエッチング処理する。このエッチング処
理によって、シリコン層２６には、パターニングされた
シリコン窒化膜２７よりも上記シリコン酸化膜２９’の
くい込み分だけ小さな開孔領域が形成される（図２
（ｃ）の状態）。

【００５７】シリコン層２６に開孔領域が形成される
と、続いて、シリコン酸化膜２９’、層間絶縁膜２５お
よびゲート酸化膜２３を順次エッチング処理により除去
する。この処理によって、層間絶縁膜２５およびゲート
酸化膜２３に、シリコン層２６に形成された開孔領域と
同じ径の大きさの開孔が形成される（図２（ｄ）の状
態）。

【００５８】以上の図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程によ
って、コンタクトホールの開孔をＰＲの解像度の限界よ
り上記シリコン酸化膜２９’のくい込み分だけ小さくし
たものが得られる。これにより、目合わせマージンを大
きく取ることが可能となる。

【００５９】次に、本発明の第３の実施例の半導体装置
の製造方法について説明する。

【００６０】図３は、本発明の第３の実施例の半導体装
置の製造方法の各工程を説明するための工程図で、
（ａ）〜（ｄ）にそれぞれの工程における半導体装置の
製造状態が示されている。

【００６１】本実施例の半導体装置製造方法では、ま
ず、Ｐ型シリコン基板３１上にフィールド酸化膜３２お
よびゲート酸化膜３３を通常のＬＯＣＯＳ法により形成
し、Ｐ型シリコン基板３１とゲート酸化膜３３の間に、
例えばヒ素のイオン注入によりＮ型拡散層３４を形成す
る。このように形成されたものの上に、層間絶縁膜３５
として、例えばＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を4000Å
の厚みまで積層し、しかる後に、その層間絶縁膜３５上
にシリコン窒化膜３９を約500Åの厚みまで積層する。
さらに、シリコン窒化膜３９上にシリコン層３６を500
Åの厚みまで積層し、そのシリコン層３６上に、シリコ
ン窒化膜３７を700Åの厚みまで積層する。しかる後
に、所定のマスクパターンにより形成されたフォトレジ
スト３８をマスクとして、コンタクトホールを形成する
以外の部分のシリコン窒化膜３７をエッチング除去する
（図３（ａ）の状態）。

【００６２】上記のようにしてシリコン窒化膜３７のコ
ンタクトホールを形成する以外の部分がエッチング除去
されると、続いて、シリコン層３６を露出面を熱酸化し
てシリコン酸化膜３６’を形成する。このとき形成され
るシリコン酸化膜３６’は、第１の実施例の場合と同
様、パターニングされたシリコン窒化膜３７の膜下部分
では、シリコン窒化膜３７の縁から内側方向に酸化領域
がくい込んだ状態のものとなる（図１（ｂ）の状
態））。

【００６３】シリコン酸化膜３６’が形成されると、続
いて、シリコン窒化膜３７を除去し、その除去によって
露出したシリコン層３６をシリコン酸化膜３６’をマス
クとしてエッチング除去する。さらに、引き続いてエッ
チングを行ない、シリコン窒化膜３９をシリコン酸化膜
３６’をマスクとしてエッチング除去する。これによ
り、シリコン窒化膜３９には、パターニングされたシリ
コン窒化膜３７よりも上記シリコン酸化膜３６’のくい
込み分だけ小さな開孔領域が形成される（図３（ｃ）の
状態）。

【００６４】シリコン窒化膜３９に開孔領域が形成され
ると、続いて、シリコン酸化膜３６’、層間絶縁膜３５
およびゲート酸化膜３３を順次エッチング処理により除
去する。この処理によって、層間絶縁膜３５およびゲー
ト酸化膜３３に、シリコン窒化膜３９に形成された開孔
領域と同じ径の大きさの開孔が形成される（図３（ｄ）
の状態）。

【００６５】以上の図３（ａ）〜（ｄ）に示す工程によ
って、コンタクトホールの開孔をＰＲの解像度の限界よ
り上記シリコン酸化膜９のくい込み分だけ小さくしたも
のが得られる。これにより、目合わせマージンを大きく
取ることが可能となる。

【００６６】次に、本発明の第４の実施例の半導体装置
の製造方法について説明する。

【００６７】図４は、本発明の第４の実施例の半導体装
置の製造方法の各工程を説明するための工程図で、
（ａ）〜（ｄ）にそれぞれの工程における半導体装置の
製造状態が示されている。

【００６８】本実施例の半導体装置製造方法では、Ｐ型
シリコン基板４１上にフィールド酸化膜４２、ゲート酸
化膜４３、Ｎ型拡散層４４、層間絶縁膜４５、シリコン
窒化膜４９、シリコン層４６を上述の第３の実施例の場
合と同様の工程により形成する。しかる後に、そのシリ
コン層４６上にシリコン酸化膜４０を、例えばＣＶＤ法
により約100Åの厚みまで積層する。さらに、そのシリ
コン酸化膜４０上にシリコン窒化膜４７を700Åの厚み
まで積層し、しかる後に、所定のマスクパターンにより
形成されたフォトレジスト４８をマスクとして、コンタ
クトホールを形成する以外の部分のシリコン窒化膜４７
をエッチング除去する（図４（ａ）の状態）。このと
き、本実施例では、シリコン層４６とシリコン窒化膜４
７との間にシリコン酸化膜４０が設けられているので、
シリコン窒化膜４７のエッチングによるシリコン層４６
のダメージはほととんどない。

【００６９】上記のようにしてシリコン窒化膜４７のコ
ンタクトホールを形成する以外の部分がエッチング除去
されると、続いて、シリコン酸化膜４０の露出面を熱酸
化する。すると、シリコン酸化膜４０の膜厚は100Åと
薄いため、シリコン酸化膜４９の下の形成されているシ
リコン層４６が酸化され、シリコン層４６のシリコン酸
化膜４０との界面近傍にシリコン酸化膜４０’が形成さ
れる。ここで形成されるシリコン酸化膜４０’は、パタ
ーニングされたシリコン窒化膜４７の膜下で、第１実施
例の場合と同様、シリコン窒化膜４７の縁から内側方向
に酸化領域がくい込んだ状態のものとなっており、その
膜厚はシリコン酸化膜４０に比べて十分大きなものとな
っている（図４（ｂ）の状態）。

【００７０】シリコン酸化膜４０’が形成されると、続
いて、シリコン窒化膜４７を除去し、その除去によって
露出したシリコン層４６をシリコン酸化膜４０’をマス
クとしてエッチング除去する。さらに、引き続いてエッ
チングを行ない、シリコン窒化膜４９をシリコン酸化膜
４０’をマスクとしてエッチング除去する。これによ
り、シリコン窒化膜４９には、パターニングされたシリ
コン窒化膜４７よりも上記シリコン酸化膜４０’のくい
込み分だけ小さな開孔領域が形成される（図４（ｃ）の
状態）。

【００７１】シリコン窒化膜４９に開孔領域が形成され
ると、続いて、シリコン酸化膜４０’、層間絶縁膜４５
およびゲート酸化膜４３を順次エッチング処理により除
去する。この処理によって、層間絶縁膜４５およびゲー
ト酸化膜４３に、シリコン窒化膜４９に形成された開孔
領域と同じ径の大きさの開孔が形成される（図４（ｄ）
の状態）。

【００７２】以上の図４（ａ）〜（ｄ）に示す工程によ
って、コンタクトホールの開孔をＰＲの解像度の限界よ
り上記シリコン酸化膜２９’のくい込み分だけ小さくし
たものが得られる。これにより、目合わせマージンを大
きく取ることが可能となる。

【００７３】次に、本発明の第５の実施例の半導体装置
の製造方法について説明する。

【００７４】図５は、本発明の第５の実施例の半導体装
置の製造方法の工程を説明するための工程図で、（ａ）
〜（ｄ）にそれぞれの工程における半導体装置の製造状
態が示されている。

【００７５】本実施例の半導体装置の製造方法では、ま
ず、Ｐ型シリコン基板５１上に１対の電極配線５２ａ，
５２ｂを形成し、これらの上に層間絶縁層であるシリコ
ン酸化膜５３を堆積する。続いて、シリコン酸化膜５３
上に中間層となるポリシリコン膜５４を堆積し、さら
に、ポリシリコン膜５４上に再びシリコン酸化膜５５を
堆積して層間膜を形成する（図５（ａ）の状態）。

【００７６】上記のようにして図５（ａ）に示すような
構成のものが作製されると、続いて、シリコン酸化膜５
５上にレジスト５６を塗布し、この塗布されたレジスト
５６を適当なマスクを用いて露光、現像し、レジストパ
ターンを形成する（図５（ｂ）の状態）。

【００７７】シリコン酸化膜５５上にレジストパターン
が形成されると、続いて、レジストパターンが形成され
たレジスト５６をマスクとし、フロロカーボンガスを用
いて異方性ドライエッチングを行なう。レジスト５６を
マスクとしてフロロカーボンガスを用いた異方性ドライ
エッチングが行なわれ、このエッチングが中間層のポリ
シリコン膜５４にまで達すると（図５（ｃ）の状態）、
ポリシリコン膜５４上で炭素およびフッ素を成分とする
保護膜の形成が起きる。すなわち、フロロカーボンガス
プラズマ中におけるガス分解による炭素、フッ素を成分
とした保護膜の前駆体の形成が起きる。このような現象
は、酸化膜をポリシリコンに対して選択的にエッチング
する際に見られる現象である。

【００７８】上記ようにして保護膜の前駆体が形成され
ると、シリコン酸化膜５５の露出面では、保護膜の前駆
体がシリコン酸化膜５５中の酸素原子と結びつき、揮発
性の物質（例えば、ＣＯＦ）となって排出される。一
方、ポリシリコン膜５４の露出面では、膜中に酸素原子
が存在しないため、保護膜として堆積する。

【００７９】ポリシリコン膜５４の露出面における上記
保護膜の堆積は、イオン衝撃によるエッチングと同時に
進行している。そのため、ポリシリコン膜５４の露出面
の周辺部（エッチングされたシリコン酸化膜５５の縁近
傍）ではイオン衝撃によるエッチングより保護膜の形成
の方が優勢となって保護膜の形成が進行し、中心部では
保護膜の形成よりイオン衝撃によるエッチングの方が優
勢となってエッチングが進行する。その結果、ポリシリ
コン膜５４の露出面の周辺部には保護膜５７が形成さ
れ、中心部のみがエッチングされて、レジストパターン
の径より小さな径の範囲でシリコン酸化膜５３が露出す
る（図５（ｄ）の状態）。

【００８０】レジストパターンの径より小さな径の範囲
でシリコン酸化膜５３が露出した状態となったものを、
さらに引き続いて異方性エッチングを行なうと、レジス
トパターンの径より小さな径のコンタクトホールが形成
される（図５（ｅ）の状態）。

【００８１】続いて、レジスト５６を酸素プラズマによ
り除去する。この時、ポリシリコン膜５４上に堆積して
いる保護膜５７も同時に除去される（図５（ｆ）の状
態）。そして、ポリシリコン膜５４上に形成されている
シリコン酸化膜５５を異方性エッチングにより全面エッ
チバックして除去する（図５（ｇ）の状態）。

【００８２】以上の図５（ａ）〜（ｇ）の工程によっ
て、レジスト径よりも小さな径のコンタクトホールが形
成される。

【００８３】なお、上述した本実施例では、中間層とし
てポリシリコン膜５４が用いられているが、これに代え
て窒化シリコン膜を用いても、同様の作用効果を得るこ
とができる。すなわち、上述したポリシリコン膜上への
選択的な保護膜の堆積と同様のメカニズムが窒化シリコ
ン膜を用いた場合にも発生し、ポリシリコン膜における
エッチング同様、窒化シリコン膜におけるエッチング
が、周辺部では保護膜の堆積となり、中心部でのみエッ
チングされることになる。

【００８４】また、上記のように、中間層に窒化シリコ
ン膜を用いたものの場合、窒化シリコン膜が絶縁物であ
るので、中間層としてこの窒化シリコン膜を残すことが
できる。そのため、窒化シリコン膜上に形成されるシリ
コン酸化膜も除去する必要がなくなり、これにより、コ
ンタクトホール形成に必要な工程数をさらに削除するこ
とが可能となる。

【００８５】以下に、本実施例の具体的な実験例とし
て、中間層にポリシリコン膜を用い、フロロカーボンガ
スとしてＣＨＦ₃ガスを用いた実験例１、中間層にポリ
シリコン膜を用い、フロロカーボンガスとしてＣＨＦ₃
ガスとＣＯガスとの混合ガスを用いた実験例２、および
中間層に窒化シリコン膜を用い、フロロカーボンガスと
してＣＨＦ₃ガスとＣＯガスとの混合ガスを用いた実験
例３を挙げる。 ＜実験例１＞マグネトロンＲＩＥ装置を次のように設定
する。ＣＨＦ₃ガスの供給量を１００sccmとして、エッ
チング圧力を７０torrに設定し、高周波電源電圧を６０
０ｗ、下部電極温度を１０℃に設定する。

【００８６】上記のように設定されたマグネトロンＲＩ
Ｅ装置を用いて、図５におけるポリシリコン膜５４の膜
厚が５００Å、シリコン酸化膜５５の膜厚が２５００Å
となったものをエッチングする。この場合、レジスト膜
直径０．５μｍに対して、コンタクトホールの直径を
０．３μｍとすることができた。 ＜実験例２＞マグネトロンＲＩＥ装置を次のように設定
する。ＣＨＦ₃ガスとＣＯガスの混合ガスの供給量を、
ＣＨＦ₃／ＣＯ＝１００／１００sccmとして、エッチン
グ圧力を４０torrに設定し、高周波電源電圧を６００
ｗ、下部電極温度を−３０℃に設定する。

【００８７】上記のように設定されたマグネトロンＲＩ
Ｅ装置を用いて、実験例１と同様に、ポリシリコン膜５
４の膜厚が５００Å、シリコン酸化膜５５の膜厚が２５
００Åとなったものをエッチングする。この場合、レジ
スト膜直径０．４μｍに対して、コンタクトホールの直
径を０．２６μｍとすることができた。 ＜実験例３＞マグネトロンＲＩＥ装置を次のように設定
する。ＣＨＦ₃ガスとＣＯガスの混合ガスの供給量を、
ＣＨＦ₃／ＣＯ＝２５／７５sccmとして、エッチング圧
力を６０torrに設定し、高周波電源電圧を８００ｗ、下
部電極温度を２０℃に設定する。

【００８８】上記のように設定されたマグネトロンＲＩ
Ｅ装置を用いて、窒化シリコン膜の膜厚が５００Å、シ
リコン酸化膜５５の膜厚が２５００Åとなったものをエ
ッチングする。この場合、レジスト膜直径０．５μｍに
対して、コンタクトホールの直径を０．３μｍとするこ
とができた。

【００８９】

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。

【００９０】請求項１から請求項４に記載の方法におい
ては、簡単な工程でＰＲ限界寸法より小さなコンタクト
ホールを精度良く形成することができるという効果があ
る。

【００９１】さらに、層間絶縁膜上に設けられるシリコ
ン層の膜厚を薄くすることができるので、配線層を薄く
することができるという効果がある。

【００９２】請求項５から請求項８に記載の方法におい
ては、簡単な工程でＰＲ限界寸法より小さなコンタクト
ホールを形成することができることに加えて、従来のサ
イドウォールによるコンタクトホール径の縮小方法に比
べて、工程数を２工程削減できるという効果がある。

【００９３】さらに、層間膜を形成するポリシリコン層
の膜厚は薄いものとなっているので、従来のポリシリコ
ンをテーパ状に形成するコンタクトホール径の縮小方法
に比べて、製造時間を短縮することができるという効果
がある。

【００９４】さらに、ポリシリコン上に堆積される保護
膜を厚くすることができるので、コンタクトホール径の
縮小を精度良く行なうことができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１の実施例の半導体装置の
製造方法の工程を説明するための工程図で、（ａ）〜
（ｄ）にそれぞれの工程における半導体装置の製造状態
が示されている。

【図２】本発明の第２の実施例の半導体装置の製造方法
の各工程を説明するための工程図で、（ａ）〜（ｄ）に
それぞれの工程における半導体装置の製造状態が示され
ている。

【図３】本発明の第３の実施例の半導体装置の製造方法
の各工程を説明するための工程図で、（ａ）〜（ｄ）に
それぞれの工程における半導体装置の製造状態が示され
ている。

【図４】本発明の第４の実施例の半導体装置の製造方法
の各工程を説明するための工程図で、（ａ）〜（ｄ）に
それぞれの工程における半導体装置の製造状態が示され
ている。

【図５】本発明の第５の実施例の半導体装置の製造方法
の工程を説明するための工程図で、（ａ）〜（ｄ）にそ
れぞれの工程における半導体装置の製造状態が示されて
いる。

【図６】マスクをポリシリコンとし、サイドウォール形
成技術を用いてコンタクトホール径を縮小する方法（ポ
リシリコンサイドウォールコンタクト）の手順を示す工
程図で、（ａ）〜（ｄ）にそれぞれの工程の製造状態が
示されている。

【図７】図６に示す方法とは異なる、サイドウォール形
成技術を用いてコンタクトホール径を縮小する方法（酸
化膜サイドウォールコンタクト）の手順を示す工程図
で、（ａ）〜（ｃ）にそれぞれの工程の状態が示されて
いる。

【図８】ポリシリコン膜上に形成されたレジスト膜のパ
ターンを基に、該ポリシリコン膜をテーパー状とするこ
とによりコンタクトホール径を縮小する方法の手順を示
す工程図で、（ａ）〜（ｅ）にそれぞれの工程の状態が
示されている。

【符号の説明】

１，２１，３１，４１ Ｐ型シリコン基板 ２，２２，３２，４２ フィールド酸化膜 ３，２３，３３，４３ ゲート酸化膜 ４，２４，３４，４４ Ｎ型拡散層 ５，２５，３５，４５ 層間絶縁膜 ６，２６，３６，４６ シリコン層 ７，２７，３７，３９，４７，４９ シリコン窒化膜 ８，２８，３８，４８ フォトレジスト ９，２９，２９’，３６’，４０，４０’，５３，５５
シリコン酸化膜 ５１ シリコン基板 ５２ａ，５２ｂ 電極配線 ５４ ポリシリコン膜 ５６ レジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−302540（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−332（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−117559（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−285723（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−97951（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−106833（ＪＰ，Ａ)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ゲート酸化膜、フィールド酸化膜および
   拡散層が所定の手順で形成された半導体基板上に層間絶
   縁膜を形成し、該層間絶縁膜上にシリコン層を形成する
   第１の工程と、 前記第１の工程で形成されたシリコン層上にシリコン窒
   化膜を形成し、該シリコン窒化膜を所定パターンのマス
   クを基にエッチングしてシリコン窒化膜のマスクを形成
   する第２の工程と、 前記第２の工程のシリコン窒化膜のマスクの形成により
   露出したシリコン層の露出面を熱酸化し、該シリコン層
   の露出面の表面層近傍および前記シリコン窒化膜のマス
   ク下のシリコン層の一部にまで拡大されたシリコン酸化
   膜を形成し、前記シリコン層の下層部については未酸化
   層として残す第３の工程と、 前記第２の工程で形成されたシリコン窒化膜のマスクを
   除去し、前記第３の工程で形成されたシリコン酸化膜を
   マスクとして、前記第３の工程によってシリコン酸化膜
   にて覆われなかったシリコン層をエッチングして開口領
   域を形成し、しかる後に、該開口領域が形成されたシリ
   コン層をマスクとして、前記シリコン酸化膜と同時に前
   記層間絶縁膜およびゲート酸化膜を順次エッチングによ
   り除去してコンタクトホールを形成する第４の工程とを
   含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 ゲート酸化膜、フィールド酸化膜および
   拡散層が所定の手順で形成された半導体基板上に層間絶
   縁膜を形成し、該層間絶縁膜上にシリコン層を形成する
   第１の工程と、 前記第１の工程で形成されたシリコン層上に膜厚の薄い
   第１のシリコン酸化膜を形成する第２の工程と、 前記第２の工程で形成された第１のシリコン酸化膜上に
   シリコン窒化膜を形成し、該シリコン窒化膜を所定パタ
   ーンのマスクを基にエッチングしてシリコン窒化膜のマ
