JP4133810B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
【技術分野】
本発明は、半導体装置の製造におけるドライエッチング方法に係り、特に、フォトレジストからなるマスク層を介して、有機系反射防止膜をエッチングするドライエッチング方法に関する。
【0002】
【背景技術】
近年、半導体装置の製造分野においては、ステッパ等による露光の際に、レジスト膜内での多重干渉に起因する定在波の発生を防止する等のために、反射防止膜(ARC(Anti-Refrecting Coating) 膜)が多用されている。かかる反射防止膜のーつとして、従来から有機系高分子を用いた有機系反射防止膜が用いられている。
【0003】
図8は、上記有機系反射防止膜を用いた半導体装置の製造工程の一例を示すものである。図8(a)に示すように、半導体ウエハ(シリコン基板)201上には、シリコン酸化膜等からなる絶縁層202、ポリシリコン等からなる導体層203が形成されており、この導体層203上に、スピンコーティング等の方法によって、有機系反射防止膜204と、フォトレジストからなるマスク層205が形成されている。
【0004】
そして、まず、ステッパ等による露光工程、及び、現像装置による現像工程により、フォトレジストからなるマスク層205を露光、現像し、図8(b)に示すように、マスク層205を所定のパターンに形成する。
【0005】
この後、Cl2 ガスとO2 ガスとからなるエッチングガスを使用したプラズマエッチングにより、マスク層205を介して有機系反射防止膜204をエッチングし、図8(c)に示すように、有機系反射防止膜204を所定のパターンにパターニングする。
【0006】
しかる後、マスク層205及び有機系反射防止膜204を介して、導体層203をエッチングして、所定の形状にパターニングし、この後、マスク層205及び有機系反射防止膜204をアッシングにより除去する(図示せず)。
【0007】
上述したとおり、従来では、Cl2 ガスとO2 ガスとからなるエッチングガスを使用したプラズマエッチングにより、有機系反射防止膜のエッチングが行われている。
【0008】
しかしながら、かかる従来の方法では、図8(c)に示すように、有機系反射防止膜204の側壁部分204aがテーパ状となり、側壁部分の形状を垂直にできないという問題がある。
【0009】
さらに、図9に示すように、形成されるパターンの形状が、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分(図中左側部分)と、隣接するパターン同士か離間して疎に配置された部分(図中右側部分)を有する場合には、上記の側壁部分の形状が、パターンが密に配置された部分と、疎に配置された部分とによって、異なる傾向がある。
【0010】
つまり、図9に示す例では、パターンが密に配置された部分より、パターンが疎に配置された部分において、側壁部分のテーパ形状が著しくなる傾向がある。
【0011】
さらにまた、かかる側壁部分の形状は、一枚の半導体ウエハの面内であっても、その中央部と周縁部で異なる傾向もある。
【0012】
このため、例えば、エッチングガスの流量や圧力、エッチング中の半導体ウエハの温度、平行平板型のプラズマエッチング装置における電極に印加する高周波電力等のエッチング条件を調整して、上記の側壁部分の形状を制御しようとしても、半導体ウエハの中央部、周縁部、及び、パターンの疎部分、密部分の全ての部位において、側壁部分の形状が良好になるようにエッチングすることが、困難であった。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、従来に較べて、有機系反射防止膜の側壁部分の形状を良好な状態にエッチングすることのできるドライエッチング方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明のドライエッチング方法は、所定のパターンに形成されたマスク層を介して、有機系反射防止膜をエッチングするドライエッチング方法であって、CF4 ガスとO2 ガスとを含むエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより、前記有機系反射防止膜をエッチングするとともに、前記マスク層及び前記有機系反射防止膜を、横方向にエッチングして、線幅のトリミングを行うことを特徴とする。
【0015】
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、前記所定のパターンが、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分とを有し、前記密に配置された部分と前記疎に配置された部分で略均一にトリミングすることを特徴とする。
【0016】
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、前記エッチングガスのO 2 ガス流量/(CF 4 ガス流量+O 2 ガス流量)を変化させて前記トリミングの量を制御することを特徴とする。
【0017】
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、下部電極に印加する高周波電力の電力密度を変化させて前記トリミングの量を制御することを特徴とする。
【0018】
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、前記マスク層がレジスト膜であり、前記有機系反射防止膜の下にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする。
【0019】
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、前記レジスト膜か、ArFレジスト膜であることを特徴とする。
【0020】
