JP2016043692A - インプリント・リソグラフィ用角形基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【解決手段】基板側面が研削により加工されたインプリント・リソグラフィ用角形基板16の側面に対して、垂直方向に一定圧力で回転研磨パッド21を押し当てながら回転研磨パッド２１と角型基板１６とを相対的に前記側面に対して平行移動させて、角型基板１６の側面を研磨するインプリント・リソグラフィ用角形基板１６の製造方法。【効果】角形基板１６の前記製造方法によれば、インプリント・リソグラフィの際に高精度に押圧及びパターン形状を制御することができ、高精細で複雑なパターンの転写が可能になる。【選択図】図７

Description

本発明は、電子デバイス、光部品、記憶素子、バイオ素子等を製造する工程において、表面に凹凸形状を形成するための原板となるナノインプリント等のインプリント・リソグラフィ用角形基板及びその製造方法に関する。

近年の電子デバイス、光部品、記憶素子、バイオ素子等の製造において、より一層の高性能化、高精細化が要求される一方で、製造の低コスト化も同時に要求される状況となっている。このような趨勢の中で、従来のリソグラフィ技術に比べ、安価に微細加工を行えるインプリント・リソグラフィ技術が注目されてきている。インプリント・リソグラフィ技術において、凹凸パターンは機械的な方法により形成する。即ち、所望の凹凸パターンを表面に作りこんだ金型用基板を所定の厚みの樹脂層を有する被転写用基板に押圧することで、金型の凹凸パターンを転写する（特許文献１：特表２００５−５３３３９３号公報）。インプリント・リソグラフィに用いられる基板は、例えば６５ｍｍ角や１５２ｍｍ角の角形や、５０φｍｍ、１００φｍｍ、１５０φｍｍ、２００φｍｍの円形のもの等、用途に応じて様々な形状のものが使われている。

インプリント・リソグラフィにおいて、押圧により凹凸パターンが転写された樹脂層は硬化させることによりその形状が保存されるが、主に紫外線によって硬化させる方式と、熱によって硬化させる方式があり、いずれの方式においても金型用基板と樹脂層を有する被転写用基板との平行度を保ち、押圧する面内を均一な圧力で押し付けることが重要である。このとき、凹凸パターンを描画する金型用基板は、高い形状精度が求められる（特許文献２：特開平３−５４５６９号公報）。

近年、紫外線を使ったナノインプリント等のより高精細なパターンやより複雑なパターンを金型用基板上に形成して転写する要求が高まってきている。高精細なインプリント・リソグラフィにおいては、非常に精密かつ高精度な位置合わせ、押圧の制御、パターン形状の制御が求められる。このような経緯から、角形基板を用いたインプリント・リソグラフィにおいても、角形基板自体に高い形状精度が求められる。
例えば、特許文献３（特表２００９−５３６５９１号公報）に示されるような角形基板を使用した形態においては、角形基板を囲む複数のアクチュエータを備えたアクチュエーション・システムにより角形基板の端面を複数の力で加圧することによって、基板の押圧部を湾曲させたり、変形させたりして、高精度に押圧及びパターン形状の制御を行っている。

特表２００５−５３３３９３号公報 特開平３−５４５６９号公報 特表２００９−５３６５９１号公報

このような状況において、インプリント・リソグラフィに用いられる角形基板には高い形状精度が求められ、特にアクチュエータ・システムにより加圧を受ける基板側面部には高い平坦度及び側面同士の直行度が求められる。側面が十分に平坦でなかったり、側面同士が直行でなかったりすると、上記アクチュエータ・システムにより側面を加圧しても、所定の圧力で力が伝わらなかったり、想定外の歪みが生じたりして、湾曲や変形を高精度に制御することができなくなる。
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、インプリント・リソグラフィにおいて高精度に押圧及びパターン形状を制御するのに適した角形基板を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、側面の平坦度が高いインプリント・リソグラフィ用角形基板を用いることが、前記課題の解決に有用であることを見出し、本発明をなすに至ったものである。

従って、本発明は、下記に示すインプリント・リソグラフィ用角形基板及びその製造方法を提供する。
〔１〕
基板側面が研削により加工されたインプリント・リソグラフィ用角形基板の側面に対して、垂直方向に一定圧力で回転研磨パッドを押し当てながら回転研磨パッドと前記角型基板とを相対的に前記側面に対して平行移動させて、前記角型基板の側面を研磨することを特徴とするインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔２〕
前記平行移動時において、回転研磨パッドと角型基板との相対的移動における移動速度を、前記角型基板の側面の研磨位置に応じて変化させて研磨を行う〔１〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔３〕
回転研磨パッドの中心が角型基板の側面の長手方向中央部領域に位置する際の移動速度よりも、側面の長手方向端部領域に位置する際の移動速度を速くして研磨する〔２〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔４〕
前記平行移動時において、回転研磨パッドと角型基板との相対的移動における移動速度を、角型基板の側面の凹凸状態に応じて変化させて研磨を行う〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔５〕
側面の凸部における移動速度を速く、側面の凹部における移動速度を遅くして研磨する〔４〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔６〕
更に、角型基板側面の短手方向（幅方向）に沿って角型基板と回転研磨パッドとを相対的に移動させて研磨を行う〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔７〕
前記角型基板の一側面を研磨した後、該基板を順次９０°ずつ回転させ、残りの側面を研磨することにより、角型基板の４個の側面全ての研磨を行う〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔８〕
研削により側面を形成する工程の前後又は研削により加工された側面を研磨する工程の後に、更に角形基板の裏面に非貫通の穴又は溝を研削により形成する工程を含む〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔９〕
更に、研削された非貫通の穴又は溝の側面及び底面を研磨する工程を含む〔８〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔１０〕
前記非貫通の穴又は溝の側面及び底面を研磨する工程が、研削により加工された非貫通の穴又は溝の側面及び底面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で接触させて側面及び底面の研削面を研磨する工程である〔９〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
〔１１〕
表裏面と４個の側面を有し、表面に凹凸によるパターンが刻印されているインプリント・リソグラフィ用角形基板であって、前記各側面の平坦度が２０μｍ以下であることを特徴とするインプリント・リソグラフィ用角形基板。
〔１２〕
角形基板の隣り合う側面同士のなる角度が、９０±０．１°の範囲内である〔１１〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板。
〔１３〕
角形基板の各側面が、鏡面である〔１１〕又は〔１２〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板。
〔１４〕
角形基板の各側面の表面粗さ（Ｒａ）が、０．０１〜２ｎｍである〔１３〕記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板。
〔１５〕
角型基板が裏面に非貫通の穴又は溝を有していることを特徴とする〔１１〕〜〔１４〕のいずれかに記載の角形基板。

本発明によれば、インプリント・リソグラフィの際に高精度に押圧及びパターン形状を制御することができ、高精細で複雑なパターンの転写が可能になる。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板の一実施例を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図、（Ｃ）は該基板の一角部を拡大した一部省略斜視図、（Ｄ）は該基板の一側面を拡大した一部省略正面図である。 本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板の他の実施例を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 裏面に加工の施されたインプリント・リソグラフィ用角形基板の他の実施例であり、（Ａ）は裏面に非貫通の穴を有している角形基板、（Ｂ）は裏面に溝を有している角形基板の斜視図をそれぞれ示す。 裏面に加工の施されたインプリント・リソグラフィ用角形基板の他の実施例を示し、（Ａ）は図１に示す角形基板の裏面に非貫通の穴を有している角型基板の平面図、（Ｂ）は図２に示す角形基板の裏面に非貫通の穴を有している角型基板の平面図、（Ｃ）及び（Ｄ）はそれぞれ（Ａ）及び（Ｂ）の断面図を示す。 裏面に加工の施されたインプリント・リソグラフィ用角形基板の別の実施例を示し、（Ａ）は図１に示す角形基板の裏面に溝を有している角型基板の平面図、（Ｂ）は図２に示す角形基板の裏面に溝を有している角型基板の平面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は（Ａ）及び（Ｂ）の断面図を示す。 位置決め治具を使用して角型基板を保持する方法の一例を説明するもので、（Ａ）は位置決めピンの先端同士を結んだ直線と基板保持台との位置関係を示し、（Ｂ）はこの基板保持台に角型基板をセットした状態を示す。 角型基板の側面の幅方向に沿って回転研磨パッドを往復動させながら研磨を行う方法の一例を示す説明図である。 側面鏡面化装置の一例を示す概略図で、（Ａ）は角型基板をセットした状態、（Ｂ）は角型基板を研磨している状態を示す。

図１及び図２に本発明に係るインプリント・リソグラフィ用角形基板の一例を示す。図１，２に示すように、基板１は、四角形状の板状基板であり、互いに対向する表面２と裏面３の２つの面及び４個の側面部４を有する。対向する表裏面のうち一方の面（表面）は、インプリント・リソグラフィに使用される凹凸によるパターン５やメサ構造６が刻印されている。通常、四角形状の基板の４つの角部は曲面状に加工されており、基板は主側面４ａと主側面同士の間を滑らかに接続する曲面状角部４ｄを有する。また、主側面４ａ及び曲面状角部４ｄと表面２及び裏面３との境には、それぞれ面取り部４ｂ、４ｃが形成されている。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板は、前記側面の平坦度が２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下である。基板側面の平坦度とは、基板の側面表面の最小２乗平面を基準面とした場合における基準面と側面表面の凸部分との距離の最大値と、基準面と側面表面の凹部分との距離の最大値の和であり、数値が低い程、高い平坦度を示す。平坦度の測定は、例えばレーザー光などのコヒーレントな光を基板表面に当てて反射させ、基板表面の高さの差が反射光の位相のずれとして観測されることを利用した光学干渉式の方法により行うことができる。例えばＺｙｇｏ社製Ｚｙｇｏ Ｍａｒｋ ＩＶｘｐ又はＺｙｇｏ ＮｅｗＶｉｅｗ７３００を用いて測定できる。

基板側面の平坦度は、図１に示す主側面４ａの平坦度であり、平坦度の範囲に曲面状角部４ｄ及び面取り部４ｂ、４ｃは含まない。平坦度の範囲を厳密に規定するならば、実質的に精度良く測定できる範囲、即ち、主側面４ａの周縁から所定幅を除いた角形範囲が好ましい。例えば光学干渉式の方法で基板側面の平坦度の測定を行う場合、周縁近傍の範囲は曲面状角部４ｄ及び面取り部４ｂ、４ｃに近いことから、散乱光の影響によって平坦度を正確に測定できない場合があるからである。この場合の所定幅をどの程度に設定するかは基板のサイズによっても異なり一概には言えないが、例えば主側面４ａの長手方向の両端から、長手方向の長さの２％、好ましくは５％、更に好ましくは１０％の長さの幅を、主側面４ａの短手方向（幅方向）の両端から、短手方向の長さの５％、好ましくは１５％、更に好ましくは２０％の長さの幅を、所定幅として除いた角型範囲を平坦度の範囲として規定することができる。
側面の平坦度が２０μｍを超えたインプリント・リソグラフィ用角形基板を用いて、インプリント・リソグラフィ法により例えば樹脂上に前記基板の凹凸によるパターンを転写する場合、以下のような様々な問題が起きる。

例えばインプリント・リソグラフィ装置に配列されたアクチュエータ・システムによりインプリント・リソグラフィ用角形基板の側面部の加圧を行う場合、備えられた複数のアクチュエータそれぞれにおいて所定の圧力で加圧することができなくなったり、基板の押圧部に想定外の歪みが生じたりして、基板の押圧部の湾曲や変形を高精度に制御することができなくなる。その結果、例えば被転写用基板上の液滴状樹脂に押圧を行う場合、樹脂間に介在するガスを効率よく制御しながら押し出して除去することができず、ガスが樹脂内に残ることで転写した樹脂上のパターンに欠陥が生じるなどの問題が起きる。また、基板の押圧部を高精度に制御して変形させることによるパターン形状の様々なパラメータ（倍率特性、スキュー／直交性特性、及び台形特性等）の訂正がうまくいかず、所望の形状特性を持ったパターンが得られなくなる。更に、角形基板を平坦度が低い側面部を加圧して把持することにより、角形基板が傾いた状態で把持され、樹脂上に形成されたパターン位置が所定位置からのズレが生じる。

