JP2009500811A - クリティカルディメンション低減およびラフネス抑制 - Google Patents
クリティカルディメンション低減およびラフネス抑制 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009500811A JP2009500811A JP2008514669A JP2008514669A JP2009500811A JP 2009500811 A JP2009500811 A JP 2009500811A JP 2008514669 A JP2008514669 A JP 2008514669A JP 2008514669 A JP2008514669 A JP 2008514669A JP 2009500811 A JP2009500811 A JP 2009500811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist
- shape
- gas
- control layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 127
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 46
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 39
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 149
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 4
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/947—Subphotolithographic processing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【選択図】図2
Description
この例では、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、または、低誘電率(OSG、多孔質低誘電率)材料などの誘電体層が、エッチング層を形成している。別の実施形態では、エッチング層は、Si、金属、および、ポリSiなどの導体であってもよい。図5は、制御層の蒸着、共形層の蒸着、制御層の貫通、エッチング層のエッチング、および、剥離に利用可能なプラズマ処理チャンバ500を示す説明図である。プラズマ処理チャンバ500は、閉じ込めリング502と、上側電極504と、下側電極508と、ガス源510と、排気ポンプ520とを備える。ガス源510は、第1の蒸着ガス源512と、プロフィル成形ガス源516と、制御層ガス源519とを備えてよい。ガス源510は、エッチングガス源518など、さらなるガス源を備えてもよい。プラズマ処理チャンバ500内で、基板304は、下側電極508の上に配置される。下側電極508は、基板304を保持するのに適切な基板保持機構(例えば、静電チャック、機械的クランプなど)を備える。リアクタ上部528には、下側電極508のちょうど反対側に配置された上側電極504が組み込まれている。上側電極504、下側電極508、および、閉じ込めリング502は、閉じ込めプラズマ容積を規定する。ガスは、ガス源510によって、閉じ込めプラズマ容積に供給され、排気ポンプ520によって、閉じ込めリング502および排気口を通って、閉じ込めプラズマ容積から排気される。上側電極504には、第1のRF電源544が、電気的に接続されている。下側電極508には、第2のRF電源548が、電気的に接続されている。チャンバ壁552が、閉じ込めリング502、上側電極504、および、下側電極508を取り囲んでいる。第1のRF電源544および第2のRF電源548は両方とも、60MHz電源と27MHz電源と2MHz電源とを備えてよい。電極に接続するRF電源は、他の組み合わせも可能である。カリフォルニア州フレモントのLAM Research Corporation(登録商標)が製造し、本発明の好ましい実施形態で利用可能である、Exelan HPT(登録商標)(基本的に、チャンバにターボポンプを取り付けたExelan HPと同じもの)の場合には、60MHz、27MHz、および、2MHz電源が、下側電極に接続された第2のRF電源548を構成し、上側電極は接地される。RF電源544、548、排気ポンプ520、および、ガス源510には、制御部535が、制御可能なように接続されている。エッチング層308が、酸化シリコンまたは有機ケイ酸塩ガラスなどの誘電体層である場合には、Exelan HPTまたは2300 DFCシステムが用いられる。
Claims (18)
- エッチング層に形状を形成するための方法であって、
前記エッチング層の上にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層をパターン化して、フォトレジスト側壁を有するフォトレジスト形状を形成する工程であって、前記フォトレジスト形状は、第1のクリティカルディメンションを有する、工程と、
前記フォトレジスト層と前記フォトレジスト形状の底部とを覆うように制御層を形成する工程と、
前記フォトレジスト形状の前記クリティカルディメンションを低減するために、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように共形層を蒸着する工程と、
制御層貫通剤を用いて、前記制御層に開口部を貫通させる工程と、
前記制御層貫通剤とは異なるエッチング剤を用いて前記エッチング層に形状をエッチングする工程と
を備え、
前記エッチング層形状は、前記第1のクリティカルディメンションより小さい第2のクリティカルディメンションを有し、前記制御層は、前記共形層よりも前記エッチング剤による前記エッチングに対するエッチング耐性が高い、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように前記共形層を蒸着する工程は、
蒸着プラズマを形成するための蒸着ガス剤を用いる蒸着段階と、
プロフィル成形プラズマを形成するための第2のガス剤を用いるプロフィル成形段階と、
を備え、
前記第1のガス剤は、前記第2のガス剤と異なる、方法。 - 請求項1ないし2のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジスト層を覆うように前記制御層を形成する工程は、
フッ素を含まない制御層蒸着ガスを供給する工程と、
前記フッ素を含まない制御層蒸着ガスからプラズマを形成する工程と、
を備える、方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジストを覆うように前記制御層を形成する工程は、
ラインエッジラフネスおよびストリエーションの少なくとも一方を低減する工程と、
ワイングラス形状を防止する工程と、
を備える、方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の方法であって、前記側壁を覆うように前記共形層を蒸着する工程は、フッ化炭化水素材料および炭化水素材料の少なくとも一方のほぼ垂直な側壁を形成する、方法。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の方法であって、前記制御層は、炭化水素材料である、方法。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記フォトレジストマスクと、前記制御層と、前記蒸着された共形層とを、1つの剥離工程によって剥離する工程を備える、方法。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載の方法であって、前記制御層を形成する工程と、前記共形層を蒸着する工程と、前記制御層に開口部をエッチングする工程と、エッチング層に形状をエッチングする工程とは、1つのエッチングチャンバで実行される、方法。
- 請求項2ないし8のいずれかに記載の方法であって、前記蒸着段階および前記プロフィル成形段階は、交互に少なくとも1回繰り返される、方法。
- 請求項1ないし9のいずれかに記載の方法であって、前記共形層の厚さは、前記第1のクリティカルディメンションよりも少なくとも30%小さいクリティカルディメンションを有する共形蒸着層形状を形成する、方法。
- 請求項1ないし10のいずれかに記載の方法であって、前記第2のクリティカルディメンションは、前記第1のクリティカルディメンションよりも少なくとも30%小さい、方法。
- 請求項1ないし11のいずれかに記載の方法によって形成された半導体素子。
- エッチング層に形状を形成するための方法であって、
フォトレジスト形状を有するパターン化フォトレジストマスクの下に蒸着されたエッチング層を有するウエハをエッチングチャンバ内に配置する工程と、
前記フォトレジスト層と前記フォトレジスト形状の底部とを覆うように制御層を形成する工程と、
前記フォトレジスト形状のクリティカルディメンションを低減するために、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように共形層を蒸着する工程と、
第1のエッチング剤を用いて前記制御層に開口部をエッチングする工程と、
前記第1のエッチング剤とは異なる第2のエッチング剤を用いて前記エッチング層に形状をエッチングする工程であって、前記エッチング層形状は、前記第1のクリティカルディメンションより小さい第2のクリティカルディメンションを有し、前記制御層は、前記共形層よりも前記第2のエッチング剤による前記エッチングに対するエッチング耐性が高い、工程と、
前記フォトレジストマスクを剥離する工程と、
前記エッチングチャンバから前記ウエハを取り出す工程と、
を備える、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように前記共形層を蒸着する工程は、
蒸着プラズマを形成するための蒸着ガス剤を用いる蒸着段階と、
プロフィル成形プラズマを形成するための第2のガス剤を用いるプロフィル成形段階と、
を備える処理を少なくとも2回実行する工程を備え、
前記第1のガス剤は、前記第2のガス剤と異なる、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、前記フォトレジスト層を覆うように前記制御層を形成する工程は、
フッ素を含まない制御層蒸着ガスを供給する工程と、
前記フッ素を含まない制御層蒸着ガスからプラズマを形成する工程と、
を備える、方法。 - 請求項13ないし15のいずれかに記載の方法であって、前記共形層の厚さは、前記第1のクリティカルディメンションよりも少なくとも30%小さいクリティカルディメンションを有する共形蒸着層形状を形成する、方法。
- 請求項13ないし16のいずれかに記載の方法であって、前記第2のクリティカルディメンションは、前記第1のクリティカルディメンションよりも少なくとも30%小さい、方法。
- エッチング層に形状を形成するための装置であって、前記エッチング層は、基板によって支持されると共に、第1のCDを有するフォトレジスト形状を備えたフォトレジストマスクによって覆われており、前記装置は、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバ容器を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内で基板を支持するための基板支持と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内の圧力を調整するための圧力調整手段と、
前記プラズマ処理チャンバ容器に電力を供給してプラズマを維持するための少なくとも1つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバ容器にガスを供給するためのガス流入口と、
前記プラズマ処理チャンバ容器からガスを排出するためのガス流出口と、
を備える、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス流入口と流体接続されたガス源であって、
制御層ガス源と、
蒸着ガス源と、
プロフィル成形ガス源と、
エッチャントガス源と、
を備える、ガス源と、
前記ガス源と前記少なくとも1つの電極とに制御可能に接続された制御部であって、
少なくとも1つのプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、
を備える、制御部と、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、
制御層を提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードであって、
前記制御層ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器に制御層ガスを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記制御層ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備える、コンピュータ読み取り可能なコードと、
前記フォトレジスト形状内に、第2のCDを有する形状を形成するために、フォトレジストマスクと前記制御層とに側壁蒸着物を形成する少なくとも2つの蒸着サイクルを実行するためのコンピュータ読み取り可能なコードであって、
前記蒸着ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器に蒸着ガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記蒸着ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記蒸着ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器への前記蒸着ガスの前記流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記蒸着ガスの前記流れが停止された後に、前記プロフィル成形ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器にプロフィル成形ガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記プロフィル成形ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記プロフィル成形ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器への前記プロフィル成形ガスの前記流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備える、コンピュータ読み取り可能なコードと、
前記少なくとも2つの蒸着サイクルの完了後に、前記エッチャントガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器にエッチャントガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記エッチャントガスを用いて前記層に形状をエッチングするためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備え、
前記層の前記形状は、第3のCDを有する、装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/142,509 | 2005-05-31 | ||
US11/142,509 US7695632B2 (en) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | Critical dimension reduction and roughness control |
PCT/US2006/018142 WO2006130319A2 (en) | 2005-05-31 | 2006-05-10 | Critical dimension reduction and roughness control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009500811A true JP2009500811A (ja) | 2009-01-08 |
JP5165560B2 JP5165560B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=37461941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008514669A Expired - Fee Related JP5165560B2 (ja) | 2005-05-31 | 2006-05-10 | エッチング層に形状を形成するための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7695632B2 (ja) |
JP (1) | JP5165560B2 (ja) |
KR (1) | KR101274308B1 (ja) |
CN (1) | CN101595551B (ja) |
MY (2) | MY158793A (ja) |
TW (1) | TWI381427B (ja) |
WO (1) | WO2006130319A2 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723235B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-05-25 | Renesas Technology Corp. | Method for smoothing a resist pattern prior to etching a layer using the resist pattern |
US20060134917A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Lam Research Corporation | Reduction of etch mask feature critical dimensions |
US7695632B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-04-13 | Lam Research Corporation | Critical dimension reduction and roughness control |
US7273815B2 (en) * | 2005-08-18 | 2007-09-25 | Lam Research Corporation | Etch features with reduced line edge roughness |
US7682516B2 (en) * | 2005-10-05 | 2010-03-23 | Lam Research Corporation | Vertical profile fixing |
US7264743B2 (en) * | 2006-01-23 | 2007-09-04 | Lam Research Corporation | Fin structure formation |
US20070181530A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-09 | Lam Research Corporation | Reducing line edge roughness |
US7309646B1 (en) * | 2006-10-10 | 2007-12-18 | Lam Research Corporation | De-fluoridation process |
US8283255B2 (en) * | 2007-05-24 | 2012-10-09 | Lam Research Corporation | In-situ photoresist strip during plasma etching of active hard mask |
US8017517B2 (en) * | 2007-06-07 | 2011-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual damascene process |
US8262920B2 (en) * | 2007-06-18 | 2012-09-11 | Lam Research Corporation | Minimization of mask undercut on deep silicon etch |
KR100909629B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2009-07-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 형성방법 |
KR101573954B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2015-12-02 | 램 리써치 코포레이션 | 포토레지스트 더블 패터닝 |
US20090191711A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Ying Rui | Hardmask open process with enhanced cd space shrink and reduction |
US8124537B2 (en) * | 2008-02-12 | 2012-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for etching integrated circuit structure |
JP5102653B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
US20090291562A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Lam Research Corporation | Helium descumming |
US7772122B2 (en) * | 2008-09-18 | 2010-08-10 | Lam Research Corporation | Sidewall forming processes |
GB2495256B (en) | 2010-06-25 | 2014-07-23 | Anastasios J Tousimis | Integrated processing and critical point drying systems for semiconductor and mems devices |
US20120138567A1 (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | Toshiki Hirano | Nanoimprint lithography method for making a patterned magnetic recording disk using imprint resist with enlarged feature size |
US8304262B2 (en) * | 2011-02-17 | 2012-11-06 | Lam Research Corporation | Wiggling control for pseudo-hardmask |
US8450212B2 (en) | 2011-06-28 | 2013-05-28 | International Business Machines Corporation | Method of reducing critical dimension process bias differences between narrow and wide damascene wires |
US8592327B2 (en) * | 2012-03-07 | 2013-11-26 | Tokyo Electron Limited | Formation of SiOCl-containing layer on exposed low-k surfaces to reduce low-k damage |
US9111746B2 (en) * | 2012-03-22 | 2015-08-18 | Tokyo Electron Limited | Method for reducing damage to low-k gate spacer during etching |
JP6355374B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2018-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8883648B1 (en) * | 2013-09-09 | 2014-11-11 | United Microelectronics Corp. | Manufacturing method of semiconductor structure |
GB201322931D0 (en) | 2013-12-23 | 2014-02-12 | Spts Technologies Ltd | Method of etching |
US9659771B2 (en) * | 2015-06-11 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Conformal strippable carbon film for line-edge-roughness reduction for advanced patterning |
CN106445216B (zh) * | 2015-08-12 | 2019-03-19 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种提高过渡性保护区域尺寸精度的方法 |
US9679850B2 (en) * | 2015-10-30 | 2017-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of fabricating semiconductor structure |
WO2017111822A1 (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | Intel Corporation | Pitch division using directed self-assembly |
US10727045B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US10566194B2 (en) * | 2018-05-07 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Selective deposition of etch-stop layer for enhanced patterning |
US10896823B2 (en) * | 2018-11-21 | 2021-01-19 | Thomas E. Seidel | Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces |
CN116235283A (zh) | 2020-08-18 | 2023-06-06 | 应用材料公司 | 沉积预蚀刻保护层的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0637072A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Kawasaki Steel Corp | テーパエッチング方法 |
WO2004093176A1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching using periodic modulation of gas chemistry |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4689113A (en) * | 1986-03-21 | 1987-08-25 | International Business Machines Corporation | Process for forming planar chip-level wiring |
US4871630A (en) * | 1986-10-28 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Mask using lithographic image size reduction |
US4707218A (en) * | 1986-10-28 | 1987-11-17 | International Business Machines Corporation | Lithographic image size reduction |
US4801350A (en) * | 1986-12-29 | 1989-01-31 | Motorola, Inc. | Method for obtaining submicron features from optical lithography technology |
US5273609A (en) * | 1990-09-12 | 1993-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment |
US5259909A (en) * | 1990-12-21 | 1993-11-09 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | System and method for the checking of a reactive plasma machine |
JPH05283378A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5364742A (en) * | 1992-09-21 | 1994-11-15 | International Business Machines Corporation | Micro-miniature structures and method of fabrication thereof |
JP3311044B2 (ja) * | 1992-10-27 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH06177089A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR0168194B1 (ko) * | 1995-12-14 | 1999-02-01 | 김광호 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
US5902494A (en) * | 1996-02-09 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle generation by limiting DC bias spike |
US5895740A (en) * | 1996-11-13 | 1999-04-20 | Vanguard International Semiconductor Corp. | Method of forming contact holes of reduced dimensions by using in-situ formed polymeric sidewall spacers |
US6106659A (en) * | 1997-07-14 | 2000-08-22 | The University Of Tennessee Research Corporation | Treater systems and methods for generating moderate-to-high-pressure plasma discharges for treating materials and related treated materials |
US6921794B2 (en) * | 1997-08-12 | 2005-07-26 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Blends made from propylene ethylene polymers |
US6194038B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method for deposition of a conformal layer on a substrate |
US5989979A (en) | 1998-12-10 | 1999-11-23 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for controlling the silicon nitride profile during patterning using a novel plasma etch process |
US6416933B1 (en) * | 1999-04-01 | 2002-07-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method to produce small space pattern using plasma polymerization layer |
US6110837A (en) * | 1999-04-28 | 2000-08-29 | Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. | Method for forming a hard mask of half critical dimension |
KR100327346B1 (ko) * | 1999-07-20 | 2002-03-06 | 윤종용 | 선택적 폴리머 증착을 이용한 플라즈마 식각방법 및 이를이용한 콘택홀 형성방법 |
TW444341B (en) * | 2000-02-16 | 2001-07-01 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of ultra-small opening |
US6486024B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-11-26 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit trench device with a dielectric collar stack, and method of forming thereof |
US6676760B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-01-13 | Appiled Materials, Inc. | Process chamber having multiple gas distributors and method |
US20030064585A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Yider Wu | Manufacture of semiconductor device with spacing narrower than lithography limit |
TW502300B (en) | 2001-09-28 | 2002-09-11 | Macronix Int Co Ltd | Method of reducing pattern spacing or opening dimension |
US6750150B2 (en) * | 2001-10-18 | 2004-06-15 | Macronix International Co., Ltd. | Method for reducing dimensions between patterns on a photoresist |
CN100451831C (zh) * | 2001-10-29 | 2009-01-14 | 旺宏电子股份有限公司 | 减小图案间隙或开口尺寸的方法 |
KR100402392B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2003-10-17 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자분리 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US6638441B2 (en) * | 2002-01-07 | 2003-10-28 | Macronix International Co., Ltd. | Method for pitch reduction |
US6703312B2 (en) * | 2002-05-17 | 2004-03-09 | International Business Machines Corporation | Method of forming active devices of different gatelengths using lithographic printed gate images of same length |
US6756284B2 (en) * | 2002-09-18 | 2004-06-29 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method for forming a sublithographic opening in a semiconductor process |
CN1294639C (zh) * | 2002-12-05 | 2007-01-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 浅槽与深槽隔离结构的制造方法 |
US6825529B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-11-30 | International Business Machines Corporation | Stress inducing spacers |
US20040192058A1 (en) | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pre-etching plasma treatment to form dual damascene with improved profile |
US7294580B2 (en) | 2003-04-09 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Method for plasma stripping using periodic modulation of gas chemistry and hydrocarbon addition |
JP3976703B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2007-09-19 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6972258B2 (en) | 2003-08-04 | 2005-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for selectively controlling damascene CD bias |
US7250371B2 (en) * | 2003-08-26 | 2007-07-31 | Lam Research Corporation | Reduction of feature critical dimensions |
US7045455B2 (en) * | 2003-10-23 | 2006-05-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Via electromigration improvement by changing the via bottom geometric profile |
US7265056B2 (en) * | 2004-01-09 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming novel BARC open for precision critical dimension control |
US7352064B2 (en) * | 2004-11-04 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | Multiple layer resist scheme implementing etch recipe particular to each layer |
US7271107B2 (en) * | 2005-02-03 | 2007-09-18 | Lam Research Corporation | Reduction of feature critical dimensions using multiple masks |
US7695632B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-04-13 | Lam Research Corporation | Critical dimension reduction and roughness control |
US7271108B2 (en) * | 2005-06-28 | 2007-09-18 | Lam Research Corporation | Multiple mask process with etch mask stack |
US7083898B1 (en) * | 2005-07-07 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Method for performing chemical shrink process over BARC (bottom anti-reflective coating) |
US7682516B2 (en) * | 2005-10-05 | 2010-03-23 | Lam Research Corporation | Vertical profile fixing |
US7485581B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-02-03 | Lam Research Corporation | Device with gaps for capacitance reduction |
US7390749B2 (en) * | 2005-11-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Self-aligned pitch reduction |
US7432189B2 (en) * | 2005-11-30 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Device with self aligned gaps for capacitance reduction |
US7560388B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Lam Research Corporation | Self-aligned pitch reduction |
US7429533B2 (en) * | 2006-05-10 | 2008-09-30 | Lam Research Corporation | Pitch reduction |
US7309646B1 (en) * | 2006-10-10 | 2007-12-18 | Lam Research Corporation | De-fluoridation process |
US20080230906A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Keith Kwong Hon Wong | Contact structure having dielectric spacer and method |
US7772122B2 (en) * | 2008-09-18 | 2010-08-10 | Lam Research Corporation | Sidewall forming processes |
-
2005
- 2005-05-31 US US11/142,509 patent/US7695632B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-10 CN CN2006800187755A patent/CN101595551B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-10 KR KR1020077027299A patent/KR101274308B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-10 JP JP2008514669A patent/JP5165560B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-10 WO PCT/US2006/018142 patent/WO2006130319A2/en active Application Filing
- 2006-05-18 TW TW095117687A patent/TWI381427B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-05-22 MY MYPI2010000238A patent/MY158793A/en unknown
- 2006-05-22 MY MYPI20062366A patent/MY144155A/en unknown
-
2010
- 2010-02-24 US US12/711,420 patent/US8268118B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-08-15 US US13/586,571 patent/US8614149B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0637072A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Kawasaki Steel Corp | テーパエッチング方法 |
WO2004093176A1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching using periodic modulation of gas chemistry |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100148317A1 (en) | 2010-06-17 |
WO2006130319A3 (en) | 2009-04-16 |
JP5165560B2 (ja) | 2013-03-21 |
MY144155A (en) | 2011-08-15 |
MY158793A (en) | 2016-11-15 |
US20120309201A1 (en) | 2012-12-06 |
CN101595551A (zh) | 2009-12-02 |
KR20080040625A (ko) | 2008-05-08 |
TWI381427B (zh) | 2013-01-01 |
US8268118B2 (en) | 2012-09-18 |
US7695632B2 (en) | 2010-04-13 |
KR101274308B1 (ko) | 2013-06-13 |
WO2006130319A2 (en) | 2006-12-07 |
US8614149B2 (en) | 2013-12-24 |
CN101595551B (zh) | 2013-10-16 |
TW200709277A (en) | 2007-03-01 |
US20060266478A1 (en) | 2006-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5165560B2 (ja) | エッチング層に形状を形成するための方法 | |
KR101184956B1 (ko) | 다수의 마스킹 단계를 이용하여 임계 치수를 감소시키는 방법 | |
JP4886513B2 (ja) | フィーチャ微小寸法の低減 | |
KR101534883B1 (ko) | 마스크 트리밍 | |
US7241683B2 (en) | Stabilized photoresist structure for etching process | |
JP5081917B2 (ja) | フッ素除去プロセス | |
KR101711669B1 (ko) | 측벽 형성 공정 | |
KR101516455B1 (ko) | Arl 에칭을 이용한 마스크 트리밍 | |
US20060134917A1 (en) | Reduction of etch mask feature critical dimensions | |
JP2013016844A (ja) | 均一性を制御したエッチング | |
US20070181530A1 (en) | Reducing line edge roughness | |
JP2008507137A (ja) | 低誘電体のエッチング |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111213 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5165560 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |