JP2020017709A - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体の微細加工における寸法のばらつきは最終的な製品の性能を左右する。たとえば半導体基板にゲート電極を形成する場合を考える。まず、半導体基板上に、ゲート電極用のポリシリコン層、エッチング用のマスク層を順次形成する。マスク層にはEUVL等のリソグラフィによりゲート電極に対応するパターンが形成される。そして、マスク層を用いてポリシリコン層をエッチングしてゲート電極を形成する。このとき、マスク層のパターンの寸法にばらつきがあると、そのままゲート電極の寸法のばらつきとなる。このため、マスク層の段階でパターンの寸法の均一性を高めることが好ましい。第1の実施形態においては、処理対象上に形成されるパターンの寸法を均一化しLCDUを改善する技術を提供する。第1の実施形態に係るプラズマ処理方法は、たとえば、処理対象上に略同一寸法のパターンが複数繰り返し形成される場合に、当該パターンの寸法を均一化する。第1の実施形態に係るプラズマ処理方法はまた、半導体ウェハ等のパターンのラフネス改善にも効果を発揮する。
図1は、第1の実施形態に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。第1の実施形態に係るプラズマ処理はたとえば後述するプラズマ処理装置(図15参照)が実行する。
図2A乃至図2Eを参照して第1の実施形態に係るプラズマ処理についてさらに説明する。図2Aは、第1の実施形態に係るプラズマ処理の処理対象の一例の概略断面図である。図2Bは、図2Aに示す処理対象の概略上面図である。
次に、ローディング効果とLCDU改善効果との関係について説明する。たとえば図2Cに示したように、処理対象上に開口部O1と、開口部O1よりも開口寸法が大きい開口部O2と、が形成されているとする。そして、第1工程において堆積された第1の膜の膜厚と第2工程において堆積された第2の膜の膜厚が、開口部O1においてはa、bであり開口部O2においてはA、Bであるとする。また、第1の膜と第2の膜とのエッチング選択比(第1の膜のエッチングレートと第2の膜のエッチングレートとの比、すなわち、第1のエッチングレート/第2の膜のエッチングレート)はSであるとする。
(X+(S×Y))・・・式(1)
式(1)から、XおよびYの値が大きいほど、LCDU改善量が大きくなると言える。すなわち、第1の膜、第2の膜のいずれについてもローディング効果(X,Y)が大きいほどLCDU改善量が大きくなる。すなわち、開口部O1,O2において形成される第1の膜、第2の膜各々の膜厚差(X,Y)が大きいほど、LCDU改善量が大きくなる。また、第1の膜、第2の膜のいずれかについてローディング効果(X,Y)があれば、LCDUの改善が見込まれる。また、第2の膜についてローディング効果(Y)があり、かつ、第1の膜と第2の膜とのエッチング選択比(S)が大きい場合に大きな改善効果が見込まれる。
図3の例では、ローディング効果を利用することで、開口部O1と開口部O2において形成される第1の膜および第2の膜の双方の膜厚が異なるように制御した。これに限らず、たとえば、第1の膜はローディング効果を利用しない手法で形成し、第2の膜のみローディング効果を利用して形成するものとしてもよい。たとえば、第1の膜は原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)を用いて形成してもよい。
図4は、成膜条件とエッチング耐性との関係について説明するための図である。図4に示す例は、同一材料で第1の膜および第2の膜を形成しても選択比を出すことができることを示している。図4の縦軸はエッチングレート(nm/min)を、横軸は成膜時のO2添加流量(sccm)を示す。
・チャンバ内の圧力 10mT
・印加電力 1000W+0W
・ガス種および流量 SiCl4/He/O2=25/100/@@sccm
・処理時間 60秒
例1
・チャンバ内の圧力 20mT
・印加電力 500W+100W
・ガス種および流量 C4F8/Ar=40/200sccm
例2
・チャンバ内の圧力 20mT
・印加電力 500W+50W
・ガス種および流量 Cl2=200sccm
図5は、第1の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。第1工程では、SiCl4とO2を処理ガスとしてCVDによりSiO2膜を第1の膜として堆積する。第2工程も、SiCl4とO2を処理ガスとしてCVDによりSiO2膜を第2の膜として堆積する。ただし、第2工程では、第1工程と比較してO2の流量を増加させることで、第1の膜のエッチングレートが第2の膜のエッチングレートよりも高くなるよう調整している。エッチング工程は、NF3を用いて実行する。このように、第1の実施形態に係るプラズマ処理方法では、第1工程および第2工程において、処理条件を変えることによって同種の膜を第1の膜、第2の膜として形成することができる。
図6は、第1の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスの他の例を示す図である。第1工程では、第1の種類のカーボン含有ガスを処理ガスとして用いてCVDにより第1のカーボン膜を第1の膜として堆積する。第1の種類のカーボン含有ガスはたとえば、CF系のガスである。第1の種類のカーボン含有ガスはたとえば、C4F8、C4F6等である。また、第1の種類のカーボン含有ガスはたとえば、CHF系のガスである。第1の種類のカーボン含有ガスはたとえば、CH2F2、CH3F等である。第2工程では、第2の種類のカーボン含有ガスを処理ガスとして用いてCVDにより第2のカーボン膜を第2の膜として堆積する。第2の種類のカーボン含有ガスはたとえば、CH系たとえばCH4等のガスである。エッチング工程はO2を用いて実行する。Ar等の希ガスを第1工程、第2工程、エッチング工程において用いてよい。
