JP4684924B2 - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、SiOCH層に対してSiCN層を選択的にプラズマエッチングするプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体に関する。
従来から半導体装置の製造工程においては、エッチングガスのプラズマを発生させ、このプラズマの作用によってエッチングを行うプラズマエッチングが多用されている。このようなプラズマエッチングにより、低誘電率膜からなる層間絶縁膜にビアホールやトレンチを形成する場合等に、下層にSiCN層を形成しておき、このSiCN層をエッチストッパー層として使用する技術が知られている。また、このようなSiCN層を、CF4単ガスからなるエッチングガスを使用して、プラズマエッチングすることが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2005−33168号公報
上記したエッチストッパー層としてのSiCN層を、プラズマエッチングにより除去する工程(LRM(Liner Removal Step))では、層間絶縁膜としてのSiOCH層に対して選択的にSiCN層をプラズマエッチングすることが望ましい。
しかしながら、上記のCF4の単ガスからなるエッチングガスを使用したプラズマエッチングでは、SiOCH層のエッチングレートに対するSiCN層のエッチングレートの比(選択比)は、0.8程度であり、SiCN層のエッチング中に、不所望に多くのSiOCH層がエッチングされてしまうという課題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、従来に比べてSiOCHに対するSiCNの選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供することを目的とする。
請求項1記載のプラズマエッチング方法は、SiOCH層とSiCN層が形成された被処理基板の前記SiCN層を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスとして、CF ガスとNF ガスの混合ガスを用い、前記SiOCH層に対して前記SiCN層を選択的にプラズマエッチングすることを特徴とする。
請求項2記載のプラズマエッチング方法は、トレンチとビアホールが形成されたSiOCH層の下層にエッチストッパー層としてSiCN層が形成された被処理基板の前記SiCN層を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスとして、CF ガスとNF ガスの混合ガスを用い、前記SiOCH層に対して前記SiCN層を選択的にプラズマエッチングすることを特徴とする。
請求項3記載のプラズマエッチング方法は、請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法であって、SiOCHに対するSiCNの選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)が1.1以上であることを特徴とする。
請求項4記載のプラズマエッチング方法は、請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスのCF ガス流量に対するNF ガス流量が6%以上であることを特徴とする。
請求項5記載のプラズマエッチング方法は、 請求項1〜4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、処理チャンバー内に上部電極と下部電極とが対向配置され、前記下部電極上に前記被処理基板が配置されて、前記上部電極又は前記下部電極にプラズマ発生用の第1の高周波電力が印加されるとともに、前記下部電極に前記第1の高周波電力より周波数の低いイオン引き込み用の第2の高周波電力が印加されるプラズマエッチング装置を使用し、前記下部電極に印加される第2の高周波電力が、1平方センチメートルあたり0.42W以下であることを特徴とする。
請求項6記載のプラズマエッチング装置は、半導体基板を収容する処理チャンバーと、 前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段から供給された前記エッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板をプラズマ処理するプラズマ生成手段と、前記処理チャンバー内で請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部とを備えたことを特徴とする。
請求項7記載のコンピュータ記憶媒体は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする。
本発明によれば、従来に比べてSiOCHに対するSiCNの選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマエッチング方法における半導体ウエハ(半導体基板)Wの断面構成を拡大して示すものであり、図2は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示すものである。まず、図2を参照してプラズマエッチング装置の構成について説明する。
プラズマエッチング装置1は、電極板が上下平行に対向し、プラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
プラズマエッチング装置1は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー(処理容器)2を有しており、この処理チャンバー2は接地されている。処理チャンバー2内の底部にはセラミックなどの絶縁板3を介して、被処理物、例えば半導体ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ支持台4が設けられている。さらに、このサセプタ支持台4の上には、下部電極を構成するサセプタ5が設けられている。このサセプタ5には、ハイパスフィルター(HPF)6が接続されている。
サセプタ支持台4の内部には、冷媒室7が設けられており、この冷媒室7には、冷媒が冷媒導入管8を介して導入されて循環し冷媒排出管9から排出される。そして、その冷熱がサセプタ5を介して半導体ウエハWに対して伝熱され、これにより半導体ウエハWが所望の温度に制御される。
サセプタ5は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハWと略同形の静電チャック11が設けられている。静電チャック11は、絶縁材の間に電極12を配置して構成されている。そして、電極12に接続された直流電源13から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハWを静電吸着する。
絶縁板3、サセプタ支持台4、サセプタ5、静電チャック11には、半導体ウエハWの裏面に、伝熱媒体(例えばHeガス等)を供給するためのガス通路14が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ5の冷熱が半導体ウエハWに伝達され半導体ウエハWが所定の温度に維持されるようになっている。
サセプタ5の上端周縁部には、静電チャック11上に載置された半導体ウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング15が配置されている。このフォーカスリング15は、例えば、シリコンなどの導電性材料から構成されており、エッチングの均一性を向上させる作用を有する。
サセプタ5の上方には、このサセプタ5と平行に対向して上部電極21が設けられている。この上部電極21は、絶縁材22を介して、処理チャンバー2の上部に支持されている。上部電極21は、電極板24と、この電極板24を支持する導電性材料からなる電極支持体25とによって構成されている。電極板24は、例えば、SiやSiC等の導電体または半導体で構成され、多数の吐出孔23を有する。この電極板24は、サセプタ5との対向面を形成する。
上部電極21における電極支持体25の中央にはガス導入口26が設けられ、このガス導入口26には、ガス供給管27が接続されている。さらにこのガス供給管27には、バルブ28、並びにマスフローコントローラ29を介して、処理ガス供給源30が接続されている。処理ガス供給源30から、プラズマエッチング処理のためのエッチングガスが供給される。
処理チャンバー2の底部には排気管31が接続されており、この排気管31には排気装置35が接続されている。排気装置35はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー2内を所定の減圧雰囲気、例えば1Pa以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー2の側壁にはゲートバルブ32が設けられており、このゲートバルブ32を開にした状態で半導体ウエハWが隣接するロードロック室(図示せず)との間で搬送されるようになっている。
上部電極21には、第1の高周波電源40が接続されており、その給電線には整合器41が介挿されている。また、上部電極21にはローパスフィルター(LPF)42が接続されている。この第1の高周波電源40は、50〜150MHzの範囲の周波数を有している。このように高い周波数を印加することにより処理チャンバー2内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
下部電極としてのサセプタ5には、第2の高周波電源50が接続されており、その給電線には整合器51が介挿されている。この第2の高周波電源50は、第1の高周波電源40より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体である半導体ウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第2の高周波電源50の周波数は1〜20MHzの範囲が好ましい。
上記構成のプラズマエッチング装置1は、制御部60によって、その動作が統括的に制御される。この制御部60には、CPUを備えプラズマエッチング装置1の各部を制御するプロセスコントローラ61と、ユーザインタフェース62と、記憶部63とが設けられている。
ユーザインタフェース62は、工程管理者がプラズマエッチング装置1を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部63には、プラズマエッチング装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラ61の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース62からの指示等にて任意のレシピを記憶部63から呼び出してプロセスコントローラ61に実行させることで、プロセスコントローラ61の制御下で、プラズマエッチング装置1での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体(例えば、ハードディスク、CD、フレキシブルディスク、半導体メモリ等)などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
上記構成のプラズマエッチング装置1によって、半導体ウエハWのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハWは、ゲートバルブ32が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー2内へと搬入され、静電チャック11上に載置される。そして、直流電源13から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハWが静電チャック11上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ32が閉じられ、排気装置35によって、処理チャンバー2内が所定の真空度まで真空引きされる。
その後、バルブ28が開放されて、処理ガス供給源30から所定のエッチングガスが、マスフローコントローラ29によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管27、ガス導入口26を通って上部電極21の中空部へと導入され、さらに電極板24の吐出孔23を通って、図2の矢印に示すように、半導体ウエハWに対して均一に吐出される。
そして、処理チャンバー2内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第1の高周波電源40から所定の周波数の高周波電力が上部電極21に印加される。これにより、上部電極21と下部電極としてのサセプタ5との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。
他方、第2の高周波電源50から、上記の第1の高周波電源40より低い周波数の高周波電力が下部電極であるサセプタ5に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ5側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー2内から搬出される。
次に、図1を参照して、本実施形態に係るプラズマエッチング方法について説明する。図1(a)に示すように、被処理基板としての半導体ウエハWの表面には、下側から順に、銅等の金属からなる導体層101、エッチストッパー層としてのSiCN層102、層間絶縁膜としてのSiOCH層103が形成されている。また、SiOCH層103には、ビアホール111とトレンチ110が形成されている。そして、この状態から、SiCN層102をプラズマエッチングにより除去し、図1(b)に示す状態とする。
実施例1として、図2に示したプラズマエッチング装置1を使用し、図1に示した構造の半導体ウエハW(直径30cm)に、プラズマエッチングを、以下に示すようなレシピにより実施した。
なお、以下に示される各実施例の処理レシピは、制御部60の記憶部63から読み出されて、プロセスコントローラ61に取り込まれ、プロセスコントローラ61がプラズマエッチング装置1の各部を制御プログラムに基づいて制御することにより、読み出された処理レシピ通りのプラズマエッチング工程が実行される。
エッチングガス:CF4 /NF3=150/50sccm、圧力13.3Pa(100mTorr)、電力(上部/下部)=450/300W、温度(下部/上部/側壁部)=40/60/60℃、電極間距離=35mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1995/5320Pa(15/40Torr)、エッチング時間=15秒。
上記のプラズマエッチングにおけるSiCNのエッチングレートは、292nm/min、SiOCHのエッチングレートは、160nm/min、選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)は、1.8であった。
次に、比較例1として、上記のエッチングガス中のNF3を除き、CF4単ガスとした点以外は上記の実施例と同じ条件として、プラズマエッチングを行った。このプラズマエッチングにおけるSiCNのエッチングレートは、130nm/min、SiOCHのエッチングレートは、160nm/min、選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)は、0.8であった。したがって、上記実施例では、比較例1に比べて2倍以上の選択比であった。
次に、実施例2,3として、NF3の流量を20sccm、10sccmに減少させた以外は、上記の実施例1と同じ条件としてプラズマエッチングを行った。この結果、実施例2(NF3流量=20sccm)では、SiCNのエッチングレートは、238nm/min、SiOCHのエッチングレートは、160nm/min、選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)は、1.5であった。また、実施例3(NF3流量=10sccm)では、SiCNのエッチングレートは、162nm/min、SiOCHのエッチングレートは、132nm/min、選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)は、1.2であった。
図3のグラフは、縦軸を選択比、横軸をNF3の流量として、上記の実施例1〜3と、比較例の選択比の結果をプロットしたものである。このグラフに示されるように、上記の範囲においては、NF3の流量を増大させるに従って、選択比が向上する。また、選択比が1よりも大きくなり、選択性が発揮されて選択比が1.1以上となるためには、NF3の流量を9sccm以上とすれば良く、CF4 流量(150sccm)に対する流量比で表せば6%以上となる。したがって、NF3の流量は、CF4 流量に対して流量比で6%以上とすることが好ましい。また、7%以上とすると、選択比を1.2以上とすることができるのでさらに好ましい。
比較例2,3,4として、上記実施例1におけるNF3の代わりに、N2(流量=150sccm)を添加した比較例2、CH22(流量=10sccm)を添加した比較例3、CO(流量=100sccm)を添加した比較例3について同様なプラズマエッチングを行った。この結果、これらの比較例2,3,4では、いずれも選択比が1.0となり、選択比を1.1以上とすることができなかった。
次に、実施例4として、以下の条件でプラズマエッチングを行った。エッチングガス:CF4 /NF3=150/50sccm、圧力13.3Pa(100mTorr)、電力(上部/下部)=450/200W、温度(下部/上部/側壁部)=40/60/60℃、電極間距離=35mm、冷却用ヘリウム圧力(中央部/周辺部)=1995/5320Pa(15/40Torr)、エッチング時間=15秒。
すなわち、上記の実施例4では、実施例1に比べて下部電極の電力を300Wから200Wに低下させたもので、他の条件については、実施例1と同一である。この結果、SiCNのエッチングレートは、190nm/min、SiOCHのエッチングレートは、60nm/min、選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)は、3.2であった。この結果から、下部電極の電力は、ある程度低い方が選択比は向上することが分かった。このため下部電極の電力は、直径30cmの半導体ウエハWについて、300W以下(1平方センチメートルあたり0.42W以下)とすることが好ましく、さらには、200W以下(1平方センチメートルあたり0.28W以下)とすることが好ましい。
以上説明したとおり、本実施形態によれば、従来に比べてSiOCHに対するSiCNの選択比を向上させることができた。なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマエッチング装置は、図2に示した平行平板型の上下部高周波印加型に限らず、各種のプラズマエッチング装置を使用することができる。
本発明の実施形態のエッチング方法に係る半導体ウエハの断面構成を示す図。 本発明の実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示す図。 NF3の流量と選択比の関係を示すグラフ。
符号の説明
101……導体層、102……SiCN層、103……SiOCH層、110……トレンチ、111……ビアホール。

Claims (7)

  1. SiOCH層とSiCN層が形成された被処理基板の前記SiCN層を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
    前記エッチングガスとして、CF ガスとNF ガスの混合ガスを用い、前記SiOCH層に対して前記SiCN層を選択的にプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
  2. トレンチとビアホールが形成されたSiOCH層の下層にエッチストッパー層としてSiCN層が形成された被処理基板の前記SiCN層を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
    前記エッチングガスとして、CF ガスとNF ガスの混合ガスを用い、前記SiOCH層に対して前記SiCN層を選択的にプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
  3. 請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法であって、
    SiOCHに対するSiCNの選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)が1.1以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
  4. 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
    前記エッチングガスのCF ガス流量に対するNF ガス流量が6%以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
  5. 請求項1〜4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
    処理チャンバー内に上部電極と下部電極とが対向配置され、前記下部電極上に前記被処理基板が配置されて、前記上部電極又は前記下部電極にプラズマ発生用の第1の高周波電力が印加されるとともに、前記下部電極に前記第1の高周波電力より周波数の低いイオン引き込み用の第2の高周波電力が印加されるプラズマエッチング装置を使用し、前記下部電極に印加される第2の高周波電力が、1平方センチメートルあたり0.42W以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
  6. 半導体基板を収容する処理チャンバーと、
    前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給する処理ガス供給手段と、
    前記処理ガス供給手段から供給された前記エッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板をプラズマ処理するプラズマ生成手段と、
    前記処理チャンバー内で請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
    を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
  7. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
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