JP3950446B2 - 異方性エッチング方法 - Google Patents
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Description
Claims (10)
- ポリマを異方性エッチングする方法において、
シリコン表面の一部を露出させるエッチングマスクを前記シリコン表面上に形成した後、
前記エッチングマスクの側壁および露出された前記シリコン表面に総流量が0sccmよりも大きく200sccm以下のフッ化炭素系ガス及びアルゴンガスを用いて5乃至30mTorrの圧力下でポリマを形成する段階と、
前記シリコン表面上の前記ポリマを総流量が0sccmよりも大きく300sccm以下のSF6ガス及びアルゴンガスを用いて5乃至30mTorrの圧力下で前記エッチングマスクの側壁を除いて選択的に除去する段階と、
露出された前記シリコン表面を総流量が0sccmよりも大きく300sccm以下の前記選択的にポリマを除去する段階と同一のガス系を用いて8乃至80mTorrの圧力下でプラズマエッチングする段階と
を繰り返して実施し、
前記選択的にポリマを除去する段階は前記シリコン表面をエッチングする段階に比べて相対的に高いバイアスパワー、相対的に低い圧力及び相対的に低いソースパワーを使用し、前記ポリマを形成する段階は前記選択的にポリマを除去する段階に比べて相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする異方性エッチング方法。 - 前記エッチングマスクはフォトレジスト、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、金属膜、およびこれらの組み合わせ膜のうちいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項1に記載の異方性エッチング方法。
- 前記フッ化炭素系ガスはC4F8ガスを含み、前記選択的にポリマを除去する段階及び前記シリコン表面をエッチングする段階はHBrガスをさらに使用することを特徴とする請求項2に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は20乃至50W範囲のバイアスパワーを使用し、前記シリコン表面をエッチングする段階は1乃至5W範囲のバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項3に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する段階は、前記選択的にポリマを除去する段階及び前記シリコン表面をエッチングする段階よりも相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項3に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する段階はバイアスパワーを使用しないことを特徴とする請求項5に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は前記シリコン表面をエッチングする段階に比べて相対的に高いバイアスパワー及び相対的に低い圧力を使用し、前記ポリマを形成する段階は前記選択的にポリマを除去する段階に比べて相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項3に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する段階は、前記選択的にポリマを除去する段階及び前記シリコン表面をエッチングする段階より相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項3に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する段階はバイアスパワーを使用しないことを特徴とする請求項8に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する前に、前記エッチングマスクにより露出された前記シリコン表面をエッチングすることをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の異方性エッチング方法。
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