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、前記有機系反射防止膜のエッチングの後で、CF 4 ガスとCHF 3 ガスを含む混合ガスで前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とする。
【0021】
また、本発明のドライエッチング方法は、所定パターンに形成されたマスク層を介して、有機系反射防止膜をエッチングするドライエッチング方法であって、N2 ガスとO2 ガスとを含むエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより、前記有機系反射防止膜をエッチングするとともに、前記マスク層及び前記有機系反射防止膜を、横方向にエッチングして、線幅のトリミングを行うことを特徴とする。
【0022】
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、前記所定のパターンが、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分とを有し、前記密に配置された部分と前記疎に配置された部分で略均一にトリミングすることを特徴とする。
また、本発明は、上記のドライエッチング方法で、前記エッチングガスが、N 2 ガスとO 2 ガスとを略同量含むことを特徴とする。
【0023】
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態を説明するため、半導体ウエハ(シリコン基板)の縦断面の一部を拡大して模式的に示すものである。
【0024】
同図(a)に示すとおり、半導体ウエハ(シリコン基板)101上には、シリコン酸化膜等からなる絶縁層102、ポリシリコン等からなる導体層103が形成されており、この導体層103上に、スピンコーティング等の方法によって、有機系反射防止膜104と、フォトレジストからなるマスク層105が形成されている。
【0025】
そして、まず、ステッパ等による露光工程、及び、現像装置による現像工程により、フォトレジストからなるマスク層105を露光、現像し、図1(b)に示すように、マスク層105を所定のパターンに形成する。
【0026】
この後、図1(b)に示す状態から、CF4 ガスとO2 ガスとからなるエッチングガスを使用したプラズマエッチングにより、マスク層105を介して有機系反射防止膜104をエッチングし、図1(c)に示すように、有機系反射防止膜104を所定のパターンにパタ−ニングする。
【0027】
なお、上記有機系反射防止膜104のエッチング工程の後、マスク層105及び有機系反射防止膜104を介して、導体層103をエッチングして、所定の形状にパタ−ニングし、この後、マスク層105及び有機系反射防止膜104をアッシングにより除去する。
【0028】
図2は、本発明の実施形態に使用するプラズマ処理装置(エッチング装置)の構成の一例を模式的に示すものである。同図に示すように、エッチング装置1は、電極板が上下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
【0029】
このエッチング装置1は、例えば表面が陽極酸化処理(アルマイト処理)されたアルミニウムからなる円筒形状に成形されたチャンバ−2を有しており、このチャンバ−2は接地されている。チャンバ−2内の底部にはセラミックなどの絶縁板3を介して、ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ支持台4が設けられている。このサセプタ支持台4の上には、下部電極を構成するサセプタ5が設けられている。このサセプタ5にはハイパスフィルター(HPF)6が接続されている。
【0030】
サセプタ支持台4の内部には、温度調節媒体室7が設けられている。そして、導入管8を介して温度調節媒体室7に温度調節媒体が導入、循環され、排出管9から排出される。このような温度調節媒体の循環により、サセプタ5を所望の温度に制御できるようになっている。
【0031】
サセプタ5は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハWと略同形の静電チャック11が設けられている。静電チャック11は、絶縁材の間に電極12が介在された構成となっている。静電チャック11は、電極12に接続された直流電源13から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハWを静電吸着する。
【0032】
そして、絶縁板3、サセプタ支持台4、サセプタ5、さらには静電チャック11には、被処理体であるウエハWの裏面に、伝熱媒体(例えばHeガスなど)を供給するためのガス通路14が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ5とウエハWとの間の熱伝達がなされ、ウエハWが所定の温度に維持されるようになっている。
【0033】
サセプタ5の上端周縁部には、静電チャック11上に載置されたウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング15が配置されている。このフォーカスリング15は、セラミックス或いは石英などの絶縁性材料或いは導電性材料からなり、エッチングの均一性を向上させるようになっている。
【0034】
また、サセプタ5の上方には、このサセプタ5と平行に対向して上部電極21が設けられている。この上部電極21は、絶縁材22を介して、チャンバ−2の内部に支持されている。上部電極21は、サセプタ5との対向面を構成し多数の吐出孔23を有する電極板24(例えば石英からなる)と、この電極24を支持する電極支持体25(導電性材料例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる)とによって構成されている。なお、サセプタ5と上部電極21との間隔は、調節可能とされている。
【0035】
上部電極21における電極支持体25の中央には、ガス導入口26が設けられている。このガス導入口26には、ガス供給管27が接続されている。さらにこのガス供給管27には、バルブ28、並びにマスフローコントローラ29を介して、処理ガス供給源30が接続されている。この処理ガス供給源30から、プラズマエッチングのためのエッチングガスが供給されるようになっている。なお、図2には、上記の処理ガス供給源30等からなる処理ガス供給系を1つのみ図示しているが、これらの処理ガス供給系は複数設けられており、例えば、CF4 、O2 、N2 、CHF3 等のガスを夫々独立に流量制御して、チャンバ−2内に供給できるよう構成されている。
【0036】
一方、チャンバ−2の底部には排気管31が接続されており、この排気管31には排気装置35か接続されている。排気装置35はターボ分子ポンプなどの真空ポンブを備えており、チャンバ−2内を所定の減圧雰囲気(例えば0.67Pa以下)まで真空引き可能に構成されている。また、チャンバ−2の側壁にはゲートバルブ32が設けられている。このゲートバルブ32を開にした状態で、ウエハWが、隣接するロードロック室(図示せず)との間で搬送されるようになっている。
【0037】
上部電極21には、第1の高周波電源40が接続されており、その給電線には整合器41が介挿されている。また、上部電極21にはローパスフィルター(LPF)42が接続されている。この第1の高周波電源40は、50〜150MHzの範囲の周波数を有している。このように高い周波数の電力を印加することにより、チャンバ−2内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができ、従来より低圧条件下のプラズマ処理が可能となる。この第1の高周波電源40の周波数は、50〜80MHzが好ましく、典型的には図示した60MHzまたはその近傍の周波数が採用される。
【0038】
下部電極としてのサセプタ5には、第2の高周波電源50が接続されており、その給電線には整合器51が介挿されている。この第2の高周波電源50は、数百kHz〜十数MHzの範囲の周波数を有している。このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体であるウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第2の高周波電源50の周波数は、典型的には図示した13.56MHZまたは800KHz等の周波数が採用される。
【0039】
次に、上記構成のエッチング装置1によって、ウエハWに形成された有機系反射防止膜104を、フォトレジストからなるマスク層105を介して所定のパターンにエッチングする工程について説明する。
【0040】
まず、前述したように、有機系反射防止膜104、及び、所定パターンにパターニングされたマスク層105等が形成されたウエハWを、ゲートバルブ32を開放して、図示しないロードロック室からチャンバー2内へ搬入し、静電チャック11上に載置する。そして、直流電源13から直流電圧を印加することによって、ウエハWを静電チャック11上に静電吸着する。
【0041】
次いで、ゲートバルブ32を閉じ、排気装置35によって、チャンバー2内を所定の真空度まで真空引する。この後、バルブ28を開放し、処理ガス供給源30からCF4 +O2 のエッチングガスを、マスフローコントローラ29によってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管27、ガス導入口26、上部電極21の中空部、電極板24の吐出孔23を通じて、図2の矢印に示すように、ウエハWに対して均一に吐出させる。
【0042】
これとともに、チャンバ−2内の圧力が、所定の圧力に維持される。そして、第1の高周波電源40及び第2の高周波電源50から、上部電極21及び下部電極としてのサセプタ5に高周波電圧を印加し、エッチングガスをプラズマ化して、ウエハWの有機系反射防止膜104のエッチングを行い、前述した図1(c)の状態となった時点でエッチング工程を終了する。
【0043】
上述の工程により、図3に示すように、所定のパターンが、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分(図中左側部分、ライン:スペース=1:1)と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分(図中右側部分、ライン:スペース=1:10以上)とを有する形状のパターンとされた200mmウエハを、第1の実施例として、以下の条件、
エッチングガス:CF4 (流量35SCCM)+O2 (流量5SCCM)
CF4 の流量:O2 の流量=7:1
圧力:0.67Pa(5mTorr)
上部電極印加高周波電力:325W
下部電極印加高周波電力:30W
電極間距離:80mm
サセプタ温度:80℃
でエッチングを行った。
【0044】
上記第1の実施例のエッチング工程によって得られた有機系反射防止膜のパタ一ンについて、SEM(走査電子顕微鏡)で観察したところ、図3に示すように、有機系反射防止膜104の側壁部分の形状が、略垂直な良好な形状であった。また、このような良好な形状は、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分、及び、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分のいずれにおいても、さらに、ウエハの中央部、周縁部のいずれにおいても変わらなかった。また、かかる有機系反射防止膜のパターンについて、設計値の線幅と、実際にエッチングによって形成されたパターンの線幅とのずれ(CDシフト)を、ウエハの面内の各部(ウエハの中央部と周縁部)において、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分、及び、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分の双方で測定した。
【0045】
図4のグラフは、この測定結果を示すもので、縦軸はCDシフト(nm)、横軸はウエハ面内における径方向位置(ウエハ中心からの距離)(mm)を示している。
【0046】
また、図4のグラフにおいて、実線Aは隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分のX方向の線幅の測定結果、実線Bは隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分のX方向の線幅の測定結果、実線Cは隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分のY方向の線幅の測定結果、実線Dは隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分のY方向の線幅の測定結果を、夫々示している。
【0047】
同図に示すように、第1の実施例においては、パターンが密に配置された部分と疎に配置された部分との線幅のばらつきも小さく、ウエハ面内における線幅のばらつきも小さかった。CDシフトの平均値は、−19.8nmであり、パターンが密に配置された部分と疎に配置された部分との線幅の差は4.4nmであった。
【0048】
比較のために、従来から使用されているCl2 +O2 からなるエッチングガスを使用して、上記と同様なパターンの有機系反射防止膜のエッチングを以下の条件、
エッチングガス:Cl2 (流量10SCCM)+O2 (流量30SCCM)
圧力:0.67Pa(5mTorr)
上部電極印加高周波電力:325W
下部電極印加高周波電力:30W
電極間距離:80mm
サセブタ温度:80℃
で行った。
【0049】
上記エッチングによって得られた有機系反射防止膜のパターンについて、SEM(走査電子顕微鏡)で観察したところ、図9に示したように、有機系反射防止膜204の側壁部分の形状が、テーパ状となった。
【0050】
また、かかる有機系反射防止膜のパターンについて、設計値の線幅と、実際にエッチングによって形成されたパターンの線幅とのずれ(CDシフト)を測定した結果を、図4のグラフと同様に表した図10のグラフに示す。
【0051】
同図に示すように、図4のグラフに示した前述の実施例の場合と比較して、比較例においては、パターンが密に配置された部分と疎に配置された部分との線幅のばらつきも大きく、ウエハ面内における線幅のばらつきも大きかった。CDシフトの平均値は、−29.9nmであり、パターンが密に配置された部分と疎に配置された部分との線幅の差は14.6nmであった。
【0052】
次に、第2の実施例として、前述したCF4 +O2 のエッチングガスを、N2 +O2 のエッチングガスに変更し、図3に示すように、所定のパターンが、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分(図中左側部分)と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分(図中右側部分)とを有する形状のパターンとされたものを、以下の条件、
エッチングガス:N2 (流量20SCCM)+O2 (流量20SCCM)
圧力:0.67Pa(5mTorr)
上部電極印加高周波電力:325W
下部電極印加高周波電力:30W
電極間距離:80mm
サセプタ温度:80℃
でエッチングを行った。
【0053】
上記第2の実施例のエッチング工程によって得られた有機系反射防止膜のパタ一ンについて、SEM(走査電子顕微鏡)で観察したところ、前述した第1の実施例と同様に、有機系反射防止膜の側壁部分の形状を、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分、及び、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分のいずれにおいても、略垂直な良好な形状とすることができた。
【0054】
また、かかる有機系反射防止膜のパターンについて、設計値の線幅と、実際にエッチングによって形成されたパターンの線幅とのずれ(CDシフト)を測定した結果を、図4のグラフと同様に表した図5のグラフに示す。
【0055】
図5のグラフに示されるとおり、第2の実施例においても、前述した第1の実施例と同様に、パターンが密に配置された部分と疎に配置された部分との線幅のばらつきが小さく、ウエハ面内における線幅のばらつきも小さかった。CDシフトの平均値は、−50.3nmであり、パターンが密に配置された部分と疎に配置された部分との線幅の差は2.6nmであった。
【0056】
また、この第2の実施例では、上記したように、CDシフトの平均値が−50.3nmと大きい。このため、設計値の線幅より、実際の線幅が細くなるが、予め、マスク層の線幅を広く設定しておき、この線幅をエッチング工程によって狭くする(トリミングする)ことにより、マスク層の露光、現像工程において、無理にマスク層の線幅を細くすることなく、エッチング工程におけるトリミングによって、結果として、線幅の細い配線等を形成することができる。
【0057】
すなわち、上記第2の実施例におけるエッチング工程によれば、露光工程、現像工程において形成するフォトレジストからなるマスク層の線幅を、予め、実際の線幅より50nm太くしておくことにより、エッチング工程におけるトリミングで、必要とされる細い線幅の配線等を形成することができる。
【0058】
ところで、近年では、ArFガスを発光源としたレーザー光で露光するレジスト、所謂ArFレジストが使用されるようになっている。このArFレジストは、従来のKrFレジストに比べてより微細なパターンを形成できる。しかし、耐プラズマ性が低いので、レジスト表面荒れが生じたり、被エッチング部との選択比(エッチング速度比)が小さく、また、レジスト倒れが生じるという問題がある。なお、ArFレジストを構成する主要な物質は、例えば、シクロオレフィン樹脂、脂環族含有アクリル樹脂、シクロオレフィン−無水マレイン酸樹脂、等である。
【0059】
このようなArFレジストを用いた場合にも、本発明を適用することができる。以下、このようなArFレジストを用いた実施形態について説明する。
【0060】
図6は、ArFレジストを用いた実施形態を説明するため、半導体ウエハ(シリコン基板)の縦断面の一部を拡大して模式的に示すものである。
【0061】
図6に示す半導体ウエハでは、図6(a)に示すとおり、ポリシリコン膜121上に、シリコン酸化膜122が所定膜厚で(本実施形態では50nm)形成され、このシリコン酸化膜122上に有機系反射防止膜123が所定膜厚で(本実施形態では80nm)形成されている。また、有機系反射防止膜123の上には、前述したような露光工程、現像工程を経て所定のパターンにパターニングされた所定膜厚の(本実施形態では240nm)ArFレジスト124が形成されている。なお、本実施形態では、ArFレジスト124の線幅(図中dで示す)は、80nmとされている。
【0062】
そして、図6(a)に示す状態から、まずCF4 ガスとO2 ガスとからなるエッチングガスを使用したプラズマエッチングにより、ArFレジスト124(マスク層)を介して有機系反射防止膜123をエッチングし、図6(b)に示すように、有機系反射防止膜123を所定のパターンにパタ−ニングする。
【0063】
この後、図6(b)に示す状態から、ArFレジスト124(マスク層)及び有機系反射防止膜123を介して、シリコン酸化膜122を、CF4 ガスとCHF3 ガスとからなるエッチングガスを使用したプラズマエッチングにより、図6(c)に示すように、所定のパターンにパタ−ニングする。
【0064】
そして、この後、ArFレジスト124及び有機系反射防止膜123をアッシング等により除去する。
【0065】
以上の工程により、有機系反射防止膜123及びシリコン酸化膜122をエッチングすることにより、ArFレジスト124の表面荒れや、レジスト倒れを起こすことなく、シリコン酸化膜122をエッチングすることができる。
【0066】
また、有機系反射防止膜123のエッチング工程では、前述したトリミングを行うことができるが、このトリミング量の制御も容易に行うことができ、また、シリコン酸化膜122のエッチング工程では、このトリミングされた線幅をほとんど変化させることなく、エッチングを行うことができる。
【0067】
上述の工程により、直径200mmのウエハを、第3の実施例として、以下の条件でエッチングを行った。また、エッチングガスの総流量(CF4 +O2 )に対するO2 ガスの流量比を変化させた際のトリミング量の変化を調べるため、[O2 流量/(CF4 +O2 )流量]を変更して、複数回のエッチングを行った。
(有機系反射防止膜のエッチング)
エッチングガス:CF4 +O2 (総流量40sccm)
圧力:0.67Pa(5mTorr)
上部電極印加高周波電力:300W
下部電極印加高周波電力:60W
電極間距離:140mm
温度(トップ/ウォール/ボトム):80/60/75℃
Heガス圧力(センター/エッジ):400/400Pa(3Torr)
オーバーエッチング:10%
(シリコン酸化膜のエッチング)
エッチングガス:CF4 (流量20sccm)+CHF3 (流量20sccm)
圧力:5.3Pa(40mTorr)
上部電極印加高周波電力:600W
下部電極印加高周波電力:100W
電極間距離:140mm
温度(トップ/ウォール/ボトム):80/30/65℃
Heガス圧力(センター/エッジ):1300/1300Pa(10Torr)
オーバーエッチング:10%
【0068】
上記第3の実施例のエッチング工程によって得られたパ夕一ンについて、SEM(走査電子顕微鏡)で観察したところ、ArFレジストの表面荒れや、レジスト倒れを起こすことなく、有機系反射防止膜及びシリコン酸化膜をエッチングすることができた。
【0069】
また、[O2 流量/(CF4 +O2 )流量]を変更することにより、有機系反射防止膜のトリミング量の制御を、容易に行うことができた。このトリミング量の制御の結果を図7に示す。図7のグラフは、縦軸をトリミング量(nm)、横軸を[O2 流量/(CF4 +O2 )流量]の比(%)として、これらの関係を示すもので、図中三角形の印で、第3の実施例の結果を示してある。なお、この場合、下部電極に印加された単位面積当たりの高周波電力量(RF電力密度)は、0.19W/cm2 である。同図に示されるように、[O2 流量/(CF4 +O2 )流量]を変化させることによって、略直線状にトリミング量を変化させることができた。
【0070】
また、シリコン酸化膜のエッチング工程では、線幅をほとんど変化させることなく(トリミング量が少なく)、エッチングを行うことができた。このシリコン酸化膜のエッチング工程におけるトリミング量(線幅減少量)は、平均で−0.2nmであった。
【0071】
次に、上記第3の実施例と同様な有機系反射防止膜のエッチングを、直径300mmのウエハについて、第4の実施例として、以下の条件で行った。
(有機系反射防止膜のエッチング)
エッチングガス:CF4 +O2 (総流量80sccm)
圧力:0.93Pa(7mTorr)
上部電極印加高周波電力:100W
下部電極印加高周波電力:400W
電極間距離:170mm
温度(トップ/ウォール/ボトム):80/60/75℃
Heガス圧力(センター/エッジ):670/670Pa(5Torr)
オーバーエッチング:10%
【0072】
上記第4の実施例における、トリミング量(nm)と、[O2 流量/(CF4 +O2 )流量]の比(%)の関係を、前述した図7のグラフに円形の印で示す。同図に示されるように、第4の実施例においても、[O2 流量/(CF4 +O2 )流量]を変化させることによって、略直線状にトリミング量を変化させることができた。
【0073】
ところで、この第4の実施例における下部電極に印加された単位面積当たりの高周波電力量(RF電力密度)は、0.57W/cm2 である。この値は、前述した第3の実施例における0.19W/cm2 より高い。そして、この結果、図7に示されるように、トリミング量は、第3の実施例と比べると相対的に増加している。これは、下部電極に印加する電力密度が大きいほど、イオンエネルギーが増加し、横方向へのエッチング(トリミング)が進行するためと考えられる。
【0074】
したがって、[O2 流量/(CF4 +O2 )流量]を一定とし、下部電極に印加する高周波電力の電力量(電力密度)を変えることによっても、トリミング量を制御することができる。
【0075】
なお、上記の各例では、平行平板型であって、上部電極と下部電極の双方に高周波電力を供給してエッチングを行うエッチング装置を使用した実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、あらゆるプラズマエッチング装置を使用できること、例えば、上部電極、下部電極の一方の電極のみに高周波電力を供給する方式のエッチング装置、磁場を用いてプラズマを制御するエッチング装置等を使用できることは、勿論である。
【0076】
【産業上の利用可能性】
本発明に係るドライエッチング方法は、半導体装置の製造を行う半導体製造産業等において使用することが可能である。したがって、本発明は産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態を説明するためのウエハ断面の構成を模式的に示す図。
【図2】 本発明の一実施形態に使用する装置の構成の例を示す図。
【図3】 本発明の一実施形態におけるパターンの構成を説明するための図。
【図4】 第1の実施例におけるCDシフトの測定結果を示す図。
【図5】 第2の実施例におけるCDシフトの測定結果を示す図。
【図6】 本発明の他の実施形態を説明するためのウエハ断面の構成を模式的に示す図。
【図7】 ガス流量比とトリミング量の関係の測定結果を示す図。
【図8】 従来の技術を説明するためのウエハ断面の構成を模式的に示す図。
【図9】 従来の技術におけるパターンの構成を説明するための図。
【図10】 比較例におけるCDシフトの測定結果を示す図。
Claims (10)
- 所定のパターンに形成されたマスク層を介して、有機系反射防止膜をエッチングするドライエッチング方法であって、
CF4 ガスとO2 ガスとを含むエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより、前記有機系反射防止膜をエッチングするとともに、前記マスク層及び前記有機系反射防止膜を、横方向にエッチングして、線幅のトリミングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記所定のパターンが、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分とを有し、前記密に配置された部分と前記疎に配置された部分で略均一にトリミングすることを特徴とする請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 前記エッチングガスのO2 ガス流量/(CF4 ガス流量+O2 ガス流量)を変化させて前記トリミングの量を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載のドライエッチング方法。
- 下部電極に印加する高周波電力の電力密度を変化させて前記トリミングの量を制御することを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- 前記マスク層はレジスト膜であり、前記有機系反射防止膜の下にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- 前記レジスト膜は、ArFレジスト膜であることを特徴とする請求項5に記載のエッチング方法。
- 前記有機系反射防止膜のエッチングの後で、CF4 ガスとCHF3 ガスを含む混合ガスで前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とする請求項6に記載のエッチング方法。
- 所定パターンに形成されたマスク層を介して、有機系反射防止膜をエッチングするドライエッチング方法であって、
N2 ガスとO2 ガスとを含むエッチングガスを用いたプラズマエッチングにより、前記有機系反射防止膜をエッチングするとともに、前記マスク層及び前記有機系反射防止膜を、横方向にエッチングして、線幅のトリミングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記所定のパターンが、隣接するパターン同士が近接して密に配置された部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置された部分とを有し、前記密に配置された部分と前記疎に配置された部分で略均一にトリミングすることを特徴とする請求項8に記載のドライエッチング方法。
- 前記エッチングガスが、N2 ガスとO2 ガスとを略同量含むことを特徴とする請求項8又は9に記載のドライエッチング方法。
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US7723238B2 (en) * | 2004-06-16 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Method for preventing striation at a sidewall of an opening of a resist during an etching process |
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US20070238304A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-11 | Jui-Hung Wu | Method of etching passivation layer |
JP5046639B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2012-10-10 | 富士フイルム株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
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JP2010217409A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
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US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
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US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
KR102249196B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2021-05-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴의 형성을 위한 식각 공정의 제어 방법 |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
TWI671792B (zh) | 2016-12-19 | 2019-09-11 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 基板處理設備 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN116732497A (zh) | 2018-02-14 | 2023-09-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
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US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
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USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
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US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
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USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4066A (en) * | 1845-06-02 | Double bellows | ||
US3997367A (en) * | 1975-11-20 | 1976-12-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for making transistors |
US6143476A (en) * | 1997-12-12 | 2000-11-07 | Applied Materials Inc | Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack |
JP3247096B2 (ja) | 1998-09-04 | 2002-01-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
JP2000091318A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
TW417165B (en) * | 1999-06-23 | 2001-01-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Manufacturing method for reducing the critical dimension of the wire and gap |
JP3990076B2 (ja) | 1999-06-30 | 2007-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2001176855A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US6864041B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Gate linewidth tailoring and critical dimension control for sub-100 nm devices using plasma etching |
WO2002095800A2 (en) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Reflectivity, Inc. | A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants |
US6794230B2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Approach to improve line end shortening |
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