JP5664470B2 - ナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法 - Google Patents
ナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5664470B2 JP5664470B2 JP2011132878A JP2011132878A JP5664470B2 JP 5664470 B2 JP5664470 B2 JP 5664470B2 JP 2011132878 A JP2011132878 A JP 2011132878A JP 2011132878 A JP2011132878 A JP 2011132878A JP 5664470 B2 JP5664470 B2 JP 5664470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- quartz glass
- groove
- synthetic quartz
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
- B24B7/241—Methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B19/00—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group
- B24B19/02—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group for grinding grooves, e.g. on shafts, in casings, in tubes, homokinetic joint elements
- B24B19/03—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group for grinding grooves, e.g. on shafts, in casings, in tubes, homokinetic joint elements for grinding grooves in glass workpieces, e.g. decorative grooves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
- C03C15/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching for making a smooth surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Description
半導体用又は液晶ディスプレイ用等に用いられるフォトマスク基板は、高い形状精度が求められる。これは、基板の形状精度が悪く、歪みを持った状態の場合、露光時にシリコンウェハ上の焦点ずれを生じ、パターン均一性が悪くなるため、微細パターンを形成することができなくなるからである。現在、半導体用リソグラフィ技術の主流である波長が193nmであるArFレーザー光源を使用したリソグラフィ技術や、次世代リソグラフィ技術として開発が進められている軟X線波長領域である13.5nmの波長を光源として使用するEUVリソグラフィ技術においては、フォトマスク用基板、反射型マスク基板に平坦度(特開2008−103512号公報:特許文献1)、平行度、外形公差といった形状精度が高いレベルで求められる。TFT液晶パネルのアレイ側のフォトマスク基板や、カラーフィルター用フォトマスク基板に関しても同様である。
請求項1:
ナノインプリント用合成石英ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程と、形成された非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で同時に接触させて底面及び側面の研削面を鏡面加工する工程とを含む、非貫通の穴、溝又は段差を有するナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
請求項2:
鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差に回転研磨ツールの研磨加工部を1〜1,000,000Paの圧力で接触させて鏡面加工する請求項1記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
請求項3:
鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールと基板とを相対的に移動させて鏡面加工する請求項1又は2記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
請求項4:
鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールを公転あるいは基板保持台を回転させて鏡面加工する請求項3記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
請求項5:
鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールあるいは基板保持台を1軸以上の直線軸上を移動させて鏡面加工する請求項3記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
請求項6:
基板の厚さが0.1〜300mmで、基板の一方の面に形成された非貫通の穴、溝又は段差の底面と基板の他方の面との間の距離が0.05〜80mmであり、基板厚さの5〜50%である請求項1〜5のいずれか1項記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
請求項7:
非貫通の穴、溝又は段差を形成するための研削工程を行う前のナノインプリント用合成石英ガラス基板の表裏面の平坦度が0.01〜30μm、平行度が0.1〜50μmであり、非貫通の穴、溝又は段差の鏡面研磨する前の底面及び側面の面粗度Raが2〜500nmであり、鏡面研磨した後の非貫通の穴、溝又は段差の底面の平坦度が0.01〜40μm、平行度が100μm以下であり、該底面及び側面の面粗度Raが1nm以下である請求項1〜6のいずれか1項記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
また、基板の一方の面に非貫通の穴、溝、段差の2種類以上を形成したり、基板の一方の面に非貫通の穴、溝、段差のいずれかを形成し、基板の他方の面にこれと異なる非貫通の穴、溝、段差のいずれかを形成してもよい。
この場合、非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面を同時に研磨する点から、研磨加工部13の非貫通の穴、溝又は段差の側面と接触する部分の高さ(図9においてh1)は該側面の高さ(図2においてh0)以上であることが好ましい。また、研磨加工部13の直径(図9においてr1)は、非貫通の穴が円形である場合にはその直径(図2においてr0)、楕円状、長円状等の場合にはその短径のそれぞれ1/2以上(r1≧r0/2)であることが好ましい。また、溝の場合にはその溝の幅の1/2以上(r1≧W1/2)、段差の場合にはその幅以上(r1≧W2)であることが好ましい。
