JP6587580B2 - エッチング処理方法 - Google Patents

エッチング処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6587580B2
JP6587580B2 JP2016116493A JP2016116493A JP6587580B2 JP 6587580 B2 JP6587580 B2 JP 6587580B2 JP 2016116493 A JP2016116493 A JP 2016116493A JP 2016116493 A JP2016116493 A JP 2016116493A JP 6587580 B2 JP6587580 B2 JP 6587580B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
etching
frequency power
high frequency
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016116493A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017220649A (ja
Inventor
幕樹 戸村
幕樹 戸村
仁 工藤
仁 工藤
欣伸 大矢
欣伸 大矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2016116493A priority Critical patent/JP6587580B2/ja
Priority to KR1020170066822A priority patent/KR102515764B1/ko
Priority to TW106118168A priority patent/TWI746566B/zh
Priority to US15/618,557 priority patent/US10600654B2/en
Publication of JP2017220649A publication Critical patent/JP2017220649A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6587580B2 publication Critical patent/JP6587580B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B41/23—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B41/27—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

本発明は、エッチング処理方法に関する。
ハロゲン系のガスを用いてシリコン含有膜をエッチングする技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。これに対して、ＣＨ４（メタン）ガスやＣＨ２Ｆ２（ジフルオロメタン）ガス等のハイドロカーボン系（ＣＨ系）のガスを使用してシリコン含有膜をエッチングすると、マスク選択比を上げることができる。このため、特にアスペクト比の大きい深いホールをエッチングする際にハイドロカーボン系のガスを用いることは有益である。
特表２０１０−５００７５８号公報
しかしながら、ハイドロカーボン系のガスは堆積性のガスであるため、使用量が多くなるとマスクの間口に付着して該間口を閉塞させ、エッチングを困難にさせる場合がある。また、マスクの表面が荒れ、シリコン含有膜に形成されるホール等のエッチング形状を劣化させる場合がある。
上記課題に対して、一側面では、本発明は、マスク選択比を確保しつつ、シリコン含有膜のエッチングにおいてマスクの間口の閉塞を回避することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板の温度が−３５℃以下の極低温環境において、第１高周波電源から第１高周波の電力を出力し、第２高周波電源から前記第１高周波よりも低い第２高周波の電力を出力し、炭素、水素、及びフッ素を含有するガスからなるエッチングガスに、炭素原子数が３以上となるハイドロカーボンガスを添加してプラズマを生成し、シリコン酸化膜又は組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜をエッチングする、エッチング処理方法が提供される。
一の側面によれば、マスク選択比を確保しつつ、シリコン含有膜のエッチングにおいてマスクの間口の閉塞を回避することができる。
一実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面を示す図。 比較例１に係るガスによるシリコン含有積層膜のエッチング結果の一例を示す図。 比較例２に係るガスによるシリコン含有積層膜のエッチング結果の一例を示す図。 第１実施形態に係るエッチング処理方法の一例を示すフローチャート。 第１実施形態に係るエッチング処理の結果の一例を示す図。 第２実施形態に係るエッチング処理方法の一例を示すフローチャート。 第２実施形態に係るエッチング処理の結果の一例を示す図。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［プラズマ処理装置の全体構成］
