JPH08195380A - コンタクトホールの形成方法 - Google Patents
コンタクトホールの形成方法Info
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- JPH08195380A JPH08195380A JP372495A JP372495A JPH08195380A JP H08195380 A JPH08195380 A JP H08195380A JP 372495 A JP372495 A JP 372495A JP 372495 A JP372495 A JP 372495A JP H08195380 A JPH08195380 A JP H08195380A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 径が０．２μｍクラスまたはそれ以下と微細
で、しかも配線材料の埋込み特性を向上できるコンタク
トホールの形成方法を提供すること。 【構成】 図１（ａ）に示す第１工程では、基体として
のＳｉの基板１表面に設けた下地層としてのＳｉＯ2 層
２上にレジストマスク３を形成した後、レジストマスク
３に孔３ａを設ける。次いで、図１（ｂ）に示す第２工
程ではＣ4 Ｈ8 ガスらなる堆積性ガスのプラズマを用
い、孔３ａの直下に位置するＳｉＯ2 層２をそのプラズ
マでエッチングすることなく、プラズマから生成される
ＣＦ系ポリマーを孔３ａの側壁に堆積させてこの堆積物
４により孔３ａの径を狭める。そして図１（ｃ）に示す
第３工程では、レジストマスク３と堆積物４とをエッチ
ングマスク６にしたエッチングにより、孔３ａの直下の
ＳｉＯ2 層２にコンタクトホール５を形成する。
で、しかも配線材料の埋込み特性を向上できるコンタク
トホールの形成方法を提供すること。 【構成】 図１（ａ）に示す第１工程では、基体として
のＳｉの基板１表面に設けた下地層としてのＳｉＯ2 層
２上にレジストマスク３を形成した後、レジストマスク
３に孔３ａを設ける。次いで、図１（ｂ）に示す第２工
程ではＣ4 Ｈ8 ガスらなる堆積性ガスのプラズマを用
い、孔３ａの直下に位置するＳｉＯ2 層２をそのプラズ
マでエッチングすることなく、プラズマから生成される
ＣＦ系ポリマーを孔３ａの側壁に堆積させてこの堆積物
４により孔３ａの径を狭める。そして図１（ｃ）に示す
第３工程では、レジストマスク３と堆積物４とをエッチ
ングマスク６にしたエッチングにより、孔３ａの直下の
ＳｉＯ2 層２にコンタクトホール５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、
ＡＳＩＣなどの半導体装置の製造プロセスで用いられる
微細なコンタクトホールの形成方法に関するものであ
る。
ＡＳＩＣなどの半導体装置の製造プロセスで用いられる
微細なコンタクトホールの形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化が進むにしたがって、
微細加工技術への要求は益々厳しいものとなってきてい
る。ドライエッチング工程においても、高精度の加工を
目指して種々の検討が行われている。そのような流れの
中で、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの層間絶縁膜にコ
ンタクトホールを形成する加工では、マグネトロン、誘
導結合またはヘリコンなどの高密度プラズマ源と、例え
ばフルオロカーボン（ＣＦ）系ガスからなる堆積性ガス
とによって発生させたプラズマを用いる方法が一般的と
なっている。
微細加工技術への要求は益々厳しいものとなってきてい
る。ドライエッチング工程においても、高精度の加工を
目指して種々の検討が行われている。そのような流れの
中で、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの層間絶縁膜にコ
ンタクトホールを形成する加工では、マグネトロン、誘
導結合またはヘリコンなどの高密度プラズマ源と、例え
ばフルオロカーボン（ＣＦ）系ガスからなる堆積性ガス
とによって発生させたプラズマを用いる方法が一般的と
なっている。
【０００３】また現在、コンタクトホールの径が０．３
μｍレベルまでは、エキシマレーザリソグラフィにより
コンタクトホール加工用のマスクに孔をパターニング
し、これを用いてエッチング加工することで、図５
（ａ）に示すごとく層間絶縁膜５１に、基体５０と反対
の側に向かって拡径するように若干のテーパ（〜８６
°）角をつけた所望の径のコンタクトホール５２を得る
ことができている。またその後、コンタクトホール５２
内へのブランケット−タングステン（Ｗ）などの配線材
料の埋込み、つまりＷ−プラグの形成なども支障なく行
うことが可能である。
μｍレベルまでは、エキシマレーザリソグラフィにより
コンタクトホール加工用のマスクに孔をパターニング
し、これを用いてエッチング加工することで、図５
（ａ）に示すごとく層間絶縁膜５１に、基体５０と反対
の側に向かって拡径するように若干のテーパ（〜８６
°）角をつけた所望の径のコンタクトホール５２を得る
ことができている。またその後、コンタクトホール５２
内へのブランケット−タングステン（Ｗ）などの配線材
料の埋込み、つまりＷ−プラグの形成なども支障なく行
うことが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した従
来の方法を用いて径が０．２μｍクラスまたはそれ以下
の微細なコンタクトホールを形成するには、以下に述べ
るような二つの大きな問題がある。
来の方法を用いて径が０．２μｍクラスまたはそれ以下
の微細なコンタクトホールを形成するには、以下に述べ
るような二つの大きな問題がある。
【０００５】一つは、現在のリソグラフィ技術では、マ
スクに０．２μｍの径の孔を安定して形成することが困
難であるという問題である。すなわち、波長が２４８ｎ
ｍの解像力が高いエキシマレーザを用いたリソグラフィ
においても０．３μｍの径の孔の形成が限界であり、解
像力の向上を図るべく位相シフト法や、変形照明などの
技術の開発がなされているものの実用レベルに達するに
はまだ時間が必要である。なお、位相シフト法とは、露
光用マスクのパターン近傍に屈折率の異なる層を設け、
位相の異なる２つの光の干渉によって信号強度を強くす
