JP2007251044A - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007251044A JP2007251044A JP2006075324A JP2006075324A JP2007251044A JP 2007251044 A JP2007251044 A JP 2007251044A JP 2006075324 A JP2006075324 A JP 2006075324A JP 2006075324 A JP2006075324 A JP 2006075324A JP 2007251044 A JP2007251044 A JP 2007251044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma etching
- plasma
- gas
- etching
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体ウエハWに形成されたCFx膜101を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとして、CH4とO2とを含む混合ガスを用いる。
【選択図】図1
Description
前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段から供給された前記エッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板をプラズマ処理するプラズマ生成手段と、前記処理チャンバー内で請求項1から請求項3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部とを備えたことを特徴とする。
エッチングガス:CF4 =100sccm、圧力6.65Pa(50mTorr)、電力(上部/下部)=1000/100W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=60mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=20秒。
エッチングガス:CH2F2 /Ar/O2=20/200/15sccm、圧力6.65Pa(50mTorr)、電力(上部/下部)=2000/100W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=55mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=25秒。
エッチングガス:CH4/O2 =450/300sccm、圧力7.98Pa(60mTorr)、電力(上部/下部)=2000/200W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=45mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=45秒。
エッチングガス:N2/H2 =300/300sccm、圧力3.99Pa(30mTorr)、電力(上部/下部)=1500/200W、温度(下部/上部/側壁部)=20/60/50℃、電極間距離=45mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1330/4655Pa(10/35Torr)、エッチング時間=30秒。
Claims (5)
- 被処理基板に形成されたCFx膜を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスとして、CH4とO2とを含む混合ガスを用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスが、さらに水素含有ガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項2記載のプラズマエッチング方法であって、
前記水素含有ガスが、CH3F又はCH2F2あることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 半導体基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給された前記エッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板をプラズマ処理するプラズマ生成手段と、
前記処理チャンバー内で請求項1から請求項3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006075324A JP4800077B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | プラズマエッチング方法 |
US11/687,414 US20070218691A1 (en) | 2006-03-17 | 2007-03-16 | Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006075324A JP4800077B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007251044A true JP2007251044A (ja) | 2007-09-27 |
JP4800077B2 JP4800077B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=38594985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006075324A Expired - Fee Related JP4800077B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4800077B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009129918A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及び記憶媒体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001196455A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Lucent Technol Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2003526897A (ja) * | 1998-10-19 | 2003-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 後続のエッチング中のマスキングとして有用な、またはダマシン構造に有用な、パターニングされた層のエッチング方法 |
-
2006
- 2006-03-17 JP JP2006075324A patent/JP4800077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003526897A (ja) * | 1998-10-19 | 2003-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 後続のエッチング中のマスキングとして有用な、またはダマシン構造に有用な、パターニングされた層のエッチング方法 |
JP2001196455A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Lucent Technol Inc | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009129918A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及び記憶媒体 |
US9130018B2 (en) | 2007-11-19 | 2015-09-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and storage medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4800077B2 (ja) | 2011-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4652140B2 (ja) | プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体 | |
JP6035117B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP4663368B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5373669B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4912907B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP2009206401A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2006203035A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP6017928B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP5064319B2 (ja) | プラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2011192718A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
US7351665B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program, computer recording medium and recording medium having processing recipe recorded thereon | |
JP2010199475A (ja) | プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体 | |
JP4684924B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2008172184A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
US10651077B2 (en) | Etching method | |
JP2007116031A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5840973B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 | |
JP5089871B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7655572B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus, control program and computer storage medium | |
US7883631B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium | |
JP4800077B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP4615290B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP5047644B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
US20070102399A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, control program and computer-readable storage medium | |
JP5058478B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、プラズマ処理方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |