JP7257883B2 - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
実施形態に係るプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法について説明する前に、まず、インキュベーションのメカニズムについて説明する。
次に、パターンを有する処理対象基板Sの加工においてインキュベーション効果を利用する例について説明する。図3A乃至図3Cは、インキュベーション効果を利用した処理対象基板Sの加工の例(1~3)について説明するための図である。図4A乃至図4Dは、図3A乃至図3Cに示す処理対象基板S上の分子の状態例(1~4)について説明するための図である。図3A乃至図3Cおよび図4A乃至図4Dに示す処理対象基板S上には、頂部T1、側壁T2、底部T3を有するパターンが形成されている。
本実施形態に係るプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置は、上記インキュベーションタイムとインヒビターの吸着位置に基づく成膜制御を利用して、プラズマ処理におけるパターンのダメージを低減する。
図5は、一実施形態に係るプラズマ処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、処理対象基板であるウエハWを準備し、処理室102内の載置台110上に載置する(ステップS51)。そして、プラズマ処理装置100は、制御部200の制御下で、ウエハWに所定の開口部等を形成するためエッチング等の処理を実行する(ステップS52)。次に、プラズマ処理装置100は、形成したパターンたとえば開口部が所定条件を満足するか否かを判定する(ステップS53)。所定条件を満足しないと判定した場合(ステップS53、No)、プラズマ処理装置100はステップS52に戻り処理を継続する。他方、所定条件を満足すると判定した場合(ステップS53、Yes)、プラズマ処理装置100は、ウエハW上にCVDを用いてインヒビター層を形成する(ステップS54)。インヒビター層は、第1の膜の一例である。次に、プラズマ処理装置100は、ALDサイクルを実行する(ステップS55)。なお、ステップS55においては、複数回数のALDサイクルを実行する。ALDサイクルによって形成される膜は、第2の膜の一例である。次に、プラズマ処理装置100は、ALDサイクル実行後のウエハWが所定条件を満足するか否かを判定する(ステップS56)。所定条件を満足しないと判定した場合(ステップS56、No)、プラズマ処理装置100はステップS54に戻り処理を継続する。他方、所定条件を満足すると判定した場合(ステップS56、Yes)、プラズマ処理装置100は、さらにエッチングを実行する(ステップS57)。これで実施形態に係るプラズマ処理は終了する。
図6Aは、一実施形態に係るプラズマ処理が適用される処理対象基板の一例を示す図である。図6Aの処理対象基板Sは、下地層L1と、第1層L2と、第2層L3と、を有する。処理対象基板Sには開口部Oが形成されている。下地層L1の上に、CVD等の成膜方法を用いて第1層L2を形成した後、第1層L2をエッチングする際のマスクとなる第2層L3を形成する。次に、第2層L3の上からエッチングを行い開口部Oを形成する。開口部Oは側壁T5と底部T6とを有する。かかる処理により、図6Aの処理対象基板Sが形成される。図6Aの状態においては、開口部Oの底面(底部T6の面)は、第1層L2内に位置する。
図7A乃至図7Cに示す例では、インヒビター層L5を頂部T4および底部T6に形成するものとした。インヒビター層を形成する位置および膜厚分布は、プラズマCVDの条件(たとえば等方性か異方性か等)を変更することにより変更することができる。このため、上記実施形態のようにインヒビター層L5を頂部T4および底部T6に形成する場合は、プラズマCVDの条件を以下の条件等から適宜選択してインヒビター層L5を形成する。
たとえば、CVDにおいて用いるガス種を変更することにより、インヒビター層の形成位置および膜厚分布を調整することができる。インヒビター層をCVDで形成するガスとしては、C4F6ガスまたはC4F8ガスを用いることができる。C4F6ガスの付着係数はC4F8ガスの付着係数よりも大きい。よって、C4F6を用いると、インヒビター層はウエハWの表面側(低アスペクト領域)により多く形成される。一方、C4F8を用いるとインヒビター層は底部側(高アスペクト領域)により多く形成される。ここでは、低アスペクト領域とは、ウエハWの表面に相対的に近い領域を、高アスペクト領域とは、ウエハWの表面から相対的に遠い領域を指すものとする。このようにガス種によって付着係数が異なるので、ガス種を変更することによってインヒビター層の形成される位置を制御することができる。
また、載置台110に印加されるバイアス高周波電源の電力を変更することにより、インヒビター層の形成位置および膜厚分布を調整することができる。たとえば、当該電力をオン・オフしてもよい。また、当該電力の値を高い値と低い値との間で変化させてもよい。当該電力の値を高くするとインヒビター層はウエハWの水平面(たとえば図6Aの頂部T4と底部T6)に厚く形成される。他方、インヒビター層はウエハWの垂直面(たとえば図6Aの側壁T5)に薄く形成される。当該電力の値を小さくすると、インヒビター層は上部側すなわちウエハW表面に相対的に近い位置により多く形成される。
また、インヒビター層形成時のウエハWの温度を変更することで、インヒビター層の形成位置および膜厚分布を調整できる。ウエハWの温度が相対的に高くなると、インヒビター層は底部側(高アスペクト領域)により多く成膜される。ウエハWの温度が相対的に低くなると、インヒビター層はウエハWの表面側(低アスペクト領域)により多く形成される。
また、インヒビター層形成時の処理室102内の圧力を変更することで、インヒビター層の形成位置および膜厚分布を調整できる。処理室102内の圧力を相対的に高くすると生成されるプラズマは等方的となる。等方的なプラズマによりウエハWの表面側(低アスペクト領域)により厚いインヒビター層が形成される。他方、処理室102内の圧力が相対的に低くなると生成されるプラズマは異方的となる。異方的なプラズマにより底部側(高アスペクト領域)により厚いインヒビター層が形成される。
また、プラズマCVDの際に用いるプラズマ励起用の高周波電力の値を変更することで、インヒビター層の形成位置および膜厚分布を調整できる。プラズマ励起用の高周波電力の値を変更することによって、プラズマの解離状態を変更することができる。従って、当該電力を変更することによって、プラズマCVDにおいて生成されるラジカル種またはラジカル比率が変更され、インヒビター層が成膜される際の付着係数が変更される。付着係数が大きくなるように高周波電力の値を変更すれば、インヒビター層はウエハWの表面側(低アスペクト領域)により多く形成される。また、付着係数が小さくなるように高周波電力の値を変更すれば、インヒビター層はウエハWの底部側(高アスペクト領域)により多く形成される。
図7Aのインヒビター層L5は、頂部T4および底部T6に形成されている。しかし、パターンのアスペクト比が増加するとともにパターンの開口寸法が小さくなると、CVDによって底部T6にインヒビター層L5を形成する際に開口閉塞が生じる可能性がある。インヒビター層L5を形成するための処理ガスを底部T6まで送り込むためには、CVDの際のイオンエネルギーが高くなるよう処理条件を設定することが考えられる。しかし、イオンエネルギーを高く設定すると、インヒビター層L5を形成する際に、下地層L1にもダメージが生じる可能性がある。
<処理条件1>
チャンバ内圧力:50mT(6.65Pa)
ガス種/流量:C4F6、300sccm
ステージ温度:-50℃
高周波HFのパワー:300W
高周波LFのパワー:0W
なお、毛管凝縮を利用してインヒビター層をパターン底部から積み上げるように形成する場合、形成されるインヒビター層は温度依存性および圧力依存性を有する。このため、処理時の温度および圧力を制御して処理を実行する。たとえば、載置台110の温度を極低温領域たとえば-70℃~-20℃程度に制御して処理を実行する。また、処理室102内の圧力をたとえば50mT以上に設定する。また、Ei<10eV以下の低イオン量となるように処理条件を調整する。たとえば、載置台110の温度を-20℃以下、処理室102内の圧力を50mT以上に設定することが好ましい。
上記のように、実施形態に係るプラズマ処理方法は、開口部形成工程(ステップS52)と、第1膜形成工程(ステップS54)と、第2膜形成工程(ステップS55)と、エッチング工程(ステップS57)と、を含む。プラズマ処理装置100は、開口部形成工程において、下地層L1と下地層L1上に形成される第1層L2とを含む処理対象基板Sに対してエッチングを施すことにより、第1層S2に開口部Oを形成する。さらに、プラズマ処理装置100は、開口部Oが所定条件を満足したと判定した場合、第1膜形成工程を実行する。第1膜形成工程においては、プラズマ処理装置100は、化学気相成長により、開口部Oの底面T6にインヒビターを形成することで所定のガス種が吸着しない第1の膜(インヒビター層L5)を形成する。プラズマ処理装置100は、第1の膜の形成後、第2膜形成工程において、所定のガス種を前駆体ガスとする原子層堆積により開口部Oの側壁T5に第2の膜(保護層L4)を形成する。そして、プラズマ処理装置100は、エッチング工程において、開口部Oにエッチングを施す。このため、開口部Oの側壁T5は第2の膜によって保護されエッチングによるダメージを受けない。また、開口部Oの底部T6において、ブレークスルー工程が不要となるため、プラズマ処理装置100は、下地層L1にダメージを与えることなく高精度に開口をエッチングすることができる。このように、実施形態に係るプラズマ処理方法は、プラズマ処理においてパターンに与えるダメージを低減することができる。
ところで、上記実施形態では、処理対象基板Sが備える開口部Oの底部T6の面と下地層L1の表面までの距離が20ナノメートル以下になると、インヒビター層L5の形成を開始するものとした。これに限らず、たとえば下地層L1にダメージが発生したと判定した場合に、インヒビター層L5の形成を開始するように、プラズマ処理装置100を形成することができる。
上記変形例に係るプラズマ処理方法は、開口部形成工程(ステップS52)と、第1膜形成工程(ステップS54)と、第2膜形成工程(ステップS55)と、エッチング工程(ステップS57)と、を含む。プラズマ処理装置100は、開口部形成工程において、下地層L1と下地層L1上に形成される第1層L2とを含む処理対象基板S1に対してエッチングを施すことにより、第1層S2に開口部O1を形成する。さらに、プラズマ処理装置100は、第1膜形成工程において、開口部O1が所定条件を満足したと判定した場合、化学気相成長により、所定のガス種が吸着しない第1の膜(インヒビター層L5)を形成する。プラズマ処理装置100は、第1の膜を、開口部O1の底面T9にインヒビターを形成することで形成する。プラズマ処理装置100は、第1の膜の形成後、第2膜形成工程において、所定のガス種を前駆体ガスとする原子層堆積により開口部O1の側壁T8に第2の膜(保護層L6)を形成する。そして、プラズマ処理装置100は、エッチング工程において、開口部O1にエッチングを施す。プラズマ処理装置100は、エッチング工程が終了すると(ダメージ層L7が形成されたものとして)第1膜形成工程および第2膜形成工程を実行する。そして、プラズマ処理装置100は、エッチング工程においてダメージ層L7を除去する。このため本変形例によれば、処理過程において不所望のダメージ層L7が形成された場合であっても、他の部分にダメージを与えることなく、当該ダメージ層L7を除去することができる。
102 処理室
110 載置台
L1 下地層
L2 第1層
L3 第2層
L4 保護層
L5 インヒビター層(第1の膜)
L6 保護層(第2の膜)
L7 ダメージ層
O,O1 開口部
S,S1 処理対象基板
T4,T7 頂部
T5,T8 側壁
T6,T9 底部
W ウエハ
Claims (17)
- (a)下地層と下地層上に形成される第1層とを含む基板に対してエッチングを施すことにより、前記第1層に凹部を形成する工程と、
(b)前記凹部が所定条件を満足したと判定した場合、前記凹部の底面に所定のガス種が吸着しない第1の膜を形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後、前記所定のガス種を用いて前記凹部の側壁に第2の膜を形成する工程と、
(d)前記凹部を介して前記基板にエッチングを施す工程と、
を含むプラズマ処理方法。 - 前記第1の膜は、化学気相成長(chemical Vapor Deposition)により、前記凹部の底面に形成されたインヒビター層である、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記工程(c)は、
(c1)前記基板を前記所定のガス種を含む前駆体ガスに晒し、前記前駆体ガスを前記凹部の側壁に吸着させる工程と、
(c2)前記基板を反応ガスから生成されたプラズマに晒し、前記前駆体ガス及び前記反応ガスから前記第2の膜を形成する工程と、
を含む、請求項1または2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記工程(c)において、前記工程(c1)および(c2)を所定回数繰り返し実行する、請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- (e)前記凹部の底面と前記下地層の表面との間の距離が所定距離以下か否かを判定する工程をさらに含み、
前記工程(b)および(c)は、前記距離が前記所定距離以下であると判定した場合に実行する、請求項1から4のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記所定距離は20ナノメートルである、請求項5に記載のプラズマ処理方法。
- 前記工程(b)および(c)は、ダメージ層が形成されたと判定した場合に実行し、
前記工程(d)は、前記ダメージ層を除去する、請求項1から6のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。 - 各工程は、同一チャンバ内で実行する、請求項1から7いずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 各工程は、前記下地層と前記第1層とが異なる材料で構成される前記基板に対して実行する、請求項1から8のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記工程(c)において、前記第2の膜を前記第1層とは異なる材料で形成する、請求項1から9のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 各工程は、前記下地層がSiO2、前記第1層がSiNまたはSiで形成される前記基板に対して実行し、
前記工程(c)は、前記第2の膜をSiO2膜で形成する、請求項1から10のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。 - 各工程は、前記下地層がSi、前記第1層がSiO2で形成される前記基板に対して実行し、
前記工程(c)は、前記第2の膜をSiNで形成する、請求項1から10のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記工程(c)において、前記第1の膜の厚みが減少する、請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の膜はフッ素を含み、
前記所定のガス種はシリコンを含み、
前記反応ガスは酸素又は窒素を含む、請求項3に記載のプラズマ処理方法。 - (a)基板をエッチングして凹部を形成する工程と、
(b)毛管凝縮を利用して前記凹部の底面にインヒビターにより所定のガス種が吸着しない第1の膜を形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後、前記所定のガス種を用いて前記凹部の側壁に第2の膜を形成する工程と、
(d)前記凹部を介して前記基板をエッチングする工程と、
を含む、プラズマ処理方法。 - 所定のプログラムを記憶する記憶部と、
前記プログラムの実行を制御する制御部と、
を備えるプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、前記プログラムを実行することにより、
(a)下地層と下地層上に形成される第1層とを含む基板に対してエッチングを施すことにより、前記第1層に凹部を形成する工程と、
(b)前記凹部が所定条件を満足したと判定した場合、化学気相成長により、前記凹部の底面にインヒビターにより所定のガス種が吸着しない第1の膜を形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後、前記所定のガス種を用いて前記凹部の側壁に第2の膜を形成する工程と、
(d)前記凹部を介して前記基板にエッチングを施す工程と
を実行させる、プラズマ処理装置。 - 少なくとも1つのガス供給口と、少なくとも1つのガス排出口とを有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される載置台と、
制御部と
を備え、
前記制御部は、
(a)下地層と、前記下地層上の第1層とを含む基板を前記載置台上に配置する工程と、
(b)前記第1層をエッチングして、前記第1層に凹部を形成する工程と、
(c)前記凹部が所定の条件を満たすかどうかを判定する工程と、
(d)前記凹部が前記所定の条件を満たすと判定した場合に、インヒビターにより前記凹部の底部に所定のガス種が吸着しない第1の膜を形成する工程と、
(e)前記凹部の前記底部に、前記第1の膜に所定のガス種を吸着させることなく、前記所定のガス種によって前記凹部の側壁に、前記第1の膜と異なる第2の膜を形成する工程と、
(f)前記凹部を介して前記第1層をエッチングする工程と、
を含む処理を実行するように構成されている、プラズマ処理装置。
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Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
US20230154753A1 (en) * | 2021-11-17 | 2023-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Patterned Semiconductor Device and Method |
JP2023118554A (ja) * | 2022-02-15 | 2023-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法及び成膜装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213632A (ja) | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Nec Electronics Corp | 成膜方法 |
JP2008198659A (ja) | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2008305921A (ja) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011054742A (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2014017438A (ja) | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | パターン形成方法及び基板処理システム |
JP2016181630A (ja) | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2017005013A (ja) | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018037453A (ja) | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041389A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7829465B2 (en) * | 2006-08-09 | 2010-11-09 | Shouliang Lai | Method for plasma etching of positively sloped structures |
US8574447B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Inorganic rapid alternating process for silicon etch |
US8999783B2 (en) * | 2013-02-06 | 2015-04-07 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for producing a semiconductor device with a vertical dielectric layer |
-
2019
- 2019-05-24 JP JP2019097691A patent/JP7257883B2/ja active Active
- 2019-07-23 TW TW108125906A patent/TWI841579B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213632A (ja) | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Nec Electronics Corp | 成膜方法 |
JP2008198659A (ja) | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2008305921A (ja) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011054742A (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2014017438A (ja) | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | パターン形成方法及び基板処理システム |
JP2016181630A (ja) | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2017005013A (ja) | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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