JP4522892B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
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Description
チャンバ内圧力:10mTorr
上部電極印加高周波電力:200W
下部電極印加高周波電力:100W
Heガス圧力(センター/エッジ):3/3Torr
チャンバ内温度(トップ/ウォール/ボトム):80/60/30℃
処理(堆積)時間:185sec
チャンバ内圧力:20mTorr
上部電極印加高周波電力:600W
下部電極印加高周波電力:100W
チャンバ内圧力:30mTorr
上部電極印加高周波電力:200W
下部電極印加高周波電力:150W
チャンバ内圧力:30mTorr
上部電極印加高周波電力:200W
下部電極印加高周波電力:150W
チャンバ内圧力:50mTorr
上部電極印加高周波電力:600W
下部電極印加高周波電力:500W
チャンバ内圧力:30mTorr
上部電極印加高周波電力:200W
下部電極印加高周波電力:150W
1 プラズマ処理装置
10 チャンバ
13 サセプタ
35 上部電極
44 処理ガス供給源
70 シリコン基板
71 絶縁層
72 第2の被エッチング層
73 エッチストップ層
74 第1の被エッチング層
75 反射防止膜
76 マスク層
80 スペース
81 マスク材
Claims (10)
- パターニングされたマスク層の側壁にプラズマ反応生成物を堆積させて前記マスク層のパターン幅を広げる第1工程と,
前記パターン幅が広げられたマスク層をマスクとして,第1の被エッチング層をエッチングする第2工程と,
前記エッチングされた第1の被エッチング層に生じたスペースにマスク材を埋め込む第3工程と,
前記スペースに埋め込まれたマスク材を残して,前記第1の被エッチング層をエッチングする第4工程と,
前記残されたマスク材をマスクとして,第2の被エッチング層をエッチングする第5工程とを有し,
前記第1の被エッチング層と前記第2の被エッチング層が同じ材質であり,前記第1の被エッチング層と前記第2の被エッチング層の間にエッチストップ層が形成されていることを特徴とする,微細パターン形成方法。 - 前記マスク層は,フォトレジスト材から成ることを特徴とする,請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記第1工程において,処理ガスとして,CF系ガス,CHF系ガス,またはCH系ガスのいずれかを用いることを特徴とする,請求項1または2に記載の微細パターン形成方法。
- 前記スペースの幅が,50nm以下であることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
- 前記第2工程は,マスク層の下に形成された反射防止層をエッチングした後,第1の被エッチング層をエッチングすることにより行われることを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
- 前記第3工程は,第1の被エッチング層を覆うように堆積物を堆積させた後,CMP処理あるいはエッチバック処理によって,前記第1の被エッチング層を露出させることにより行われることを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
- 前記第3工程において,前記スペースに埋め込むマスク材は,前記第1の被エッチング層と異なる材質であることを特徴とする,請求項1〜6のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
- 前記第5工程は,第1の被エッチング層の下に形成されたエッチストップ層を除去した後,第2の被エッチング層をエッチングすることにより行われることを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
- 前記第1の被エッチング層と前記第2の被エッチング層がポリシリコンであり,前記エッチストップ層がシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜であることを特徴とする,請求項1〜8のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
- 前記第5工程の後,更にマスク材を除去する第6工程を有することを特徴とする,請求項1〜9のいずれかに記載の微細パターン形成方法。
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