る技術であり、変形照明とは、光源の光強度分布を変化
させる技術である。
スクに０．２μｍの径の孔を安定して形成することが困
難であるという問題である。すなわち、波長が２４８ｎ
ｍの解像力が高いエキシマレーザを用いたリソグラフィ
においても０．３μｍの径の孔の形成が限界であり、解
像力の向上を図るべく位相シフト法や、変形照明などの
技術の開発がなされているものの実用レベルに達するに
はまだ時間が必要である。なお、位相シフト法とは、露
光用マスクのパターン近傍に屈折率の異なる層を設け、
位相の異なる２つの光の干渉によって信号強度を強くす
る技術であり、変形照明とは、光源の光強度分布を変化
させる技術である。
【０００６】また、より短波長の光を用いるフッ化アル
ゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザや電子線（ＥＢ）などを
使用するリソグラフィ法も検討されているが、前者は実
用機が未だなく、後者はスループットが遅いという問題
が解決できていないため、これらを使用することは難し
い。したがって、現在、実用レベルにあるマスクには、
径が０．２μｍクラスまたはそれ以下の孔が形成されて
いるものはないと言える。
ゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザや電子線（ＥＢ）などを
使用するリソグラフィ法も検討されているが、前者は実
用機が未だなく、後者はスループットが遅いという問題
が解決できていないため、これらを使用することは難し
い。したがって、現在、実用レベルにあるマスクには、
径が０．２μｍクラスまたはそれ以下の孔が形成されて
いるものはないと言える。
【０００７】もう一つの問題は、仮にマスクに０．２μ
ｍの径の孔を形成できても、従来通りのエッチング加工
によって図５（ａ）に示すようにコンタクトホール５２
の側壁に例えば８６°のテーパ角をつけた場合には、コ
ンタクトホール５２の基板５０側の径が０．１μｍと小
さくなってしまい、コンタクト抵抗が増大することであ
る。これを防ぐためには、図５（ｂ）に示すように側壁
のテーパ角を例えば８９°以上とより垂直に近い角度に
加工する必要があるが、その場合には、コンタクトホー
ル５３内に埋込もうとするブランケット−Ｗなどの配線
材料のカバレッジ性の問題からプラグの形成が困難にな
る可能性がある。
ｍの径の孔を形成できても、従来通りのエッチング加工
によって図５（ａ）に示すようにコンタクトホール５２
の側壁に例えば８６°のテーパ角をつけた場合には、コ
ンタクトホール５２の基板５０側の径が０．１μｍと小
さくなってしまい、コンタクト抵抗が増大することであ
る。これを防ぐためには、図５（ｂ）に示すように側壁
のテーパ角を例えば８９°以上とより垂直に近い角度に
加工する必要があるが、その場合には、コンタクトホー
ル５３内に埋込もうとするブランケット−Ｗなどの配線
材料のカバレッジ性の問題からプラグの形成が困難にな
る可能性がある。
【０００８】すなわち図５（ｃ）に示すように、アスペ
クト比が高くかつ側壁が垂直に近いコンタクトホール５
４では、例えばブランケット−Ｗ５６がその側壁上部付
近に先に堆積してしまいコンタクトホール５４をふさい
でしまうため、ブランケット−Ｗ５６のそれ以上の埋込
みができなくなるのである。
クト比が高くかつ側壁が垂直に近いコンタクトホール５
４では、例えばブランケット−Ｗ５６がその側壁上部付
近に先に堆積してしまいコンタクトホール５４をふさい
でしまうため、ブランケット−Ｗ５６のそれ以上の埋込
みができなくなるのである。
【０００９】埋込み特性を改善するには、図５（ｄ）に
示すように、コンタクトホール５５の側壁上部側をテー
パ状にすれば良いが、径が０．２μｍクラスのコンタク
トホール５５の側壁上部側をこのように制御良く加工す
る技術は開発されていない。本発明は上記課題を解決す
るためになされたものであり、径が０．２μｍクラスま
たはそれ以下と微細で、しかも後の埋込み工程における
配線材料の埋込み特性を向上できるコンタクトホールの
形成方法を提供することを目的としている。
示すように、コンタクトホール５５の側壁上部側をテー
パ状にすれば良いが、径が０．２μｍクラスのコンタク
トホール５５の側壁上部側をこのように制御良く加工す
る技術は開発されていない。本発明は上記課題を解決す
るためになされたものであり、径が０．２μｍクラスま
たはそれ以下と微細で、しかも後の埋込み工程における
配線材料の埋込み特性を向上できるコンタクトホールの
形成方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者は、以下に述べる報告に着目し、マスクの孔
の径を現在のリソグラフィ技術で安定して得られる寸法
に形成して、このマスクの孔の径を狭めることを検討し
た。
に本発明者は、以下に述べる報告に着目し、マスクの孔
の径を現在のリソグラフィ技術で安定して得られる寸法
に形成して、このマスクの孔の径を狭めることを検討し
た。
【００１１】すなわち、「1994 Micro Process Confere
nce 予稿集」の報告によれば、誘導結合プラズマ（ＩＣ
Ｐ）をプラズマ源として使用し、堆積性ガスであるオク
タフルオロブテン（Ｃ4 Ｆ8 ）ガスを単独で用いた場
合、イオンエネルギーを低く抑えると、プラズマ中に生
成する高解離の反応生成物の付着確率が高くなって、図
４（ａ）に示すようにＳｉＯ2 層４０に形成されている
コンタクトホール４１の側壁上部側に厚くＣＦ系ポリマ
ー４２が堆積する。一方、Ｃ4 Ｆ8 ガスに水素（Ｈ2 ）
ガスを添加したガス系を採用した場合には、堆積するＣ
Ｆ系ポリマー４２表面のラジカル移動度がＨ2 ガスの添
加により増大するため、図４（ｂ）に示すようにコンタ
クトホール４１の側壁に堆積するＣＦ系ポリマー４２の
厚みはほぼ均一になる。そして本発明者は、上記報告を
着目し鋭意研究した結果、本発明を完成させたのであ
る。
nce 予稿集」の報告によれば、誘導結合プラズマ（ＩＣ
Ｐ）をプラズマ源として使用し、堆積性ガスであるオク
タフルオロブテン（Ｃ4 Ｆ8 ）ガスを単独で用いた場
合、イオンエネルギーを低く抑えると、プラズマ中に生
成する高解離の反応生成物の付着確率が高くなって、図
４（ａ）に示すようにＳｉＯ2 層４０に形成されている
コンタクトホール４１の側壁上部側に厚くＣＦ系ポリマ