まず、プラズマ処理装置１の一例について、図１を参照しながら説明する。本実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、容量結合型の平行平板プラズマ処理装置であり、略円筒形の処理容器１０を有している。処理容器１０の内面には、アルマイト処理（陽極酸化処理）が施されている。処理容器１０の内部は、プラズマによりエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。
載置台２０は、基板の一例であるウェハＷを載置する。載置台２０は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等から形成されている。載置台２０は下部電極としても機能する。
載置台２０の上側には、ウェハＷを静電吸着するための静電チャック１０６が設けられている。静電チャック１０６は、絶縁体１０６ｂの間にチャック電極１０６ａを挟み込んだ構造になっている。チャック電極１０６ａには直流電圧源１１２が接続されている。直流電圧源１１２からチャック電極１０６ａに直流電圧が印加されると、クーロン力によってウェハＷが静電チャック１０６に吸着される。
静電チャック１０６の外周側には、ウェハＷの外縁部を囲うように円環状のフォーカスリング１０８が載置される。フォーカスリング１０８は、例えば、シリコンから形成され、処理容器１０においてプラズマをウェハＷの表面に向けて収束し、プラズマ処理の効率を向上させるように機能する。
載置台２０の下側は、支持体１０４になっており、これにより、載置台２０は処理容器１０の底部に保持される。支持体１０４の内部には、冷媒流路１０４ａが形成されている。チラー１０７から出力された例えば冷却水やブライン等の冷却媒体（以下、「冷媒」ともいう。）は、冷媒入口配管１０４ｂ、冷媒流路１０４ａ、冷媒出口配管１０４ｃと流れ、循環する。このようにして循環する冷媒により、載置台２０は抜熱され、冷却される。
伝熱ガス供給源８５は、ヘリウムガス（Ｈｅ）やアルゴンガス（Ａｒ）等の伝熱ガスをガス供給ライン１３０に通して静電チャック１０６上のウェハＷの裏面に供給する。かかる構成により、静電チャック１０６は、冷媒流路１０４ａに循環させる冷媒と、ウェハＷの裏面に供給する伝熱ガスとによって温度制御される。この結果、ウェハＷを所定の温度に制御することができる。
載置台２０には、２周波重畳電力を供給する電力供給装置３０が接続されている。電力供給装置３０は、第１周波数のプラズマ生成用の高周波電力ＨＦ（第１高周波電力）を供給する第１高周波電源３２を有する。また、電力供給装置３０は、第１の周波数よりも低い第２周波数の、バイアス電圧発生用の高周波電力ＬＦ（第２高周波電力）を供給する第２高周波電源３４を有する。第１高周波電源３２は、第１整合器３３を介して載置台２０に電気的に接続される。第２高周波電源３４は、第２整合器３５を介して載置台２０に電気的に接続される。第１高周波電源３２は、例えば、４０ＭＨｚの高周波電力ＨＦを載置台２０に印加する。第２高周波電源３４は、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力ＬＦを載置台２０に印加する。なお、本実施形態では、第１高周波電力は載置台２０に印加されるが、ガスシャワーヘッド２５に印加されてもよい。
第１整合器３３は、第１高周波電源３２の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。第２整合器３５は、第２高周波電源３４の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。第１整合器３３は、処理容器１０内にプラズマが生成されているときに第１高周波電源３２の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。第２整合器３５は、処理容器１０内にプラズマが生成されているときに第２高周波電源３４の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。
ガスシャワーヘッド２５は、その外縁部を被覆するシールドリング４０を介して処理容器１０の天井部の開口を閉塞するように取り付けられている。ガスシャワーヘッド２５には、可変直流電源７０が接続され、可変直流電源７０から負のＤＣ（直流電圧）が出力される。ガスシャワーヘッド２５は、シリコンにより形成されてもよい。ガスシャワーヘッド２５は、載置台２０（下部電極）に対向する対向電極（上部電極）としても機能する。
ガスシャワーヘッド２５には、ガスを導入するガス導入口４５が形成されている。ガスシャワーヘッド２５の内部にはガス導入口４５から分岐したセンター側の拡散室５０ａ及びエッジ側の拡散室５０ｂが設けられている。ガス供給源１５から出力されたガスは、ガス導入口４５を介して拡散室５０ａ、５０ｂに供給され、拡散室５０ａ、５０ｂにて拡散されて多数のガス供給孔５５から載置台２０に向けて導入される。
処理容器１０の底面には排気口６０が形成されており、排気口６０に接続された排気装置６５によって処理容器１０内が排気される。これにより、処理容器１０内を所定の真空度に維持することができる。処理容器１０の側壁にはゲートバルブＧが設けられている。ゲートバルブＧは、処理容器１０からウェハＷの搬入及び搬出を行う際に開閉する。
プラズマ処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御部１００が設けられている。制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０５、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１０及びＲＡＭ（Random Access Memory）１１５を有している。ＣＰＵ１０５は、ＲＡＭ１１５等の記憶領域に格納されたレシピに従って、エッチング等の所望の処理を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種ガス流量、処理容器内温度（上部電極温度、処理容器の側壁温度、ウェハＷ温度、静電チャック温度等）、チラー１０７から出力される冷媒の温度などが記載されている。なお、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピは、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
プラズマ処理が実行される際には、ゲートバルブＧの開閉が制御され、ウェハＷが処理容器１０に搬入され、載置台２０に載置される。直流電圧源１１２からチャック電極１０６ａに直流電圧が印加されると、ウェハＷが静電チャック１０６に吸着され、保持される。
ガス供給源１５から処理容器１０内に処理ガスが供給される。第１高周波電源３２から載置台２０に第１高周波電力が印加され、第２高周波電源３４から載置台２０に第２高周波電力が印加される。可変直流電源７０から負のＤＣ（直流電圧）がガスシャワーヘッド２５に印加される。これにより、ウェハＷの上方にプラズマが生成され、プラズマの作用によりウェハＷにプラズマ処理が施される。
プラズマ処理後、直流電圧源１１２からチャック電極１０６ａにウェハＷの吸着時とは正負が逆の直流電圧が印加され、ウェハＷの電荷が除電される。これにより、ウェハＷは、静電チャック１０６から剥がされ、ゲートバルブＧから処理容器１０の外部に搬出される。以上に説明したプラズマ処理装置１を使用して、ガス供給源１５から所定のエッチングガスを供給し、極低温におけるエッチング処理が実行される。
［極低温におけるエッチング：比較例１］
以下では、本実施形態に係るエッチング処理方法を説明する前に、比較例に係るエッチング処理の結果の一例について説明する。図２に示す比較例１は、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ４）ガス及び四フッ化炭素（ＣＦ４）ガスを含むガスを使用した場合のエッチング結果の一例を示す。
比較例１では、以下のプロセス条件にてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）とを積層させた積層膜１２がエッチングされる。積層膜１２は、シリコン含有膜の一例である。比較例１のプロセス条件は以下である。積層膜１２の上部にはマスクとして機能する有機膜１１が形成されている。
・プロセス条件
ウェハ温度 −４０℃以下
ガス ＣＦ４／ＣＨ４／Ｏ２
第１高周波電力ＨＦ ２５００Ｗ、連続波
第２高周波電力ＬＦ ６０００Ｗ、連続波
図２（ａ）〜図２（ｅ）では、ＣＦ４とＣＨ４との総流量は変えずに、ＣＦ４とＣＨ４との分圧（流量比）を変えるように制御される。図２（ａ）ではＣＦ４とＣＨ４との分圧は１９：４であり、図２（ｂ）ではＣＦ４とＣＨ４との分圧は１７：６である。図２（ｃ）ではＣＦ４とＣＨ４との分圧は１６：７であり、図２（ｄ）ではＣＦ４とＣＨ４との分圧は１５：８である。図２（ｅ）では、ＣＦ４とＣＨ４との分圧は１３：１０である。つまり、図２（ａ）から順に徐々にＣＦ４に対するＣＨ４の分圧を上げるように制御される。なお、Ｏ２ガスの流量は一定に制御される。供給するガスにＯ２ガスが含まれるのは、ＣＦ４及びＣＨ４ガスに含まれるカーボンが増えるとマスクの間口が閉塞するため、これを避けるためである。
図２（ａ）〜図２（ｅ）のそれぞれは、有機膜１１をマスクとして積層膜１２をエッチングしたときのホールの縦断面のエッチング形状と、有機膜１１を上方から見たときの有機膜１１の間口の形状を示す。また、エッチングの深さ（Ｄｅｐｔｈ）とマスク選択比とエッチングレート（ＥＲ）の数値が示されている。
図２の結果によれば、ＣＦ４に対するＣＨ４の分圧を上げるとエッチングの深さ（Ｄｅｐｔｈ）とエッチングレート（ＥＲ）とを維持しつつ、有機膜１１の残膜が増え、マスク選択比が向上する。一方、有機膜１１の表面が荒れ、有機膜１１の間口の形状が悪化する。表面荒れが悪化すると、本来のマスクパターンを積層膜１２に転写することが困難になる。
［極低温におけるエッチング：比較例２］
比較例２では、以下のプロセス条件にて積層膜１２がエッチングされる。比較例２のプロセス条件は以下である。図３に示す比較例２は、エッチングガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガス及び水素（Ｈ２）ガスを含むガスを使用した場合のエッチング結果の一例を示す。
・プロセス条件
ウェハ温度 −４０℃以下
ガス ＳＦ６／Ｈ２（ＣＨｘＦｙ系ガスの添加の有無）
第１高周波電力ＨＦ ２５００Ｗ、連続波
第２高周波電力ＬＦ ４０００Ｗ、連続波
図３（ａ）では、ＳＦ６ガス及びＨ２ガスにＣＨｘＦｙ系ガスを添加しない。図３（ｂ）では、ＳＦ６ガス及びＨ２ガスにＣＨＦ３ガスを添加する。図３（ｃ）では、ＳＦ６ガス及びＨ２ガスにＣＨ４ガスを添加する。
図３（ａ）〜図３（ｃ）の結果によれば、図３（ｂ）に示すＳＦ６及びＨ２ガスにＣＨＦ３ガスを添加した場合及び図３（ｃ）に示すＣＨ４ガスを添加した場合には、図３（ａ）に示すＳＦ６及びＨ２ガスのみを供給した場合よりも、有機膜１１の残膜が増え、マスク選択比が向上する。また、有機膜１１の表面の荒れが抑制されるが、有機膜１１の間口が閉塞する傾向にある。
［極低温におけるエッチング：第１実施形態］
次に、第１実施形態に係るエッチング処理方法の一例について、図４を参照して説明する。図４は、第１実施形態にかかるエッチング処理方法の一例を示すフローチャートである。
図４の処理が開始されると、まず、制御部１００は、例えば、チラー１０７の冷媒（ブライン）の温度を−６０℃〜−７０℃に設定することで、ウェハＷの温度を−３５℃以下に制御する（ステップＳ１０）。次に、制御部１００は、第１高周波電源３２から第１高周波電力ＨＦを出力し、第２高周波電源３４から第２高周波電力ＬＦを出力するように制御する（ステップＳ１２）。
次に、制御部１００は、炭素、水素及びフッ素を含有するエッチングガスに、炭素原子が３以上となるハイドロカーボンガスを添加して供給するように制御する（ステップＳ１４）。これにより、供給されたガスからプラズマが生成される。次に、制御部１００は、プラズマの作用により積層膜１２をエッチングさせ（ステップＳ１６）、本処理を終了する。
以上の第１実施形態に係るエッチング処理方法を、次のプロセス条件に基づき実行した結果を図５に示す。ここでは、炭素、水素及びフッ素を含有するエッチングガスとしてＣＦ４／ＣＨ４／Ｏ２ガスが供給される。また、エッチングガスに添加する炭素原子が３以上となるハイドロカーボンガスとしてＣ３Ｈ６（プロピレン）ガスが添加される。
・プロセス条件
ウェハ温度 −４０℃以下
ガス ＣＦ４／ＣＨ４／Ｏ２（Ｃ３Ｈ６ガスの添加の有無）
第１高周波電力ＨＦ ２５００Ｗ、連続波
第２高周波電力ＬＦ ６０００Ｗ、連続波
図５（ａ）は、ＣＦ４とＣＨ４とＯ２ガスとにＣ３Ｈ６ガスを添加しなかった場合のエッチング結果を示し、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、ＣＦ４とＣＨ４とＯ２ガスとにＣ３Ｈ６ガスを添加した場合のエッチング結果を示す。図５（ｂ）では、ＣＨ４ガスとＣ３Ｈ６ガスとの分圧（流量比）は、５：１であり、全体流量に対するＣ３Ｈ６ガスの添加割合は３％である。図５（ｃ）では、ＣＨ４ガスとＣ３Ｈ６ガスとの分圧は、２：１であり、全体流量に対するＣ３Ｈ６ガスの添加割合は７％である。
この結果によれば、図５（ｂ）に示すＣ３Ｈ６ガスを３％添加した場合及び図５（ｃ）に示すＣ３Ｈ６ガスを７％添加した場合には、図５（ａ）に示すＣ３Ｈ６ガスを添加しない場合と比較して、有機膜１１の残膜が増え、マスク選択比が向上している。また、Ｃ３Ｈ６ガスを添加しない場合のエッチングの深さ（Ｄｅｐｔｈ）とエッチングレート（ＥＲ）とを維持しつつ、有機膜１１の表面の荒れが少なく、有機膜１１の間口の形状が良好に維持されている。これにより、良好なエッチング形状のホールが形成されている。
以上に説明したように、第１実施形態にかかるエッチング処理方法は、炭素、水素及びフッ素を含有するエッチングガスに炭素原子が３以上となるハイドロカーボンガスを添加して供給する。これによれば、積層膜１２のエッチングにおいて、マスク選択比を上げることができる。また、有機膜１１の間口の閉塞を回避し、良好なエッチング形状を得ることができる。
なお、ＣＦ４とＣＨ４とＯ２ガスの混合ガスに添加するＣ３Ｈ６ガスの流量は、総流量の１０％以下であることが好ましい。総流量の１０％を超える量のＣ３Ｈ６ガスを前記混合ガスに添加すると、マスクである有機膜１１の間口が閉塞される傾向に向かうか又は完全に閉塞され、良好なエッチング形状が得られなくなるためである。
［極低温におけるエッチング：第２実施形態］
次に、第２実施形態に係るエッチング処理の一例について、図６を参照して説明する。図６は、第２実施形態にかかるエッチング処理の一例を示すフローチャートである。
図６の処理が開始されると、まず、制御部１００は、チラーを−６０℃に制御することで、ウェハの温度を−３５℃以下に制御する（ステップＳ２０）。次に、制御部１００は、第１高周波電源３２から第１高周波電力ＨＦを出力し、第２高周波電源３４から第２高周波電力ＬＦを出力するように制御する（ステップＳ２２）。
次に、制御部１００は、水素、硫黄及びフッ素を含有するエッチングガスに、炭素原子が３以上となるハイドロカーボンガスを添加して供給するように制御する（ステップＳ２４）。これにより、供給されたガスからプラズマが生成される。次に、制御部１００は、プラズマの作用により積層膜１２のエッチングを制御し（ステップＳ２６）、本処理を終了する。
以上の第２実施形態に係るエッチング処理方法を、次のプロセス条件に基づき実行した結果を図７に示す。ここでは、水素、硫黄及びフッ素を含有するエッチングガスとしてＳＦ６及びＨ２ガスが供給される。また、エッチングガスに添加する炭素原子が３以上となるハイドロカーボンガスとしてＣ３Ｈ６ガスが添加される。
・プロセス条件
ウェハ温度 −４０℃以下
ガス ＳＦ６／Ｈ２（Ｃ３Ｈ６ガスの添加の有無）
第１高周波電力ＨＦ ２５００Ｗ、連続波
第２高周波電力ＬＦ ６０００Ｗ、連続波
図７（ａ）は、ＳＦ６及びＨ２ガスにＣ３Ｈ６ガスを添加しなかった場合のエッチング結果を示し、図７（ｂ）は、ＳＦ６及びＨ２ガスにＣ３Ｈ６ガスを添加した場合のエッチング結果を示す。図７（ｂ）では、ガスの全体流量に対するＣ３Ｈ６ガスの添加割合は７％である。
この結果によれば、図７（ｂ）に示すＣ３Ｈ６ガスを７％添加した場合には、図７（ａ）に示すＣ３Ｈ６ガスを添加しない場合と比較して、有機膜１１の残膜が増え、マスク選択比が向上している。また、Ｃ３Ｈ６ガスを添加しない場合のエッチングの深さとエッチングレートとを維持しつつ、有機膜１１の表面の荒れが少なく、有機膜１１の間口の形状が良好に維持されている。これにより、良好なエッチング形状のホールが形成されている。
以上に説明したように、第２実施形態にかかるエッチング処理方法は、水素、硫黄及びフッ素を含有するエッチングガスに炭素原子が３以上となるハイドロカーボンガスを添加して供給する。これによれば、積層膜１２のエッチングにおいて、マスク選択比を上げることができる。また、有機膜１１の間口の閉塞を回避し、良好なエッチング形状を得ることができる。
なお、ＳＦ６／Ｈ２ガスに添加するＣ３Ｈ６ガスの流量は、総流量の１０％以下であることが好ましい。総流量の１０％を超える量のＣ３Ｈ６ガスを前記混合ガスに添加すると、マスクである有機膜１１の間口が閉塞される傾向に向かうか又は完全に閉塞され、良好なエッチング形状が得られなくなるためである。
以上、エッチング処理方法を上記実施形態により説明したが、本発明にかかるエッチング処理方法は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、水素、硫黄及びフッ素を含有するエッチングガスに添加するガスは、上記で例示したガスに限らず、炭素原子間の二重結合を１つ持つハイドロカーボンガスであればよい。同様に、炭素、水素及びフッ素を含有するエッチングガスに添加するガスは、上記で例示したガスに限らず、炭素原子間の二重結合を１つ持つハイドロカーボンガスであればよい。添加するハイドロカーボンガスの一例としては、Ｃ３Ｈ６（プロピレン）ガス及びＣ４Ｈ８（ブテン）ガスが挙げられる。
また、エッチング対象膜は、ＳｉＯ２とＳｉＮとの積層膜１２に限定されず、ＳｉＯ２のみの単層膜であってもよい。また、ＳｉＯ２とＳｉＮとの積層膜１２は、組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜の一例であり、これに限定されず、例えば、ポリシリコンとＳｉＯ２との積層膜であってもよい。
また、本発明に係るエッチング処理方法は、図１の容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)装置だけでなく、その他のプラズマ処理装置に適用可能である。その他のプラズマ処理装置としては、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)処理装置、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Ｒesonance Plasma）装置等であってもよい。
本明細書では、エッチング対象の基板として半導体ウェハＷについて説明したが、これに限らず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いられる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
また、本発明のエッチング処理方法は、例えばアスペクト比が２０以上の３Ｄ ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の三次元積層半導体メモリの製造において、プラズマを用いて組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜に深穴や深溝を形成するエッチング工程に好適である。このエッチング工程では、例えば１６層や３２層に積層された前記積層膜のすべての膜を貫通し、下地膜まで連通するための穴や溝を形成するため、特に本発明のエッチング処理方法は有益である。
１ プラズマ処理装置
１０ 処理容器
１１ 有機膜
１２ 積層膜
１５ ガス供給源
２０ 載置台
２５ ガスシャワーヘッド
３２ 第１高周波電源
３４ 第２高周波電源
６５ 排気装置
７０ 可変直流電源
１００ 制御部
１０４ 支持体
１０４ａ 冷媒流路
１０６ 静電チャック
１０８ フォーカスリング

Claims (5)

  1. 基板の温度が−３５℃以下の極低温環境において、第１高周波電源から第１高周波の電力を出力し、第２高周波電源から前記第１高周波よりも低い第２高周波の電力を出力し、
    炭素、水素、及びフッ素を含有するガスからなるエッチングガスに、炭素原子数が３以上となるハイドロカーボンガスを添加してプラズマを生成し、シリコン酸化膜又は組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜をエッチングし、
    前記エッチングガスに含まれるＣＨ ４ ガスに対して添加される前記ハイドロカーボンガスの流量比が１／５以上であり、前記エッチングガスと前記ハイドロカーボンガスの全体流量に対する前記ハイドロカーボンガスの添加割合が３％以上である、
    エッチング処理方法。
  2. 基板の温度が−３５℃以下の極低温環境において、第１高周波電源から第１高周波の電力を出力し、第２高周波電源から前記第１高周波よりも低い第２高周波の電力を出力し、
    水素、硫黄、及びフッ素を含有するガスからなるエッチングガスに、炭素原子数が３以上となるハイドロカーボンガスを添加してプラズマを生成し、シリコン酸化膜又は組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜をエッチングする、
    エッチング処理方法。
  3. 炭素原子間の二重結合を１つ持つハイドロカーボンガスである、
    請求項１又は２に記載のエッチング処理方法。
  4. 前記ハイドロカーボンガスはプロピレンである、
    請求項１〜３のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。
  5. 前記ハイドロカーボンガスの添加量は総流量の１０％以下である、
    請求項３又は４に記載のエッチング処理方法。
JP2016116493A 2016-06-10 2016-06-10 エッチング処理方法 Active JP6587580B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016116493A JP6587580B2 (ja) 2016-06-10 2016-06-10 エッチング処理方法
KR1020170066822A KR102515764B1 (ko) 2016-06-10 2017-05-30 에칭 처리 방법
TW106118168A TWI746566B (zh) 2016-06-10 2017-06-02 蝕刻處理方法
US15/618,557 US10600654B2 (en) 2016-06-10 2017-06-09 Etching process method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016116493A JP6587580B2 (ja) 2016-06-10 2016-06-10 エッチング処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017220649A JP2017220649A (ja) 2017-12-14
JP6587580B2 true JP6587580B2 (ja) 2019-10-09

Family

ID=60572972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016116493A Active JP6587580B2 (ja) 2016-06-10 2016-06-10 エッチング処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10600654B2 (ja)
JP (1) JP6587580B2 (ja)
KR (1) KR102515764B1 (ja)
TW (1) TWI746566B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6832171B2 (ja) 2017-01-24 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のチャンバ本体の内部のクリーニングを含むプラズマ処理方法
US10811267B2 (en) * 2017-12-21 2020-10-20 Micron Technology, Inc. Methods of processing semiconductor device structures and related systems
KR20200123481A (ko) * 2018-03-16 2020-10-29 램 리써치 코포레이션 유전체들의 고 종횡비 피처들의 플라즈마 에칭 화학물질들
JP2019179889A (ja) 2018-03-30 2019-10-17 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
KR102608957B1 (ko) 2018-08-27 2023-12-01 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
KR20200100555A (ko) * 2019-02-18 2020-08-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법
US20230118701A1 (en) * 2020-04-08 2023-04-20 Lam Research Corporation Selective etch using deposition of a metalloid or metal containing hardmask
US11087989B1 (en) 2020-06-18 2021-08-10 Applied Materials, Inc. Cryogenic atomic layer etch with noble gases
WO2023101915A1 (en) * 2021-12-01 2023-06-08 Lam Research Corporation Selective etch using fluorocarbon-based deposition of a metalloid or metal

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3276023B2 (ja) * 1993-10-20 2002-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の制御方法
JP5407101B2 (ja) * 2000-09-07 2014-02-05 ダイキン工業株式会社 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法
JP5271267B2 (ja) 2006-08-07 2013-08-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理を実行する前のマスク層処理方法
US8236700B2 (en) * 2009-08-17 2012-08-07 Tokyo Electron Limited Method for patterning an ARC layer using SF6 and a hydrocarbon gas
JP5655296B2 (ja) * 2009-12-01 2015-01-21 セントラル硝子株式会社 エッチングガス
US8304262B2 (en) * 2011-02-17 2012-11-06 Lam Research Corporation Wiggling control for pseudo-hardmask
US8334083B2 (en) * 2011-03-22 2012-12-18 Tokyo Electron Limited Etch process for controlling pattern CD and integrity in multi-layer masks
TWI695423B (zh) * 2014-06-18 2020-06-01 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 用於tsv/mems/功率元件蝕刻的化學物質

Also Published As

Publication number Publication date
KR102515764B1 (ko) 2023-03-30
US20170358460A1 (en) 2017-12-14
TWI746566B (zh) 2021-11-21
TW201810417A (zh) 2018-03-16
KR20170140078A (ko) 2017-12-20
JP2017220649A (ja) 2017-12-14
US10600654B2 (en) 2020-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6587580B2 (ja) エッチング処理方法
JP6604911B2 (ja) エッチング処理方法
JP6498022B2 (ja) エッチング処理方法
TWI743072B (zh) 蝕刻方法及蝕刻裝置
US9324569B2 (en) Plasma etching method and plasma etching apparatus
JP2017098478A (ja) エッチング方法
US10128085B2 (en) Method of plasma etching
US20220165579A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
TWI703414B (zh) 蝕刻方法
JP2022034956A (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
US20180374743A1 (en) Etching method
JP6820730B2 (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
JP2019134107A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP2015106587A (ja) 静電チャックのコーティング方法及びプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180905

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190709

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190813

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6587580

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250