JP2005123550A - 異方性エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 良好な側壁プロファイルを有するようにポリマ形成、選択的なポリマ除去及びエッチング段階を順次に実行する。ポリマ形成工程を実行して側壁及び底にポリマを形成する。選択的なポリマ除去は側壁に形成されたポリマはそのまま残存させて、底に形成されたポリマを選択的に除去する。これによって、エッチング段階で側壁に残存するポリマが側壁がエッチングされることを防止し、ポリマが除去された底に対してエッチングが進行する。
【選択図】 図1
Description
Claims (15)
- ポリマを異方性エッチングする方法において、
シリコン表面の一部を露出させるエッチングマスクを前記シリコン表面上に形成し、
前記エッチングマスクの側壁及び露出された前記シリコン表面にポリマを形成し、
前記シリコン表面上の前記ポリマを選択的に除去し、
露出された前記シリコン表面をエッチングすることを特徴とする異方性エッチング方法。 - 前記ポリマを形成する段階と、前記選択的に前記ポリマを除去する段階と、前記シリコン表面をエッチングする段階とを繰り返して実施することを特徴とする請求項1に記載の異方性エッチング方法。
- 前記エッチングマスクはフォトレジスト、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、金属膜、およびこれらの組み合わせ膜のうちいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する段階はフッ化炭素系ガス及びアルゴンガスを使用し、前記選択的に前記ポリマを除去する段階及び前記シリコン表面をエッチングする段階はSF6ガス及びアルゴンガスを使用することを特徴とする請求項3に記載の異方性エッチング方法。
- 前記フッ化炭素系ガスはC4F8ガスを含み、前記選択的にポリマを除去する段階及び前記シリコン表面をエッチングする段階はHBrガスをさらに使用することを特徴とする請求項4に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は前記シリコン表面をエッチングする段階に比べて相対的に高いバイアスパワー及び低圧力を使用し、前記ポリマを形成する段階は前記選択的にポリマを除去する段階に比べて相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項4に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は約20乃至50W範囲のバイアスパワーを使用し、前記シリコン表面をエッチングする段階は約1乃至5W範囲のバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項4に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は約5乃至30mT範囲の圧力を使用し、前記シリコン表面をエッチングする段階は約8乃至80mT範囲の圧力を使用することを特徴とする請求項4に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は約5乃至30mT範囲の圧力を使用し、前記シリコン表面をエッチングする段階は約8乃至80mT範囲の圧力を使用することを特徴とする請求項8に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する段階は約5乃至30mTの圧力を使用し、前記選択的にポリマを除去する段階及び前記シリコン表面をエッチングする段階よりも相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項9に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する段階はバイアスパワーを使用しないことを特徴とする請求項10に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は前記シリコン表面をエッチングする段階に比べて相対的に高いバイアスパワー及び低圧力を使用し、前記ポリマを形成する段階は前記選択的にポリマを除去する段階に比べて相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項5に記載の異方性エッチング方法。
- 前記選択的にポリマを除去する段階は約5乃至30mT範囲の圧力を使用し、前記シリコン表面をエッチングする段階は約8乃至80mT範囲の圧力を使用し、
前記選択的にポリマを除去する段階は約5乃至30mT範囲の圧力を使用し、前記シリコン表面をエッチングする段階は約8乃至80mT範囲の圧力を使用し、
前記ポリマを形成する段階は約5乃至30mTの圧力を使用し、前記選択的にポリマを除去する段階及び前記シリコン表面をエッチングする段階より相対的に低いバイアスパワーを使用することを特徴とする請求項5に記載の異方性エッチング方法。 - 前記ポリマを形成する段階はバイアスパワーを使用しないことを特徴とする請求項13に記載の異方性エッチング方法。
- 前記ポリマを形成する前に、前記エッチングマスクにより露出された前記シリコン表面をエッチングすることをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の異方性エッチング方法。
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