ー４２が堆積する。一方、Ｃ4 Ｆ8 ガスに水素（Ｈ2 ）
ガスを添加したガス系を採用した場合には、堆積するＣ
Ｆ系ポリマー４２表面のラジカル移動度がＨ2 ガスの添
加により増大するため、図４（ｂ）に示すようにコンタ
クトホール４１の側壁に堆積するＣＦ系ポリマー４２の
厚みはほぼ均一になる。そして本発明者は、上記報告を
着目し鋭意研究した結果、本発明を完成させたのであ
る。
【００１２】すなわち本発明のコンタクトホールの形成
方法は、まず第１工程で基体表面に設けた下地層上にマ
スクを形成した後、マスクに孔を設ける。次いで、第２
工程では堆積性ガスのプラズマを用い、孔の直下に位置
する下地層をそのプラズマでエッチングすることなく、
プラズマから生成される生成物を上記孔の側壁に堆積さ
せて孔の径を決定する。そして第３工程では、このよう
なマスクを用いたエッチングにより、上記孔の直下の下
地層にコンタクトホールを形成する。
方法は、まず第１工程で基体表面に設けた下地層上にマ
スクを形成した後、マスクに孔を設ける。次いで、第２
工程では堆積性ガスのプラズマを用い、孔の直下に位置
する下地層をそのプラズマでエッチングすることなく、
プラズマから生成される生成物を上記孔の側壁に堆積さ
せて孔の径を決定する。そして第３工程では、このよう
なマスクを用いたエッチングにより、上記孔の直下の下
地層にコンタクトホールを形成する。
【００１３】また本発明の他のコンタクトホールの形成
方法は、まず第１工程で基体表面に設けた下地層上にマ
スクを形成した後、マスクに孔を設ける。次いで、第２
工程では堆積性ガスのプラズマを用い、このプラズマか
ら生成される生成物を上記孔の側壁に堆積させて孔の径
を決定するとともに、孔の直下の下地層に上方に向かっ
て拡径するテーパ状の凹部を形成してコンタクトホール
の上部側を形成する。そして第３工程では、マスクを用
いたエッチングにより、上記凹部底面の直下の下地層に
開孔を設けてコンタクトホールの下部側を形成する。
方法は、まず第１工程で基体表面に設けた下地層上にマ
スクを形成した後、マスクに孔を設ける。次いで、第２
工程では堆積性ガスのプラズマを用い、このプラズマか
ら生成される生成物を上記孔の側壁に堆積させて孔の径
を決定するとともに、孔の直下の下地層に上方に向かっ
て拡径するテーパ状の凹部を形成してコンタクトホール
の上部側を形成する。そして第３工程では、マスクを用
いたエッチングにより、上記凹部底面の直下の下地層に
開孔を設けてコンタクトホールの下部側を形成する。
【００１４】なお、本発明における堆積性のガスには、
例えばフルオロカーボン系ガスが用いられる。また上記
プラズマから生成される生成物は、例えばフルオロカー
ボン系ガスを高密度プラズマで解離させることによって
生成されるものからなる。また、上記プラズマはイオン
エネルギーを発生させるプラズマからなり、このイオン
エネルギーを調整することによって、上記孔の側壁に堆
積させる堆積物の厚みを制御するとともにその孔の底部
に堆積される堆積物を除去することが可能である。さら
に上記堆積性のガスに水素ガスを添加することによっ
て、上記堆積物の厚み方向の方向性を制御することがで
きる。
例えばフルオロカーボン系ガスが用いられる。また上記
プラズマから生成される生成物は、例えばフルオロカー
ボン系ガスを高密度プラズマで解離させることによって
生成されるものからなる。また、上記プラズマはイオン
エネルギーを発生させるプラズマからなり、このイオン
エネルギーを調整することによって、上記孔の側壁に堆
積させる堆積物の厚みを制御するとともにその孔の底部
に堆積される堆積物を除去することが可能である。さら
に上記堆積性のガスに水素ガスを添加することによっ
て、上記堆積物の厚み方向の方向性を制御することがで
きる。
【００１５】
【作用】本発明方法では、堆積性ガスのプラズマから生
成される生成物を、マスクの孔の側壁に堆積させて孔の
径を狭めることにより該径を決定し、次いで、この堆積
物と上記マスクをエッチングマスクにしてエッチングす
るため、該エッチングの際は、孔の直下の下地層に入射
するプラズマが堆積物に規制されて、下地層には上記決
定された孔の径にほぼ等しい、すなわち上記マスクの元
の孔の径よりも小さい径のコンタクトホールが形成され
る。
成される生成物を、マスクの孔の側壁に堆積させて孔の
径を狭めることにより該径を決定し、次いで、この堆積
物と上記マスクをエッチングマスクにしてエッチングす
るため、該エッチングの際は、孔の直下の下地層に入射
するプラズマが堆積物に規制されて、下地層には上記決
定された孔の径にほぼ等しい、すなわち上記マスクの元
の孔の径よりも小さい径のコンタクトホールが形成され
る。
【００１６】また本発明の他の方法では、堆積性ガスの
プラズマから生成される生成物を、マスクの孔の側壁に
堆積させて孔の径を狭めることにより該径を決定すると
ともに、孔の直下の下地層に上方に向かって拡径するテ
ーパ状の凹部を形成してコンタクトホールの上部側を形
成した後、マスクの孔の側壁に堆積させた堆積物と上記
マスクをエッチングマスクにしてエッチングするため、
凹部底面の直下の下地層に入射するプラズマが堆積物に
規制されて、下地層にはコンタクトホールの上部側に続
いて、上記決定された孔の径にほぼ等しいコンタクトホ
ールの下部側が形成される。つまり、上部側にテーパが
つけられておりかつ下部側が元のマスクの孔の径よりも
小さい径のコンタクトホールが形成される。
プラズマから生成される生成物を、マスクの孔の側壁に
堆積させて孔の径を狭めることにより該径を決定すると
ともに、孔の直下の下地層に上方に向かって拡径するテ
ーパ状の凹部を形成してコンタクトホールの上部側を形
成した後、マスクの孔の側壁に堆積させた堆積物と上記
マスクをエッチングマスクにしてエッチングするため、
凹部底面の直下の下地層に入射するプラズマが堆積物に
規制されて、下地層にはコンタクトホールの上部側に続
いて、上記決定された孔の径にほぼ等しいコンタクトホ
ールの下部側が形成される。つまり、上部側にテーパが
つけられておりかつ下部側が元のマスクの孔の径よりも
小さい径のコンタクトホールが形成される。
【００１７】
【実施例】以下、本発明のコンタクトホールの形成方法
の実施例を説明するが、これに先立ち、本発明の第２お
よび第３工程で使用する装置の一例を図３に示す概略構
成図を用いて説明する。
の実施例を説明するが、これに先立ち、本発明の第２お
よび第３工程で使用する装置の一例を図３に示す概略構
成図を用いて説明する。
【００１８】この装置はいわゆるＩＣＰ装置３０であ
り、チャンバー３１の外周にはアンテナコイル３２が巻
かれている。アンテナコイル３２にはソースパワー電源
３３が接続されており、また基板１を設置するための電
極３４には、高周波（ＲＦ）バイアス電源３５が接続さ
れている。さらにチャンバー３１には堆積性ガスの導入
管と真空ポンプ（いずれも図示せず）とがそれぞれ接続
されている。
り、チャンバー３１の外周にはアンテナコイル３２が巻
かれている。アンテナコイル３２にはソースパワー電源
３３が接続されており、また基板１を設置するための電
極３４には、高周波（ＲＦ）バイアス電源３５が接続さ
れている。さらにチャンバー３１には堆積性ガスの導入
管と真空ポンプ（いずれも図示せず）とがそれぞれ接続
されている。
【００１９】このように構成されるＩＣＰ装置３０で
は、チャンバー３１内を所定の減圧状態にして堆積性ガ
スをチャンバー３１内に導入するとともに、アンテナコ
イル３２に所定の電力を供給することで放電が開始さ
れ、チャンバー３１内において堆積性ガスの１０11〜１
０12／ｃｍ3 の高密度プラズマが発生する機構となって
いる。またＲＦバイアス電源３５から電極３４に印加さ
れるＲＦバイアスの印加によって、電極３４（基板１）
表面に形成されるイオン加速電界（Ｖｄｃ）を制御でき
るようになっており、このことによって、チャンバー３
１内で発生させるプラズマとは独立して基板１に入射す
るイオンのエネルギー（以下、イオンエネルギーと記
す）を調整できるようになっている。
は、チャンバー３１内を所定の減圧状態にして堆積性ガ
スをチャンバー３１内に導入するとともに、アンテナコ
イル３２に所定の電力を供給することで放電が開始さ
れ、チャンバー３１内において堆積性ガスの１０11〜１
０12／ｃｍ3 の高密度プラズマが発生する機構となって
いる。またＲＦバイアス電源３５から電極３４に印加さ
れるＲＦバイアスの印加によって、電極３４（基板１）
表面に形成されるイオン加速電界（Ｖｄｃ）を制御でき
るようになっており、このことによって、チャンバー３
１内で発生させるプラズマとは独立して基板１に入射す
るイオンのエネルギー（以下、イオンエネルギーと記
す）を調整できるようになっている。
【００２０】次に、このような装置を用いて行う本発明
の一実施例を図１に示す工程図を用いて説明する。な
お、ここでは、本発明における基体としてシリコン（Ｓ
ｉ）の基板を用いるとともに、本発明における下地層と
して１μｍの厚みのＳｉＯ2 層を使用し、さらにマスク
としてレジストマスクを用いた場合について述べる。
の一実施例を図１に示す工程図を用いて説明する。な
お、ここでは、本発明における基体としてシリコン（Ｓ
ｉ）の基板を用いるとともに、本発明における下地層と
して１μｍの厚みのＳｉＯ2 層を使用し、さらにマスク
としてレジストマスクを用いた場合について述べる。
【００２１】まず図１（ａ）に示す第１工程では、Ｓｉ
の基板１表面に設けたＳｉＯ2 層２上にレジストマスク
３を形成した後、リソグラフィおよびエッチングによっ
てこのレジストマスク３に０．３μｍの径の孔３ａを形
成する。
の基板１表面に設けたＳｉＯ2 層２上にレジストマスク
３を形成した後、リソグラフィおよびエッチングによっ
てこのレジストマスク３に０．３μｍの径の孔３ａを形
成する。
【００２２】次いで図１（ｂ）に示す第２工程では、前
述した図３に示すＩＣＰ装置３０を用い、Ｃ4 Ｆ8 ガス
からなる堆積性ガスをチャンバー３１内に１００ｓｃｃ
ｍの流量で導入するとともに、チャンバー３１内の圧力
を１．３Ｐａ、ソースパワーを１２００Ｗに設定してＣ
4 Ｆ8 ガスのプラズマを発生させる。そして、このプラ
ズマの解離反応から生成される生成物を孔３ａの側壁に
堆積させて孔３ａの径を狭め、孔３ａの径を決定する。
なお、この孔部３ａの側壁に堆積させる堆積物４は、Ｘ
ＰＳ（Ｘ線光電子分光法）分析によって、炭素（Ｃ）と
フッ素（Ｆ）とからなるＣＦ系ポリマーであることが確
認されている。
述した図３に示すＩＣＰ装置３０を用い、Ｃ4 Ｆ8 ガス
からなる堆積性ガスをチャンバー３１内に１００ｓｃｃ
ｍの流量で導入するとともに、チャンバー３１内の圧力
を１．３Ｐａ、ソースパワーを１２００Ｗに設定してＣ
4 Ｆ8 ガスのプラズマを発生させる。そして、このプラ
ズマの解離反応から生成される生成物を孔３ａの側壁に
堆積させて孔３ａの径を狭め、孔３ａの径を決定する。
なお、この孔部３ａの側壁に堆積させる堆積物４は、Ｘ
ＰＳ（Ｘ線光電子分光法）分析によって、炭素（Ｃ）と
フッ素（Ｆ）とからなるＣＦ系ポリマーであることが確
認されている。
【００２３】またＣＦ系ポリマーからなる堆積物４を堆
積する際は、孔３ａの直下に位置するＳｉＯ2 層２をＣ
4 Ｆ8 ガスのプラズマでエッチングしないようにする。
それには、上記のＳｉＯ2 層２のエッチングレートが０
になるイオンエネルギーが得られるときの加速電圧（Ｖ
dcφ）を基準とし、これから例えば±５０Ｖの範囲に加
速電圧（Ｖdcφ）を制御してＣＦ系ポリマーの堆積を行
う。さらに上記イオンエネルギーを調整することによっ
て、孔３ａの側壁に堆積される堆積物の厚みを制御する
とともに、孔３ａの底部に堆積される堆積物４、つまり
ＣＦ系ポリマーを除去するようにする。ここでは、電極
３４に５ＷのＲＦバイアス電力を供給することにより、
Ｖｄｃ＜０、Ｖｄｃ＝Ｖｄｃφ＝±５０Ｖに設定してい
る。
積する際は、孔３ａの直下に位置するＳｉＯ2 層２をＣ
4 Ｆ8 ガスのプラズマでエッチングしないようにする。
それには、上記のＳｉＯ2 層２のエッチングレートが０
になるイオンエネルギーが得られるときの加速電圧（Ｖ
dcφ）を基準とし、これから例えば±５０Ｖの範囲に加
速電圧（Ｖdcφ）を制御してＣＦ系ポリマーの堆積を行
う。さらに上記イオンエネルギーを調整することによっ
て、孔３ａの側壁に堆積される堆積物の厚みを制御する
とともに、孔３ａの底部に堆積される堆積物４、つまり
ＣＦ系ポリマーを除去するようにする。ここでは、電極
３４に５ＷのＲＦバイアス電力を供給することにより、
Ｖｄｃ＜０、Ｖｄｃ＝Ｖｄｃφ＝±５０Ｖに設定してい
る。
【００２４】そして図１（ｃ）に示す第３工程では、上
記のＩＣＰ装置３０を使用し、孔３ａの径が狭められた
レジストマスク３と堆積物４とをエッチングマスク６に
したエッチングにより、孔３ａの直下のＳｉＯ2 層２
に、Ｓｉ基板１に到達するコンタクトホール５を形成す
る。ここではエッチングガスとして、Ｃ4 Ｆ8 ガスにＨ
2 ガスを添加したガスを用い、Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量を７
０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスの流量を３０ｓｃｃｍとする。ま
た、チャンバー３１内の圧力を１．３Ｐａ、ソースパワ
ーを１２００Ｗに設定するとともに、ＲＦバイアス電力
を６０Ｗ（Ｖｄｃ＜０、Ｖｄｃ＝Ｖｄｃφ＝−２５０
Ｖ）に設定しコンタクトホール５を形成する。
記のＩＣＰ装置３０を使用し、孔３ａの径が狭められた
レジストマスク３と堆積物４とをエッチングマスク６に
したエッチングにより、孔３ａの直下のＳｉＯ2 層２
に、Ｓｉ基板１に到達するコンタクトホール５を形成す
る。ここではエッチングガスとして、Ｃ4 Ｆ8 ガスにＨ
2 ガスを添加したガスを用い、Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量を７
０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスの流量を３０ｓｃｃｍとする。ま
た、チャンバー３１内の圧力を１．３Ｐａ、ソースパワ
ーを１２００Ｗに設定するとともに、ＲＦバイアス電力
を６０Ｗ（Ｖｄｃ＜０、Ｖｄｃ＝Ｖｄｃφ＝−２５０
Ｖ）に設定しコンタクトホール５を形成する。
【００２５】上記した方法では、Ｃ4 Ｆ8 ガスのプラズ
マから生成されるＣＦ系ポリマーを、０．３μｍの径の
孔３ａの側壁に堆積させて孔３ａの径を狭めるので、実
質的には０．２μｍの径の孔３ａが形成されることにな
る。そして、このようなレジストマスク３と堆積物４を
エッチングマスク６にしたエッチングでは、孔３ａの直
下のＳｉＯ2 層２に入射するプラズマが堆積物４に規制
されるため、ＳｉＯ2層２には狭められた孔３ａの径と
ほぼ等しい、すなわち元の孔３ａの径よりも小さい０．
２μｍ径の微細なコンタクトホール５が形成されること
になる。
マから生成されるＣＦ系ポリマーを、０．３μｍの径の
孔３ａの側壁に堆積させて孔３ａの径を狭めるので、実
質的には０．２μｍの径の孔３ａが形成されることにな
る。そして、このようなレジストマスク３と堆積物４を
エッチングマスク６にしたエッチングでは、孔３ａの直
下のＳｉＯ2 層２に入射するプラズマが堆積物４に規制
されるため、ＳｉＯ2層２には狭められた孔３ａの径と
ほぼ等しい、すなわち元の孔３ａの径よりも小さい０．
２μｍ径の微細なコンタクトホール５が形成されること
になる。
【００２６】実際に、上記した条件でコンタクトホール
５の形成を行ったところ、０．２μｍの微細な径を有
し、かつ側壁のテーパ角が８９°と配線材料を良好に埋
込むことができるテーパ角のコンタクトホール５を形成
することができた。したがってこの実施例によれば、既
存の０．３μｍのリソグラフィ技術を用いても０．２μ
ｍクラスまたはそれ以下の微細な径を有し、かつ後の埋
込み工程における配線材料の埋込み特性を向上できるコ
ンタクトホール５を形成することができる。
５の形成を行ったところ、０．２μｍの微細な径を有
し、かつ側壁のテーパ角が８９°と配線材料を良好に埋
込むことができるテーパ角のコンタクトホール５を形成
することができた。したがってこの実施例によれば、既
存の０．３μｍのリソグラフィ技術を用いても０．２μ
ｍクラスまたはそれ以下の微細な径を有し、かつ後の埋
込み工程における配線材料の埋込み特性を向上できるコ
ンタクトホール５を形成することができる。
【００２７】次に、本発明の他の実施例を図２に示す工
程図を用いて説明する。この実施例において、上記実施
例と相異するのは、第２工程において孔３ａの側壁にＣ
Ｆ系ポリマーを堆積させるとともに、孔３ａの直下のＳ
ｉＯ2 層２をエッチングしてコンタクトホール１５の上
部側を形成する点である。
程図を用いて説明する。この実施例において、上記実施
例と相異するのは、第２工程において孔３ａの側壁にＣ
Ｆ系ポリマーを堆積させるとともに、孔３ａの直下のＳ
ｉＯ2 層２をエッチングしてコンタクトホール１５の上
部側を形成する点である。
【００２８】すなわち、図２（ａ）に示す第１工程で、
ＳｉＯ2 層２上のレジストマスク３に０．３μｍの径の
孔３ａを設けた後、図２（ｂ）に示す第２工程では、前
述した図３に示すＩＣＰ装置３０を用いるとともに、電
極３４に供給するＲＦバイアス電力を６０Ｗ（Ｖｄｃ＜
０、Ｖｄｃ＝Ｖｄｃφ＝−５０Ｖ〜−１５０Ｖ）とする
以外は堆積ガス種、流量などを上記実施例の第２工程と
同じ条件に設定してＣ 4 Ｆ8 ガスのプラズマを発生させ
る。そして、このプラズマの解離反応から生成されるＣ
Ｆ系ポリマーを孔３ａの側壁に堆積させ、このＣＦ系ポ
リマーからなる堆積物４によって孔３ａの径を狭める。
また同時に、上記のＣ4 Ｆ8 ガスのプラズマにより、孔
３ａ直下のＳｉＯ2 層２に、上方に向かって漸次拡径す
るテーパ状の凹部１５ａを形成してコンタクトホール１
５の上部側を形成する。なお、この工程ではＣ4 Ｆ8 ガ
スのプラズマ放電を３０秒間行う。
ＳｉＯ2 層２上のレジストマスク３に０．３μｍの径の
孔３ａを設けた後、図２（ｂ）に示す第２工程では、前
述した図３に示すＩＣＰ装置３０を用いるとともに、電
極３４に供給するＲＦバイアス電力を６０Ｗ（Ｖｄｃ＜
０、Ｖｄｃ＝Ｖｄｃφ＝−５０Ｖ〜−１５０Ｖ）とする
以外は堆積ガス種、流量などを上記実施例の第２工程と
同じ条件に設定してＣ 4 Ｆ8 ガスのプラズマを発生させ
る。そして、このプラズマの解離反応から生成されるＣ
Ｆ系ポリマーを孔３ａの側壁に堆積させ、このＣＦ系ポ
リマーからなる堆積物４によって孔３ａの径を狭める。
また同時に、上記のＣ4 Ｆ8 ガスのプラズマにより、孔
３ａ直下のＳｉＯ2 層２に、上方に向かって漸次拡径す
るテーパ状の凹部１５ａを形成してコンタクトホール１
５の上部側を形成する。なお、この工程ではＣ4 Ｆ8 ガ
スのプラズマ放電を３０秒間行う。
【００２９】そして図２（ｃ）に示す第３工程では、前
述の実施例の第３工程と同じ条件でレジストマスク３と
堆積物４とをエッチングマスク６にしたエッチングによ
り、凹部１５ａ底面の直下のＳｉＯ2 層２に、Ｓｉ基板
１に到達する開孔１５ｂを設けてコンタクトホール１５
の下部側を形成する。
述の実施例の第３工程と同じ条件でレジストマスク３と
堆積物４とをエッチングマスク６にしたエッチングによ
り、凹部１５ａ底面の直下のＳｉＯ2 層２に、Ｓｉ基板
１に到達する開孔１５ｂを設けてコンタクトホール１５
の下部側を形成する。
【００３０】上記した方法では、前述の実施例と同様
に、ＣＦ系ポリマーを０．３μｍの径の孔３ａの側壁に
堆積させて孔３ａの径を狭めるので、実質的には０．２
μｍの径の孔３ａが形成される。また、このとき電極２
３に印加する加速電圧Ｖｄｃを、前述の実施例の第２工
程で設定した加速電圧Ｖｄｃφより高くしてイオンエネ
ルギーを大きくしているので、孔３ａ直下のＳｉＯ2 層
２が弱いイオン衝撃を受けていわゆるスパッタリング効
果によりエッチングされ、上方に向かって漸次拡径する
テーパ状の凹部１５ａ、つまりコンタクトホール１５の
上部側が形成される。
に、ＣＦ系ポリマーを０．３μｍの径の孔３ａの側壁に
堆積させて孔３ａの径を狭めるので、実質的には０．２
μｍの径の孔３ａが形成される。また、このとき電極２
３に印加する加速電圧Ｖｄｃを、前述の実施例の第２工
程で設定した加速電圧Ｖｄｃφより高くしてイオンエネ
ルギーを大きくしているので、孔３ａ直下のＳｉＯ2 層
２が弱いイオン衝撃を受けていわゆるスパッタリング効
果によりエッチングされ、上方に向かって漸次拡径する
テーパ状の凹部１５ａ、つまりコンタクトホール１５の
上部側が形成される。
【００３１】そして、孔３ａの径が０．２μｍに狭めら
れたレジストマスク３と堆積物４とをエッチングマスク
６にしたエッチングでは、凹部１５ａ底面の直下のＳｉ
Ｏ2層２に入射するプラズマが堆積物４に規制されるた
め、ＳｉＯ2 層２には狭められた孔３ａの径とほぼ等し
い、すなわち元の孔３ａの径よりも小さい０．２μｍの
径のコンタクトホール１５の下部側が形成される。
れたレジストマスク３と堆積物４とをエッチングマスク
６にしたエッチングでは、凹部１５ａ底面の直下のＳｉ
Ｏ2層２に入射するプラズマが堆積物４に規制されるた
め、ＳｉＯ2 層２には狭められた孔３ａの径とほぼ等し
い、すなわち元の孔３ａの径よりも小さい０．２μｍの
径のコンタクトホール１５の下部側が形成される。
【００３２】実際に、上記した条件でコンタクトホール
１５の形成を行ったところ、上端の径が０．３μｍ、下
端の径が０．２μｍのテーパ状のコンタクトホール１５
の上部側と、径が０．２μｍのコンタクトホール１５の
下部側とから構成される微細なコンタクトホール１５を
形成することができた。
１５の形成を行ったところ、上端の径が０．３μｍ、下
端の径が０．２μｍのテーパ状のコンタクトホール１５
の上部側と、径が０．２μｍのコンタクトホール１５の
下部側とから構成される微細なコンタクトホール１５を
形成することができた。
【００３３】このようなコンタクトホール１５は、下部
側の径が微細でありながら上部側にはテーパがついてい
るので、後の埋込み工程では配線材料を良好に埋込むこ
とができるものとなる。したがってこの実施例によって
も、既存の０．３μｍのリソグラフィ技術を用いて、
０．２μｍクラスまたはそれ以下の微細な径を有し、し
かも配線材料の埋込み特性を一層向上できるコンタクト
ホール１５を形成することができる。
側の径が微細でありながら上部側にはテーパがついてい
るので、後の埋込み工程では配線材料を良好に埋込むこ
とができるものとなる。したがってこの実施例によって
も、既存の０．３μｍのリソグラフィ技術を用いて、
０．２μｍクラスまたはそれ以下の微細な径を有し、し
かも配線材料の埋込み特性を一層向上できるコンタクト
ホール１５を形成することができる。
【００３４】なお、本実施例では、Ｃ4 Ｆ8 ガスからな
る堆積性ガスを単独で用いて本発明における第２工程を
行ったが、このＣ4 Ｆ8 ガスにさらにＨ2 ガスを添加し
て第２工程を行うことも可能である。この場合には、前
述した課題を解決する手段で記載した理由により、孔の
側壁に堆積させる堆積物の厚み方向の方向性を制御する
ことができる。また本実施例はいずれも、通常のＳｉＯ
2 のエッチングに準じる形のプロセスのみで構成されて
いるため、再現性または均一性に関しても何等心配のな
い安定したプロセスである。
る堆積性ガスを単独で用いて本発明における第２工程を
行ったが、このＣ4 Ｆ8 ガスにさらにＨ2 ガスを添加し
て第２工程を行うことも可能である。この場合には、前
述した課題を解決する手段で記載した理由により、孔の
側壁に堆積させる堆積物の厚み方向の方向性を制御する
ことができる。また本実施例はいずれも、通常のＳｉＯ
2 のエッチングに準じる形のプロセスのみで構成されて
いるため、再現性または均一性に関しても何等心配のな
い安定したプロセスである。
【００３５】さらに本実施例では、本発明における堆積
性ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを例にとって説明したが、本
発明の下地層としてＳｉＯ2 を用いる場合にはその他に
テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4 ）ガスやテトラフルオ
ロシラン（ＳｉＦ4 ）ガスなどを用いることができる。
また、ヘキサフルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）ガスやオクタ
フルオロプロパン（Ｃ3 Ｆ8 ）ガスなどのガス系を用い
ても同様の効果が得られるのはもちろんである。その
他、本発明の主旨に反しない限り、反応条件、装置構成
など、適宜変更可能であるのは言うまでもない。
性ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを例にとって説明したが、本
発明の下地層としてＳｉＯ2 を用いる場合にはその他に
テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4 ）ガスやテトラフルオ
ロシラン（ＳｉＦ4 ）ガスなどを用いることができる。
また、ヘキサフルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）ガスやオクタ
フルオロプロパン（Ｃ3 Ｆ8 ）ガスなどのガス系を用い
ても同様の効果が得られるのはもちろんである。その
他、本発明の主旨に反しない限り、反応条件、装置構成
など、適宜変更可能であるのは言うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のコンタクト
ホールの形成方法は、堆積性ガスのプラズマからの生成
物をマスクの孔の側壁に堆積させてその径を狭めること
によって該径を決定し、この後にその堆積物と上記マス
クとをエッチングマスクにしてエッチングすることか
ら、下地層には狭めた孔の径にほぼ等しいコンタクトホ
ールを形成できるので、マスクの孔の形成に既存の０．
３μｍのリソグラフィ技術を用いても、０．２μｍクラ
スまたはそれ以下の径を有する微細なコンタクトホール
を形成することができる。
ホールの形成方法は、堆積性ガスのプラズマからの生成
物をマスクの孔の側壁に堆積させてその径を狭めること
によって該径を決定し、この後にその堆積物と上記マス
クとをエッチングマスクにしてエッチングすることか
ら、下地層には狭めた孔の径にほぼ等しいコンタクトホ
ールを形成できるので、マスクの孔の形成に既存の０．
３μｍのリソグラフィ技術を用いても、０．２μｍクラ
スまたはそれ以下の径を有する微細なコンタクトホール
を形成することができる。
【００３７】また本発明の他のコンタクトホールの形成
方法は、堆積性ガスのプラズマからの生成物をマスクの
孔の側壁に堆積させてその径を狭めることによって該径
を決定するとともに、孔の直下の下地層に上方に向かっ
て拡径するテーパ状のコンタクトホールの上部側を形成
した後、このマスクを用いてエッチングすることから、
下地層にはテーパ状のコンタクトホールの上部側に続い
て、狭められた孔の径にほぼ等しいタクトホールの下部
側を形成できる。よって、マスクの孔の形成に既存の
０．３μｍのリソグラフィ技術を用いても、０．２μｍ
クラスまたはそれ以下の径に形成することができるとと
もに、後の埋込み工程において配線材料の埋込み特性を
向上できるコンタクトホールを得ることができる。した
がって本発明を用いれば、０．２μｍクラスまたはそれ
以下のデザインルールを有するＭＯＳ ＬＳＩなどの半
導体装置の製造を実現することができる。
方法は、堆積性ガスのプラズマからの生成物をマスクの
孔の側壁に堆積させてその径を狭めることによって該径
を決定するとともに、孔の直下の下地層に上方に向かっ
て拡径するテーパ状のコンタクトホールの上部側を形成
した後、このマスクを用いてエッチングすることから、
下地層にはテーパ状のコンタクトホールの上部側に続い
て、狭められた孔の径にほぼ等しいタクトホールの下部
側を形成できる。よって、マスクの孔の形成に既存の
０．３μｍのリソグラフィ技術を用いても、０．２μｍ
クラスまたはそれ以下の径に形成することができるとと
もに、後の埋込み工程において配線材料の埋込み特性を
向上できるコンタクトホールを得ることができる。した
がって本発明を用いれば、０．２μｍクラスまたはそれ
以下のデザインルールを有するＭＯＳ ＬＳＩなどの半
導体装置の製造を実現することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】本発明の他の方法の一実施例を示す工程図であ
る。
る。
【図３】本発明で使用する装置の一例を示す概略構成図
である。
である。
【図４】ＣＦ系ポリマーの堆積状態を説明する図であ
る。
る。
【図５】本発明の課題を説明する図である。
１ 基板（基体） ２ ＳｉＯ2 層（下地層） ３ レジストマスク ３ａ 孔 ４ 堆積物 ５、１５ コンタクトホール ６ エッチングマスク １５ａ 凹部 １５ｂ 開孔
Claims (6)
- 【請求項１】 基体表面に設けた下地層上にマスクを形
成した後、該マスクに孔を設ける第１工程と、 堆積性ガスのプラズマを用い、前記孔の直下に位置する
下地層を該プラズマでエッチングすることなく、前記プ
ラズマから生成される生成物を前記孔の側壁に堆積させ
て前記孔の径を決定する第２工程と、 前記マスクと前記堆積物とをエッチングマスクにしたエ
ッチングにより、前記孔の直下の下地層にコンタクトホ
ールを形成する第３工程とを有していることを特徴とす
るコンタクトホールの形成方法。 - 【請求項２】 基体表面に設けた下地層上にマスクを形
成した後、該マスクに孔を設ける第１工程と、 堆積性ガスのプラズマを用い、該プラズマから生成され
る生成物を前記孔の側壁に堆積させて前記孔の径を決定
するとともに、前記孔の直下の下地層に上方に向かって
拡径するテーパ状の凹部を形成してコンタクトホールの
上部側を形成する第２工程と、 前記マスクと前記堆積物とをエッチングマスクにしたエ
ッチングにより、前記凹部底面の直下の下地層に開孔を
設けて前記コンタクトホールの下部側を形成する第３工
程とを有することを特徴とするコンタクトホールの形成
方法。 - 【請求項３】 前記堆積性のガスには、フルオロカーボ
ン系ガスを用いることを特徴とする請求項１または２記
載のコンタクトホールの形成方法。 - 【請求項４】 前記生成物は、フルオロカーボン系ガス
を高密度プラズマで解離させることによって生成される
ものであることを特徴とする請求項１ないし３いずれか
１項に記載のコンタクトホールの形成方法。 - 【請求項５】 前記プラズマは、イオンエネルギーを発
生させるプラズマからなり、前記イオンエネルギーを調
整することによって、前記堆積物の厚みを制御するとと
もに前記孔の底部に堆積される堆積物を除去することを
特徴とする請求項１ないし４いずれか１項に記載のコン
タクトホールの形成方法。 - 【請求項６】 前記堆積性のガスに、水素ガスを添加す
ることによって、前記堆積物の厚み方向の方向性を制御
することを特徴とする請求項１ないし５記載のコンタク
トホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP372495A JPH08195380A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | コンタクトホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP372495A JPH08195380A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | コンタクトホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195380A true JPH08195380A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11565245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP372495A Pending JPH08195380A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | コンタクトホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195380A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319283B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2002-01-05 | 아끼구사 나오유끼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100318462B1 (ko) * | 1997-10-16 | 2002-07-06 | 박종섭 | 반도체소자의미세패턴간극형성방법 |
| KR100366635B1 (ko) * | 2000-11-01 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 및 그 제조방법 |
| DE102004007167A1 (de) * | 2004-02-09 | 2005-09-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen geätzter Strukturen |
| KR100550640B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2006-02-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불화아르곤 노광원을 이용한 패턴 형성 방법 |
| JP2008060566A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-13 | Lam Res Corp | プラズマエッチング性能強化方法 |
| CN100426453C (zh) * | 2005-03-09 | 2008-10-15 | 东京毅力科创株式会社 | 微细图案形成方法 |
| JP2010506428A (ja) * | 2006-10-10 | 2010-02-25 | ラム リサーチ コーポレーション | フッ素除去プロセス |
| CN111627789A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 东京毅力科创株式会社 | 沉积处理方法和等离子体处理装置 |
| JP2021118315A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP372495A patent/JPH08195380A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100318462B1 (ko) * | 1997-10-16 | 2002-07-06 | 박종섭 | 반도체소자의미세패턴간극형성방법 |
| KR100319283B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2002-01-05 | 아끼구사 나오유끼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100366635B1 (ko) * | 2000-11-01 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 및 그 제조방법 |
| KR100550640B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2006-02-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불화아르곤 노광원을 이용한 패턴 형성 방법 |
| DE102004007167A1 (de) * | 2004-02-09 | 2005-09-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen geätzter Strukturen |
| CN100426453C (zh) * | 2005-03-09 | 2008-10-15 | 东京毅力科创株式会社 | 微细图案形成方法 |
| JP2008060566A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-13 | Lam Res Corp | プラズマエッチング性能強化方法 |
| KR101468213B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2014-12-03 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 에칭 성능 강화 방법 |
| JP2010506428A (ja) * | 2006-10-10 | 2010-02-25 | ラム リサーチ コーポレーション | フッ素除去プロセス |
| CN111627789A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 东京毅力科创株式会社 | 沉积处理方法和等离子体处理装置 |
| JP2021118315A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
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