また、前記側面同士のなす角度は、角型基板の側面部を装置が把持した場合でも基板の回転、傾き等が発生せず、被転写用基板の所望の位置に精度よく合わせることを可能とする観点から、好ましくは９０°±０．１°以内、更に好ましくは９０°±０．０５°以内である。基板側面同士のなす角度とは、基板の側面表面の最小２乗平面同士がなす角度である。基板側面同士のなす角度の測定は、例えばＳＥＭＩ Ｐ１−９２の規格における方形度の測定方法に準じて、基準となる側面に対して直角であるべき側面表面の任意の点にダイヤルゲージを接触させ、ダイヤルゲージの値と測定点間の距離から角度を算出するなどして、測定することができる。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板の側面は、基板の清浄度及び強度の点から、鏡面であることが好ましく、面粗度（Ｒａ）として、２ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下が好ましい。なお、面粗度（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠して測定することができる。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板の外形は扱いやすさから、２０〜３００ｍｍ角、特に５０〜２００ｍｍ角が好ましい。また、インプリント・リソグラフィ用角形基板の板厚は、１〜１０ｍｍ、特に３〜８ｍｍであることが好ましい。１ｍｍより薄いと、インプリント・リソグラフィに使用する際に保持方法や自重たわみの影響で基板が変形しやすく、転写時のパターン位置が不整合になったり、パターン誤差が生じる場合がある。１０ｍｍより厚いと、体積が増えるため、基板が重くなって運搬や取り扱いが困難になったり、コスト高となる場合がある。

更に、角型基板の角部に強度をもたせ、チッピング、割れ及び欠けを防ぐ、基板洗浄・乾燥の際の液だまり、液残りを防ぐ観点から、曲面状角部の曲率半径（Ｒ）は、０．５〜１０、より好ましくは１．５〜３．５である。

ここで、本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板は、石英ガラス、チタニアドープ石英ガラス、シリコン（Ｓｉ）、シリコン酸化膜、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ニッケル（Ｎｉ）、サファイアや、これらのハイブリッド素材が挙げられる。このうち、石英ガラス基板は紫外線を透過する性質を有することから、樹脂層を硬化させるために紫外線を利用するインプリント・リソグラフィに利用されることが多い。また、石英ガラスは可視光領域においても透明であるために、転写の際の位置合わせもしやすいという利点もある。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板の表面には、凹凸によるパターンを刻印するための金属薄膜又はレジスト膜を有していてもよい。金型基板にパターンを形成する際にはＥＢ描画装置を用いるが、その前に金属薄膜やレジスト膜を塗布しておくことが好ましい。金属薄膜又はレジスト膜は、常法に従い５ｎｍ〜５μｍの厚さの膜を形成することができる。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形金型用基板は、図３〜５に示すように、裏面３に非貫通の穴７又は溝８を有していてもよい。非貫通の穴７や溝８は、露光装置やナノインプリント装置に組み込むために、装置の形態や用途に合わせて作られるものである。

なお、非貫通の穴の形状は、平面形状が円形状、楕円形状、長円状、四角状、多角形状とすることができるが、図３（Ａ）及び図４に示すような円形状が好ましい。その大きさは、円形状であれば直径、楕円形状や長円状であれば長径、角状であれば対角長が５〜１５０ｍｍであることが好ましい。溝の場合は、図３（Ｂ）及び図５に示したように、両側壁８ａ、８ｂが互いに平行な平面に形成することが好ましいが、両側壁が平行でなくてもよく、一方又は双方の側壁が直線状ではなく曲面であってもよい。

次に、本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法について説明する。本発明においては、基板側面が研削により加工されたインプリント・リソグラフィ用角形基板の側面中央部領域に対して、垂直方向に一定圧力で回転研磨パッドを押し当てながら、回転研磨パッドと角型基板を相対的に側面に対して平行移動させて、角型基板の側面の長手方向中央部領域を研磨する。

回転研磨パッドは、その研磨加工部が研磨可能な回転体であればいかなるものでも構わないが、円盤状の支持体に研磨加工部として研磨布等を接着させたものなどが挙げられる。
回転研磨パッドの研磨加工部の材質としては、発泡ポリウレタン、酸化セリウム含浸ポリウレタン、酸化ジルコニウム含浸ポリウレタン、不織布、スウェード、ゴム、羊毛フェルトなど、被加工物を加工除去できるものであれば種類は限定されない。
回転研磨パッドを角型基板側面に一定圧力で押し当てる方法としては、空気圧ピストン、ロードセル等の加圧機構を用いる方法が挙げられる。

側面並びに曲面状角部及び面取り部を研磨する場合の研磨圧力は、いずれも好ましくは１〜１，０００，０００Ｐａ（１ＭＰａ）、より好ましくは１，０００〜１００，０００Ｐａ（０．１ＭＰａ）である。

回転研磨パッドと角型基板を相対的に基板側面に対して平行移動させる方法は、角型基板を基板保持台上に、基板側面と移動軸線が平行となるようセットし、基板保持台に固定する方法が挙げられる。ここで、移動軸線とは、直線上を移動する回転研磨パッドの移動軸線あるいは基板保持台の移動軸線のことを示す。具体的な方法としては、図６に示すような位置決め治具を使用する方法が挙げられる。位置決め治具１１はボルトやマイクロメータ等の機構により突き出し量１３を調節できる位置決めピン１２を有し、位置決めピンの突き出し量は位置決めピンの先端同士を結んだ直線１４が前記移動軸線と平行となるよう、マイクロピック等を使用してそれぞれ調節される。角型基板１６は基板保持台１５上に、位置決め治具の位置決めピンに側面を当てながらセットし、その後固定される。角型基板を固定する方法としては、真空吸着、メカニカルクランプ、永磁チャッキング、電磁チャッキングなどが挙げられる。固定する角型基板は固定用台座基板等とワックス、接着剤、ＵＶ硬化樹脂、シール等により接着されていても良く、固定用台座基板を前記方法で固定することとしても良い。

前記回転研磨パッドによる研磨を行う場合、研磨砥粒スラリーを介在させた状態で研磨加工を行うことが好ましい。
この場合、研磨砥粒としては、シリカ、セリア、アランダム、ホワイトアランダム（ＷＡ）、ＦＯ（アルミナ）、ジルコニア、ＳｉＣ、ダイヤモンド、チタニア、ゲルマニア等が挙げられ、その粒度は１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、これらの水スラリーを好適に用いることができる。

回転研磨パッドは円盤の外周に近い領域の研磨量が中央部に比べて多いため、角型基板側面の全ての部分について一定圧力、一定速度で研磨すると、側面の長手方向端部領域の研磨量が長手方向中央部領域に比べて多くなり、側面が凸状の稜線形状となる可能性が生じる。そこで、本発明においては回転研磨パッドと角型基板との相対的な平行移動における移動速度を、研磨位置に応じて変化させて研磨を行う。より好ましくは、回転研磨パッドの中心が角型基板の側面長手方向中央部領域に位置する際の移動速度よりも、側面長手方向端部領域に位置する際の移動速度を速くして研磨する方法が好ましい。側面端部領域を側面中央部領域よりも速い移動速度で研磨することにより、側面端部領域の研磨量が側面中央部領域の研磨量に比べて少なくなり、端部領域が中央部領域に比べて過剰に研磨されることを防ぐことが可能となる。

なお、上記側面端部領域は、基板の一側面の長さを１００とした場合、該一側面の一端側及び他端側の長さがそれぞれ２５以下、特に１５〜２５の範囲の領域であり、中央部領域はこれら両端領域間の５０以上、特に５０〜７０の範囲の領域であることが好ましく、より好ましくは一端側及び他端側の長さがそれぞれ３０以下、特に１０〜３０の範囲の領域であり、中央部領域が両端領域間の４０以上、特に４０〜８０の範囲の領域である。

また、回転研磨パッドと角型基板との相対的な平行移動時の移動速度を、角型基板の側面の凹凸状態に応じて変化させて研磨を行うことができる。例えば研磨を行う前の角型基板の側面の平坦度を予め測定しておき、側面の凹凸形状に応じて移動速度を、凹部における移動速度を速く、凸部における移動速度を遅くする等して、変化させ制御することで、平坦な側面を得ることが可能となる。

前記回転研磨パッドによる研磨において、図７に示したように、場合によっては回転研磨パッドと角型基板を相対的に基板側面の幅方向に沿って移動（図において上下に揺動）させながら上記移動軸線に沿って平行移動（ジグザグ移動）させても良い。上下の揺動は、角型基板側面の幅方向と平行な直線上を移動させて行うのが好ましい。また、上下の揺動幅は、回転研磨パッドが角型基板側面と接触する範囲であるのが好ましい。上下の揺動移動を伴って前記平行移動を行い研磨することで、角型基板側面に回転研磨パッドの回転の軌跡に沿って形成される研磨痕を減少させることができる。図７は角型基板の位置を固定して、回転研磨パッドを上下に揺動移動させる方式の一例を示す。回転研磨パッド２１は角型基板１６の側面の幅方向と平行な直線４１上を上下に往復動し、揺動移動する。図７は揺動幅４２の上端及び下端に達した時点の回転研磨パッドの位置を示しており、揺動幅４２は回転研磨パッドが角型基板側面に接触する範囲となっている。

前記回転研磨パッドによる研磨において、角型基板の一側面の研磨を行った後に前記基板を順次９０°ずつ回転させ、残りの側面を研磨することにより、角型基板の４つの側面全てを研磨する方法が加工精度、生産性の面から好ましい。基板を９０°ずつ回転させる方法としては、ハースカップリングやロータリーエンコーダによる精密位置決め機能を持つ回転機構により角型基板を固定した基板保持台を回転させる方式が挙げられる。

前記角型基板は、前記回転研磨パッドによる研磨を施す前段階として、研削加工により側面が研削された基板を用いる。研削加工による側面形成方法は、例えば、マシニングセンタやその他数値制御工作機械を用いて、割れ、ヒビ、激しいチッピング等の発生しない研削条件で砥石を回転、移動させ、被研削対象である角形基板に研削を施し、所定のサイズの側面を形成して行う。このとき、場合によっては曲面状角部及び面取部も、側面と同様にして研削加工により形成しても良い。

研削加工は、ダイヤモンド砥粒、ＣＢＮ砥粒等を電着又はメタルボンドで固定した砥石を用いて、主軸回転数１００〜３０，０００ｒｐｍ、特に１，０００〜１５，０００ｒｐｍ、研削速度１〜１０，０００ｍｍ／ｍｉｎ、特に１０〜１，０００ｍｍ／ｍｉｎで行うことが加工精度、生産性の面から好ましい。

前記インプリント・リソグラフィ用角形基板の曲面状角部及び面取部は研磨により鏡面化されていることが、強度保持、清浄度の面から好ましい。曲面状角部及び面取部の研磨は側面に対してなるべく接触せず、側面の加工精度に影響を与えない方法で行われるのが好ましい。具体的には、研磨剤スラリーを供給しながら、回転研磨パッドを一定圧力で押し当てながら、曲面状角部及び面取り部の形状に沿うように移動させながら行う方法が挙げられる。回転研磨パッドによる研磨を行う場合、研磨砥粒スラリーを介在させた状態で加工を行うことが好ましい。回転研磨パッド、加圧方式、研磨砥粒スラリーは前記側面研磨の場合と同様に行うことができる。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板は、基板表面に凹凸によるパターンが刻印されている。凹凸によるパターンを刻印する方法は、基板の所定部分を除去する方法であれば何でも良く、レーザー加工、ウェットエッチング、ドライエッチング、フォトリソグラフィ、ナノインプリント・リソグラフィ等が挙げられる。以下に凹凸パターンの刻印方法の例を挙げるが、作製方法は下記方法に限定されるものではない。

（ナノレベルの凹凸パターン）
上下に対向する表裏面及び４個の側面を有する角形基板の一方の面（表面）全面に金属薄膜を形成する。成膜方法は、例えばスパッタリング成膜法や蒸着成膜法を用いればよい。金属薄膜は、単層であっても複数層から成っても構わない。一例としてクロム薄膜が挙げられる。次に金属薄膜上に例えば電子線描画用レジスト材料を塗布し、所定の温度、時間でベーク処理を施して、レジスト膜を形成する。
そして、電子描画装置等を用いて、前記レジスト膜に所定のパターンを描画した後、レジスト膜を現像する。エッチング加工により所定のパターンの金属薄膜を除去する。エッチング加工後、残存するレジスト膜は除去してもよい。次に、前記基板に対してエッチング加工を行い基板上に凹凸パターンを刻印する。ここでのエッチング加工は、例えばナノレベルの凹凸パターンを形成する場合、加工精度の面からドライエッチングであることが好ましい。

（モールド用メサ構造）
上下に対向する表裏面及び４個の側面を有する角形基板の一方の面（表面）全面に金属薄膜を形成する。成膜方法は上記の方法と同様でよい。また、基板表面には、例えば上記方法によるナノレベルの凹凸パターン等の凹凸形状が刻印されていてもよい。
次に、金属薄膜上に、例えばフォトレジスト材料を塗布し、所定の温度、時間でベーク処理を施して、レジスト膜を形成する。
前記レジスト膜上に、例えば露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によりメサ形成用のレジストパターンを形成する。具体的には、例えばメサパターンを有したフォトマスクをセットした露光装置に基板を導入し、紫外線による露光を行い、その後に現像する。次に、ウェットエッチング等の方法で、前記メサ形成用レジストパターンで保護されている部分以外のクロム薄膜を除去する。更に、前記基板に対して、エッチング加工を行い、メサ構造を形成する。ここでのエッチング加工は、基板をエッチングできる方法であればウェットエッチング及びドライエッチングのどちらでも良い。
同様の方法でアライメントマーク等、ミリからマイクロレベルの構造体を基板上に形成することができる。

本発明のインプリント・リソグラフィ用角形基板は、裏面に非貫通の穴又は溝を有していてもよい。非貫通の穴又は溝の加工方法は、例えば、マシニングセンタやその他数値制御工作機械を用いて、基板の加工面に、割れ、ヒビ、激しいチッピング等の発生しない研削条件で砥石を回転、移動させ、所定のサイズ、深さの非貫通の穴又は溝の研削を施して行う。

具体的には、ダイヤモンド砥粒、ＣＢＮ砥粒等を電着又はメタルボンドで固定した砥石を用いて、主軸回転数１００〜３０，０００ｒｐｍ、特に１，０００〜１５，０００ｒｐｍ、研削速度１〜１０，０００ｍｍ／ｍｉｎ、特に１０〜１，０００ｍｍ／ｍｉｎで研削することが好ましい。

非貫通の穴又は溝の底面及び側面の研削加工面は必要に応じて研磨される。研削加工面の加工変質層を除去して研削による残留応力を除去することにより、残留応力が引き起こす基板の形状変化を抑えることが可能となる。また、非貫通の穴又は溝の底面及び側面が研磨されていないと、洗浄により汚れを完全に除去することが困難となり、除去しきれなかった汚れによりパターンが汚染されたりする場合が生じて好ましくない。またこのように非貫通の穴又は溝の底面及び側面を研磨することにより、底面の強度は大きく増加する。

非貫通の穴又は溝の底面及び側面のそれぞれの研削面を研磨する方法は、例えば、研削面に回転研磨ツールの研磨加工部に所定圧力で接触させて、所定速度で相対的に移動させて行う。

前記非貫通の穴又は溝の側面及び底面を研磨するに際し、研削された非貫通の穴又は溝の側面及び底面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で接触させて側面及び底面の研削面を研磨することができる。

回転研磨ツールは、その研磨加工部が研磨可能な回転体であればいかなるものでも構わないが、ツールチャッキング部を持ったスピンドル、リューターに研磨ツールを装着させる方式などが挙げられる。

研磨ツールの材質としては、少なくともその研磨加工部がＧＣ砥石、ＷＡ砥石、ダイヤモンド砥石、セリウム砥石、セリウムパッド、ゴム砥石、フェルトバフ、ポリウレタンなど、被加工物を加工除去できるものであれば種類は限定されない。

上述した非貫通の穴又は溝の底面及び側面の研削面に回転研磨ツールの研磨加工部を接触させて研磨を行う場合、研磨砥粒スラリーを介在させた状態で加工を行うことが好ましい。

この場合、研磨砥粒としては、シリカ、セリア、アランダム、ホワイトアランダム（ＷＡ）、ＦＯ、ジルコニア、ＳｉＣ、ダイヤモンド、チタニア、ゲルマニア等が挙げられ、その粒度は１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、これらの水スラリーを好適に用いることができる。

上記のようにして研磨して得られる非貫通の穴又は溝の底面及び側面は、光の透過の観点から、面粗度（Ｒａ）が２ｎｍ以下、特に１ｎｍ以下の鏡面であることが好ましい。なお、面粗度Ｒａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠した値である。
非貫通の穴又は溝を形成する工程は、研削により側面を形成する工程の前後、又は研削された側面を研磨する工程の後のいずれであっても構わないが、加工のし易さ、能率の面から、非貫通の穴又は溝の研削を行う工程は、側面の研削を行う工程の直前又は直後に、研削された非貫通の穴又は溝の研磨を行う工程は、研削された側面の研磨を行う工程の直前又は直後に行うことが好ましい。

以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。

［実施例１］
角柱ブロック状に成形した合成石英インゴット原料に対してスライス加工を行い、外形１６０．０ｍｍ角、板厚６．５０ｍｍの板状の角形基板を得た。
前記角形基板をホイール研削装置に導入し、ダイヤモンド砥粒付研削ホイールによる各側面及び面取部の研削加工を行い、外形が１５２．０ｍｍ角であり、曲率半径（Ｒ）が２．５ｍｍの曲面状角部及び面取り部を有する四角形状の角形基板を得た。
次に、ラッピング加工を行い、互いに対向する表面と裏面の２つの面がすりガラス面（面粗さ：ＲＭＳ＝０．３２μｍ）の合成石英ガラス基板を得て角型基板とした。
前記合成石英ガラス基板を図８（Ａ）に概要を示す側面鏡面化装置に導入し、装置内の基板保持台１５の真空吸着把持部に、位置決め治具１１の位置決めピン１２に側面を当てながら、側面と回転研磨パッド５２の移動軸５１が平行となるようセットし、真空吸着把持部を作動させ合成石英ガラス基板を基板保持台に固定した。その後、位置決め治具は、研磨の妨げにならない場所まで移動させ、装置内に収納した。
その後、前記合成石英ガラス基板の曲面状角部、面取部及び側面の研磨を行った。研磨時の側面鏡面化装置の概要を図８（Ｂ）に示す。
前記曲面状角部及び面取り部の研磨は、研磨剤スラリーを供給しながら、回転研磨パッド５４を０．０２ＭＰａの一定圧力で押し当てながら、曲面状角部及び面取り部の形状に沿うように移動させながら行った。研磨には空気圧ピストン加圧機構５５付き回転研磨パット５４をアーム先端に備えた５軸多関節ロボット５６を用いた。研磨剤スラリーには酸化セリウム水溶液を、回転研磨パッド５４の研磨加工部にはポリウレタン系研磨布を用いた。
前記基板側面の研磨は、研磨剤スラリーを供給しながら、回転研磨パッド５２を０．０４ＭＰａの一定圧力で側面に対して垂直方向に押し当てながら、かつ側面に対して平行に長手方向に往復移動させながら、同時に短手方向（幅方向）に揺動させて行った。往復移動時に研磨パッドの中心が側面の長手方向端部領域にきた際は、研磨パッドの移動速度を長手方向中央部領域の移動速度よりも速くして研磨を行った。研磨剤スラリーには酸化セリウム水溶液を、回転研磨パッド５２の研磨加工部には不織布系研磨布を用いた。
前記曲面状角部、面取部及び側面の研磨は、合成石英ガラス基板をハースカップリングによる精密位置決め機能を持つ回転機構により９０°ずつ回転させ、順番に研磨した。研磨の順番は、曲面状角部の面取り部、曲面状の角部、側面の面取り部、側面の順番で行った。
曲面状角部、面取部及び側面の全ての研磨が完了した後、真空吸着把持部より合成石英ガラス基板を取り出した。基板の外形は１５１．９８０ｍｍ角となった。
次に、前記合成石英ガラス基板の表裏面を酸化セリウムを用いて粗研磨を行い、コロイダルシリカを用いて精密研磨を行って、互いに対向する表面と裏面の２つの面が平滑かつ低欠陥に鏡面化された合成石英ガラス基板を得た。基板の板厚は６．３５ｍｍとなった。
この合成石英ガラス基板の表面全面にスパッタリング成膜装置によりクロム薄膜を形成した。次に、クロム薄膜の上に電子線描画用レジスト（ＺＥＰ７２０Ａ：日本ゼオン製）をスピンコーターにより塗布し、所定の温度、時間でベーク処理を施して、レジスト膜を形成した。
次に、電子描画機を用いて、前記レジスト膜にラインアンドスペースパターンを描画した後、レジスト膜の現像、塩素ガスを用いたドライエッチングによるクロム薄膜の除去、ＣＨＦ₃ガスを用いたドライエッチングを経て、合成石英ガラス基板上に凹凸パターンを形成し、図１に示す表面にハーフピッチ２０ｎｍのラインアンドスペース凹凸パターンが刻印された合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板を得た。
前記合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板の各測定の測定結果は下記のようになった。

（側面の平坦度）
４面の測定結果
３．５μｍ、３．５μｍ、２．９μｍ、３．５μｍ
（隣り合う側面同士のなす角度）
４箇所全て９０°±０．０４°以内
（側面の表面粗さ）
Ｒａ＝０．１５ｎｍ
各測定には下記の装置を用いた。
側面の平坦度：Ｚｙｇｏ ＮｅｗＶｉｅｗ７３００
隣り合う側面同士のなす角度：ダイヤルゲージ
側面の表面粗さ：原子間力顕微鏡

［実施例２］
互いに対向する表面と裏面の２つの面が精密に研磨され、ブラシ研磨により鏡面化された側面、曲面状角部及び面取り部を有する、外形１５３．０ｍｍ角、板厚６．３５ｍｍの四角形状の合成石英ガラス角形基板を原料基板として用意した。
この合成石英ガラス基板の表面全面にスパッタリング成膜装置によりクロム薄膜を形成した。次に、クロム薄膜の上にポジ型フォトレジスト（ＡＺＰ１３５０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）をスピンコーターにより塗布し、所定の温度、時間でプリベーク処理を施して、レジスト膜を形成した。
フォトマスクをセットした露光装置に前記合成石英ガラス基板を導入し、波長紫外線による露光を行った。フォトマスクには、中央に２６ｍｍ×３３ｍｍの四角形状のメサパターンを有したガラス製フォトマスク基板を用いた。
次に、前記合成石英ガラス基板を露光装置より取出し、現像を行い、メサ形成用のレジストパターンを形成した。そして、前期合成石英ガラス基板に対して、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液によるクロムエッチングを行い、前記メサ形成用レジストパターンで保護されている部分以外のクロム薄膜を除去した。更に、前記合成石英ガラス基板に対して、フッ酸水溶液によるウェットエッチングを行い、前記レジストパターンで保護されている部分以外の合成石英を除去した。更に、アセトンによりレジスト膜を除去し、表面がクロム薄膜で成膜された高さが３０μｍ程度のメサ構造を形成した。
次に、表面を上にした状態で前記合成石英ガラス基板をＳＵＳ製の台座板の上にシフトワックスにより接着した。
前記台座板と接着した合成石英ガラス基板をマシニングセンタに導入し、マシニングセンタの加工テーブル上に設置したマグネットチャック装置上に固定した。その後、ダイヤモンド砥粒付砥石による側面及び面取り部の研削加工を行い、外形が１５２．０ｍｍ角であり、Ｒ：２．５ｍｍの曲面状角部及び面取り部を有する四角形状の角形基板を形成した。その後、合成石英ガラス基板を接着させた台座板ごと取り出した。
前記台座板と接着した合成石英ガラス基板を図８（Ａ）に示す側面鏡面化装置に導入し、装置内の基板保持台１５のマグネットチャック装置に、位置決め治具１１の位置決めピン１２に基板の側面を当てながら基板の側面と回転研磨パッド５２の移動軸５１が平行となるようセットし、マグネットチャック装置を作動させ合成石英ガラス基板を固定した。
その後、実施例１と同様の方法で、前記合成石英ガラス基板の曲面状角部、面取部及び側面の研磨を行った。
曲面状角部、面取部及び側面の全ての研磨が完了した後、マグネットチャック装置より台座板と接着した合成石英ガラス基板を取り出した。次に、加熱によりシフトワックスを溶解させ、合成石英ガラス基板を台座板から取り外した。その後、基板の洗浄を行い、図２に示す表面に２６ｍｍ×３３ｍｍ、高さ３０μｍの四角形状のメサ構造が刻印された合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板を得た。
前記合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板の各測定の測定結果は、下記のようになった。各測定には実施例１と同様の装置を用いた。

（側面の平坦度）
４面の測定結果
１．９μｍ、２．５μｍ、１．９μｍ、２．１μｍ
（隣り合う側面同士のなす角度）
４箇所全て９０°±０．０４°以内
（側面の表面粗さ）
Ｒａ＝０．１７ｎｍ

［実施例３］
互いに対向する表面と裏面の２つの面が精密に研磨され、ブラシ研磨により鏡面化された側面、曲面状角部及び面取り部を有する、外形１５２．０ｍｍ角、板厚６．３５ｍｍの四角形状の合成石英ガラス角形基板を原料基板として用意した。
この合成石英ガラス基板の表面全面にスパッタリング成膜装置によりクロム薄膜を形成した。次に、クロム薄膜の上に電子線描画用レジスト（ＺＥＰ７２０Ａ：日本ゼオン製）をスピンコーターにより塗布し、所定の温度、時間でベーク処理を施して、レジスト膜を形成した。
次に、電子描画機を用いて前記レジスト膜にラインアンドスペースパターンを描画した後、レジスト膜の現像、塩素ガスを用いたドライエッチングによるクロム薄膜の除去、ＣＨＦ₃ガスを用いたドライエッチングを経て、合成石英ガラス基板上に凹凸パターンを形成した。
前記角形基板をダイシング装置に導入し、ダイヤモンド砥粒付ダイシングブレードによる切断加工を行い、外形が７５．０ｍｍ角の板状の角形基板を得た。
次に、表面を下にした状態で、前記合成石英ガラス基板をＳＵＳ製の台座板の上にシフトワックスにより接着した。
前記台座板と接着した合成石英ガラス基板をマシニングセンタに導入し、マシニングセンタの加工テーブル上に設置したマグネットチャック装置上に固定した。その後、ダイヤモンド砥粒付砥石による側面、面取り部及び非貫通の穴の研削加工を行い、外形が７０．０ｍｍ角であり、Ｒ：１．０ｍｍの曲面状角部及び面取り部を有し、直径５０ｍｍ、深さ４ｍｍの円形の非貫通の穴を有する四角形状の角形基板を形成した。その後、合成石英ガラス基板を接着させた台座板ごと取り出した。
その後、実施例１と同様の方法で、前記合成石英ガラス基板の曲面状角部、面取部及び側面の研磨を行った。
曲面状角部、面取部及び側面の全ての研磨が完了した後、マグネットチャック装置より台座板と接着した合成石英ガラス基板を取り出した。次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、酸化セリウム系研磨剤スラリーを供給しながら、５００ｒｐｍで回転する直径５０ｍｍφ、高さ３０ｍｍの羊毛フェルトバフを非貫通の穴の底面に３，５００Ｐａ、側面に２，０００Ｐａで押し当てて、基板保持台を１０ｒｐｍで回転させ、６０分間研磨し、非貫通の穴の底面及び側面の研削面を鏡面加工した。
次に、加熱によりシフトワックスを溶解させ、合成石英ガラス基板を台座板から取り外した。その後、基板の洗浄を行い、図４（Ａ）及び（Ｃ）に示す表面にハーフピッチ２０ｎｍのラインアンドスペース凹凸パターンが刻印され、裏面に円形の非貫通の穴を有した合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板を得た。
前記合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板の各測定の測定結果は下記のようになった。各測定には実施例１と同様の装置を用いた。

（側面の平坦度）
４面の測定結果
１．７μｍ、２．１μｍ、２．３μｍ、１．９μｍ
（隣り合う側面同士のなす角度）
４箇所全て９０°±０．０４°以内
（側面の表面粗さ）
Ｒａ＝０．２１ｎｍ

［実施例４］
互いに対向する表面と裏面の２つの面が精密に研磨され、ブラシ研磨により鏡面化された側面、曲面状角部及び面取り部を有する、外形１５３．０ｍｍ角、板厚６．３５ｍｍの四角形状の合成石英ガラス角形基板を原料基板として用意した。
この合成石英ガラス基板の表面全面にスパッタリング成膜装置によりクロム薄膜を形成した。次に、クロム薄膜の上にポジ型フォトレジスト（ＡＺＰ１３５０：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）をスピンコーターにより塗布し、所定の温度、時間でプリベーク処理を施して、レジスト膜を形成した。
フォトマスクをセットした露光装置に前記合成石英ガラス基板を導入し、波長紫外線による露光を行った。フォトマスクには、中央に２６ｍｍ×３３ｍｍの四角形状のメサパターンを有したガラス製フォトマスク基板を用いた。
次に、前記合成石英ガラス基板を露光装置より取出し、現像を行い、メサ形成用のレジストパターンを形成した。そして、前記合成石英ガラス基板に対して、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液によるクロムエッチングを行い、前記メサ形成用レジストパターンで保護されている部分以外のクロム薄膜を除去した。更に、前期合成石英ガラス基板に対して、フッ酸水溶液によるウェットエッチングを行い、前記レジストパターンで保護されている部分以外の合成石英を除去した。更に、アセトンによりレジスト膜を除去し、表面がクロム薄膜で成膜された高さが３０μｍ程度のメサ構造を形成した。
次に、表面を下にした状態で前記合成石英ガラス基板を、ＳＵＳ製の台座板の上にシフトワックスにより接着した。
前記台座板と接着した合成石英ガラス基板をマシニングセンタに導入し、マシニングセンタの加工テーブル上に設置したマグネットチャック装置上に固定した。その後、ダイヤモンド砥粒付砥石による側面、面取り部及び溝の研削加工を行い、外形が１５２．０ｍｍ角であり、Ｒ:２．５ｍｍの曲面状角部及び面取り部を有し、深さ３ｍｍ、幅３０ｍｍ、長さ１５２ｍｍの端面と平行な溝を有する四角形状の角形基板を形成した。その後、合成石英ガラス基板を接着させた台座板ごと取り出した。
その後、実施例１と同様の方法で、前記合成石英ガラス基板の曲面状角部、面取部及び側面の研磨を行った。
曲面状角部、面取部及び側面の全ての研磨が完了した後、マグネットチャック装置より台座板と接着した合成石英ガラス基板を取り出した。次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、酸化セリウム系研磨剤スラリーを供給しながら、１，０００ｒｐｍで回転する直径３０ｍｍφ、高さ３０ｍｍの羊毛フェルトバフを溝底面に２，０００Ｐａ、片方の側面に２，０００Ｐａで押し当てて、基板保持台を５０ｍｍ／ｍｉｎで５往復移動させ、溝底面及びもう一方の側面に上記と同じ圧力で押し当てて基板保持台を５０ｍｍ／ｍｉｎで５往復移動させて鏡面加工した。
次に、加熱によりシフトワックスを溶解させ、合成石英ガラス基板を台座板から取り外した。その後、基板の洗浄を行い、図５（Ｂ）及び（Ｄ）に示す表面に２６ｍｍ×３３ｍｍ、高さ３０μｍの四角形状のメサ構造が刻印され、裏面に溝を有した合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板を得た。
前記合成石英インプリント・リソグラフィ用角形基板の各測定の測定結果は下記のようになった。各測定には実施例１と同様の装置を用いた。

（側面の平坦度）
４面の測定結果
３．１μｍ、３．１μｍ、２．６μｍ、２．５μｍ
（隣り合う側面同士のなす角度）
４箇所全て９０°±０．０４°以内
（側面の表面粗さ）
Ｒａ＝０．１９ｎｍ

１ 角形基板
２ 表面
３ 裏面
４ 側面
４ａ 側面
４ｂ 側面面取り部
４ｃ 側面面取り部
４ｄ 曲面状角部
５ 凹凸によるパターン
６ メサ構造
７ 非貫通の穴
８ 溝
１１ 位置決め治具
１２ 位置決めピン
１３ 位置決めピンの突き出し量
１４ 位置決めピンの先端同士を結んだ直線
１５ 基板保持台
１６ 角型基板
２１ 回転研磨パッド
２２ ロック機構付加圧機構
２３ 回転軸
２４ 被研磨物
３１ 角型基板側面の中央部領域
３２ 角型基板側面の端部領域
３３ 回転研磨パッドの移動方向
４１ 角型基板の側面の幅方向と平行な直線
４２ 回転研磨パッドの揺動幅
５１ 回転研磨パッドの移動軸
５２ 回転研磨パッド
５３ 空気圧ピストン加圧機構
５４ 回転研磨パッド
５５ 空気圧ピストン加圧機構
５６ ５軸多関節ロボット

Claims (15)

1. 基板側面が研削により加工されたインプリント・リソグラフィ用角形基板の側面に対して、垂直方向に一定圧力で回転研磨パッドを押し当てながら回転研磨パッドと前記角型基板とを相対的に前記側面に対して平行移動させて、前記角型基板の側面を研磨することを特徴とするインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
2. 前記平行移動時において、回転研磨パッドと角型基板との相対的移動における移動速度を、前記角型基板の側面の研磨位置に応じて変化させて研磨を行う請求項１記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
3. 回転研磨パッドの中心が角型基板の側面の長手方向中央部領域に位置する際の移動速度よりも、側面の長手方向端部領域に位置する際の移動速度を速くして研磨する請求項２記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
4. 前記平行移動時において、回転研磨パッドと角型基板との相対的移動における移動速度を、角型基板の側面の凹凸状態に応じて変化させて研磨を行う請求項１〜３のいずれか１項記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
5. 側面の凸部における移動速度を速く、側面の凹部における移動速度を遅くして研磨する請求項４記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
6. 更に、角型基板側面の短手方向（幅方向）に沿って角型基板と回転研磨パッドとを相対的に移動させて研磨を行う請求項１〜５のいずれか１項記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
7. 前記角型基板の一側面を研磨した後、該基板を順次９０°ずつ回転させ、残りの側面を研磨することにより、角型基板の４個の側面全ての研磨を行う請求項１〜６のいずれか１項記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
8. 研削により側面を形成する工程の前後又は研削により加工された側面を研磨する工程の後に、更に角形基板の裏面に非貫通の穴又は溝を研削により形成する工程を含む請求項１〜７のいずれか１項記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
9. 更に、研削された非貫通の穴又は溝の側面及び底面を研磨する工程を含む請求項８記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
10. 前記非貫通の穴又は溝の側面及び底面を研磨する工程が、研削により加工された非貫通の穴又は溝の側面及び底面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で接触させて側面及び底面の研削面を研磨する工程である請求項９記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板の製造方法。
11. 表裏面と４個の側面を有し、表面に凹凸によるパターンが刻印されているインプリント・リソグラフィ用角形基板であって、前記各側面の平坦度が２０μｍ以下であることを特徴とするインプリント・リソグラフィ用角形基板。
12. 角形基板の隣り合う側面同士のなる角度が、９０±０．１°の範囲内である請求項１１記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板。
13. 角形基板の各側面が、鏡面である請求項１１又は１２記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板。
14. 角形基板の各側面の表面粗さ（Ｒａ）が、０．０１〜２ｎｍである請求項１３記載のインプリント・リソグラフィ用角形基板。
15. 角型基板が裏面に非貫通の穴又は溝を有していることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項記載の角形基板。

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