図7は、第1の実施形態に係るプラズマ処理の処理シーケンスのさらに他の例を示す図である。第1工程では、カーボン含有ガスを処理ガスとして用いてCVDによりカーボン膜を第1の膜として堆積する。たとえば、CF系、CH系、CHF系等のガスを処理ガスとして使用できる。第2工程では、SiCl4とO2を処理ガスとして用いてCVDによりSiO2膜を第2の膜として堆積する。エッチング工程は、NF3を用いて実行する。
第1の実施形態に係るプラズマ処理方法においては、第1工程、第2工程およびエッチング工程を1サイクルとして、所定の条件が満足されるまで、複数のサイクルを実行する。所定の条件とはたとえば、処理対象上に形成された複数の開口部の寸法差が所定値以下となったこと、所定数のサイクルを実行したこと、等である。
なお、上記第1の実施形態においては第1の膜および第2の膜の膜種は、SiO2、カーボン含有膜(たとえば、CF系、CH系、CHF系)等と説明した。ただしこれに限らず、第1の膜および第2の膜はたとえば、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiN)、シリコンカーバイド(SiC)、珪素(Si)等のシリコン含有膜であってよい。また、第1の膜および第2の膜はたとえば、チタン(Ti)含有膜、タングステン(W)含有膜であってよい。また、第1の膜および第2の膜はたとえばボロン含有膜であってよい。
また、エッチング工程において側壁をエッチングするためには、等方性および異方性エッチング、プラズマエッチング、原子層エッチング(ALE: Atomic Layer Etching)等を用いることができる。また、エッチング工程においては、第2の膜が除去されて第1の膜が少なくとも一部露出した時点で、エッチングの処理条件を変更してもよい。たとえば、第2の膜のエッチングに適した第1の処理条件から第1の膜のエッチングに適した第2の処理条件にエッチングの処理条件を変更することで、第1の膜のエッチングによる除去速度をさらに早めることができる。たとえば、第1の膜が少なくとも一部露出した時点で、エッチングガス種を変更して第1の膜のエッチング速度が早まるようにしてもよい。
上記第1の実施形態に係るプラズマ処理方法は、第1工程と、第2工程と、エッチング工程と、を含む。第1工程においては、プラズマ処理装置は、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に第1の膜を形成する。第2工程においては、プラズマ処理装置は、第1の膜が形成された処理対象に、開口部のサイズに応じて開口部の側面における膜厚が異なり、第1の膜よりもエッチングレートが低い第2の膜を形成する。エッチング工程においては、プラズマ処理装置は、第2の膜の上から、処理対象の少なくとも一部において前記第1の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行する。このため、第1の実施形態に係るプラズマ処理方法によれば、ローディング効果と第1の膜および第2の膜のエッチングレートの差を利用して、LCDUを改善することができる。第1の実施形態に係るプラズマ処理方法は、たとえば、極端紫外線リソグラフィ(EUVL:Extreme Ultraviolet lithography)を用いて製造されたパターンのLCDU改善に適用することができる。
上記第1の実施形態では、第1の膜、第2の膜をそれぞれ形成した後、エッチングを行うことによりLCDUを改善するものとした。変形例1では、堆積する膜は1層としつつ成膜条件を変化させることにより、第1の実施形態における第1の膜および第2の膜の2つの膜を形成するのと同等の効果を得る。
図9は、変形例1に係るプラズマ処理の処理シーケンスの一例を示す図である。図9の例では、図5の例と同様にSiO2膜を堆積する。まず、堆積工程において、たとえばSiCl4とO2を処理ガスとしてCVDによりSiO2膜を堆積する。堆積工程の間、O2の流量を徐々に増加させる。このため、図9のシーケンスにおいては、処理対象上に形成されるSiO2膜のエッチングレートが徐々に低くなる(図4参照)。堆積工程の間、SiCl4の流量は一定である。堆積工程の後、エッチング工程を、NF3ガスからプラズマを生成して実行する。このように、変形例1に係るプラズマ処理方法では、堆積工程の間に処理条件を変化させることによって、一つの膜のエッチングレートを徐々に変えることができる。たとえば、当該プラズマ処理方法では、膜の成分となる複数のガスの比率を徐々に変化させることで連続的にエッチングレートを変化させて膜を体積することができる。また、当該プラズマ処理方法では、所定のガスの流量を増加させることによって、一つの膜のエッチングレートを徐々に変えることができる。
図10は、変形例1に係るプラズマ処理の処理シーケンスの他の例を示す図である。図10の例では、図6の例と同様に2種類のカーボン含有ガスを用いて膜を堆積する。しかし、図6の例とは異なり、図10の例では、堆積工程の間、第1のカーボン含有ガスの流量を徐々に減少させると同時に、第2のカーボン含有ガスの流量を徐々に増加させる。このため、堆積される膜は、処理開始時は第1のカーボン含有ガスの性質が強く、徐々に第2のカーボン含有ガスの性質が強い膜になる。たとえば、図6のように、第1のカーボン膜のエッチングレートが第2のカーボン膜のエッチングレートよりも高い場合、図10の処理により、徐々に下層から上層にむけてエッチングレートが低くなるカーボン膜を堆積することができる。なお、第1のカーボン含有ガスはたとえば、CF系のガス(C4F8、C4F6等)、CHF系のガス(CH2F2、CH3F等)である。また、第2のカーボン含有ガスはたとえば、CH系のガス(CH4等)である。
図11は、変形例1に係るプラズマ処理の処理シーケンスのさらに他の例を示す図である。図11の例では、図7の例と同様の処理ガスを用いて膜を堆積する。しかし、図7の例とは異なり、図11の例では、堆積工程の間、カーボン含有ガスの流量を徐々に減少させると同時に、SiCl4とO2の流量を徐々に増加させる。このため、堆積される膜は、処理開始時はカーボン膜であり、徐々にSiO2膜へと組成が変化していく。このため、図11の処理により、徐々に下層から上層にむけてエッチングレートが低くなる膜を堆積することができる。
上記変形例1に係るプラズマ処理方法は、堆積工程とエッチング工程とを含む。プラズマ処理装置は、堆積工程において、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に、当該処理対象から遠ざかるにつれてエッチングレートが低くなり、かつ、開口部のサイズに応じて開口部の側面への堆積量が異なる処理条件で膜を堆積する。プラズマ処理装置は、エッチング工程において、膜が堆積された処理対象のエッチングを実行する。このため、変形例1に係るプラズマ処理方法によれば、1つの膜を処理条件を変えて堆積することによりエッチングレートの高低差をつけることができる。このため、変形例1に係るプラズマ処理方法によれば、少ない工程数でLCDUを改善することができる。
上記変形例1では、膜を形成する際の成分の流量を変えることにより一つの膜の中でエッチングレートを変化させた。変形例2では、形成した膜に対して改質処理を実行して第1の膜とすることで第1の膜と第2の膜のエッチングレートに差をつける。
上記変形例2に係るプラズマ処理方法は、第1工程と、第2工程と、エッチング工程と、を含む。第1工程において、プラズマ処理装置は、所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に第1の膜を形成する。第2工程において、プラズマ処理装置は、第1の膜が形成された処理対象に、開口部のサイズに応じて開口部の側面における膜厚が異なり、第1の膜よりもエッチングレートが低い第2の膜を形成する。エッチング工程において、プラズマ処理装置は、第2の膜の上から、処理対象の少なくとも一部において第1の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行する。そして、変形例2において、プラズマ処理装置は、第1工程において、処理対象に堆積された膜に改質処理を施すことで第2の膜よりもエッチングレートが高い第1の膜を形成する。改質処理はたとえば、所定の処理条件下で膜をプラズマに曝露する工程である。このため、変形例2によれば、同種の膜を第1、第2の膜として堆積しつつ、改質処理によってエッチングレートに差をつけることができる。
上記変形例2においては、改質処理を施すことで第1の膜と第2の膜のエッチングレートに差を出した。変形例3においては、堆積する膜は1層としつつ、当該膜の堆積後に改質処理を施すことにより、エッチングレートが異なる2つの膜を堆積するのと同等の効果を得る。
上記変形例3に係るプラズマ処理方法は、第2工程において、第1の膜に改質処理を施して第1の膜を改質することで第2の膜を形成する。また、改質処理は、サイズの大きい開口部ほどプラズマにより改質される表面からの深さまたは改質度合が大きくなる処理条件下で第1の膜をプラズマに曝露する。このため、変形例3に係るプラズマ処理方法によれば、ローディング効果を利用して膜の性質を変化させることで膜のエッチングレートに変化をつけることができる。このため、変形例3によれば、一つの膜を利用して、二つの膜を利用する第1の実施形態等と同等の効果を得ることができる。
上記第1の実施形態、変形例1乃至3に係るプラズマ処理方法は、以下に説明するプラズマ処理装置1を用いて実行することができる。
10 チャンバ
15 ガス供給源
20 載置台
25 ガスシャワーヘッド
32 第1高周波電源
34 第2高周波電源
65 排気装置
85 伝熱ガス供給源
100 制御部
104 基台
104a 冷却流路
106 静電チャック
Claims (12)
- 所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に第1の膜を形成する第1工程と、
前記第1の膜が形成された前記処理対象に、開口部のサイズに応じて開口部の側面における膜厚が異なり、前記第1の膜よりもエッチングレートが低い第2の膜を形成する第2工程と、
前記第2の膜の上から、前記処理対象の少なくとも一部において前記第1の膜の一部が除去されるまで、所定の処理条件でエッチングを実行するエッチング工程と、
を含むプラズマ処理方法。 - 前記第1工程は、前記処理対象に堆積された膜に改質処理を施すことで前記第2の膜よりもエッチングレートが高い前記第1の膜を形成する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記改質処理は、所定の処理条件下で前記膜をプラズマに曝露する、請求項2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2工程は、前記第1の膜に改質処理を施して改質することで前記第2の膜を形成する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記改質処理は、サイズの大きい開口部ほどプラズマにより改質される表面からの深さまたは改質度合が大きくなる処理条件下で前記第1の膜をプラズマに曝露する、請求項4に記載のプラズマ処理方法。
- 前記エッチング工程において、前記処理対象の少なくとも一部において前記第1の膜が露出した時点で、前記所定の処理条件を第1の処理条件から第2の処理条件に変更する請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1工程、前記第2工程および前記エッチング工程は、所定条件が満足されたと判定されるまで、繰り返し実行される、請求項1から6のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 所定のパターンを有する複数の開口部が形成された処理対象に、当該処理対象から遠ざかるにつれてエッチングレートが低くなり、かつ、開口部のサイズに応じて開口部の側面への堆積量が異なる処理条件で膜を堆積する堆積工程と、
前記膜が堆積された処理対象のエッチングを実行するエッチング工程と、
を含むプラズマ処理方法。 - 前記堆積工程において、供給する複数のガスの比率を徐々に変化させることにより連続的にエッチングレートが変化する前記膜を堆積する、請求項8に記載のプラズマ処理方法。
- 前記堆積工程において、供給するガスの酸素含有量を徐々に増加させる、請求項9に記載のプラズマ処理方法。
- 前記堆積工程および前記エッチング工程は、所定条件が満足されたと判定されるまで、繰り返し実行される、請求項8から10のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 請求項1から11のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法を実行するプログラムを記憶する記憶部と、当該プログラムを実行するよう制御する制御部と、
を備えるプラズマ処理装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023069305A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming metal nitride films |
KR20230164100A (ko) | 2021-04-01 | 2023-12-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7066565B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US10896823B2 (en) * | 2018-11-21 | 2021-01-19 | Thomas E. Seidel | Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0448752A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005129893A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
WO2005045916A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法 |
US7824975B2 (en) * | 2007-12-28 | 2010-11-02 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of fabricating semiconductor device having gate spacer layer with uniform thickness |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW367578B (en) * | 1998-04-18 | 1999-08-21 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method for unlanded via |
KR100823949B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-04-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 포토마스크 플라즈마 에칭 방법 및 장치 |
JP2007234770A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP5108489B2 (ja) * | 2007-01-16 | 2012-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
JP5530088B2 (ja) * | 2008-10-20 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
US9685320B2 (en) * | 2010-09-23 | 2017-06-20 | Lam Research Corporation | Methods for depositing silicon oxide |
US8470713B2 (en) * | 2010-12-13 | 2013-06-25 | International Business Machines Corporation | Nitride etch for improved spacer uniformity |
EP2755230B1 (en) * | 2011-09-05 | 2018-06-27 | SPP Technologies Co., Ltd. | Plasma etching method |
JP2014225501A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
US10025201B2 (en) * | 2014-04-14 | 2018-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Flows of optimization for lithographic processes |
JP6559430B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2019-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US9922839B2 (en) | 2015-06-23 | 2018-03-20 | Lam Research Corporation | Low roughness EUV lithography |
US10269566B2 (en) * | 2016-04-29 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Etching substrates using ale and selective deposition |
JP6759004B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2020-09-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP6763750B2 (ja) * | 2016-11-07 | 2020-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US10319613B2 (en) * | 2016-12-13 | 2019-06-11 | Tokyo Electron Limited | Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide |
JP6767302B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2020-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
JP6823527B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
TWI754041B (zh) * | 2017-04-18 | 2022-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 被處理體之處理方法 |
JP7071175B2 (ja) * | 2017-04-18 | 2022-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP7071850B2 (ja) * | 2017-05-11 | 2022-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US10483118B2 (en) * | 2017-05-11 | 2019-11-19 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
JP6415636B2 (ja) * | 2017-05-25 | 2018-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP6913569B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP6817168B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP7145031B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2022-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する方法、プラズマ処理装置、及び基板処理装置 |
CN110010464B (zh) * | 2017-12-25 | 2023-07-14 | 东京毅力科创株式会社 | 处理基板的方法 |
JP7025952B2 (ja) * | 2018-02-16 | 2022-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
US10916420B2 (en) * | 2018-06-07 | 2021-02-09 | Tokyo Electron Limited | Processing method and plasma processing apparatus |
CN110783187B (zh) * | 2018-07-25 | 2024-04-19 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 |
JP7066565B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP7174634B2 (ja) * | 2019-01-18 | 2022-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法 |
JP2021028968A (ja) * | 2019-08-13 | 2021-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板および基板処理方法 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0448752A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005129893A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
WO2005045916A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法 |
US7824975B2 (en) * | 2007-12-28 | 2010-11-02 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of fabricating semiconductor device having gate spacer layer with uniform thickness |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230164100A (ko) | 2021-04-01 | 2023-12-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2023069305A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming metal nitride films |
US11978625B2 (en) | 2021-10-18 | 2024-05-07 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming metal nitride films |
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