JPH09270419A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
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- JPH09270419A JPH09270419A JP7884696A JP7884696A JPH09270419A JP H09270419 A JPH09270419 A JP H09270419A JP 7884696 A JP7884696 A JP 7884696A JP 7884696 A JP7884696 A JP 7884696A JP H09270419 A JPH09270419 A JP H09270419A
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- layer
- etching
- plasma etching
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３層レジストの下層レジスト層のパターニン
グにおける、寸法変換差ΔＣＤおよび選択比の問題を解
決する。 【解決手段】 段差を有する下地材料層２上の平坦化さ
れた下層レジスト層３を、ＣＳ2 等の硫化炭素、あるい
はＣｌ2 Ｏ等の酸化塩素化合物を用いてプラズマエッチ
ングする。被エッチング基板を低温冷却してもよい。 【効果】 側壁保護膜６の強化により、異方性が向上す
るとともに、基板バイアスを低減できるので、下地材料
層２のスパッタリングや、中間層パターン４ａの後退を
防止できる。
グにおける、寸法変換差ΔＣＤおよび選択比の問題を解
決する。 【解決手段】 段差を有する下地材料層２上の平坦化さ
れた下層レジスト層３を、ＣＳ2 等の硫化炭素、あるい
はＣｌ2 Ｏ等の酸化塩素化合物を用いてプラズマエッチ
ングする。被エッチング基板を低温冷却してもよい。 【効果】 側壁保護膜６の強化により、異方性が向上す
るとともに、基板バイアスを低減できるので、下地材料
層２のスパッタリングや、中間層パターン４ａの後退を
防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程等に用いられるプラズマエッチング方法に関し、さら
に詳しくは、例えば多層レジストプロセスにおいて有機
高分子材料層である下層レジストをパターニングする際
に好適に適用されるプラズマエッチング方法に関する。
程等に用いられるプラズマエッチング方法に関し、さら
に詳しくは、例えば多層レジストプロセスにおいて有機
高分子材料層である下層レジストをパターニングする際
に好適に適用されるプラズマエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置のデザインルール
がハーフミクロンからクォータミクロンあるいはそれ以
下のレベルへと微細化し、かつ数層におよぶ多層配線構
造が採用されるに伴い、フォトリソグラフィやプラズマ
エッチング等の微細加工技術に対する要求精度は一段と
厳しさを増している。フォトリソグラフィ分野において
は、近年高解像度を求める結果露光波長が短波長化して
ＤＯＦ(Depth of Forcus) マージンが低下しているこ
と、および多層配線構造の採用により下地材料層の表面
段差が増大していること等があいまって、多層レジスト
プロセスの使用が必須となりつつある。多層レジストプ
ロセスとは、３層レジストを例にとると、下地材料層の
表面段差を吸収して平坦面を得るための厚い下層レジス
トと、この下層レジストをパターニングする際の実質的
なエッチングマスクとなる薄い無機材料層からなる中間
層と、高解像度が得られる上層レジストからなるもので
あり、例えばJ.M.MorranらによりJ.Vac.Sci.Tech.,16,1
620(1979) に報告されている。
がハーフミクロンからクォータミクロンあるいはそれ以
下のレベルへと微細化し、かつ数層におよぶ多層配線構
造が採用されるに伴い、フォトリソグラフィやプラズマ
エッチング等の微細加工技術に対する要求精度は一段と
厳しさを増している。フォトリソグラフィ分野において
は、近年高解像度を求める結果露光波長が短波長化して
ＤＯＦ(Depth of Forcus) マージンが低下しているこ
と、および多層配線構造の採用により下地材料層の表面
段差が増大していること等があいまって、多層レジスト
プロセスの使用が必須となりつつある。多層レジストプ
ロセスとは、３層レジストを例にとると、下地材料層の
表面段差を吸収して平坦面を得るための厚い下層レジス
トと、この下層レジストをパターニングする際の実質的
なエッチングマスクとなる薄い無機材料層からなる中間
層と、高解像度が得られる上層レジストからなるもので
あり、例えばJ.M.MorranらによりJ.Vac.Sci.Tech.,16,1
620(1979) に報告されている。
【０００３】３層レジストプロセスにおいては、まず上
層レジストを所定の微細形状に露光、現像してパターニ
ングし、これをエッチングマスクとして中間層をＲＩＥ
(Reactive Ion Etching)等でパターニングし、さらにこ
の中間層パターンを実質的なエッチングマスクとし、酸
化性ガス等により異方性エッチングして下層レジストを
パターニングする。したがって、上層レジストパターン
形状が忠実に下層レジストパターンに転写されるよう
に、寸法変換差（ΔＣＤ）の小さいプラズマエッチング
方法が望まれる。
層レジストを所定の微細形状に露光、現像してパターニ
ングし、これをエッチングマスクとして中間層をＲＩＥ
(Reactive Ion Etching)等でパターニングし、さらにこ
の中間層パターンを実質的なエッチングマスクとし、酸
化性ガス等により異方性エッチングして下層レジストを
パターニングする。したがって、上層レジストパターン
形状が忠実に下層レジストパターンに転写されるよう
に、寸法変換差（ΔＣＤ）の小さいプラズマエッチング
方法が望まれる。
【０００４】ところで、有機高分子材料層である厚い下
層レジストを、Ｏ2 等の酸化性ガスにより高速で、しか
も異方性よくパターニングするプラズマエッチング方法
は、互いに相矛盾する問題点を含んでいる。すなわち、
高エッチングレートを目的として高ガス圧条件とし、ラ
ジカル反応を優先したプラズマエッチング条件を採用す
ると、酸素ラジカル（Ｏ* ）による等方的酸化反応によ
るアンダーカットが発生し、下層レジストパターン形状
が悪化する。一方異方性を向上するため、低ガス圧かつ