   スクを形成する第３の工程と、 前記第３の工程のシリコン窒化膜のマスクの形成により
   露出した第１のシリコン酸化膜の露出面を熱酸化して、
   該露出面領域における前記シリコン層の、前記第１のシ
   リコン酸化膜との界面近傍、および前記シリコン窒化膜
   のマスク下のシリコン層の一部にまで拡大された第２の
   シリコン酸化膜を形成し、前記シリコン層の下層部につ
   いては未酸化層として残す第４の工程と、 前記第３の工程で形成されたシリコン窒化膜のマスク、
   および前記第２の工程で形成された第１のシリコン酸化
   膜の部分をそれぞれ除去し、前記第４の工程で形成され
   た第２のシリコン酸化膜をマスクとして、前記第４の工
   程によって第２のシリコン酸化膜にて覆われなかったシ
   リコン層をエッチングして開口領域を形成し、しかる後
   に、該開口領域が形成されたシリコン層をマスクとし
   て、前記第２のシリコン酸化膜と同時に前記層間絶縁膜
   およびゲート酸化膜を順次エッチングにより除去してコ
   ンタクトホールを形成する第５の工程とを含むことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 電極配線が形成された半導体基板上に、
   第１のシリコン酸化膜、ポリシリコン膜および第２のシ
   リコン酸化膜を順次堆積させて層間膜を形成する第１の
   工程と、 所定パターンのマスクを基に前記第１の工程で形成され
   た層間膜を、前記ポリシリコン膜上に選択的保護膜形成
   可能なガスプラズマにより異方的にエッチングし、前記
   第２のシリコン酸化膜に第１の開孔を形成する第２の工
   程と、 前記第２の工程の第１の開孔の形成により露出したポリ
   シリコン膜を、前記第２の工程のガスプラズマによる異
   方的エッチングによって、該露出面の周辺部においては
   該エッチングに用いられたガスの構成元素からなる保護
   膜の形成を行なわせ、中心部においてはエッチングを行
   なわせて、該ポリシリコン膜に前記第２の工程で形成さ
   れた第１の開孔より小さな第２の開孔を形成する第３の
   工程と、 前記ガスプラズマによる異方的エッチングにより、前記
   第２の工程で形成された第２の開孔と同じ大きさの第３
   の開孔を前記第１のシリコン酸化膜に形成する第４の工
   程と、 前記第２のシリコン酸化膜および前記第３の工程でポリ
   シリコン膜上に形成された保護膜を除去し、コンタクト
   ホールを形成する第５の工程とを含んでなることを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 電極配線が形成された半導体基板上に、
   第１のシリコン酸化膜、窒化シリコン膜および第２のシ
   リコン酸化膜を順次堆積させて層間膜を形成する第１の
   工程と、 所定パターンのマスクを基に前記第１の工程で形成され
   た層間膜を、前記窒化シリコン膜上に選択的保護膜形成
   可能なガスプラズマにより異方的にエッチングし、前記
   第２のシリコン酸化膜に第１の開孔を形成する第２の工
   程と、 前記第２の工程の第１の開孔の形成により露出した窒化
   シリコン膜を、前記第２の工程のガスプラズマによる異
   方的エッチングによって、該露出面の周辺部においては
   該エッチングに用いられたガスの構成元素からなる保護
   膜の形成を行なわせ、中心部においてはエッチングを行
   なわせて、該窒化シリコン膜に前記第２の工程で形成さ
   れた第１の開孔より小さな第２の開孔を形成する第３の
   工程と、 前記ガスプラズマによる異方的エッチングにより、前記
   第２の工程で形成された第２の開孔と同じ大きさの第３
   の開孔を前記第１のシリコン酸化膜に形成する第４の工
   程と、 前記第２のシリコン酸化膜および前記第３の工程で窒化
   シリコン膜上に形成された保護膜を除去し、コンタクト
   ホールを形成する第５の工程とを含んでなることを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３または請求項４に記載の半導体
   装置の製造方法において、 ガスプラズマに使用されるガスが、ＣＨＦ3ガスである
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項３または請求項４に記載の半導体
   装置の製造方法において、 ガスプラズマに使用されるガスが、ＣＨＦ3ガスとＣＯ
   ガスとの混合ガスであることを特徴とする半導体装置の
   製造方法。