この場合、研磨砥粒としてはシリカ、セリア、アランダム、ホワイトアランダム(WA)、エメリー、ジルコニア、SiC、ダイヤモンド、チタニア、ゲルマニア等が挙げられ、その粒度は10nm〜10μmが好ましく、これらの水スラリーを好適に用いることができる。
このように、底面と側面への圧力を独立させ、単独の回転研磨ツールをそれぞれの面に独立した一定圧力で回転研磨ツールを接触させながら、一定速度で相対的に移動させることにより、それぞれの面を同時に独立の研磨レートで均一に研磨することができる。
端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ100mm×100mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板Aを、原料基板として用意した。この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ5.32mm、直径69.98mmφの円形の非貫通の穴を加工した。
次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、1,000rpmで回転する直径35mmφ、高さ30mmの羊毛フェルトバフを非貫通の穴の底面に3,500Pa、側面に2,000Paで押し当てて、基板保持台を10rpmで回転させ、60分間研磨し、鏡面化した。研磨後、合成石英ガラス基板のザグリ穴の深さは5.35mm、残し厚さは1.00mm、直径は70mmφとなった。
平行度 0.6μm
表面 平坦度 0.183μm
面粗度 0.15nm
裏面 平坦度 0.311μm
面粗度 0.15nm
側面 面粗度 0.95nm
なお、平坦度、平行度の測定はZygo社製Zygo Mark IVxpを用いて行い、面粗度の測定には原子間力顕微鏡を使用した。
また、上記合成石英ガラス基板Aの裏面に形成した非貫通の穴の鏡面研磨前の底面の平行度、平坦度、面粗度Ra、及び周壁面の面粗度は下記の通りであった。
底面 平行度 8μm
平坦度 3μm
面粗度 6.82nm
周壁面 面粗度 6.58nm
なお、平坦度、平行度の測定はZygo Mark IVxpでは測定できず、マイクロメーターを用いて測定した。また、面粗度は原子間力顕微鏡を用いた。
鏡面研磨後の非貫通の穴の底面の平行度、平坦度、面粗度Ra、及び周壁面の面粗度は下記の通りであった。
底面 平行度 9μm
平坦度 4μm
面粗度 0.25nm
周壁面 面粗度 0.25nm
なお、平坦度、平行度の測定はZygo Mark IVxpにて行い、面粗度は原子間力顕微鏡を用いた。
この合成石英ガラス基板に対して、高輝度ランプを用いた目視観察によりクラックがないことを確認し、非貫通の穴を−15kPaで減圧し、大気圧に戻すというサイクルを50,000回行い、耐久試験を行ったところ、50枚全ての基板で非貫通の穴の底面の破壊は起きなかった。
また、この合成石英ガラス基板に対して、耐久試験を行う前後で非貫通の穴を−50kPaで減圧し、約46MNm-2の応力を底部に加えても、50枚全ての基板で非貫通の穴の底面の破壊は起きなかった。
端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ152mm×152mm、厚さ6.35mmの合成石英ガラス基板Bを、原料基板として用意した。この合成石英ガラス基板の裏面の中心に、マシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、深さ4.98mm、幅29.9mm、長さ152mmの端面と平行な溝を加工した。
次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、1,000rpmで回転する直径30mmφ、高さ30mmの羊毛フェルトバフを溝底面に2,000Pa、片方の側面に2,000Paで押し当てて、基板保持台を50mm/minで5往復移動させ、溝底面及びもう一方の側面に上記と同じ圧力で押し当てて基板保持台を50mm/minで5往復移動させて鏡面化した。研磨後、合成石英ガラス基板の溝の深さは5mm、幅は30.1mmとなった。
平行度 0.9μm
表面 平坦度 0.231μm
面粗度 0.14nm
裏面 平坦度 0.475μm
面粗度 0.15nm
側面 面粗度 0.83nm
また、上記合成石英ガラス基板Bの裏面に形成した溝の鏡面研磨前の底面の平行度、平坦度、面粗度Ra、及び側壁面の面粗度は下記の通りであった。
底面 平行度 13μm
平坦度 5μm
面粗度 7.06nm
側壁面 面粗度 10.70nm
鏡面研磨後の溝の底面の平行度、平坦度、面粗度Ra、及び側壁面の面粗度は下記の通りであった。
底面 平行度 15μm
平坦度 7μm
面粗度 0.45nm
側壁面 面粗度 0.37nm
この合成石英ガラス基板に対して、高輝度ランプを用いた目視観察によりクラックがないことを確認し、溝の底の中央に10Nの荷重を加え、0に戻すというサイクルを10,000回行ったところ、50枚全ての基板で溝の底面の破壊は起きなかった。
また、この合成石英ガラス基板に対して、耐久試験を行う前後で溝の底の中央に50Nの荷重を加え、約20MNm-2の応力を底部に加えても、50枚全ての基板で溝の底面の破壊は起きなかった。
端面及び表裏面が研磨により鏡面化された大きさ200mm×400mm、厚さ10mmの合成石英ガラス基板Cを、原料基板として用意した。この合成石英ガラス基板をマシニングセンター、ダイヤモンド砥粒付砥石を使用して、基板裏面の両端部に深さ6.95mm、幅19.99mm、長さ200mmの段差を持つ基板に加工した。
次に、合成石英ガラス基板を基板保持台に固定して、1,000rpmで回転する直径30mmφ、高さ30mmの羊毛フェルトバフを段差底面に2,000Pa、側面に2,000Paで押し当てて、基板保持台を200mm/minで5往復移動させ、両辺の段差を鏡面化した。研磨後、合成石英ガラス基板の段差の深さは7mm、幅は20mmとなった。
平行度 5.3μm
表面 平坦度 2.117μm
面粗度 0.11nm
裏面 平坦度 3.151μm
面粗度 0.12nm
側面 面粗度 1.13nm
また、上記合成石英ガラス基板Cの裏面に形成した段差の鏡面研磨前の両底面の平行度、平坦度、面粗度Ra、及び側壁面の面粗度は下記の通りであった。
底面 平行度 13μm及び17μm
平坦度 8μm及び 8μm
面粗度 11.51nm
側壁面 面粗度 12.15nm
鏡面研磨後の段差の両底面の平行度、平坦度、面粗度Ra、及び側壁面の面粗度は下記の通りであった。
底面 平行度 15μm及び19μm
平坦度 10μm及び 9μm
面粗度 0.28nm
側壁面 面粗度 0.27nm
この合成石英ガラス基板に対して、高輝度ランプを用いた目視観察によりクラックがないことを確認し、段差の自由先端縁部の中央部に20Nの荷重を加え、0に戻すというサイクルを5,000回行ったところ、10枚全ての基板で溝の底面の破壊は起きなかった。
また、この合成石英ガラス基板に対して、耐久試験を行う前後で段差の底面の両端の端面と平行な辺の中央に50Nの荷重を加え、約17MNm-2の応力を底部に加えても、10枚全ての基板で段差の底面の破壊は起きなかった。
実施例1と同様の原料基板を用いて、実施例1と同様に加工を施し、深さ5.35mm、残し厚さ1.00mm、直径70mmφの円形の非貫通の穴を加工した。
ここで、上記合成石英ガラス基板Aの裏面に形成した非貫通の穴の底面及び周壁面の面粗度Raは下記の通りであった。
底面 面粗度 7.13nm
周壁面 面粗度 8.42nm
なお、面粗度の測定は原子間力顕微鏡を用いた。
この合成石英ガラス基板を鏡面加工せずに、非貫通の穴を−90kPaで減圧したところ、非貫通の穴の底面が破壊された。
1a 基板表面
1b 基板裏面
2 非貫通の穴
3 溝
4 段差
10 研磨ツール
11 ピストン
12 回転軸
13 研磨加工部
Claims (7)
- ナノインプリント用合成石英ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程と、形成された非貫通の穴、溝又は段差の底面及び側面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で同時に接触させて底面及び側面の研削面を鏡面加工する工程とを含む、非貫通の穴、溝又は段差を有するナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 鏡面加工工程が、非貫通の穴、溝又は段差に回転研磨ツールの研磨加工部を1〜1,000,000Paの圧力で接触させて鏡面加工する請求項1記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールと基板とを相対的に移動させて鏡面加工する請求項1又は2記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールを公転あるいは基板保持台を回転させて鏡面加工する請求項3記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 鏡面加工工程が、基板の非貫通の穴、溝又は段差の形状に沿うように回転研磨ツールあるいは基板保持台を1軸以上の直線軸上を移動させて鏡面加工する請求項3記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 基板の厚さが0.1〜300mmで、基板の一方の面に形成された非貫通の穴、溝又は段差の底面と基板の他方の面との間の距離が0.05〜80mmであり、基板厚さの5〜50%である請求項1〜5のいずれか1項記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 非貫通の穴、溝又は段差を形成するための研削工程を行う前のナノインプリント用合成石英ガラス基板の表裏面の平坦度が0.01〜30μm、平行度が0.1〜50μmであり、非貫通の穴、溝又は段差の鏡面研磨する前の底面及び側面の面粗度Raが2〜500nmであり、鏡面研磨した後の非貫通の穴、溝又は段差の底面の平坦度が0.01〜40μm、平行度が100μm以下であり、該底面及び側面の面粗度Raが1nm以下である請求項1〜6のいずれか1項記載のナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011132878A JP5664470B2 (ja) | 2010-06-28 | 2011-06-15 | ナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010146507 | 2010-06-28 | ||
JP2010146507 | 2010-06-28 | ||
JP2011132878A JP5664470B2 (ja) | 2010-06-28 | 2011-06-15 | ナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012032785A JP2012032785A (ja) | 2012-02-16 |
JP5664470B2 true JP5664470B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=44532583
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011132883A Active JP5664471B2 (ja) | 2010-06-28 | 2011-06-15 | 半導体用合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP2011132878A Active JP5664470B2 (ja) | 2010-06-28 | 2011-06-15 | ナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011132883A Active JP5664471B2 (ja) | 2010-06-28 | 2011-06-15 | 半導体用合成石英ガラス基板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9017144B2 (ja) |
EP (2) | EP2399708B1 (ja) |
JP (2) | JP5664471B2 (ja) |
KR (3) | KR101620649B1 (ja) |
CN (2) | CN102314082B (ja) |
MY (2) | MY159084A (ja) |
TW (2) | TWI569315B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EA201170441A1 (ru) * | 2008-10-15 | 2012-05-30 | Интермьюн, Инк. | Терапевтические противовирусные пептиды |
JP5251861B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2013-07-31 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
DE102011003077A1 (de) * | 2011-01-25 | 2012-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Substrates für ein reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
US10357850B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining a workpiece |
US9828277B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods for separation of strengthened glass |
US9828278B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby |
US9227868B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-01-05 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining strengthened glass and articles produced thereby |
JP6252098B2 (ja) | 2012-11-01 | 2017-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 角形金型用基板 |
WO2014197551A2 (en) | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming a recess in a substrate, abrasive wheel, and cover |
JP6055732B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2016-12-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法 |
JP6300466B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、インプリントモールド、およびそれらの製造方法 |
JP5848320B2 (ja) | 2013-12-20 | 2016-01-27 | デクセリアルズ株式会社 | 円筒基材、原盤、及び原盤の製造方法 |
US9776906B2 (en) | 2014-03-28 | 2017-10-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser machining strengthened glass |
JP6536185B2 (ja) | 2014-06-13 | 2019-07-03 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP6375718B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-08-22 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基材、インプリントモールド及びそれらの製造方法、並びにインプリントモールド用基材の評価方法 |
JP6398902B2 (ja) * | 2014-08-19 | 2018-10-03 | 信越化学工業株式会社 | インプリント・リソグラフィ用角形基板及びその製造方法 |
JP6420137B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-11-07 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法 |
JP6536192B2 (ja) | 2015-06-10 | 2019-07-03 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP6439723B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2018-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
US10948814B2 (en) * | 2016-03-23 | 2021-03-16 | AGC Inc. | Substrate for use as mask blank, and mask blank |
JP6756500B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-09-16 | Hoya株式会社 | インプリントモールド用基板、マスクブランク、インプリントモールド用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
JP6822084B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2021-01-27 | Agc株式会社 | 半導体用ガラス基板及び非貫通穴を有する半導体用ガラス基板の製造方法 |
US10264672B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-04-16 | AGC Inc. | Glass substrate and glass substrate for high frequency device |
CN107142449B (zh) * | 2017-05-04 | 2019-05-28 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种高精度极小尺寸自支撑铍薄膜的制备方法 |
CN107538280A (zh) * | 2017-07-19 | 2018-01-05 | 东莞华清光学科技有限公司 | 一种位于前置玻璃盖板的盲孔的加工工艺 |
JP6575646B2 (ja) * | 2018-07-24 | 2019-09-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基材及びインプリントモールド |
JP2019201224A (ja) * | 2019-08-19 | 2019-11-21 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基材及びインプリントモールド |
CN114002915A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-02-01 | 北京驭光科技发展有限公司 | 压印衬底及压印方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1501570A (en) * | 1975-11-11 | 1978-02-15 | Showa Denko Kk | Abrader for mirror polishing of glass and method for mirror polishing |
US4029531A (en) * | 1976-03-29 | 1977-06-14 | Rca Corporation | Method of forming grooves in the [011] crystalline direction |
US4170851A (en) * | 1977-09-20 | 1979-10-16 | Cincinnati Milacron Heald Corp. | Grinding machine |
US4928435A (en) * | 1985-05-21 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for working curved surfaces on a workpiece |
JPH0354569A (ja) | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
EP0576937B1 (en) * | 1992-06-19 | 1996-11-20 | Rikagaku Kenkyusho | Apparatus for mirror surface grinding |
JPH09328325A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-22 | Hitachi Cable Ltd | 石英基板及びそれを用いた石英系ガラス導波路型光部品の製造方法 |
US6165407A (en) * | 1997-05-28 | 2000-12-26 | Mitsubishi Engineering-Plastics Corp. | Mold assembly for molding thermoplastic resin and method of manufacturing molded article of thermoplastic resin |
JP3627907B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2005-03-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法 |
US6162702A (en) * | 1999-06-17 | 2000-12-19 | Intersil Corporation | Self-supported ultra thin silicon wafer process |
JP2001097734A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス製容器およびその製造方法 |
EP1219571B1 (en) * | 2000-12-26 | 2012-04-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | process for producing a synthetic quartz glass article |
TWI250133B (en) * | 2002-01-31 | 2006-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Large-sized substrate and method of producing the same |
DE10314212B4 (de) * | 2002-03-29 | 2010-06-02 | Hoya Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings, Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske |
JP2005301304A (ja) * | 2002-03-29 | 2005-10-27 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク、および転写用マスク |
US20080160129A1 (en) | 2006-05-11 | 2008-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template |
JP2004243433A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 管状脆性材料の内表面研摩方法および該研摩方法で得られた管状脆性材料 |
CN1227730C (zh) | 2003-04-30 | 2005-11-16 | 东莞市福地电子材料有限公司 | 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法 |
JP4462997B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-05-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
US7074695B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-07-11 | Chippac, Inc. | DBG system and method with adhesive layer severing |
US7066792B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Shaped polishing pads for beveling microfeature workpiece edges, and associate system and methods |
KR100664609B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2007-01-04 | 주식회사 신안에스엔피 | 오엘이디 용 유리기판의 연마방법 및 이를 이용하여 생산된 오엘이디용 유리기판 |
JP4597634B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2010-12-15 | 株式会社荏原製作所 | トップリング、基板の研磨装置及び研磨方法 |
SG126885A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-29 | Disco Corp | Semiconductor wafer and processing method for same |
JP4791774B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-10-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法及び研削装置 |
JP5035516B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2012-09-26 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用チタニアドープ石英ガラスの製造方法 |
JP4197018B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2008-12-17 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2008078617A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
MY147712A (en) | 2006-09-29 | 2013-01-15 | Hoya Corp | Method of manufacturing glass substrate for magnetic disk, method of manufacturing magnetic disk, and polishing apparatus of glass substrate for magnetic disk |
JP5344806B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-11-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板研磨装置および磁気ディスクの製造方法 |
JP4856798B2 (ja) | 2006-10-18 | 2012-01-18 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP5006011B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2012-08-22 | 古河電気工業株式会社 | 円板状基板の製造方法 |
JP5074745B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2012-11-14 | 古河電気工業株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
JP2008221516A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板の加工方法、インプリントモールド及びその製造方法 |
JP2009096698A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | ウェーハ及びその製造方法 |
JP2009170773A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールドおよびインプリント装置 |
JP5081643B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2012-11-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP5390807B2 (ja) * | 2008-08-21 | 2014-01-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および装置 |
US8292690B2 (en) * | 2008-09-08 | 2012-10-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Thinned semiconductor wafer and method of thinning a semiconductor wafer |
-
2011
- 2011-06-15 JP JP2011132883A patent/JP5664471B2/ja active Active
- 2011-06-15 JP JP2011132878A patent/JP5664470B2/ja active Active
- 2011-06-23 MY MYPI2011002954A patent/MY159084A/en unknown
- 2011-06-23 MY MYPI2011002956A patent/MY158752A/en unknown
- 2011-06-27 EP EP11171431.7A patent/EP2399708B1/en active Active
- 2011-06-27 TW TW100122425A patent/TWI569315B/zh active
- 2011-06-27 TW TW100122423A patent/TWI555072B/zh active
- 2011-06-27 EP EP11171429.1A patent/EP2399707B1/en active Active
- 2011-06-27 KR KR1020110062116A patent/KR101620649B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-27 KR KR1020110062118A patent/KR102047549B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-28 US US13/170,684 patent/US9017144B2/en active Active
- 2011-06-28 CN CN201110259707.0A patent/CN102314082B/zh active Active
- 2011-06-28 US US13/170,573 patent/US9017143B2/en active Active
- 2011-06-28 CN CN201110259674.XA patent/CN102328265B/zh active Active
-
2018
- 2018-03-07 KR KR1020180027006A patent/KR102047598B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2399707A2 (en) | 2011-12-28 |
CN102328265B (zh) | 2016-06-08 |
US20110318995A1 (en) | 2011-12-29 |
TWI569315B (zh) | 2017-02-01 |
EP2399707B1 (en) | 2017-02-22 |
KR20120005948A (ko) | 2012-01-17 |
CN102314082B (zh) | 2016-01-20 |
MY158752A (en) | 2016-11-15 |
KR101620649B1 (ko) | 2016-05-12 |
US20110318996A1 (en) | 2011-12-29 |
TW201220375A (en) | 2012-05-16 |
US9017143B2 (en) | 2015-04-28 |
KR102047549B1 (ko) | 2019-11-21 |
JP2012032786A (ja) | 2012-02-16 |
KR102047598B1 (ko) | 2019-11-21 |
KR20120005947A (ko) | 2012-01-17 |
JP5664471B2 (ja) | 2015-02-04 |
TWI555072B (zh) | 2016-10-21 |
CN102314082A (zh) | 2012-01-11 |
CN102328265A (zh) | 2012-01-25 |
JP2012032785A (ja) | 2012-02-16 |
KR20180027482A (ko) | 2018-03-14 |
EP2399707A3 (en) | 2014-11-19 |
US9017144B2 (en) | 2015-04-28 |
EP2399708A2 (en) | 2011-12-28 |
EP2399708B1 (en) | 2016-04-20 |
TW201218263A (en) | 2012-05-01 |
EP2399708A3 (en) | 2014-11-19 |
MY159084A (en) | 2016-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5664470B2 (ja) | ナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法 | |
JP5776491B2 (ja) | フォトマスク用、レチクル用又はナノインプリント用のガラス基板及びその製造方法 | |
KR102588457B1 (ko) | 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법 | |
KR102046662B1 (ko) | 각형 금형용 기판 | |
KR20120092025A (ko) | 금형용 기판 및 금형용 기판의 검사 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5664470 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |