JP4684924B2 - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4684924B2 JP4684924B2 JP2006072683A JP2006072683A JP4684924B2 JP 4684924 B2 JP4684924 B2 JP 4684924B2 JP 2006072683 A JP2006072683 A JP 2006072683A JP 2006072683 A JP2006072683 A JP 2006072683A JP 4684924 B2 JP4684924 B2 JP 4684924B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- plasma etching
- etching
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
Claims (7)
- SiOCH層とSiCN層が形成された被処理基板の前記SiCN層を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスとして、CF4 ガスとNF3 ガスの混合ガスを用い、前記SiOCH層に対して前記SiCN層を選択的にプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - トレンチとビアホールが形成されたSiOCH層の下層にエッチストッパー層としてSiCN層が形成された被処理基板の前記SiCN層を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスとして、CF4 ガスとNF3 ガスの混合ガスを用い、前記SiOCH層に対して前記SiCN層を選択的にプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法であって、
SiOCHに対するSiCNの選択比(SiCNのエッチングレート/SiOCHのエッチングレート)が1.1以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスのCF4 ガス流量に対するNF3 ガス流量が6%以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
処理チャンバー内に上部電極と下部電極とが対向配置され、前記下部電極上に前記被処理基板が配置されて、前記上部電極又は前記下部電極にプラズマ発生用の第1の高周波電力が印加されるとともに、前記下部電極に前記第1の高周波電力より周波数の低いイオン引き込み用の第2の高周波電力が印加されるプラズマエッチング装置を使用し、前記下部電極に印加される第2の高周波電力が、1平方センチメートルあたり0.42W以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 半導体基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給された前記エッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板をプラズマ処理するプラズマ生成手段と、
前記処理チャンバー内で請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項5いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006072683A JP4684924B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
US11/682,935 US20070218698A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-03-07 | Plasma etching method, plasma etching apparatus, and computer-readable storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006072683A JP4684924B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007250861A JP2007250861A (ja) | 2007-09-27 |
JP4684924B2 true JP4684924B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=38594828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006072683A Expired - Fee Related JP4684924B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4684924B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101240818B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2013-03-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
US8252696B2 (en) * | 2007-10-22 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of silicon nitride |
JP5544893B2 (ja) | 2010-01-20 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び記憶媒体 |
US9390937B2 (en) * | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033168A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の金属配線の形成方法 |
JP2006032568A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nec Electronics Corp | ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
JP2006041039A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007250873A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
-
2006
- 2006-03-16 JP JP2006072683A patent/JP4684924B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033168A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の金属配線の形成方法 |
JP2006032568A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nec Electronics Corp | ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
JP2006041039A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007250873A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007250861A (ja) | 2007-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6035117B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP4652140B2 (ja) | プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体 | |
JP4663368B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP4912907B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP2006203035A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
TWI756424B (zh) | 電漿處理裝置之洗淨方法 | |
JP5064319B2 (ja) | プラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5713808B2 (ja) | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2010199475A (ja) | プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体 | |
US7351665B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program, computer recording medium and recording medium having processing recipe recorded thereon | |
JP4684924B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2019012732A (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
JP2008172184A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2007116031A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5089871B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20070049013A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, control program and computer storage medium | |
US7655572B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus, control program and computer storage medium | |
US7883631B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium | |
JP4615290B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP4800077B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
US20070218698A1 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, and computer-readable storage medium | |
JP5058478B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、プラズマ処理方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
US20070102399A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, control program and computer-readable storage medium | |
JP4772456B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5047644B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4684924 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |