TWI754041B - 被處理體之處理方法 - Google Patents

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TWI754041B
TWI754041B TW107112465A TW107112465A TWI754041B TW I754041 B TWI754041 B TW I754041B TW 107112465 A TW107112465 A TW 107112465A TW 107112465 A TW107112465 A TW 107112465A TW I754041 B TWI754041 B TW I754041B
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木原嘉英
久松亨
田端雅弘
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日商東京威力科創股份有限公司
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  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本發明提供一種對被處理體在區域選擇性上高度控制性地進行成膜的技術。 一實施形態之方法係具備蝕刻步驟，該蝕刻步驟係在已收容被處理體之處理容器內產生第1氣體之電漿，並經由開口對被處理體之被蝕刻層進行各向異性的蝕刻；在此蝕刻步驟之後更具備膜形成步驟，該膜形成步驟係重複地執行包含如下之步驟的序列，而在開口之內側的表面形成膜，第1步驟，係向處理容器內供給第2氣體；第2步驟，係對處理容器內之空間進行沖洗；第3步驟，係在處理容器內產生含有氧原子之第3氣體的電漿；以及第4步驟，係對處理容器內之空間進行沖洗；第1氣體係包含碳原子及氟原子；第2氣體係包含含有有機之氨基矽烷系氣體；被蝕刻層係含有矽之親水性的絕緣層；第1步驟係不產生第1氣體的電漿。

Description

被處理體之處理方法
本發明揭示之實施形態係有關於一種被處理體之處理方法。
於電子元件之製造過程，在被處理層上形成遮罩，為了將該遮罩之圖案轉印至該被處理層而進行蝕刻。在專利文獻1，揭示一種目的在於改善因蝕刻而產生之圖案的孔(hole)之形狀的技術。在專利文獻2，揭示一種目的在於藉蝕刻步驟及成膜步驟良好地形成基板上之凹部圖案的技術。在專利文獻3，揭示一種在形成遮罩之保護膜下循環地進行蝕刻的技術。 [先行專利文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第WO2014/046083號小冊子 [專利文獻2]日本特開2014-17438號公報 [專利文獻3]日本特開2006-523030號公報
[發明所欲解決之課題]
吾人需求一種對被處理體在區域選擇性上高度控制性地進行成膜的技術。 [解決課題之手段]
在一實施形態，提供一種被處理體之處理方法。被處理體係包括被蝕刻層、與在被蝕刻層上所設置之遮罩。在遮罩形成至被蝕刻層的開口。被處理體之處理方法係包括：蝕刻步驟(以下稱為步驟a)，係經由開口對被蝕刻層進行各向異性的蝕刻；及膜形成步驟(以下稱為步驟b)，係在執行步驟a後之開口之內側的表面形成膜。步驟a係在已收容被處理體之電漿處理裝置的處理容器內產生第1氣體的電漿。步驟b係藉由重複地執行包含如下之步驟的序列，而在開口之內側的表面形成膜，第1步驟，係向處理容器內供給第2氣體；第2步驟，係在執行第1步驟後，對處理容器內之空間進行沖洗；第3步驟，係在執行第2步驟後，在處理容器內產生含有氧原子之第3氣體的電漿；以及第4步驟，係在執行第3步驟後，對處理容器內之空間進行沖洗。第1氣體係包含碳原子及氟原子。第2氣體係包含含有有機之氨基矽烷系氣體。被蝕刻層係含有矽之親水性的絕緣層。第1步驟係不產生第1氣體的電漿。
因在步驟a所進行之蝕刻，而有是由第1氣體所引起之反應產生物的沉積部附著於開口，且在開口之內側的表面中沉積部未附著的部分(被蝕刻層所露出之部分)形成曲折形狀(凹部)的情況。若依據本一形態的方法，藉在執行步驟a後所執行之步驟b，除去附著於開口之沉積部，且在形成曲折形狀之部分形成膜，藉此，可使該曲折形狀變成緩和。
在一實施形態，第1步驟係在將被處理體之溫度調整成在被處理體之複數個區域成為均勻下，經由開口對被蝕刻層進行蝕刻。在使用第1氣體之第1步驟，因為不產生電漿而使用化學反應，所以藉包含第1步驟之步驟b所形成之膜的厚度係伴隨形成膜之被處理體(尤其被蝕刻層)的溫度上升而增加。因此，若依據本一實施形態之方法，在步驟b所形成之膜的厚度可在被處理體之複數個區域成為均勻。
在一實施形態，在處理容器設置第1氣體導入口及第2氣體導入口。第1氣體導入口係被設置於被處理體的上方。第2氣體導入口係被設置於被處理體的側方。步驟a係從第1氣體導入口向處理容器內供給第1氣體，並從第2氣體導入口向處理容器內供給防止逆流之氣體。步驟b之第1步驟係從第2氣體導入口向處理容器內供給第2氣體，並從第1氣體導入口向處理容器內供給防止逆流之氣體。步驟b之第3步驟係從第1氣體導入口向處理容器內供給第3氣體，並從第2氣體導入口向處理容器內供給防止逆流之氣體。在第1氣體導入口所連接之配管與在第2氣體導入口所連接之配管係彼此不相交。若依據本一實施形態之方法，因為向處理容器內導入在第1步驟所使用並反應性比較高之包含含有有機的氨基矽烷系氣體之第2氣體的第2氣體導入口、與向處理容器內導入在步驟a所使用並包含碳原子及氟原子之第1氣體及在第3步驟所使用並含有氧原子之第3氣體的第1氣體導入口係彼此相異，因為與第1氣體導入口連接之氣體供給管和與第2氣體導入口連接之氣體供給管係彼此不相交，所以可減少由反應性比較高之包含含有有機的氨基矽烷系氣體之第2氣體、第1氣體以及第3氣體所引起而在氣體供給管內會產生之反應產生物。又，藉由使用防止逆流之氣體，可避免第1氣體、第2氣體以及第3氣體之任一氣體向第1氣體、第2氣體以及第3氣體之任一氣體都未流動之狀態的氣體供給管逆流的狀況。
在一實施形態，第1氣體係含有氟碳系氣體。依此方式，使用含有氟碳系氣體之第1氣體，在步驟a可對是含有矽之親水性的絕緣層之被蝕刻層進行蝕刻。
在一實施形態，第2氣體係含有單氨基矽烷。依此方式，使用含有單氨基矽烷之第2氣體，在第1步驟可進行矽之反應前驅物的形成。
在一實施形態，第2氣體所含之氨基矽烷系氣體包含具有1~3個矽原子的氨基矽烷。第2氣體所含之氨基矽烷系氣體包含具有1~3個氨基的氨基矽烷。依此方式，在第2氣體所含之氨基矽烷系氣體，可使用具有1~3個矽原子的氨基矽烷。又，在第2氣體所含之氨基矽烷系氣體，可使用具有1~3個氨基的氨基矽烷。
在一形態，提供一種被處理體之處理方法。此方法係包括：第1膜形成步驟，係在被處理體之表面選擇性地形成第1膜；及第2膜形成步驟，係在除去第1膜下，藉原子層沉積在被處理體之表面形成第2膜。
在一實施形態，該沉積係含有包含以下之步驟的序列，第1步驟，係向處理容器內供給第2氣體，而在該被處理體之表面形成吸附層；第2步驟，係對該處理容器內之空間進行沖洗；以及第3步驟，係在處理容器內產生第3氣體之電漿。
在一實施形態，該沉積係更包含在第3步驟之後將第2膜曝露於惰性氣體之電漿的第4步驟。
在一實施形態，在形成第2膜之步驟，第1膜係藉第3步驟或第4步驟所除去。
在一實施形態，第2氣體係氨基矽烷系氣體、含有矽之氣體、含有鈦之氣體、含有鉿之氣體、含有鉭之氣體、含有鋯之氣體、以及含有有機物之氣體的任一種氣體；第3氣體係含有氧之氣體、含有氮之氣體、或含有氫之氣體的任一種氣體。
在一實施形態，第1膜係藉電漿蝕刻所形成。
在一實施形態，電漿蝕刻係原子層蝕刻。
在一形態，提供一種被處理體之處理方法。此方法係包括：準備步驟，係準備被處理體，該被處理體係具有由第1材料所構成之第1區域與由與第1材料係相異之第2材料所構成的第2區域；第1膜形成步驟，係藉第1電漿對第1區域進行蝕刻，並在第2區域上形成第1膜；以及第2膜形成步驟，係在除去第1膜下，藉原子層沉積在第1區域上形成第2膜。
在一實施形態，第1氣體係含有氟碳氣體；第1材料係包含矽及氧；第2材料係包含矽、有機物或金屬之任一種。
在一實施形態，第1氣體係含有氫氟碳氣體；第1材料係包含矽、有機物或金屬之任一種；第2材料係包含矽及氮。
在一實施形態，第2膜係含有矽。
在一實施形態，在被處理體所形成之第2膜係具有複數種膜厚。
在一實施形態，藉由重複地執行序列，除去第1膜，再在所除去之被處理體的表面形成第2膜。 [發明之效果]
如以上之說明所示，提供一種對被處理體在區域選擇性上高度控制性地進行成膜的技術。
以下，參照圖面，詳細地說明各種實施形態。此外，在圖面，對相同或相當的部分附加相同的符號。
(第1實施形態) 使用劃定圖案形狀之遮罩，對被蝕刻膜進2時，伴隨蝕刻之進行而在開口(遮罩之開口)的內側面形成反應產生物。因此，有發生開口因反應產生物之沉積而被封閉之頸縮(necking)的情況。在開口形成反應產生物之沉積部時，因電漿中之離子衝撞該沉積部，而離子之行進方向被彎曲，而失去各向異性。因此，離子衝撞開口的內側面，而在側面會形成曲折(bowing)形狀。曲折形狀變成顯著時，鄰接之2個開口的內側會貫穿。因此，期望一種緩和因蝕刻而會產生之開口的內側面之曲折形狀的技術。第1實施形態係提供一種緩和因蝕刻而會產生之開口的內側面之曲折形狀的技術。
圖1係顯示一實施形態之被處理體(以下有時稱為晶圓W)之處理方法的流程圖。圖1所示的方法MT係被處理體之處理方法的一實施形態。方法MT(被處理體之處理方法)係藉電漿處理裝置10所執行。
圖2係顯示在圖1所示之方法MT的執行所使用之一實施形態的電漿處理裝置之一例的圖。如圖2所示，電漿處理裝置10係具備平行平板之電極的電漿蝕刻裝置，並具備處理容器12。處理容器12係具有大致圓筒形，並劃定處理空間Sp。處理容器12係例如由鋁所構成，並對其內壁面施行陽極氧化處理。處理容器12係被進行維安接地。
在處理容器12的底部上，設置大致圓筒形的支撐部14。支撐部14係例如由絕緣材料所構成，構成支撐部14之絕緣材料係如石英般可含有氧。支撐部14係在處理容器12內，從處理容器12的底部在鉛垂方向延伸。在處理容器12內，設置載置台PD。載置台PD係藉支撐部14所支撐。
載置台PD係在載置台PD的上面固持晶圓W。晶圓W之主面FW係位於與載置台PD的上面接觸之晶圓W之背面的相反側，並朝向上部電極30。載置台PD係具有下部電極LE及靜電夾頭ESC。下部電極LE係包含第1板18a及第2板18b。第1板18a及第2板18b係由例如鋁等之金屬所構成，並形成大致圓盤形。第2板18b係被設置於第1板18a上，並與第1板18a以電性連接。
在第2板18b上，設置靜電夾頭ESC。靜電夾頭ESC係具有將是導電膜之電極配置於一對絕緣層之間或一對絕緣片之間的構造。在靜電夾頭ESC之電極，經由開關23以電性連接直流電源22。晶圓W係在被載置於載置台PD的情況，與靜電夾頭ESC接觸。晶圓W之背面(主面FW之相反側的面)係與靜電夾頭ESC接觸。靜電夾頭ESC係利用藉來自直流電源22之直流電壓所產生的庫倫力等的靜電力吸附晶圓W。藉此，靜電夾頭ESC係可固持晶圓W。
在第2板18b的周緣部上，以包圍晶圓W之邊緣及靜電夾頭ESC的方式配置聚焦環FR。聚焦環FR係為了提高蝕刻的均勻性所設置。聚焦環FR係由根據蝕刻對象之膜的材料所適當地選擇之材料所構成，例如，可由石英所構成。
在第2板18b之內部，設置冷媒流路24。冷媒流路24係構成調温機構。從在處理容器12之外部所設置的急冷單元(省略圖示)經由配管26a向冷媒流路24供給冷媒。向冷媒流路24所供給之冷媒係經由配管26b回到急冷單元。依此方式，以冷媒循環的方式向冷媒流路24供給。藉由控制此冷媒的溫度，可控制藉靜電夾頭ESC所支撐之晶圓W的溫度。
在電漿處理裝置10，設置氣體供給管線28。氣體供給管線28係向靜電夾頭ESC的上面與晶圓W的背面之間供給來自導熱氣體供給機構之例如He氣體的導熱氣體。
在電漿處理裝置10，設置調整晶圓W之溫度的温度調整部HT。温度調整部HT係內建於靜電夾頭ESC。在温度調整部HT，連接加熱器電源HP。藉由從加熱器電源HP向温度調整部HT供給電力，調整靜電夾頭ESC之溫度，而調整在靜電夾頭ESC上所載置之晶圓W的溫度。此外，亦可温度調整部HT係被埋入第2板18b內。
温度調整部HT係包括：發熱之複數個加熱元件；及複數個溫度感測器，係分別檢測出該複數個加熱元件之各個之周圍的溫度。複數個加熱元件之各個係在將晶圓W載置成對靜電夾頭ESC上對準位置的情況，如圖3所示，在晶圓W之主面FW的複數個各區域ER所設置。控制部Cnt係在將晶圓W載置成對靜電夾頭ESC上對準位置的情況，以與區域ER賦與關聯之方式識別與晶圓W之主面FW的複數個區域ER之各個對應的加熱元件及溫度感測器。控制部Cnt係在複數個各區域(複數個各區域ER)，根據例如數字或文字等的編號等，可識別區域ER、及對應於該區域ER之加熱元件及與溫度感測器。控制部Cnt係藉在對應於該一個區域ER之位置所設置的溫度感測器檢測出一個區域ER的溫度，並藉在對應於該一個區域ER之位置所設置的加熱元件對該一個區域ER進行温度調整。此外，在靜電夾頭ESC上載置晶圓W的情況，藉一個溫度感測器所檢測出之溫度係與晶圓W中該溫度感測器上之區域ER的溫度相同，若參照後述之圖4(a)，係與在晶圓W的主面FW之該區域ER的溫度相同，更具體而言，係與位於該區域ER之遮罩MK及被蝕刻層EL的溫度相同。
電漿處理裝置10係具備上部電極30。上部電極30係在載置台PD之上方，被配置成與載置台PD相對向。下部電極LE與上部電極30係被設置成彼此大致平行。在上部電極30與下部電極LE之間，提供用以對晶圓W進行電漿處理的處理空間Sp。
上部電極30係經由絕緣性遮蔽元件32，被處理容器12的上部所支撐。絕緣性遮蔽元件32係由絕緣材料所構成，例如如石英般可含有氧。上部電極30係可包含電極板34及電極支撐體36。電極板34係面向處理空間Sp，並在該電極板34設置複數個氣體排出孔34a。電極板34係在一實施形態，含有矽。在別的實施形態，電極板34係可含有氧化矽。
電極支撐體36係拆裝自如地支撐電極板34，可由例如鋁之導電性材料所構成。電極支撐體36係可具有水冷構造。在電極支撐體36的內部，設置氣體擴散室36a。與氣體排出孔34a連通之複數個氣體流通孔36b係從氣體擴散室36a向下方延伸。
電漿處理裝置10係包括第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62係產生電漿產生用的第1高頻電力的電源，產生27~100[MHz]之頻率，例如60[MHz]的高頻電力。又，第1高頻電源62係具備脈波規格，能以頻率0.1~50[kHz]、Duty Ratio(負載比)5~100%控制。第1高頻電源62係經由匹配器66與上部電極30連接。匹配器66係用以使第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)之輸入阻抗匹配的電路。此外，亦可第1高頻電源62係經由匹配器66與下部電極LE連接。
第2高頻電源64係用以向晶圓W拉入離子之第2高頻電力，即係產生高頻偏壓電力的電源，產生400[kHz]~40.68[MHz]之範圍內的頻率，例如13.56[MHz]的高頻偏壓電力。又，第2高頻電源64係具備脈波規格，能以頻率0.1~50[kHz]、Duty Ratio(負載比)5~100%控制。第2高頻電源64係經由匹配器68與下部電極LE連接。匹配器68係用以使第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)之輸入阻抗匹配的電路。
電漿處理裝置10係更具備電源70。電源70係與上部電極30連接。電源70係對上部電極30施加用以向電極板34拉入存在於處理空間Sp之正離子的電壓。例如，電源70係產生負之直流電壓的直流電源。從電源70對上部電極30施加這種電壓時，存在於處理空間Sp之正離子衝撞電極板34。藉此，從電極板34可釋出二次電子及/或矽。
在處理容器12的底部側，且支撐部14與處理容器12的側壁之間設置排氣板48。排氣板48係例如藉由將Y2 O3 等之陶瓷包覆於鋁材料而可構成。在排氣板48的下方且處理容器12，設置排氣口12e。經由排氣管52，將排氣裝置50與排氣口12e連接。排氣裝置50係具有渦輪分子泵等之真空泵，可將處理容器12內的空間降壓至所要之真空度。在處理容器12的側壁，設置晶圓W之搬出入口12g，搬出入口12g係可藉閘閥54開閉。
氣體源群40係具有複數種氣體源。複數種氣體源係可包含含有有機之氨基矽烷系氣體之源、氟碳系氣體(Cx Fy 氣體(x、y係1~10的整數))之源、具有氧原子之氣體(氧氣等)之源、以及惰性氣體之源等之各種氣體之源。作為含有有機之氨基矽烷系氣體，可使用具有氨基之個數比較少的分子構造的氣體，例如，可使用單氨基矽烷(H3 －Si－R(R係含有有機，亦可被替換，氨基))。又，該含有有機之氨基矽烷系氣體(後述之第2氣體G1所含的氣體)係可包含可具有1~3個矽原子的氨基矽烷，或可包含具有1~3個氨基的氨基矽烷。具有1~3個矽原子的氨基矽烷係可以是具有1~3個氨基的單矽烷(單氨基矽烷)、具有1~3個氨基的二矽烷、或具有1~3個氨基的丙矽烷。進而，該氨基矽烷係亦可被替換，而可具有氨基。進而，該氨基係可替換成甲基、乙基、丙基、以及丁基之任一種。進而，上述之甲基、乙基、丙基、或丁基係可藉鹵素替換。作為氟碳系氣體(後述之第1氣體所含的氣體)，可使用CF4 氣體、C4 F6 氣體、C4 F8 氣體之任意的氟碳系氣體。作為惰性氣體，可使用氮氣、Ar氣體、He氣體之任意的氣體。
閥群42係包含複數個閥，流量控制器群44係包含質量流量控制器之複數個流量控制器。氣體源群40之複數種氣體源的各種係經由閥群42之對應的閥及流量控制器群44之對應的流量控制器，與氣體供給管38及氣體供給管82連接。因此，電漿處理裝置10係能以個別地調整的流量，向處理容器12內供給來自在氣體源群40的複數種氣體源中所選擇之一種以上的氣體源的氣體。
在電漿處理裝置10，如後述所示，因為供給含有有機之氨基矽烷系氣體，所以電漿處理裝置10係具備使供給含有有機之氨基矽烷系氣體的配管、與供給其他的處理氣體(例如氧氣)之配管分離的後混合構造。含有有機之氨基矽烷系氣體係因為反應性比較高，所以在藉相同的配管進行含有有機之氨基矽烷系氣體的供給與其他的處理氣體之供給的情況，配管內所吸附之含有有機之氨基矽烷系氣體的成分與其他的處理氣體的成分反應，而有該反應所造成之反應產生物沉積於配管內的情況。在配管內所沉積之反應產生物係難藉清潔等除去，而會成為粒子的原因、及在配管之位置接近電漿區域的情況會成為異常放電的原因。因此，需要分別以不同之配管進行含有有機之氨基矽烷系氣體的供給與其他的處理氣體之供給。藉電漿處理裝置10之後混合構造，分別以不同之配管進行含有有機之氨基矽烷系氣體的供給與其他的處理氣體之供給。
電漿處理裝置10之後混合構造係具備至少2支配管(氣體供給管38、氣體供給管82)。在氣體供給管38與氣體供給管82，都經由閥群42及流量控制器群44，連接氣體源群40。
在處理容器12，設置氣體導入口36c(第1氣體導入口)。氣體導入口36c係在處理容器12內被設置於在載置台PD上所配置之晶圓W的上方。氣體導入口36c係與氣體供給管38之一端連接。氣體供給管38之另一端係與閥群42連接。氣體導入口36c係被設置於電極支撐體36。氣體導入口36c係向氣體擴散室36a導引後述之第1氣體(含有氟碳系氣體之氣體)、後述之防止逆流之氣體(含有惰性氣體等之氣體)、後述之第3氣體(含有氧原子之氣體)、以及後述之沖洗氣體(含有惰性氣體等之氣體)。從氣體導入口36c經由氣體擴散室36a向處理空間Sp所供給的氣體係被供給至是晶圓W上且晶圓W與上部電極30之間的空間區域。
在處理容器12，設置氣體導入口52a(第2氣體導入口)。氣體導入口52a係在處理容器12內被設置於在載置台PD上所配置之晶圓W的側方。氣體導入口52a係與氣體供給管82之一端連接。氣體供給管82之另一端係與閥群42連接。氣體導入口52a係被設置於處理容器12的側壁。氣體導入口52a係向處理空間Sp導引後述之第2氣體G1(包含含有有機之氨基矽烷系氣體的氣體)、及防止逆流之氣體(含有惰性氣體等之氣體)。從氣體導入口52a向處理空間Sp所供給的氣體係被供給至是晶圓W上且晶圓W與上部電極30之間的空間區域。
與氣體導入口36c連接之氣體供給管38、和與氣體導入口52a連接之氣體供給管82係彼此不相交。換言之，包含氣體導入口36c及氣體供給管38之第1氣體、第3氣體的供給路徑、和包含氣體導入口52a及氣體供給管82之第2氣體G1的供給路徑係彼此不相交。
在電漿處理裝置10，沿著處理容器12的內壁拆裝自如地設置蝕刻副產品遮蔽46。蝕刻副產品遮蔽46係亦被設置於支撐部14的外周。蝕刻副產品遮蔽46係防止蝕刻副產品附著於處理容器12，藉由將Y2 O3 等之陶瓷包覆於鋁材料而可構成。蝕刻副產品遮蔽係除了Y2 O3 以外，例如可由如石英般含有氧之材料所構成。
控制部Cnt係包括處理器、記憶部、輸入裝置以及顯示裝置等的電腦，並控制圖2所示之漿處理裝置10的各部。控制部Cnt係在電漿處理裝置10，與閥群42、流量控制器群44、排氣裝置50、第1高頻電源62、匹配器66、第2高頻電源64、匹配器68、電源70、加熱器電源HP以及急冷單元連接。
控制部Cnt係根據用以在方法MT之各步驟控電漿處理裝置10之各部的電腦程式(根據所輸入之方法的程式)來動作，並送出控制信號。電漿處理裝置10之各部係根據來自控制部Cnt的控制信號受到控制。控制部Cnt係具體而言，在圖2所示之電漿處理裝置10，使用控制信號，可控制從氣體源群40所供給之氣體的選擇及流量、排氣裝置50的排氣、來自第1高頻電源62及第2高頻電源64之電力供給、來自電源70之電壓施加、加熱器電源HP之電力供給、來自急冷單元之冷媒流量及冷媒溫度等。此外，在本專利說明書所揭示之處理被處理體之方法MT的各步驟係藉控制部Cnt之控制使電漿處理裝置10之各部動作，藉此，可執行。在控制部Cnt之記憶部，讀出自如地儲存用以執行方法MT的電腦程式、及在方法MT之執行所使用的各種資料。
再參照圖1，詳細地說明方法MT。在以下，說明在方法MT之實施使用電漿處理裝置10的例子。在以下的說明，參照圖4、圖5以及圖6。圖4係包括(a)部、(b)部以及(c)部，圖4之(a)係顯示圖1所示之步驟的執行前之被處理體之狀態的剖面圖，圖4之(b)係顯示圖1所示之蝕刻的執行後之被處理體之狀態的剖面圖，圖4之(c)係顯示圖1所示之複數次序列的執行後之被處理體之狀態的剖面圖。圖5係顯示圖1所示的方法之在各步驟的執行中之氣體的供給及高頻電源的供給之狀態的圖。圖6係包括(a)部、(b)部以及(c)部，圖6之(a)係示意顯示例如圖1所示之序列的執行前之被處理體之狀態的剖面圖，圖6之(b)係示意顯示圖1所示之序列的執行中之被處理體之狀態的圖，圖6之(c)係示意顯示圖1所示之序列的執行後之被處理體之狀態的圖。
如圖1所示，方法MT係包括步驟ST1、序列SQ1以及步驟ST3。在執行方法MT的步驟ST1之前，首先，準備是被處理體之晶圓W。所準備之晶圓W係圖4(a)所示，包括被蝕刻層EL與遮罩MK。遮罩MK係被設置於被處理層EL的主面ELa上。在遮罩MK形成至被處理層EL之主面ELa的開口OP。開口OP係可以是槽、孔等的開口。被處理層EL之主面ELa係經由開口OP局部地露出。遮罩MK係包括側面MKa與表面MKb。側面MKa係包含於開口OP之內側的表面OPa。表面MKb係包含於晶圓W之主面FW。
被蝕刻層EL係由對遮罩選擇性地被蝕刻之材料所構成，例如，使用含有矽之親水性的絕緣層。被蝕刻層EL係更具體而言，例如可含有氧化矽(SiO2 )。亦可被蝕刻層EL係含有氮化矽(Si3 N4 )、多結晶矽之其他的材料。
遮罩MK係被設置於被處理層EL之主面ELa。遮罩MK係含有ArF等之抗蝕劑材料的抗蝕劑遮罩，利用光蝕刻技術對被蝕刻層EL產生圖案，藉此，所形成。遮罩MK係局部地覆蓋被處理層EL之主面ELa。開口OP係劃定遮罩MK之圖案形狀，遮罩MK之圖案形狀係例如是線與空間圖案。此外，亦可遮罩MK係具有提供在平面圖上圓形之開口的圖案。或，亦可遮罩MK係具有提供在平面圖上橢圓形狀之開口的圖案。
在執行步驟ST1之前，準備上述之圖4(a)所示的晶圓W，將晶圓W收容於電漿處理裝置10的處理容器12內，並被載置成對載置台PD上對準位置。控制部Cnt係在圖1所示之方法MT的執行中(至少方法MT所含之步驟ST2a的執行中)，藉在對應於各個區域ER之位置所設置之温度調整部HT的溫度感測器檢測出晶圓W之複數個區域ER之各個的溫度，並藉在對應於各個區域ER之位置所設置之温度調整部HT的加熱元件對各個區域ER進行温度調整。控制部Cnt藉使用温度調整部HT所進行之温度調整，晶圓W之溫度係在複數個區域ER的全部可成為均勻。
在步驟ST1，對圖4(a)所示之晶圓W的被蝕刻層EL進行蝕刻。步驟ST1係經由開口OP對被蝕刻層EL進行各向異性蝕刻的步驟。步驟ST1係在收容晶圓W之電漿處理裝置10的處理容器12之處理空間Sp內產生第1氣體之電漿。步驟ST1係從在氣體源群40的複數種氣體源中所選擇之氣體源，如圖5之符號FG1所示經由氣體供給管38從氣體導入口36c向處理容器12的處理空間Sp內供給第1氣體，且如圖5之符號FG2所示經由氣體供給管82從氣體導入口52a向處理容器12的處理空間Sp內供給防止逆流之氣體。第1氣體係可因應於構成被蝕刻層EL之材料適當地選擇。第1氣體係包含碳原子及氟原子。例如，在被蝕刻層EL是氧化矽膜的情況，處理氣體係可含有氟碳系氣體。防止逆流之氣體係為了防止向處理空間Sp所供給之第1氣體及第1氣體之電漿離子等經由氣體導入口52a侵入氣體供給管82，而從氣體導入口52a向處理空間Sp所供給。防止逆流之氣體係例如可含有惰性氣體。又，如圖5之符號FG3所示，從第1高頻電源62供給高頻電力。又，如圖5之符號FG4所示，從第2高頻電源64供給高頻偏壓電力。進而，藉由使排氣裝置50動作，將處理空間Sp內之空間的壓力設定成所預設之壓力。藉此，產生電漿，所產生之電漿中的活性物種係對在被處理層EL之主面ELa的全部區域中從遮罩MK經由開口OP所露出的區域進行蝕刻。藉步驟ST1，如圖4(b)所示，將遮罩MK之圖案(藉開口OP所劃定的圖案)轉印至被蝕刻層EL。
藉在步驟ST1所執行之蝕刻，被蝕刻層EL係被蝕刻，而開口OP之內側到達被蝕刻層EL之內部。如圖4(b)所示，在步驟ST1所執行之蝕刻，對遮罩MK之側面MKa及遮罩MK之表面MKb中位於開口OP的部分，含有第1氣體所含之成分的反應產生物沉積，因該沉積而是該反應產生物的沉積部NC附著於開口OP。即，發生開口OP因反應產生物之沉積(沉積部NC之附著)而被封閉的頸縮(necking)。在步驟ST1所產生之電漿離子係對晶圓W之主面FW垂直地(各向異性地)射入晶圓W，但是沉積部NC附著時，因電漿離子射入並衝撞沉積部NC，而電漿離子之行進方向被彎曲，而失去電漿離子之各向異性。因此，電漿離子衝撞開口OP之內側的表面OPa(包含在開口OP之內側的側面中位於遮罩MK的側面MKa、在開口OP之內側的側面中位於被蝕刻層EL內的側面ELb、以及開口OP之內側的底面中位於被蝕刻層EL的底面ELc，以下相同)，而在開口OP之內側的表面OPa形成曲折(bowing)形狀。
為了同時進行因步驟ST1的執行而附著於開口OP之沉積部NC的除去、與因步驟ST1的執行而在開口OP之內側的表面OPa所形成之曲折形狀的填補，執行接著步驟ST1之序列SQ1及步驟ST3複數次。序列SQ1及步驟ST3係將膜BF形成於在執行對被蝕刻層EL進行蝕刻的步驟ST1後之開口OP之內側的表面OPa的步驟。
在步驟ST1之後，執行序列SQ1。序列SQ1係包括步驟ST2a(第1步驟)、步驟ST2b(第2步驟)、步驟ST2c(第3步驟)以及步驟ST2d(第4步驟)。方法MT係重複地執行序列SQ1複數次。藉序列SQ1及步驟ST3，重複地執行序列SQ1複數次，在開口OP之內側的表面OPa形成膜BF。從序列SQ1之開始至後述的步驟ST3：Yes之一連串的步驟係同時進行因步驟ST1而附著於開口OP之沉積部NC的除去、與因步驟ST1而在側面MKa及側面ELb所形成之曲折形狀的填補，而將開口OP內的形狀，更具體而言，開口OP之內側之表面OPa的形狀修補成所要之形狀的步驟。在側面MKa及側面ELb所形成之曲折形狀的填補係藉由將膜BF形成於在開口OP之內側的表面OPa所形成之曲折形狀的位置所進行。膜BF係含有氧化矽(SiO2 )之氧化矽膜。
步驟ST2a係如圖5之符號FG2所示經由氣體供給管82從氣體導入口52a向處理容器12的處理空間Sp內供給第2氣體G1，且如圖5之符號FG1所示經由氣體供給管38從氣體導入口36c向處理容器12的處理空間Sp內供給防止逆流之氣體。第2氣體G1係包含含有有機之氨基矽烷系氣體。步驟ST2a係從在氣體源群40之複數種氣體源中所選擇的氣體源向處理容器12的處理空間Sp供給第2氣體G1。第2氣體G1係作為含有有機之氨基矽烷系氣體，可使用例如單氨基矽烷(H3 －Si－R(R係含有有機之氨基))。在步驟ST2a，如圖5之符號FG3、FG4所示，不產生第2氣體G1的電漿。第2氣體G1之分子(單氨基矽烷)係藉基於化學鍵之化學吸附附著於開口OP之內側的表面OPa(具體而言，在表面OPa中沉積部NC未附著的部分)，在步驟ST2a，電漿係未使用。此外，第2氣體G1係若是藉化學鍵可附著於開口OP之內側的表面OPa(具體而言，在表面OPa中沉積部NC未附著的部分)且含有矽者，可以是單氨基矽烷以外的氣體。防止逆流之氣體係為了防止向處理空間Sp所供給之第2氣體G1經由氣體導入口36c侵入氣體供給管38，而從氣體導入口36c向處理空間Sp所供給。防止逆流之氣體係例如可含有惰性氣體。
在第2氣體G1選擇單氨基矽烷系氣體的理由係由於藉由單氨基矽烷具有比較高的陰電性且具有具有極性之分子構造，而可比較易於進行化學吸附。如圖6(a)及圖6(b)所示，藉由第2氣體G1之分子附著於開口OP之內側的表面OPa(具體而言，在表面OPa中沉積部NC未附著而露出的部分，對圖6(a)~(c)所示的表面OPa一樣)所形成的層Ly1係因為該附著是化學附著而成為接近單分子層(單層)之狀態。因為單氨基矽烷之氨基(R)愈小，在開口OP之內側的表面OPa所吸附之分子的分子構造亦變成愈小，所以減少由分子之大小所引起的立體障礙，因此，在開口OP之內側的表面OPa可均勻地吸弣第2氣體G1之分子，而層Ly1係可對開口OP之內側的表面OPa以均勻之膜厚形成。例如，藉由第2氣體G1所含的單氨基矽烷(H3 －Si－R)與開口OP之內側的表面OPa之親水性的OH基反應，形成反應前驅物的H3 －Si－O，因此，可想到形成是H3 －Si－O之單分子層的層Ly1。因此，對開口OP之內側的表面OPa，可貼身地形成反應前驅物的層Ly1。此外，因為附著於開口OP之沉積部NC係含有包含碳原子及氟原子之疏水性的化合物，所以在沉積部NC，層Ly1係未形成，但是如後述所示，藉由實施序列SQ1複數次，以物理性方式除去沉積部NC，在除去沉積部NC後露出之開口OP之內側的表面OPa可形成層Ly1。
此外，第2氣體G1所含的氨基矽烷系氣體係除了單氨基矽烷以外，亦可包含具有1~3個矽原子的氨基矽烷，又，第2氣體G1所含的氨基矽烷系氣體亦可包含具有1~3個氨基的氨基矽烷。
步驟ST2a係一面將晶圓W的溫度調整成在晶圓W的複數個區域ER成為均勻，一面經由開口OP對被蝕刻層EL進行蝕刻。即，在步驟ST2a之執行中，係控制部Cnt使用温度調整部HT，以晶圓W(尤其晶圓W之遮罩MK及被蝕刻層EL)的溫度在複數個區域ER之全部成為均勻的方式對晶圓W連續地進行溫度調整。對開口OP之內側之親水性的表面OPa之第2氣體G1的分子(例如單氨基矽烷)之化學性附著(化學吸附)的程度係與表面OPa之溫度相依。具體而言，在第2氣體G1的分子(例如單氨基矽烷)被開口OP之內側之親水性的表面OPa化學吸附的情況，如表示化學反應之反應速度與溫度的相關的阿瑞尼斯方程式(Arrhenius equation)所示，表面OPa之溫度愈高，化學反應之反應速度愈增加，因此，被該表面OPa化學吸附之第2氣體G1的分子數亦變多。因此，表面OPa之溫度愈高，在該表面OPa所形成之層Ly2的膜厚愈厚，藉複數次之序列SQ1的執行而在該表面OPa所形成之膜BF的膜厚亦愈厚。因此，為了在晶圓W之複數個區域ER的全部形成相同之膜厚的膜BF，至少在步驟ST2a之執行中，需要對晶圓W(尤其晶圓W之遮罩MK及被蝕刻層EL)繼續地進行溫度調整成晶圓W(尤其晶圓W之遮罩MK及被蝕刻層EL)之溫度在複數個區域ER的全部成為均勻。
接著步驟ST2a之步驟ST2b係對處理容器12之處理空間Sp進行沖洗。具體而言，排出在步驟ST2a所供給之第2氣體G1。例如，亦可步驟ST2b係經由氣體供給管38及氣體導入口36c向處理容器12之處理空間Sp供給作為沖洗氣體之氮氣或惰性氣體。即，亦可步驟ST2b之沖洗係使惰性氣體向處理空間Sp內流動的氣體沖洗，或藉抽真空之沖洗的任一種。在步驟ST2b，亦可除去過度地附著於開口OP之內側的表面OPa的分子。根據以上，反應前驅物之層Ly1係成為極薄的單分子層。
接著步驟ST2b之步驟ST2c係在處理容器12內產生第3氣體之電漿P1。步驟ST2c係從在氣體源群40之複數種氣體源中所選擇的氣體源，如圖5之符號FG1所示經由氣體供給管38從氣體導入口36c向處理容器12之處理空間Sp內供給含有氧原子之第3氣體，且如圖5之符號FG2所示經由氣體供給管82從氣體導入口52a向處理容器12之處理空間Sp內供給防止逆流之氣體。第3氣體係含有氧原子之氣體，例如可以是氧氣。防止逆流之氣體係為了防止向處理空間Sp所供給之第3氣體經由氣體導入口52a侵入氣體供給管82，而從氣體導入口52a向處理空間Sp所供給。防止逆流之氣體係例如可含有惰性氣體。而且，如圖5之符號FG3所示，從第1高頻電源62供給高頻電力。在此情況，如圖5之符號FG4所示，亦可施加第2高頻電源64之偏壓電力。又，亦可不使用第1高頻電源62，而僅使用第2高頻電源64來產生電漿。藉由使排氣裝置50動作，將處理空間Sp內之空間的壓力設定成所預設之壓力。
如上述所示，藉步驟ST2a之執行而在開口OP之內側的表面OPa所附著之分子(構成層Ly1之單分子層的分子)係含有矽與氫的鍵結。矽與氫的鍵能係比矽與氧的鍵能更低。因此，如圖6(b)所示，產生含有氧原子之第3氣體的電漿P1時，產生氧之活性物種，例如自由基氧，將構成層Ly1之單分子層之分子的氫替換成氧，如圖6之(c)部所示，形成是氧化矽膜(SiO2 膜)之層Ly2，作為單分子層。
接著步驟ST2c之步驟ST2d係對處理容器12之處理空間Sp進行沖洗。具體而言，排出在步驟ST2c所供給之第3氣體。例如，在步驟ST2d，亦可經由氣體供給管38及氣體導入口36c向處理空間Sp供給作為沖洗氣體之氮氣的惰性氣體。即，亦可步驟ST2d之沖洗係使惰性氣體向處理空間Sp內流動的氣體沖洗，或藉抽真空之沖洗的任一種。
在以上所說明之序列SQ1，在步驟ST2b進行沖洗，在接著步驟ST2b之步驟ST2c，將構成層Ly1之單分子層之分子的氫替換成氧。因此，與ALD(Atomic Layer Deposition)法一樣，藉由執行序列SQ1一次，可在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC未附著的部分(包含曲折形狀的部分)，以薄且均勻之膜厚貼身地形成氧化矽膜的層Ly2。在本專利說明書，ALD係意指各一層原子層沉積的原子層沉積。
因為沉積部NC係係含有包含碳原子及氟原子之疏水性的化合物，所以在沉積部NC，層Ly1係未形成，藉由執行序列SQ1一次，從沉積部NC之表面除去沉積部NC之一層或複數層原子層。
在接著序列SQ1之步驟ST3，判定是否結束序列SQ1之執行。具體而言，在步驟ST3，判定是否序列SQ1之執行次數達到所預設之次數。序列SQ1之執行次數的決定係決定圖4(c)所示之膜BF的膜厚。更具體而言，根據藉由執行序列SQ1一次所形成之氧化矽膜(層Ly2)的膜厚與序列SQ1之執行次數的積，實質上決定在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC未附著的部分(包含曲折形狀之部分)所形成之膜BF的厚度。因此，因應於在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC未附著的部分(包含曲折形狀之部分)所形成之膜BF之所要的厚度，設定序列SQ1之執行次數。
在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC所附著的部分，僅利用藉由執行步驟ST1之後的初次或包含該初次之複數次的序列SQ1除去沉積部NC而側面MKa及側面ELb露出後之序列SQ1的執行，形成膜BF。藉由執行步驟ST1之後的初次或包含該初次之複數次的序列SQ1除去具有疏水性之表面(含有包含碳原子及氟原子之化合物)的沉積部NC，而是親水性之表面(含有OH基)的側面MKa及側面ELb露出時，藉由執行在除去沉積部NC之後之序列SQ1的步驟ST2a，利用第2氣體G1所含的單氨基矽烷(H3 －Si－R)與開口OP之內側的表面OPa之親水性的OH基反應，形成反應前驅物之H3 －Si－O，因此，形成於是H3 －Si－O之單分子層的層Ly1。依此方式，因為至在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC所附著的部分形成膜BF之序列SQ1的執行次數係比序列SQ1之執行次數更少，所以在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC附著的部分所形成之膜BF的膜厚係比在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC未附著的部分(包含曲折形狀的部分)所形成之膜BF的膜厚更薄。
在步驟ST3，在判定序列SQ1之執行次數未達到所預設之次數的情況(步驟ST3：NO)，再重複地執行序列SQ1。另一方面，在步驟ST3，在判定序列SQ1之執行次數達到所預設之次數的情況(步驟ST3：YES)，結束序列SQ1之執行。藉由重複地執行序列SQ1僅預設之次數(步驟ST3：YES)，如圖4(c)所示，除去沉積部NC，且在開口OP之內側的表面OPa形成氧化矽膜的膜BF。
在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC未附著的部分所形成之膜BF係在開口OP之內側的表面OPa中主要形成於曲折形狀(開口OP內之凹部)的位置，在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC未附著的部分(包含曲折形狀之部分)所形成之膜BF的膜厚係比在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC附著的部分所形成之膜BF的膜厚更厚。因此，因為藉由至在步驟ST3判定序列SQ1之執行次數達到所預設之次數重複地執行序列SQ1，藉膜BF填補該曲折形狀，進而，除去附著於開口OP之沉積部NC，所以根據方法MT可充分地恢復開口OP之內側之表面OPa的平坦性。
方法MT係包括序列SQ2與步驟ST4。序列SQ2係包括上述之步驟ST1、序列SQ1以及步驟ST3。方法MT係執行序列SQ2一次以上。接著序列SQ2(接著步驟ST3：YES)之步驟ST4係判定是否結束序列SQ2之執行。具體而言，步驟ST4係判定是否序列SQ2之執行次數達到所預設之次數。在步驟ST4，在判定序列SQ2之執行次數未達到所預設之次數的情況(步驟ST4：NO)，再重複地執行序列SQ2。另一方面，在步驟ST4，在判定序列SQ2之執行次數達到所預設之次數的情況(步驟ST4：YES)，結束序列SQ2之執行。依此方式，藉由重複地執行序列SQ2，對開口OP之內側的深度，可在維持開口OP之內側之表面OPa的平坦性下，調整成所要之深度。
因在步驟ST1所進行之蝕刻，而有是由第1氣體所引起之反應產生物的沉積部NC附著於開口OP，且在開口OP之內側的表面OPa中沉積部NC未附著的部分(被蝕刻層EL所露出之部分)形成曲折形狀(凹部)的情況。若依據以上所說明之一實施形態的方法MT，藉在執行步驟ST1後所執行之序列SQ1及步驟ST3，除去附著於開口OP之沉積部NC，且在形成曲折形狀之部分形成膜BF，藉此，該曲折形狀可變成緩和。
又，在使用第2氣體之步驟ST2a，係因為不會產生電漿而使用化學反應，所以藉包含步驟ST2a之序列SQ1及步驟ST3所形成之膜BF的膜厚係伴隨形成膜BF之晶圓W(尤其被蝕刻層EL)的溫度上升而增加。因此，若依據方法MT，在序列SQ1及步驟ST3所形成之膜BF的厚度可在晶圓W之複數個區域ER成為均勻。
又，向處理容器12內導入在步驟ST2a所使用並反應性比較高之包含含有有機的氨基矽烷系氣體之第2氣體的氣體導入口52a、與向處理容器內導入在步驟ST1所使用並包含碳原子及氟原子之第1氣體及在步驟ST2c所使用並含有氧原子之第3氣體的氣體導入口36c係彼此相異，因為與氣體導入口36c連接之氣體供給管38和與氣體導入口52a連接之氣體供給管82係彼此不相交，所以可減少由反應性比較高之包含含有有機的氨基矽烷系氣體之第2氣體、第1氣體以及第3氣體所引起而在氣體供給管(氣體導入口36c及氣體導入口52a)內會產生之反應產生物。又，藉由使用防止逆流之氣體，可避免第1氣體、第2氣體以及第3氣體之任一氣體向第1氣體、第2氣體以及第3氣體之任一氣體都未流動之狀態的氣體供給管(氣體導入口36c或氣體導入口52a)逆流的狀況。
又，在步驟ST1可使用含有氟碳系氣體之第1氣體來對是含有矽之親水性的絕緣層之被蝕刻層EL進行蝕刻，在步驟ST2a可使用含有單氨基矽烷之第2氣體來形成矽之反應前驅物。
如以上之說明所示，若依據第1實施形態，可緩和因蝕刻所產生的凹部(recess)之側面的曲折形狀。
(第2實施形態) 以下，參照圖7~圖11說明之。圖7係顯示一實施形態之處理晶圓W之方法MT的流程圖。方法MT係包括步驟ST1a與步驟ST5，並依序被執行。亦可方法MT係在ST1a之後包含ST1b。在第2實施形態，晶圓W之表面係包含晶圓W之第1區域La的表面SFa、與晶圓W之第2區域Lb的表面SFb。在一實施形態，在晶圓W之第1區域La的表面SFa形成第1膜M1，在第2區域Lb的表面SFb藉ALD形成膜。
電漿處理裝置10之控制部Cnt係控制電漿處理裝置10的各部，進行方法MT。
圖8(a)、圖8(b)係顯示在執行圖7所示之方法MT的各步驟之後之晶圓W之狀態的剖面圖。圖8(a)所示之方法MT1係顯示在使步驟ST5開始的時序之晶圓的狀態。圖8(b)所示之方法MT2係顯示在使步驟ST5結束的時序(尤其第1膜M1之除去結束的時序)之晶圓的狀態(在圖9(a)、圖9(b)~圖11亦一樣)。
圖9(a)、圖9(b)係示意顯示根據圖7所示之方法MT之第1膜M1的除去及第2膜M2的形成。圖9(a)係示意顯示第1區域La上之第1膜M1的除去及第2膜M2的形成。圖9(b)係示意顯示第2區域Lb上之第2膜M2的形成。圖10係顯示根據圖7所示之方法MT之第1膜M1的膜厚之變化與第2膜M2的膜厚之變化的狀況。圖11係顯示根據方法MT之膜厚的變化之其他的狀況。圖10之縱軸係顯示第1膜M1的膜厚。圖11之縱軸係顯示第2膜M2的膜厚。圖10、圖11之各自的橫軸係顯示從處理開始的時間。
說明圖7所示之方法MT。步驟ST1a係對晶圓W選擇性地形成第1膜M1(圖8(a))的步驟。具體而言，第1膜M1係如圖8(a)所示，被形成於晶圓W之第1區域La的表面SFa，而在晶圓W之第2區域Lb的表面SFb係未形成(對應於圖10所示的情況)，或可形成為比形成於表面SFa之第1膜M1更薄的膜(對應於圖11所示的情況)。此外，步驟ST1a係包含預先準備晶圓W之處理，該晶圓W係具有由第1材料所構成之第1區域La、及由與第1材料係相異之第2材料所構成的第2區域Lb。關於第1材料及第2材料係後述。
在步驟ST1a，第1膜M1係使用第4氣體所形成。第1膜M1係可藉使用第4氣體之電漿輔助化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：PECVD)或熱CVD等所形成。其他的例子係包含藉使用第4氣體之活性物種的蝕刻來形成第1膜M1的情況。在第1區域La之第1材料包含例如矽、有機物或金屬之任一種、第2區域Lb之第1材料包含例如矽及氧的情況，亦可第4氣體是氟碳氣體。在第1區域La之第1材料包含例如矽、有機物或金屬之任一種、第2區域Lb之第1材料包含例如矽及氮的情況，亦可第4氣體是氫氟碳氣體。依此方式，第4氣體係具有沉積性之氣體。
例如，在第2區域Lb是SiO2 的情況，藉由使用C4 F6 等之氣體來進行電漿蝕刻，在第1區域La上形成第1膜M1。另一方面，例如在第2區域Lb是SiN的情況，藉由使用CH3 F等之氣體來進行電漿蝕刻，在第1區域La上形成第1膜M1。
以下，說明藉電漿蝕刻形成第1膜M1的一例。若依據本例，可使在第1區域La所形成之第1膜M1與在第2區域Lb所形成之第1膜M1之膜厚的差變成更大。步驟ST1a係包括第5步驟及第6步驟。第5步驟及第6步驟係在電漿處理裝置10所進行。步驟ST1a係藉第5步驟及第6步驟，利用第4氣體之電漿對第2區域Lb進行蝕刻，而在第1區域La形成第1膜M1。
首先，在收容晶圓W之處理容器12內產生第4氣體之電漿，使膜沉積於第1區域La的表面SFa及第2區域Lb的表面SFb(第5步驟)。第5步驟係包含向處理容器12內供給第4氣體，並調整壓力。接著，使第1高頻電源62動作，施加高頻電力，而產生第4氣體之電漿。在第5步驟，係不施加用以向晶圓W拉入離子的高頻電力，或施加不會發生蝕刻的電力。藉此，在第1區域La的表面SFa及第2區域Lb的表面SFb上形成膜。
接著，第6步驟係除去第2區域Lb。在第6步驟係向處理容器12內供給惰性氣體。使第1高頻電源62動作，施加高頻電力，而產生惰性氣體之電漿。亦可在第6步驟係使第2高頻電源64動作而施加高頻電力。藉此，惰性氣體之離子被拉入藉第5步驟所沉積之膜，所沉積之膜與第2區域Lb之一部分反應，而除去第2區域Lb之一部分。在此蝕刻，在包含第5步驟與第6步驟之每一個循環對第2區域Lb進行1層原子層~10層原子層的蝕刻(稱為虛擬ALE)。另一方面，因為所沉積之膜與第1區域La的反應係難形成揮發性高的反應產生物，所以第1區域La係比第2區域Lb難除去。因此，在第1區域La形成第1膜M1。第5步驟及第6步驟係被重複地進行至1第2區域Lb之蝕刻量成為既定量。在蝕刻後，在第2區域Lb上係膜不殘留，或幾乎不殘留。本蝕刻方法係提高第1膜M1之沉積量的選擇性。此處，作為以蝕刻形成第1膜之一例，雖係舉出虛擬ALE，但是亦可根據其他的方法對第2區域Lb進行蝕刻，而在第1區域La上形成第1膜M1。
在一實施形態，第1區域La係具有含有矽、有機物、金屬之任一種的第1材料。具體而言，亦可第1區域La之第1材料係含有Si、SiGe、Ge、SiN、SiC、有機膜、金屬(W、Ti等)、SiON、SiOC之任一種或2種以上的組合。第2區域Lb係包含與構成第1區域La之第1材料係相異的第2材料，亦可含有矽及氧。具體而言，第2區域Lb係具有含有SiO2 、SiON、SiOC等之第2材料。第4氣體係可以是C4 F6 、C4 F8 等之氟碳系氣體。亦可第4氣體係更含有惰性氣體。在第6步驟所使用之惰性氣體係包含氬等之稀有氣體。
又，在別的實施形態，亦可第1區域La係含有矽、有機物、金屬之任一種，第2區域Lb係含有矽及氮。具體而言，亦可第1區域La係例如含有Si、SiO2 、SiC、有機膜、金屬(W、Ti等)、SiON、SiOC之任一種，亦可第2區域Lb係含有SiN、SiON等之任一種。在本實施形態，亦可第4氣體係氫氟碳系氣體。亦可第4氣體係更含有惰性氣體。亦可在第6步驟所使用之惰性氣體係包含氬等之稀有氣體。
再參照圖7，步驟ST5係在除去第1膜M1下，在第2區域Lb上藉ALD形成第2膜M2的步驟。依此方式，步驟ST5係藉ALD法，對晶圓W之表面選擇性地形成第2膜M2(圖8(b))。步驟ST5係包含電漿處理，該電漿處理之重複係除去第1區域La上的第1膜M1。
在形成第2膜M2的步驟ST5，步驟ST2c之執行時間的總和係可因應於所預設之第2膜M2的膜厚之目標值來調整。
步驟ST5係包括序列SQ1及步驟ST3。序列SQ1係包括步驟ST2a、步驟ST2b、步驟ST2c以及具選擇性之步驟ST2d。亦可序列SQ1係在步驟ST2d之後選擇性地含有步驟ST2e。步驟ST2e係產生惰性氣體之電漿的步驟。因此，步驟ST2e係使經由步驟ST2a、步驟ST2b、步驟ST2c以及步驟ST2d所形成的第2膜M2變成緻密。又，亦可藉步驟ST2e來調整第1膜M1的膜厚。步驟ST2c及步驟ST2e之各自的執行時間係可調整。
使用同一電漿處理裝置10可在不破壞真空下連續地執行步驟ST1a與步驟ST5。亦可在其他的實施形態，係使用彼此相異的電漿處理裝置來執行步驟ST1a與步驟ST5。在使用彼此相異的電漿處理裝置來執行步驟ST1a與步驟ST5的情況，在步驟ST1a，使用一台電漿處理裝置選擇地形成第1膜M1。然後，在步驟ST5，使用與該一台電漿處理裝置係相異的電漿處理裝置10，根據ALD法，在晶圓W之露出的表面選擇性地形成第2膜M2。在重複地執行序列SQ1而形成第2膜M2之間第1區域La上之第1膜M1係被除去。具體而言，在步驟ST2c之重組氣體的電漿、或在選擇性地實施之步驟ST2e之惰性氣體的電漿除去第1區域La上的第1膜M1。藉由調整步驟ST2之時間、在步驟ST2c之第1或第2高頻電力的值，可控制第1膜的除去量。
在步驟ST2a所使用之第2氣體G1(前驅物氣體)係在晶圓W之未形成第1膜M1的區域吸附而形成吸附層(圖6所示之層Ly1)的氣體(第1膜M1係阻礙第2氣體之吸附)。亦可第2氣體G1係氨基矽烷系氣體、含有矽之氣體、含有鈦之氣體、含有鉿之氣體、含有鉭之氣體、含有鋯之氣體、以及含有有機物之氣體。在步驟ST2c所使用之第3氣體係對吸附層重組之氣體，例如含有氧之氣體、含有氮之氣體、以及含有氫之氣體。
具體而言，第3氣體係可使用O2 氣體、CO2 氣體、NO氣體、SO2 氣體、N2 氣體、H2 氣體以及NH3 氣體等。此外，亦可在第3氣體使用臭氧氣體(O3 氣體)，而亦可在步驟ST2c係不產生電漿。
圖8(a)、圖8(b)~圖11係顯示在步驟ST5所執行之處理。如圖8(a)及圖10所示，在步驟ST1a，在第1區域La的表面SFa選擇性地形成第1膜M1。晶圓W係具有複數個第1區域La。在複數個第1區域選擇性地形成第1膜M1。亦可在一實施形態，這些第1膜M1係在複數個第1區域具有相異的膜厚。
圖10所示之線段LP1及線段LP2係顯示在第1區域La的表面SFa所形成之第1膜M1之膜厚的變化。圖10所示之線段LP3係顯示在第2區域Lb的表面SFb所形成之第2膜M2之膜厚的變化。圖10所示之線段LP4係顯示在從第1區域La的表面SFa除去第1膜M1後，繼續地執行形成第2膜M2之步驟ST5的情況，在表面SFa所形成之第2膜M2之膜厚的變化。
在第2區域Lb的表面SFb，如圖8(a)及圖10所示，藉步驟ST1a未形成第1膜M1，或如圖8(a)及圖11所示，可形成比在表面SFa所形成之第1膜M1更薄的第1膜M1。
圖11所示之線段LP1a、線段LP2a係顯示在第2區域Lb的表面SFb形成第1膜M1的情況，在表面SFb所形成之第1膜M1之膜厚的變化。
如圖9(a)、圖9(b)、圖10以及圖11所示，步驟ST5在時序TM1開始時，步驟ST5之重複係分段地除去第1膜M1(圖10之線段LP2、圖11之線段LP2及線段LP2a)。另一方面，步驟ST5之重複係在未形成第1膜M1之第2區域Lb的表面SFb、或已除去第1膜M1之第2區域Lb的表面SFb形成第2膜M2各一層原子層(圖10、圖11之線段LP3)。
在一實施形態，步驟ST5係可從時序TM1繼續執行至將第1區域La之表面SFa之第1膜M1的全部除去之時序TM2為止。在圖9(a)及圖9(b)，舉例顯示重複地執行步驟ST5三次的情形。亦即，在圖9(a)及圖9(b)舉例顯示藉由重複地執行步驟ST5三次，而將第1區域La上之第1膜M1的全部除去的情形。
在時序TM1最初執行步驟ST5的時間點，第2區域Lb的表面SFb係露出，但是第1區域La的表面SFa係被第1膜M1覆蓋而未露出。藉由在時序TM1最初執行步驟ST5，除去覆蓋第1區域La之第1膜M1的一部分。在所露出之第2區域Lb上係形成一層原子層的第2膜M2。
接著，藉由執行第2次之步驟ST5，進一步除去第1區域La上之第1膜M1的一部分，在第2區域Lb上之第2膜M2上進而形成一層原子層，而第2膜M2係成為2層原子層之膜。然後，藉由執行第3次之步驟ST5，除去第1區域La上之第1膜M1的全部，在第2區域Lb上之第2膜M2上進而形成一層原子層，而第2膜M2係成為3層原子層之膜。依此方式，在重複地執行步驟ST5三次之時序TM2的時間點，除去第1區域La上之第1膜M1的全部，而第1區域La的表面SFa係露出，在第2區域Lb上係形成3層原子層之第2膜M2。
步驟ST5係如圖9(a)、圖9(b)、圖10以及圖11所示，從時序TM1可繼續執行至除去第1區域La的表面SFa之第1膜M1的全部之時序TM2，但是不限定為此。亦可在別的實施形態係繼續執行至達到所預設之第1膜M1的膜厚或所預設之第2膜M2的膜厚。例如，即使已超過除去表面SFa之第1膜M1的全部之時序TM2，亦可繼續執行步驟ST5。在此情況，如圖9(a)、圖9(b)之時序TM2以後、與圖10、圖11之線段LP4所示，每執行步驟ST5一次，在第1區域La之(露出的)表面SFa依序形成第2膜M2各一層原子層，在第2區域Lb上亦第2膜M2逐次增加一層原子層下去。
在圖9(a)、圖9(b)，舉例顯示在時序TM2以後重複執行步驟ST5三次(循環)的情況。藉由在時序TM2以後重複執行步驟ST5三次，在第1區域La上係形成3層原子層的第2膜M2，在第2區域Lb上係形成6層原子層的第2膜M2。
在一形態，在晶圓W上在各區域形成膜厚相異的第1膜，藉由重複ALD循環，形成因應於區域而厚度相異的第2膜M2。即，因應於第1膜M1之複數種膜厚，第2膜M2亦可形成為複數種膜厚。
在以下之實施例1~實施例3顯示在步驟ST1a、步驟ST2a、步驟ST2c可使用之處理條件的複數種具體例。
(實施例1) ･第1區域La之材料：SiN ･第2區域Lb之材料：SiO2 ＜步驟ST1a＞ ･處理空間Sp內之壓力：20[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：500[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･第1氣體之流量：C4 F6 氣體(15[sccm])/Ar氣體(350[sccm])/O2 氣體(20[sccm]) ･晶圓W之溫度：200[℃] ･執行時間：10[秒] 在本實施例1所形成之第1膜M1係氟碳膜。 ＜步驟ST2a＞ ･處理空間Sp內之壓力：100[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：0[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･第1氣體之流量：氨基矽烷系氣體(50[sccm]) ･晶圓W之溫度：80[℃] ･執行時間：15[秒] ＜步驟ST2c＞ ･處理空間Sp內之壓力：200[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：500[W](60[MHz]) ･第2高頻電源64之電力：300[W](10[kHz]) ･第1氣體之流量：CO2 氣體(300[sccm]) ･執行時間：5[秒]
(實施例2) ･第1區域La之材料：SiN ･第2區域Lb之材料：SiO2 ＜步驟ST1a＞ ･執行上述之使用第5步驟及第6步驟的蝕刻處理。 ･第5步驟及第6步驟的重複次數：2次 在本實施例2所形成之第1膜M1係氟碳膜。 ＜第5步驟＞ ･處理空間Sp內之壓力：30[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：100[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･直流電源70之電壓：－300[V] ･第4氣體之流量：C4 F6 氣體(16[sccm])/Ar氣體(1000[sccm])/O2 氣體(10[sccm]) ･執行時間：3[秒] ＜第6步驟＞ ･處理空間Sp內之壓力：30[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：500[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･直流電源70之電壓：－300[V] ･第4氣體之流量：C4 F6 氣體(0[sccm])/Ar氣體(1000[sccm])/O2 氣體(0[sccm]) ･執行時間：5[秒] ＜步驟ST2a＞ ･處理空間Sp內之壓力：100[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：0[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･第1氣體之流量：氨基矽烷系氣體(50[sccm]) ･晶圓W之溫度：80[℃] ･執行時間：15[秒] ＜步驟ST2c＞ ･處理空間Sp內之壓力：200[mTorr] ･第1高頻電源62(頻率：60[MHz])之電力：500[W] ･第2高頻電源64(頻率：10[kHz])之電力：300[W] ･第1氣體之流量：CO2 氣體(300[sccm]) ･執行時間：5[秒]
(實施例3) ･第1區域La之材料：SiN ･第2區域Lb之材料：SiO2 ＜步驟ST1a＞ ･執行上述之使用第5步驟及第6步驟的蝕刻處理。 ･第5步驟~第6步驟的重複次數：2次 在本實施例3所形成之第1膜M1係氟碳膜。 ＜第5步驟＞ ･處理空間Sp內之壓力：30[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：100[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･直流電源70之電壓：－300[V](該條件係可省略) ･第4氣體之流量：C4 F6 氣體(16[sccm])/Ar氣體(1000[sccm])/O2 氣體(10[sccm]) ･執行時間：3[秒] ＜第6步驟＞ ･處理空間Sp內之壓力：30[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：500[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･直流電源70之電壓：－300[V] ･第4氣體之流量：C4 F6 氣體(0[sccm])/Ar氣體(1000[sccm])/O2 氣體(0[sccm]) ･執行時間：5[秒] ＜步驟ST2a＞ ･處理空間Sp內之壓力：100[mTorr] ･第1高頻電源62之電力：0[W] ･第2高頻電源64之電力：0[W] ･第1氣體之流量：氨基矽烷系氣體(50[sccm]) ･晶圓W之溫度：80[℃] ･執行時間：15[秒] ＜步驟ST2c＞ ･處理空間Sp內之壓力：200[mTorr] ･第1高頻電源62(頻率：60[MHz])之電力：500[W] ･第2高頻電源64(頻率：10[kHz])之電力：300[W] ･第1氣體之流量：CO2 氣體(300[sccm]) ･執行時間：2[秒]
上述之實施例2與實施例3係在步驟ST2c之執行時間相異。在實施例3之步驟ST2c的執行時間(2[秒])係在實施例3之步驟ST2c的執行時間(5[秒])的2/5倍。在此情況，在實施例3之第1區域La的表面SFa之第1膜M1的除去速率係成為在實施例2之該除去速率的約2/5倍。
此外，亦可在執行步驟ST1a之後且執行步驟ST5之前，清除晶圓W之表面(步驟ST1b)。在第2區域Lb形成第1膜M1的情況執行步驟ST1b，可從第2區域Lb上除去第1膜M1。從ALD步驟ST5之開始至除去第2區域Lb上之第1膜M1的全部，在第2區域Lb上係未形成第2膜M2，從第2區域Lb上除去第1膜M1後才開始形成第2膜M2。因此，藉由執行步驟ST1b之清除，從步驟ST5之開始時可形成第2膜M2。因此，可減少至第2膜M2成為所要的膜厚所需之步驟ST5的執行次數。
以上，在適合之實施形態圖示並說明了本發明之原理，但是本發明係在不脫離那種原理下可變更配置及細節，這係本專業者所認識。本發明係不是被限定為在本實施形態所揭示之特定的構成。因此，對來自申請專利範圍及其精神的範圍之全部的修正及變更請求權利。
實施形態之別的側面係包含如下之附記1~4，
(附記1) 一種方法，係被處理體之處理方法，其具備形成步驟，該形成步驟係在被處理體之表面選擇性地設置第1膜，藉在除去第1膜下藉ALD(原子層沉積)在被處理體之表面形成第2膜。 (附記2) 一種方法，係被處理體之處理方法，其包括：第1膜形成步驟，係在被處理體之第1區域選擇性地形成第1膜；第1ALD膜形成步驟，係在未形成被處理體之第1膜的第2區域藉ALD(原子層沉積)形成第1ALD膜；以及第2ALD膜形成步驟，係在藉由重複地進行ALD來除去第1區域之第1膜後，在第1區域形成第2ALD膜。 (附記3) 如附記2之方法，其中，第1ALD膜之膜厚係比第2ALD膜之膜厚更厚。 (附記4) 一種被處理體之處理方法，其具有：準備步驟，係準備被處理體，該被處理體係具有由第1材料所構成之第1區域與由與第1材料係相異之第2材料所構成的第2區域；第1膜形成步驟，係藉第1電漿對第1區域進行蝕刻，並在第2區域上形成第1膜；以及第2膜形成步驟，係在除去第1膜下，藉原子層沉積在第1區域上形成第2膜。
10‧‧‧電漿處理裝置12‧‧‧處理容器12e‧‧‧排氣口12g‧‧‧搬出入口14‧‧‧支撐部18a‧‧‧第1板18b‧‧‧第2板22‧‧‧直流電源23‧‧‧開關24‧‧‧冷媒流路26a‧‧‧配管26b‧‧‧配管28‧‧‧氣體供給管線30‧‧‧上部電極32‧‧‧絕緣性遮蔽元件34‧‧‧電極板34a‧‧‧氣體排出孔36‧‧‧電極支撐體36a‧‧‧氣體擴散室36b‧‧‧氣體流通孔36c‧‧‧氣體導入口38‧‧‧氣體供給管40‧‧‧氣體源群42‧‧‧閥群44‧‧‧流量控制器群46‧‧‧蝕刻副產品遮蔽48‧‧‧排氣板50‧‧‧排氣裝置52‧‧‧排氣管52a‧‧‧氣體導入口54‧‧‧閘閥62‧‧‧第1高頻電源64‧‧‧第2高頻電源66‧‧‧匹配器68‧‧‧匹配器70‧‧‧電源82‧‧‧氣體供給管BF‧‧‧膜Cnt‧‧‧控制部EL‧‧‧被處理層ELa‧‧‧主面EL、ELb‧‧‧側面ELc‧‧‧底面ER‧‧‧區域ESC‧‧‧靜電夾頭FR‧‧‧聚焦環FW‧‧‧主面G1‧‧‧第2氣體HP‧‧‧加熱器電源HT‧‧‧温度調整部La‧‧‧第1區域Lb‧‧‧第2區域LE‧‧‧下部電極LP1‧‧‧線段LP1a‧‧‧線段LP2‧‧‧線段LP2a‧‧‧線段LP3‧‧‧線段LP4‧‧‧線段Ly1‧‧‧層Ly2‧‧‧層MK‧‧‧遮罩MKa‧‧‧側面MKb‧‧‧表面M1‧‧‧第1膜M2‧‧‧第2膜MT‧‧‧方法NC‧‧‧沉積部OP‧‧‧開口OPa‧‧‧表面P1‧‧‧電漿PD‧‧‧載置台SFa‧‧‧表面SFb‧‧‧表面Sp‧‧‧處理空間ST1、ST2a、ST2b、ST2c、ST2d、ST3、ST4‧‧‧步驟MT‧‧‧方法SQ1、SQ2‧‧‧序列TM1‧‧‧時序TM2‧‧‧時序W‧‧‧晶圓
[圖1]係顯示一實施形態之被處理體之處理方法的流程圖。 [圖2]係顯示圖3所示之處理系統可具備的電漿處理裝置之一例的圖。 [圖3]係作為一例，示意顯示在一實施形態之被處理體的處理方法所劃分之被處理體的主面之複數個區域的一部分的圖。 [圖4]係包括(a)部、(b)部以及(c)部，圖4之(a)係顯示圖1所示之步驟的執行前之被處理體之狀態的剖面圖，圖4之(b)係顯示圖1所示之蝕刻的執行後之被處理體之狀態的剖面圖，圖4之(c)係顯示在執行圖1所示之複數次序列後之被處理體之狀態的剖面圖。 [圖5]係顯示圖1所示的方法之在各步驟的執行中之氣體的供給及高頻電源的供給之狀態的圖。 [圖6]係包括(a)部、(b)部以及(c)部，圖6之(a)係示意顯示例如在執行圖1所示之序列之前的被處理體之狀態的剖面圖，圖6之(b)係示意顯示圖1所示之序列之執行中的被處理體之狀態的圖，圖6之(c)係示意顯示圖1所示之序列之執行後的被處理體之狀態的圖。 [圖7]係顯示一實施形態之被處理體的處理方法之其他的流程圖。 [圖8]係包括(a)部及(b)部，係示意顯示根據圖7之流程圖在被處理體之表面形成膜之狀況的圖。 [圖9]係包括(a)部及(b)部，係示意顯示根據圖7之流程圖所示的方法之膜的蝕刻及形成的圖。 [圖10]係顯示圖7之流程圖所示的方法之執行所造成之膜厚的變化之狀況的圖。 [圖11]係顯示根據圖7之流程圖所示的方法之膜厚之變化的圖。
ST1、ST2a、ST2b、ST2c、ST2d、ST3、ST4‧‧‧步驟
MT‧‧‧方法
SQ1、SQ2‧‧‧序列

Claims (20)

  1. 一種被處理體之處理方法，該被處理體包括被蝕刻層、與設在該被蝕刻層上之遮罩，在該遮罩形成有達於被蝕刻層的開口，該被處理體之處理方法包括：蝕刻步驟，經由該開口對被蝕刻層進行各向異性的蝕刻；及膜形成步驟，在對該被蝕刻層進行該蝕刻步驟後之該開口之內側的表面形成膜；對該被蝕刻層進行各向異性之蝕刻的該蝕刻步驟，係在已收容該被處理體之電漿處理裝置的處理容器內產生第1氣體的電漿；該膜形成步驟係藉由重複地執行包含如下之步驟的序列，而在該開口之內側的該表面形成該膜，第1步驟，對該處理容器內供給第2氣體；第2步驟，於執行該第1步驟後，對該處理容器內之空間進行沖洗；第3步驟，於執行該第2步驟後，在該處理容器內產生含有氧原子之第3氣體的電漿；以及第4步驟，於執行該第3步驟後，對該處理容器內之空間進行沖洗；該第1氣體包含碳原子及氟原子；該第2氣體包含含有有機之氨基矽烷系氣體；該被蝕刻層係含有矽之親水性的絕緣層；該第1步驟不產生該第1氣體的電漿。
  2. 如申請專利範圍第1項之被處理體之處理方法，其中，該第1步驟係在將該被處理體之溫度調整成在該被處理體之複數個區域都均勻之情況下，經由該開口對該被蝕刻層進行蝕刻。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之被處理體之處理方法，其中，在該處理容器設置第1氣體導入口及第2氣體導入口；該第1氣體導入口係設於該被處理體的上方；該第2氣體導入口係設於該被處理體的側方；對該被蝕刻層進行各向異性之蝕刻的該蝕刻步驟，係從該第1氣體導入口向該處理容器內供給該第1氣體，並從該第2氣體導入口向該處理容器內供給防止逆流之氣體；該第1步驟係從該第2氣體導入口向該處理容器內供給該第2氣體，並從該第1氣體導入口向該處理容器內供給防止逆流之氣體；該第3步驟係從該第1氣體導入口向該處理容器內供給該第3氣體，並從該第2氣體導入口向該處理容器內供給防止逆流之氣體；在該第1氣體導入口所連接之配管與在該第2氣體導入口所連接之配管係彼此不相交。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之被處理體之處理方法，其中，該第1氣體包含氟碳系氣體。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之被處理體之處理方法，其中，該第2氣體包含單氨基矽烷。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之被處理體之處理方法，其中，該第2氣體所含之氨基矽烷系氣體包含具有1~3個矽原子的氨基矽烷。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之被處理體之處理方法，其中，該第2氣體所含之氨基矽烷系氣體包含具有1~3個氨基的氨基矽烷。
  8. 一種被處理體之處理方法，用以處理被處理體，該處理方法包括：第1膜形成步驟，在該被處理體之表面選擇性地形成第1膜；及第2膜形成步驟，在除去第1膜的情況下，藉原子層沉積在該被處理體之表面形成第2膜。
  9. 如申請專利範圍第8項之被處理體之處理方法，其中，該沉積係包含具有以下之步驟的序列，第1步驟，向處理容器內供給第2氣體，而在該被處理體之表面形成吸附層；第2步驟，對該處理容器內之空間進行沖洗；以及第3步驟，在該處理容器內產生第3氣體之電漿。
  10. 如申請專利範圍第9項之被處理體之處理方法，其中，該沉積更包含在該第3步驟之後將該第2膜曝露於惰性氣體之電漿的第4步驟。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之被處理體之處理方法，其中，在該第2膜形成步驟中，該第1膜係藉該第3步驟或該第4步驟所除去。
  12. 如申請專利範圍第9項之被處理體之處理方法，其中，該第2氣體係氨基矽烷系氣體、含有矽之氣體、含有鈦之氣體、含有鉿之氣體、含有鉭之氣體、含有鋯之氣體、以及含有有機物之氣體的任一種氣體；該第3氣體係含有氧之氣體、含有氮之氣體、或含有氫之氣體的任一種氣體。
  13. 如申請專利範圍第8、9、10、12項中任一項之被處理體之處理方法，其中，該第1膜係藉電漿蝕刻所形成。
  14. 如申請專利範圍第13項之被處理體之處理方法，其中，該電漿蝕刻係原子層蝕刻。
  15. 一種被處理體之處理方法，用以處理被處理體，該處理方法包括：準備步驟，係準備被處理體，該被處理體具有由第1材料所構成之第1區域、及由與該第1材料係相異之第2材料所構成的第2區域；第1膜形成步驟，係藉第1氣體的電漿對該第1區域進行蝕刻，並在該第2區域上形成第1膜；以及第2膜形成步驟，在除去該第1膜的情況下，藉原子層沉積在該第1區域上形成第2膜。
  16. 如申請專利範圍第15項之被處理體之處理方法，其中，該第1氣體包含氟碳氣體；該第1材料包含矽及氧；該第2材料包含矽、有機物或金屬之任一種。
  17. 如申請專利範圍第15項之被處理體之處理方法，其中，該第1氣體包含氫氟碳氣體；該第1材料包含矽、有機物或金屬之任一種；該第2材料包含矽及氮。
  18. 如申請專利範圍第8、9、10、12、15、16、17項中任一項之被處理體之處理方法，其中，該第2膜含有矽。
  19. 如申請專利範圍第8、9、10、12、15、16、17項中任一項之被處理體之處理方法，其中，在該被處理體所形成之該第2膜具有複數種膜厚。
  20. 如申請專利範圍第9項之被處理體之處理方法，其中，藉由重複地執行該序列，而除去該第1膜，再於被除去之該被處理體之表面形成該第2膜。
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