高バイアスでの酸素イオン（Ｏ+ ）のスパッタリングを
主体とするプラズマエッチング条件では、下地材料層お
よびエッチングマスクである中間層パターンとの選択比
低下を招き、特にオーバーエッチング時に金属配線等か
らなる下地材料層をスパッタリングする問題がある。こ
の下地材料層のスパッタリングによる問題点を図２を参
照して説明する。
層レジストを、Ｏ2 等の酸化性ガスにより高速で、しか
も異方性よくパターニングするプラズマエッチング方法
は、互いに相矛盾する問題点を含んでいる。すなわち、
高エッチングレートを目的として高ガス圧条件とし、ラ
ジカル反応を優先したプラズマエッチング条件を採用す
ると、酸素ラジカル（Ｏ* ）による等方的酸化反応によ
るアンダーカットが発生し、下層レジストパターン形状
が悪化する。一方異方性を向上するため、低ガス圧かつ
高バイアスでの酸素イオン（Ｏ+ ）のスパッタリングを
主体とするプラズマエッチング条件では、下地材料層お
よびエッチングマスクである中間層パターンとの選択比
低下を招き、特にオーバーエッチング時に金属配線等か
らなる下地材料層をスパッタリングする問題がある。こ
の下地材料層のスパッタリングによる問題点を図２を参
照して説明する。
【０００５】図２（ａ）は３層レジストプロセスにおい
て、上層レジストパターン５がパターニングされた被エ
ッチング基板の概略断面を示すものである。すなわち、
例えば高段差を有する層間絶縁膜１上にこの段差になら
ったＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等からなる下地材料層２を形
成する。この下地材料層２をパターニングしてＡｌ系金
属配線とする場合に、３層レジストプロセスが適用され
る。まず下地材料層２表面の段差を吸収して平坦な表面
を形成しうるに充分な厚さを有する下層レジスト層３、
無機系材料層からなる薄い中間層４および微細幅の上層
レジストパターン５を形成する。つぎに上層レジストパ
ターン５をエッチングマスクとして、中間層４をパター
ニングして中間層パターン４ａを形成する。この状態を
図２（ｂ）に示す。中間層パターンの寸法変換差は、そ
の層厚が小さいこともあり問題とならない量である。つ
ぎに下層レジスト層３をＯ2 等により異方性エッチング
する。このエッチング工程では、中途で上層レジストパ
ターン５はエッチオフされ、その後は露出した中間層パ
ターン４ａが実質的なエッチングマスクとなって異方性
エッチングが継続される。この下層レジスト層３は、下
地材料層２の段差を吸収するために充分な厚さに形成し
たものであるので、その膜厚は段差凸部では比較的薄
く、段差凹部では厚い。したがって、下地材料層２の段
差凸部領域では下層レジストパターン３ａが先に完成さ
れ、下地材料層２の段差上部が露出する。この状態を図
２（ｃ）に示す。続けて下地材料層２の段差凹部に残存
する下層レジスト層３の異方性エッチングを続行して下
層レジストパターン３ｂを完成する。この段階において
は、段差凸部においてはすでに露出した下地材料層２が
大きな入射イオンエネルギを有するイオン照射によるオ
ーバーエッチングを受ける。このため段差凸部の下地材
料層表面はスパッタリングされて削られ、スパッタリン
グ生成物の一部は下層レジストパターン３ａの側壁に再
付着し、図２（ｄ）に示すように再付着物層２ａを形成
する。
て、上層レジストパターン５がパターニングされた被エ
ッチング基板の概略断面を示すものである。すなわち、
例えば高段差を有する層間絶縁膜１上にこの段差になら
ったＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等からなる下地材料層２を形
成する。この下地材料層２をパターニングしてＡｌ系金
属配線とする場合に、３層レジストプロセスが適用され
る。まず下地材料層２表面の段差を吸収して平坦な表面
を形成しうるに充分な厚さを有する下層レジスト層３、
無機系材料層からなる薄い中間層４および微細幅の上層
レジストパターン５を形成する。つぎに上層レジストパ
ターン５をエッチングマスクとして、中間層４をパター
ニングして中間層パターン４ａを形成する。この状態を
図２（ｂ）に示す。中間層パターンの寸法変換差は、そ
の層厚が小さいこともあり問題とならない量である。つ
ぎに下層レジスト層３をＯ2 等により異方性エッチング
する。このエッチング工程では、中途で上層レジストパ
ターン５はエッチオフされ、その後は露出した中間層パ
ターン４ａが実質的なエッチングマスクとなって異方性
エッチングが継続される。この下層レジスト層３は、下
地材料層２の段差を吸収するために充分な厚さに形成し
たものであるので、その膜厚は段差凸部では比較的薄
く、段差凹部では厚い。したがって、下地材料層２の段
差凸部領域では下層レジストパターン３ａが先に完成さ
れ、下地材料層２の段差上部が露出する。この状態を図
２（ｃ）に示す。続けて下地材料層２の段差凹部に残存
する下層レジスト層３の異方性エッチングを続行して下
層レジストパターン３ｂを完成する。この段階において
は、段差凸部においてはすでに露出した下地材料層２が
大きな入射イオンエネルギを有するイオン照射によるオ
ーバーエッチングを受ける。このため段差凸部の下地材
料層表面はスパッタリングされて削られ、スパッタリン
グ生成物の一部は下層レジストパターン３ａの側壁に再
付着し、図２（ｄ）に示すように再付着物層２ａを形成
する。
【０００６】この再付着物層２ａは、下地材料層が金属
配線材料である場合には除去が困難であるばかりか、レ
ジストマスク３ａの剥離を妨害し、パーティクル汚染源
となる。また再付着物層２ａは下層レジストパターン３
ａの実質的な線幅を太らせるので、寸法変換差を発生す
る。
配線材料である場合には除去が困難であるばかりか、レ
ジストマスク３ａの剥離を妨害し、パーティクル汚染源
となる。また再付着物層２ａは下層レジストパターン３
ａの実質的な線幅を太らせるので、寸法変換差を発生す
る。
【０００７】この再付着物層２ａの問題は、例えば第３
３回応用物理学関係連合講演会（１９８６年春季年会）
講演予稿集ｐ５４２、講演番号２ｐ−Ｑ−８でも指摘さ
れている。再付着物層２ａの形成を防止するためには、
入射イオンエネルギの低減が有効なことは明らかである
が、かかる手法ではラジカル反応が優勢となり、異方性
が低下し、下層レジストパターンにアンダーカットが発
生する。したがって、多層レジストプロセスにおいて入
射イオンエネルギの低減すなわち、高選択比と、高異方
性とを両立できるプラズマエッチング方法が求められて
いる。
３回応用物理学関係連合講演会（１９８６年春季年会）
講演予稿集ｐ５４２、講演番号２ｐ−Ｑ−８でも指摘さ
れている。再付着物層２ａの形成を防止するためには、
入射イオンエネルギの低減が有効なことは明らかである
が、かかる手法ではラジカル反応が優勢となり、異方性
が低下し、下層レジストパターンにアンダーカットが発
生する。したがって、多層レジストプロセスにおいて入
射イオンエネルギの低減すなわち、高選択比と、高異方
性とを両立できるプラズマエッチング方法が求められて
いる。
【０００８】かかる相反する要望に応えるプラズマエッ
チング方法として、本出願人はすでにＯ2 に塩素系ガス
や臭素系ガスを添加し、レジストとエッチングガスの反
応生成物である塩素や臭素を含むポリマを側壁保護膜と
し用いる方法を、特開平２−２４４６２５号公報および
特開平４−１７１７２６号公報として開示した。この技
術によれば、ラジカル反応を側壁保護膜により防止し、
エッチングレートを実用上支障ない程度に確保した上で
イオン入射エネルギを低減することが可能となった。
チング方法として、本出願人はすでにＯ2 に塩素系ガス
や臭素系ガスを添加し、レジストとエッチングガスの反
応生成物である塩素や臭素を含むポリマを側壁保護膜と
し用いる方法を、特開平２−２４４６２５号公報および
特開平４−１７１７２６号公報として開示した。この技
術によれば、ラジカル反応を側壁保護膜により防止し、
エッチングレートを実用上支障ない程度に確保した上で
イオン入射エネルギを低減することが可能となった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置の高集積化が一層進み下地材料層の段差が増大しつ
つある状況下においては、１００％を超えるオーバーエ
ッチングを必要とするケースもあり、下地材料層の種類
によっては上述した技術によっても充分に対応できない
場合も起こり得る。すなわち、例えばスパッタリングさ
れ易いＣｕを含む配線材料層を長時間のオーバーエッチ
ングに曝す場合等がこれに相当する。叙上の技術でかか
る高段差を有するＣｕを含む配線材料層表面を長時間の
オーバーエッチングに曝す場合には、Ｃｌ2 やＨＢｒ等
の混合比を増大しなければならず、エッチングレートの
低下や、側壁保護膜の膜厚増加によるパーティクルレベ
ルの悪化や寸法変換差の発生の懸念もある。
装置の高集積化が一層進み下地材料層の段差が増大しつ
つある状況下においては、１００％を超えるオーバーエ
ッチングを必要とするケースもあり、下地材料層の種類
によっては上述した技術によっても充分に対応できない
場合も起こり得る。すなわち、例えばスパッタリングさ
れ易いＣｕを含む配線材料層を長時間のオーバーエッチ
ングに曝す場合等がこれに相当する。叙上の技術でかか
る高段差を有するＣｕを含む配線材料層表面を長時間の
オーバーエッチングに曝す場合には、Ｃｌ2 やＨＢｒ等
の混合比を増大しなければならず、エッチングレートの
低下や、側壁保護膜の膜厚増加によるパーティクルレベ
ルの悪化や寸法変換差の発生の懸念もある。
【００１０】本発明はこのような背景技術から提案する
ものであり、過剰のＯ* による異方性形状の劣化を防止
し、また高イオンエネルギの入射イオンによる下地材料
層のスパッタリングや再付着を防止し、中間層パターン
の後退による寸法変換差も防止し、なおかつ実用的なエ
ッチングレートを確保し得るクリーンな有機高分子材料
層の異方性エッチング方法を提供することである。
ものであり、過剰のＯ* による異方性形状の劣化を防止
し、また高イオンエネルギの入射イオンによる下地材料
層のスパッタリングや再付着を防止し、中間層パターン
の後退による寸法変換差も防止し、なおかつ実用的なエ
ッチングレートを確保し得るクリーンな有機高分子材料
層の異方性エッチング方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマエッチ
ング方法は上述の課題を解決するために提案するもので
あり、第１の発明においては、下地材料層上に形成され
た有機高分子材料層を、この有機高分子材料層上に選択
的に形成された無機材料層パターンをエッチングマスク
としてパターニングするプラズマエッチング方法におい
て、少なくとも炭素とイオウとを構成元素とする化合物
を含むエッチングガスを用い、この有機高分子材料層を
パターニングすることを特徴とする。
ング方法は上述の課題を解決するために提案するもので
あり、第１の発明においては、下地材料層上に形成され
た有機高分子材料層を、この有機高分子材料層上に選択
的に形成された無機材料層パターンをエッチングマスク
としてパターニングするプラズマエッチング方法におい
て、少なくとも炭素とイオウとを構成元素とする化合物
を含むエッチングガスを用い、この有機高分子材料層を
パターニングすることを特徴とする。
【００１２】また本発明のプラズマエッチング方法（第
２の発明）は、下地材料層上に形成された有機高分子材
料層を、この有機高分子材料層上に選択的に形成された
無機材料層パターンをエッチングマスクとしてパターニ
ングするプラズマエッチング方法において、少なくとも
塩素と酸素とを構成元素とする化合物を含むエッチング
ガスを用い、この有機高分子材料層をパターニングする
ことを特徴とする。
２の発明）は、下地材料層上に形成された有機高分子材
料層を、この有機高分子材料層上に選択的に形成された
無機材料層パターンをエッチングマスクとしてパターニ
ングするプラズマエッチング方法において、少なくとも
塩素と酸素とを構成元素とする化合物を含むエッチング
ガスを用い、この有機高分子材料層をパターニングする
ことを特徴とする。
【００１３】さらに本発明のプラズマエッチング方法
（第３の発明）は、下地材料層上に形成された有機高分
子材料層を、この有機高分子材料層上に選択的に形成さ
れた無機材料層パターンをエッチングマスクとしてパタ
ーニングするプラズマエッチング方法において、少なく
とも炭素とイオウとを構成元素とする化合物とともに、
塩素と酸素とを構成元素とする化合物を含むエッチング
ガスを用い、この有機高分子材料層をパターニングする
ことを特徴とする。
（第３の発明）は、下地材料層上に形成された有機高分
子材料層を、この有機高分子材料層上に選択的に形成さ
れた無機材料層パターンをエッチングマスクとしてパタ
ーニングするプラズマエッチング方法において、少なく
とも炭素とイオウとを構成元素とする化合物とともに、
塩素と酸素とを構成元素とする化合物を含むエッチング
ガスを用い、この有機高分子材料層をパターニングする
ことを特徴とする。
【００１４】本発明で採用する炭素とイオウとを構成元
素とする化合物は、ＣＳ2 （ｍｐ＝−１１０．８℃、ｂ
ｐ＝４６．３℃）およびＣ3 Ｓ2 （ｍｐ＝−０．５℃）
のうちのすくなくとも何れか一種である。また本発明で
採用する塩素と炭素とを構成元素とする化合物は、Ｃｌ
2 Ｏ（ｍｐ＝−２０℃）、ＣｌＯ2 （ｍｐ−−５９．５
℃）およびＣｌ2Ｏ7 （ｍｐ＝−９１．５℃、ｂｐ＝８
２℃）のうちのすくなくとも何れか一種である。
素とする化合物は、ＣＳ2 （ｍｐ＝−１１０．８℃、ｂ
ｐ＝４６．３℃）およびＣ3 Ｓ2 （ｍｐ＝−０．５℃）
のうちのすくなくとも何れか一種である。また本発明で
採用する塩素と炭素とを構成元素とする化合物は、Ｃｌ
2 Ｏ（ｍｐ＝−２０℃）、ＣｌＯ2 （ｍｐ−−５９．５
℃）およびＣｌ2Ｏ7 （ｍｐ＝−９１．５℃、ｂｐ＝８
２℃）のうちのすくなくとも何れか一種である。
【００１５】本発明の一実施態様においては、被エッチ
ング基板を室温以下、即ち通常の半導体装置の製造工程
で用いられるクリーンルームの室温である例えば２０〜
２５℃以下に制御しつつプラズマエッチングすることが
望ましい。
ング基板を室温以下、即ち通常の半導体装置の製造工程
で用いられるクリーンルームの室温である例えば２０〜
２５℃以下に制御しつつプラズマエッチングすることが
望ましい。
【００１６】つぎに作用の説明に移る。第１の発明にお
いては、硫化炭素系化合物がプラズマ中に生成する炭素
を、レジストマスクの分解生成物（炭素系ポリマ）から
なる側壁保護膜の構成元素の一部として供給することに
より、その膜質を強化する。特に、エッチングガス中に
塩素系ガスや臭素系ガスを添加する場合には、塩素や臭
素を含む炭素系ポリマ中のハロゲン元素含有量を低減
し、炭素原子濃度を高めその膜質を強化する。したがっ
て、側壁保護膜の膜質強化により、下層レジストパター
ン側面へのラジカル反応やイオン入射に対する耐性が高
まる。また異方性加工に必要な入射イオンエネルギを低
減でき、中間層パターンや下地材料層に対する選択比が
向上する。また下地材料層のスパッタリングによる再付
着も効果的に抑制できる。さらに側壁保護膜の膜質が強
固になるのでその堆積量を低減しても異方性、選択比は
確保でき、エッチングレートの低下を招く虞れもなくな
り、パーティクル汚染低減にも寄与する。
いては、硫化炭素系化合物がプラズマ中に生成する炭素
を、レジストマスクの分解生成物（炭素系ポリマ）から
なる側壁保護膜の構成元素の一部として供給することに
より、その膜質を強化する。特に、エッチングガス中に
塩素系ガスや臭素系ガスを添加する場合には、塩素や臭
素を含む炭素系ポリマ中のハロゲン元素含有量を低減
し、炭素原子濃度を高めその膜質を強化する。したがっ
て、側壁保護膜の膜質強化により、下層レジストパター
ン側面へのラジカル反応やイオン入射に対する耐性が高
まる。また異方性加工に必要な入射イオンエネルギを低
減でき、中間層パターンや下地材料層に対する選択比が
向上する。また下地材料層のスパッタリングによる再付
着も効果的に抑制できる。さらに側壁保護膜の膜質が強
固になるのでその堆積量を低減しても異方性、選択比は
確保でき、エッチングレートの低下を招く虞れもなくな
り、パーティクル汚染低減にも寄与する。
【００１７】第２の発明においては、Ｃｌ2 やＨＣｌガ
ス添加によるエッチング反応生成物である、塩素含有炭
素系ポリマを側壁保護膜に利用しうる点は従来と同様で
ありながら、従来技術に付随しがちなエッチングレート
の低減を防止できる。
ス添加によるエッチング反応生成物である、塩素含有炭
素系ポリマを側壁保護膜に利用しうる点は従来と同様で
ありながら、従来技術に付随しがちなエッチングレート
の低減を防止できる。
【００１８】第３の発明においては、側壁保護膜の膜質
強化による異方性の向上、選択比向上等の作用に加え、
エッチングレート低減を防止できる。
強化による異方性の向上、選択比向上等の作用に加え、
エッチングレート低減を防止できる。
【００１９】いずれの発明においても、被エッチング基
板を室温以下に制御することによりラジカル反応が抑制
され、サイドエッチングが防止され、異方性エッチング
に必要なイオンエネルギをさらに低減できる。また硫化
炭素系ガスを用いる場合には、プラズマ中に遊離生成す
るイオウが低温冷却された被エッチング基板上に堆積
し、イオウ系材料層が側壁保護膜に加わり、その膜質は
さらに強固となる。したがって、上述した各発明の効果
をさらに徹底することが可能である。
板を室温以下に制御することによりラジカル反応が抑制
され、サイドエッチングが防止され、異方性エッチング
に必要なイオンエネルギをさらに低減できる。また硫化
炭素系ガスを用いる場合には、プラズマ中に遊離生成す
るイオウが低温冷却された被エッチング基板上に堆積
し、イオウ系材料層が側壁保護膜に加わり、その膜質は
さらに強固となる。したがって、上述した各発明の効果
をさらに徹底することが可能である。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき添付図面
を参照して説明する。以下の実施例は、いずれも段差を
有するＡｌ系金属配線層からなる下地材料層上の３層レ
ジストプロセスに本発明を適用したものである。なお以
下の実施例の説明に供する図１中で、従来例の説明で参
照した図２中と同様の構成部分には同一の参照符号を付
すものとする。
を参照して説明する。以下の実施例は、いずれも段差を
有するＡｌ系金属配線層からなる下地材料層上の３層レ
ジストプロセスに本発明を適用したものである。なお以
下の実施例の説明に供する図１中で、従来例の説明で参
照した図２中と同様の構成部分には同一の参照符号を付
すものとする。
【００２１】実施例１ 本実施例は第１の発明を適用し、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金
配線層上の下層レジスト層を、Ｏ2 ／Ｃｌ2 ／ＣＳ2 混
合ガスによりプラズマエッチングした例である。
配線層上の下層レジスト層を、Ｏ2 ／Ｃｌ2 ／ＣＳ2 混
合ガスによりプラズマエッチングした例である。
【００２２】本実施例で採用した被エッチング基板は図
１（ａ）に示すように、シリコン等の半導体基板（図示
せず）上に段差を有するＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜
１、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕからなる下地材料層
２、下層レジスト層３、中間層４および上層レジストパ
ターン５が形成されたものである。下地材料層２は一例
としてスパッタリングにより０．７μｍの厚さに形成し
た配線形成層であり、その表面は層間絶縁膜１の表面形
状を反映した段差を有する。下層レジスト層３は、一例
としてノボラック系ポジ型レジスト（東京応化工業製Ｏ
ＦＰＲ−８００）をスピンコートしてその表面を平坦に
形成したものであり、その厚さは段差凹部領域で約１．
２μｍである。中間層４は一例としてＳＯＧ（東京応化
工業製ＯＣＤ−Ｔｙｐｅ２）をやはりスピンコートして
０．２μｍの厚さに形成した無機系材料層である。上層
レジストパターン５は、例えばネガ型化学増幅レジスト
（シプレー社製ＳＡＬ−６０１）とＫｒＦエキシマレー
ザリソグラフィにより０．２５μｍのパターン幅に形成
したもので、その膜厚は０．７μｍとした。
１（ａ）に示すように、シリコン等の半導体基板（図示
せず）上に段差を有するＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜
１、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕからなる下地材料層
２、下層レジスト層３、中間層４および上層レジストパ
ターン５が形成されたものである。下地材料層２は一例
としてスパッタリングにより０．７μｍの厚さに形成し
た配線形成層であり、その表面は層間絶縁膜１の表面形
状を反映した段差を有する。下層レジスト層３は、一例
としてノボラック系ポジ型レジスト（東京応化工業製Ｏ
ＦＰＲ−８００）をスピンコートしてその表面を平坦に
形成したものであり、その厚さは段差凹部領域で約１．
２μｍである。中間層４は一例としてＳＯＧ（東京応化
工業製ＯＣＤ−Ｔｙｐｅ２）をやはりスピンコートして
０．２μｍの厚さに形成した無機系材料層である。上層
レジストパターン５は、例えばネガ型化学増幅レジスト
（シプレー社製ＳＡＬ−６０１）とＫｒＦエキシマレー
ザリソグラフィにより０．２５μｍのパターン幅に形成
したもので、その膜厚は０．７μｍとした。
【００２３】この被エッチング基板を平行平板型ＲＩＥ
装置のカソード電極上にセッティングし、一例として下
記プラズマエッチング条件により中間層４をパターニン
グする。 ＣＨＦ3 ７５ ｓｃｃｍ Ｏ2 ８ ｓｃｃｍ ガス圧力 ５．０ Ｐａ ＲＦパワー １０００ Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 室温 この結果、図１（ｂ）に示すように寸法変換差のない
０．２５μｍ幅の中間層パターン４ａが形成された。
装置のカソード電極上にセッティングし、一例として下
記プラズマエッチング条件により中間層４をパターニン
グする。 ＣＨＦ3 ７５ ｓｃｃｍ Ｏ2 ８ ｓｃｃｍ ガス圧力 ５．０ Ｐａ ＲＦパワー １０００ Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 室温 この結果、図１（ｂ）に示すように寸法変換差のない
０．２５μｍ幅の中間層パターン４ａが形成された。
【００２４】つぎに図１（ｂ）の状態の被エッチング基
板を、基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチング装
置の基板ステージ上に載置し、一例として下記プラズマ
エッチング条件を採用して下層レジスト層３をパターニ
ングする。 Ｏ2 ４０ ｓｃｃｍ Ｃｌ2 １０ ｓｃｃｍ ＣＳ2 １０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ９００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ２５０ Ｗ（２．０ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 室温 このエッチング機構は、Ｏ* による酸化反応がＣ
ｌx + 、Ｏ+ 等の入射イオンにアシストされるものであ
る。また、上層レジストパターン５およびパターニング
されつつある下層レジスト層３の分解生成物と、エッチ
ングガスとの反応生成物である、塩素を含む炭素系ポリ
マによる側壁保護膜６の寄与により異方性エッチングが
進行する。本実施例においては、特にＣＳ2 の放電解離
により生成する炭素原子が、この側壁保護膜６の塩素を
含む炭素系ポリマネットワーク中に採りこまれ、炭素成
分リッチの強固な側壁保護膜６を形成し、サイドエッチ
ングを効果的に防止する。上層レジストパターン５はプ
ラズマエッチング中途でエッチオフされ、この時点以降
は中間層パターン４ａをエッチングマスクとしてプラズ
マエッチングが進行する。
板を、基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチング装
置の基板ステージ上に載置し、一例として下記プラズマ
エッチング条件を採用して下層レジスト層３をパターニ
ングする。 Ｏ2 ４０ ｓｃｃｍ Ｃｌ2 １０ ｓｃｃｍ ＣＳ2 １０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ９００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ２５０ Ｗ（２．０ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 室温 このエッチング機構は、Ｏ* による酸化反応がＣ
ｌx + 、Ｏ+ 等の入射イオンにアシストされるものであ
る。また、上層レジストパターン５およびパターニング
されつつある下層レジスト層３の分解生成物と、エッチ
ングガスとの反応生成物である、塩素を含む炭素系ポリ
マによる側壁保護膜６の寄与により異方性エッチングが
進行する。本実施例においては、特にＣＳ2 の放電解離
により生成する炭素原子が、この側壁保護膜６の塩素を
含む炭素系ポリマネットワーク中に採りこまれ、炭素成
分リッチの強固な側壁保護膜６を形成し、サイドエッチ
ングを効果的に防止する。上層レジストパターン５はプ
ラズマエッチング中途でエッチオフされ、この時点以降
は中間層パターン４ａをエッチングマスクとしてプラズ
マエッチングが進行する。
【００２５】この結果、図１（ｃ）に示すように異方性
形状を有した下層レジストパターン３ａおよび３ｂが完
成した。本実施例では、強固な側壁保護膜６の採用によ
り、低バイアス条件下での異方性加工を達成しており、
このため中間層パターン４ａや下地材料層２に対するエ
ッチング選択比が高まり、エッチング中のマスク後退が
ほとんど発生せず、寸法変換差や再付着物層は確認され
なかった。
形状を有した下層レジストパターン３ａおよび３ｂが完
成した。本実施例では、強固な側壁保護膜６の採用によ
り、低バイアス条件下での異方性加工を達成しており、
このため中間層パターン４ａや下地材料層２に対するエ
ッチング選択比が高まり、エッチング中のマスク後退が
ほとんど発生せず、寸法変換差や再付着物層は確認され
なかった。
【００２６】実施例２ 本実施例は第２の発明を適用し、同じくＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ合金配線層上の下層レジスト層を、Ｏ2 ／ＣｌＯ2 混
合ガスによりプラズマエッチングした例である。
ｕ合金配線層上の下層レジスト層を、Ｏ2 ／ＣｌＯ2 混
合ガスによりプラズマエッチングした例である。
【００２７】本実施例で採用した図１（ａ）に示す被エ
ッチング基板および図１（ｂ）に示す中間層４のパター
ニング工程迄は前実施例１と同様であるので重複する説
明は省略する。
ッチング基板および図１（ｂ）に示す中間層４のパター
ニング工程迄は前実施例１と同様であるので重複する説
明は省略する。
【００２８】図１（ｂ）の状態の被エッチング基板を、
基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチング装置の基
板ステージ上に載置し、一例として下記プラズマエッチ
ング条件を採用して下層レジスト層３をパターニングす
る。 Ｏ2 ２０ ｓｃｃｍ ＣｌＯ2 ３０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ９００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ３００ Ｗ（２．０ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 室温 このエッチング機構は、Ｏ* による酸化反応がＣｌＯx
+ 、Ｏ+ 等の入射イオンにアシストされるものである。
また、上層レジストパターン５およびパターニングされ
つつある下層レジスト層３の分解生成物と、エッチング
ガスとの反応生成物である、塩素を含む炭素系ポリマに
よる側壁保護膜６の寄与により異方性エッチングが進行
する。特に本実施例においては、単独でもレジストのエ
ッチングが可能なＣｌＯ2 ガスをエッチングガスの一部
として採用したことに特徴を有し、このＣｌＯ2 ガスが
側壁保護膜を構成する塩素原子を供給しながらも、エッ
チャントとなるＯ* の供給源をも兼ねるので、エッチン
グレートの低下を伴うことなく下層レジスト層３の異方
性加工を施すことができた。この結果、図１（ｃ）に示
すように異方性形状を有した下層レジストパターン３ａ
および３ｂが完成した。
基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエッチング装置の基
板ステージ上に載置し、一例として下記プラズマエッチ
ング条件を採用して下層レジスト層３をパターニングす
る。 Ｏ2 ２０ ｓｃｃｍ ＣｌＯ2 ３０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ９００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ３００ Ｗ（２．０ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 室温 このエッチング機構は、Ｏ* による酸化反応がＣｌＯx
+ 、Ｏ+ 等の入射イオンにアシストされるものである。
また、上層レジストパターン５およびパターニングされ
つつある下層レジスト層３の分解生成物と、エッチング
ガスとの反応生成物である、塩素を含む炭素系ポリマに
よる側壁保護膜６の寄与により異方性エッチングが進行
する。特に本実施例においては、単独でもレジストのエ
ッチングが可能なＣｌＯ2 ガスをエッチングガスの一部
として採用したことに特徴を有し、このＣｌＯ2 ガスが
側壁保護膜を構成する塩素原子を供給しながらも、エッ
チャントとなるＯ* の供給源をも兼ねるので、エッチン
グレートの低下を伴うことなく下層レジスト層３の異方
性加工を施すことができた。この結果、図１（ｃ）に示
すように異方性形状を有した下層レジストパターン３ａ
および３ｂが完成した。
【００２９】実施例３ 本実施例は第３の発明を適用し、同じくＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ合金配線層上の下層レジスト層を、Ｏ2 ／ＣＳ2 ／Ｃ
ｌ2 Ｏ混合ガスによりプラズマエッチングした例であ
る。
ｕ合金配線層上の下層レジスト層を、Ｏ2 ／ＣＳ2 ／Ｃ
ｌ2 Ｏ混合ガスによりプラズマエッチングした例であ
る。
【００３０】本実施例で採用した図１（ａ）に示す被エ
ッチング基板および図１（ｂ）に示す中間層４のパター
ニング工程迄は前実施例１と同様であるので、ここでも
重複する説明は省略する。
ッチング基板および図１（ｂ）に示す中間層４のパター
ニング工程迄は前実施例１と同様であるので、ここでも
重複する説明は省略する。
【００３１】図１（ｂ）の状態の被エッチング基板を、
基板ステージ冷却機構を有する基板バイアス印加型ＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置の基板ステージ上に載置し、
一例として下記プラズマエッチング条件を採用して下層
レジスト層３をパターニングする。 Ｏ2 ４０ ｓｃｃｍ ＣＳ2 １０ ｓｃｃｍ Ｃｌ2 Ｏ ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ９００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー １８０ Ｗ（２．０ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 −２０ ℃ このエッチング機構は、前実施例１と同様にカーボンリ
ッチで塩素組成比の小さい強固な炭素系ポリマに加え、
イオウの堆積も加わり、これらが複合物による側壁保護
膜６が形成される。また被エッチング基板が低温冷却さ
れているのでＯ* による等方的反応が抑制される。これ
らの効果により、前実施例１および２よりさらに低い低
基板バイアス条件の採用にかかわらず、図１（ｃ）に示
すように異方性のよい下層レジストパターン３ａが形成
された。したがって、選択比はさらに向上し、中間層パ
ターン４ａの膜減りや下地材料層２からの再付着は全く
検出されなかった。ＣｌＯ2 ガス添加によるエッチング
レート低下防止効果は前実施例２と同様である。なお本
実施例で側壁保護膜６の一部として採用したイオウは、
エッチング終了後の１００℃程度の基板加熱により容易
に昇華除去することが可能である。したがって、プラズ
マエッチング処理を重ねても、チャンバ内や被エッチン
グ基板のパーティクルレベルを悪化させる虞れはない。
この基板加熱は、低温エッチング終了後の基板搬出時の
結露防止をも兼用することができるので、スループット
の低下を招くことはない。
基板ステージ冷却機構を有する基板バイアス印加型ＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置の基板ステージ上に載置し、
一例として下記プラズマエッチング条件を採用して下層
レジスト層３をパターニングする。 Ｏ2 ４０ ｓｃｃｍ ＣＳ2 １０ ｓｃｃｍ Ｃｌ2 Ｏ ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー ９００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー １８０ Ｗ（２．０ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 −２０ ℃ このエッチング機構は、前実施例１と同様にカーボンリ
ッチで塩素組成比の小さい強固な炭素系ポリマに加え、
イオウの堆積も加わり、これらが複合物による側壁保護
膜６が形成される。また被エッチング基板が低温冷却さ
れているのでＯ* による等方的反応が抑制される。これ
らの効果により、前実施例１および２よりさらに低い低
基板バイアス条件の採用にかかわらず、図１（ｃ）に示
すように異方性のよい下層レジストパターン３ａが形成
された。したがって、選択比はさらに向上し、中間層パ
ターン４ａの膜減りや下地材料層２からの再付着は全く
検出されなかった。ＣｌＯ2 ガス添加によるエッチング
レート低下防止効果は前実施例２と同様である。なお本
実施例で側壁保護膜６の一部として採用したイオウは、
エッチング終了後の１００℃程度の基板加熱により容易
に昇華除去することが可能である。したがって、プラズ
マエッチング処理を重ねても、チャンバ内や被エッチン
グ基板のパーティクルレベルを悪化させる虞れはない。
この基板加熱は、低温エッチング終了後の基板搬出時の
結露防止をも兼用することができるので、スループット
の低下を招くことはない。
【００３２】以上、本発明のプラズマエッチングにつき
３例の実施例により説明を加えたが、本発明はこれら実
施例に限定されることなく各種の実施態様が可能であ
る。例えば、炭素とイオウを構成元素として含む化合物
として、ＣＳ2 の他にＣ3 Ｓ2を用いてもよい。また塩
素と酸素を構成元素とする化合物としてＣｌＯ2 とＣｌ
2 Ｏを例示したが、Ｃｌ2 Ｏ7 を用いることができる。
これらエッチング混合ガス中にＨｅ Ａｒ等の希ガス
や、その他Ｈ2 、Ｎ2 、ＣＯ 、ＣＯ2 、 各種Ｂｒ
系、Ｉ系、ＮＯx 系あるいはＳＯx ガス等を添加しても
よい。特にＮ2 やＮ2Ｈ4 等の窒化剤と、炭素とイオウ
を構成元素として含む化合物とを併用する場合には、プ
ラズマ中に生成する窒化イオウの重合生成物であるポリ
チアジルを側壁保護膜に用いることができる。ポリチア
ジルは、イオウと同様に耐イオン衝撃性が高く、異方性
加工に寄与する。ポリチアジルも減圧雰囲気中で１５０
℃以上に加熱すれば昇華除去できるのでパーティクルの
発生原因とはならない。
３例の実施例により説明を加えたが、本発明はこれら実
施例に限定されることなく各種の実施態様が可能であ
る。例えば、炭素とイオウを構成元素として含む化合物
として、ＣＳ2 の他にＣ3 Ｓ2を用いてもよい。また塩
素と酸素を構成元素とする化合物としてＣｌＯ2 とＣｌ
2 Ｏを例示したが、Ｃｌ2 Ｏ7 を用いることができる。
これらエッチング混合ガス中にＨｅ Ａｒ等の希ガス
や、その他Ｈ2 、Ｎ2 、ＣＯ 、ＣＯ2 、 各種Ｂｒ
系、Ｉ系、ＮＯx 系あるいはＳＯx ガス等を添加しても
よい。特にＮ2 やＮ2Ｈ4 等の窒化剤と、炭素とイオウ
を構成元素として含む化合物とを併用する場合には、プ
ラズマ中に生成する窒化イオウの重合生成物であるポリ
チアジルを側壁保護膜に用いることができる。ポリチア
ジルは、イオウと同様に耐イオン衝撃性が高く、異方性
加工に寄与する。ポリチアジルも減圧雰囲気中で１５０
℃以上に加熱すれば昇華除去できるのでパーティクルの
発生原因とはならない。
【００３３】プラズマエッチングの対象である有機高分
子材料層としてポジ型ノボラックレートを例示したが、
その他各種レジスト材料を用いることができる。この有
機高分子材料層の機能は平坦化であるから感光性を有す
る必要はなく、ポリイミド等各種ポリマを利用できる。
また中間層はＳｉＯ2 以外にＳｉＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 や金
属膜等、耐イオン衝撃性を有し低温成膜が可能な材料で
あれば任意の無機材料層を用いることができる。
子材料層としてポジ型ノボラックレートを例示したが、
その他各種レジスト材料を用いることができる。この有
機高分子材料層の機能は平坦化であるから感光性を有す
る必要はなく、ポリイミド等各種ポリマを利用できる。
また中間層はＳｉＯ2 以外にＳｉＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 や金
属膜等、耐イオン衝撃性を有し低温成膜が可能な材料で
あれば任意の無機材料層を用いることができる。
【００３４】その他エッチング条件、エッチング装置等
は適宜変更可能である。
は適宜変更可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のプラズマエッチング方法によれば、異方性、選択比、
および実用的なエッチングレートによる有機高分子材料
層のパターニングが可能となる。このため、例えば３層
レジストプロセスにおける寸法変換差やパーティクル汚
染の問題を解決でき、段差を有する微細デザインルール
の半導体装置を信頼性高く製造することが可能となる。
のプラズマエッチング方法によれば、異方性、選択比、
および実用的なエッチングレートによる有機高分子材料
層のパターニングが可能となる。このため、例えば３層
レジストプロセスにおける寸法変換差やパーティクル汚
染の問題を解決でき、段差を有する微細デザインルール
の半導体装置を信頼性高く製造することが可能となる。
【図１】本発明を適用した実施例１ないし３を、その工
程順に説明する概略断面図である。
程順に説明する概略断面図である。
【図２】従来の３層レジストプロセスの問題点を、その
工程順に説明する概略断面図である。
工程順に説明する概略断面図である。
１…層間絶縁膜、２…下地材料層、２ａ…再付着物層、
３…下層レジスト層、３ａ，３ｂ…下層レジストパター
ン、４…中間層、４ａ…中間層パターン、５…上層レジ
ストパターン、６…側壁保護膜
３…下層レジスト層、３ａ，３ｂ…下層レジストパター
ン、４…中間層、４ａ…中間層パターン、５…上層レジ
ストパターン、６…側壁保護膜
Claims (7)
- 【請求項１】 下地材料層上に形成された有機高分子材
料層を、前記有機高分子材料層上に選択的に形成された
無機材料層パターンをエッチングマスクとしてパターニ
ングするプラズマエッチング方法において、 少なくとも炭素とイオウとを構成元素とする化合物を含
むエッチングガスを用い、 前記有機高分子材料層をパターニングすることを特徴と
するプラズマエッチング方法。 - 【請求項２】 炭素とイオウとを構成元素とする化合物
は、 ＣＳ2 およびＣ3 Ｓ2 のうちのすくなくとも何れか一種
であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチ
ング方法。 - 【請求項３】 下地材料層上に形成された有機高分子材
料層を、前記有機高分子材料層上に選択的に形成された
無機材料層パターンをエッチングマスクとしてパターニ
ングするプラズマエッチング方法において、 少なくとも塩素と酸素とを構成元素とする化合物を含む
エッチングガスを用い、 前記有機高分子材料層をパターニングすることを特徴と
するプラズマエッチング方法。 - 【請求項４】 塩素と炭素とを構成元素とする化合物
は、 Ｃｌ2 Ｏ、ＣｌＯ2 およびＣｌ2 Ｏ7 のうちのすくなく
とも何れか一種であることを特徴とする請求項３記載の
プラズマエッチング方法。 - 【請求項５】 下地材料層上に形成された有機高分子材
料層を、前記有機高分子材料層上に選択的に形成された
無機材料層パターンをエッチングマスクとしてパターニ
ングするプラズマエッチング方法において、 少なくとも炭素とイオウとを構成元素とする化合物とと
もに、 塩素と酸素とを構成元素とする化合物を含むエッチング
ガスを用い、 前記有機高分子材料層をパターニングすることを特徴と
するプラズマエッチング方法。 - 【請求項６】 炭素とイオウとを構成元素とする化合物
は、 ＣＳ2 およびＣ3 Ｓ2 のうちのすくなくとも何れか一種
であるとともに、 塩素と炭素とを構成元素とする化合物は、 Ｃｌ2 Ｏ、ＣｌＯ2 、Ｃｌ2 Ｏ6 およびＣｌ2 Ｏ7 のう
ちのすくなくとも何れか一種であることを特徴とする請
求項５記載のプラズマエッチング方法。 - 【請求項７】 被エッチング基板温度を、室温以下に制
御することを特徴とする請求項１、３および５いずれか
１項記載のプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7884696A JPH09270419A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7884696A JPH09270419A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | プラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270419A true JPH09270419A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13673199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7884696A Pending JPH09270419A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270419A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016839A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
| JP2008502809A (ja) * | 2004-06-16 | 2008-01-31 | ピーピージー インダストリーズ オハイオ， インコーポレイテッド | コーティングされた基材からポリマーコーティング層を除去するための方法 |
| JP2009200080A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2010161162A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| JP2010199573A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP7884696A patent/JPH09270419A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502809A (ja) * | 2004-06-16 | 2008-01-31 | ピーピージー インダストリーズ オハイオ， インコーポレイテッド | コーティングされた基材からポリマーコーティング層を除去するための方法 |
| JP2008016839A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
| JP2009200080A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2010161162A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| JP2010199573A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
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