KR102588457B1 - 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법 - Google Patents

임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102588457B1
KR102588457B1 KR1020220028160A KR20220028160A KR102588457B1 KR 102588457 B1 KR102588457 B1 KR 102588457B1 KR 1020220028160 A KR1020220028160 A KR 1020220028160A KR 20220028160 A KR20220028160 A KR 20220028160A KR 102588457 B1 KR102588457 B1 KR 102588457B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
imprint
polishing
lithography
rectangular substrate
Prior art date
Application number
KR1020220028160A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220034091A (ko
Inventor
다이유 오카후지
히로유키 야마자키
마사오 안도
마사키 다케우치
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20220034091A publication Critical patent/KR20220034091A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102588457B1 publication Critical patent/KR102588457B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/026—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing of layered or coated substantially flat surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B19/00—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group
    • B24B19/02—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group for grinding grooves, e.g. on shafts, in casings, in tubes, homokinetic joint elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B19/00—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group
    • B24B19/20—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group for grinding dies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2909/00—Use of inorganic materials not provided for in groups B29K2803/00 - B29K2807/00, as mould material
    • B29K2909/08—Glass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판 측면이 연삭에 의해 가공된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 측면에 대하여, 수직 방향으로 일정 압력으로 회전 연마 패드를 누르면서 회전 연마 패드와 상기 각형 기판을 상대적으로 상기 측면에 대하여 평행 이동시켜, 상기 각형 기판의 측면을 연마하는 것을 특징으로 하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 임프린트·리소그래피시에 고정밀도로 가압 및 패턴 형상을 제어할 수 있으며, 고정밀도이면서도 복잡한 패턴의 전사가 가능해진다.

Description

임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법{RECTANGULAR SUBSTRATE FOR IMPRINT LITHOGRAPHY AND MAKING METHOD}
본 발명은, 전자 디바이스, 광 부품, 기억 소자, 바이오 소자 등을 제조하는 공정에 있어서, 표면에 요철 형상을 형성하기 위한 원판이 되는 나노임프린트 등의 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 전자 디바이스, 광 부품, 기억 소자, 바이오 소자 등의 제조에 있어서, 더욱 고성능화, 고정밀화가 요구되는 한편, 제조의 저비용화도 동시에 요구되는 상황이 되어 있다. 이러한 추세 가운데, 종래의 리소그래피 기술에 비해, 저가로 미세 가공을 행할 수 있는 임프린트·리소그래피 기술이 주목받고 있다. 임프린트·리소그래피 기술에 있어서, 요철 패턴은 기계적인 방법에 의해 형성한다. 즉, 원하는 요철 패턴을 표면에 만들어 넣은 금형용 기판을 소정의 두께의 수지층을 갖는 피전사용 기판에 가압함으로써, 금형의 요철 패턴을 전사한다(특허문헌 1: 일본 특허 공표 제2005-533393호 공보). 임프린트·리소그래피에 사용되는 기판은, 예를 들어 각 변 65mm나 각 변 152mm의 각형이나, 50φmm, 100φmm, 150φmm, 200φmm의 원형인 것 등, 용도에 따라 다양한 형상의 것이 사용되고 있다.
임프린트·리소그래피에 있어서, 가압에 의해 요철 패턴이 전사된 수지층은 경화시킴으로써 그의 형상이 보존되지만, 주로 자외선에 의해 경화시키는 방식과, 열에 의해 경화시키는 방식이 있으며, 어떠한 방식에 있어서도 금형용 기판과 수지층을 갖는 피전사용 기판의 평행도를 유지하고, 가압하는 면 내를 균일한 압력으로 가압하는 것이 중요하다. 이때, 요철 패턴을 묘화하는 금형용 기판은, 높은 형상 정밀도가 요구된다(특허문헌 2: 일본 특허 공개 (평)3-54569호 공보).
최근, 자외선을 사용한 나노임프린트 등의 보다 고정밀도의 패턴이나 보다 복잡한 패턴을 금형용 기판 상에 형성하여 전사하는 요구가 높아지고 있다. 고정밀도의 임프린트·리소그래피에 있어서는, 매우 정밀하면서도 고정밀도인 위치 정렬, 가압의 제어, 패턴 형상의 제어가 요구된다. 이러한 경위로부터, 각형 기판을 사용한 임프린트·리소그래피에 있어서도, 각형 기판 자체에 높은 형상 정밀도가 요구된다.
예를 들어, 특허문헌 3(일본 특허 공표 제2009-536591호 공보)에 나타낸 바와 같은 각형 기판을 사용한 형태에 있어서는, 각형 기판을 둘러싸는 복수의 액츄에이터(actuator)를 구비한 액츄에이션(actuation)·시스템에 의해 각형 기판의 단부면을 복수의 힘으로 가압함으로써, 기판의 가압부를 만곡시키거나, 변형시키거나 하여 고정밀도로 가압 및 패턴 형상의 제어를 행하고 있다.
일본 특허 공표 제2005-533393호 공보 일본 특허 공개 (평)3-54569호 공보 일본 특허 공표 제2009-536591호 공보
이러한 상황에 있어서, 임프린트·리소그래피에 사용되는 각형 기판에는 높은 형상 정밀도가 요구되며, 특히 액츄에이터·시스템에 의해 가압을 받는 기판 측면부에는 높은 평탄도 및 측면끼리의 직행도가 요구된다. 측면이 충분히 평탄하지 않거나, 측면끼리 직행이 아니면, 상기 액츄에이터·시스템에 의해 측면을 가압하여도, 소정의 압력으로 힘이 전해지지 않거나, 상정한 것 이외의 왜곡이 발생하여, 만곡이나 변형을 고정밀도로 제어할 수 없게 된다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 임프린트·리소그래피에 있어서 고정밀도로 가압 및 패턴 형상을 제어하기에 적합한 각형 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 측면의 평탄도가 높은 임프린트·리소그래피용 각형 기판을 사용하는 것이 상기 과제의 해결에 유용하다는 것을 발견하여, 본 발명을 이루기에 이른 것이다.
따라서, 본 발명은, 하기에 나타내는 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법을 제공한다.
〔1〕 기판 측면이 연삭에 의해 가공된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 측면에 대하여, 수직 방향으로 일정 압력으로 회전 연마 패드를 상기 연마 패드의 회전축이 상기 측면에 직교하도록 누르면서 회전 연마 패드와 상기 각형 기판을 상대적으로 상기 회전축이 상기 측면에 대하여 평행이 되도록 이동시켜, 상기 각형 기판의 측면을 연마함에 있어서 회전 연마 패드의 중심이 각형 기판의 측면의 길이 방향 중앙부 영역에 위치할 때의 이동 속도보다도, 측면의 길이 방향 단부 영역에 위치할 때의 이동 속도를 빠르게 하여 연마하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔2〕 상기 평행 이동시에 있어서, 회전 연마 패드와 각형 기판의 상대적 이동에 있어서의 이동 속도를, 각형 기판의 측면의 요철 상태에 따라 변화시켜 연마를 행하는 〔1〕에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔3〕 측면의 볼록부에 있어서의 이동 속도를 느리게, 측면의 오목부에 있어서의 이동 속도를 빠르게 하여 연마하는〔2〕에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔4〕 각형 기판 측면의 짧은 방향(폭 방향)을 따라 각형 기판과 회전 연마 패드를 상대적으로 이동시켜 연마를 더 행하는 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔5〕 상기 각형 기판의 한 측면을 연마한 후, 상기 기판을 순차 90°씩 회전시키고, 나머지 측면을 연마함으로써, 각형 기판의 4개의 측면 전부의 연마를 행하는 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔6〕 연삭에 의해 측면을 형성하는 공정의 전후 또는 연삭에 의해 가공된 측면을 연마하는 공정 후에, 각형 기판의 이면에 비관통의 구멍 또는 홈을 연삭에 의해 형성하는 공정을 더 포함하는 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔7〕 연삭된 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면을 연마하는 공정을 더 포함하는 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔8〕 상기 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면을 연마하는 공정이, 연삭에 의해 가공된 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면에 회전 연마 툴의 연마 가공부를 각각 독립된 일정 압력으로 접촉시켜 측면 및 저면의 연삭면을 연마하는 공정인 〔7〕에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
〔9〕 표리면과 4개의 측면을 갖고, 표면에 요철에 의한 패턴이 각인되어 있는 임프린트·리소그래피용 각형 기판이며, 상기 각 측면의 평탄도가 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
〔10〕 각형 기판의 인접하는 측면끼리 이루는 각도가 90±0.1°의 범위 내인 〔9〕에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
〔11〕 각형 기판의 각 측면이 경면인 〔9〕 또는 〔10〕에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
〔12〕 각형 기판의 각 측면의 표면 거칠기(Ra)가 0.01 내지 2nm인 〔11〕에 기재된 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
〔13〕 각형 기판이 이면에 비관통의 구멍 또는 홈을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 〔9〕 내지 〔12〕 중 어느 하나에 기재된 각형 기판.
〔14〕 크기가 각 변 20 내지 300mm인 〔9〕 내지 〔13〕 중 어느 하나에 기재된 각형 기판.
본 발명에 따르면, 임프린트·리소그래피시에 고정밀도로 가압 및 패턴 형상을 제어할 수 있으며, 고정밀도이면서도 복잡한 패턴의 전사가 가능해진다.
도 1은 본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 한 실시예를 나타내고, (A)는 사시도, (B)는 (A)에 있어서의 B-B선에 따른 단면도, (C)는 상기 기판의 일각부를 확대한 일부 생략 사시도, (D)는 상기 기판의 한 측면을 확대한 일부 생략 정면도이다.
도 2는 본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 다른 실시예를 나타내고, (A)는 사시도, (B)는 (A)에 있어서의 B-B선에 따른 단면도이다.
도 3은 이면에 가공이 실시된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 다른 실시예이고, (A)는 이면에 비관통의 구멍을 갖고 있는 각형 기판, (B)는 이면에 홈을 갖고 있는 각형 기판의 사시도를 각각 나타낸다.
도 4는 이면에 가공이 실시된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 다른 실시예를 나타내고, (A)는 도 1에 나타내는 각형 기판의 이면에 비관통의 구멍을 갖고 있는 각형 기판의 평면도, (B)는 도 2에 나타내는 각형 기판의 이면에 비관통의 구멍을 갖고 있는 각형 기판의 평면도, (C) 및 (D)는 각각 (A) 및 (B)의 단면도를 나타낸다.
도 5는 이면에 가공이 실시된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 다른 실시예를 나타내고, (A)는 도 1에 나타내는 각형 기판의 이면에 홈을 갖고 있는 각형 기판의 평면도, (B)는 도 2에 도시하는 각형 기판의 이면에 홈을 갖고 있는 각형 기판의 평면도, (C) 및 (D)는 (A) 및 (B)의 단면도를 나타낸다.
도 6은 위치 결정 지그를 사용하여 각형 기판을 유지하는 방법의 일례를 설명하는 것이며, (A)는 위치 결정 핀의 선단끼리를 연결한 직선과 기판 유지대의 위치 관계를 나타내고, (B)는 이 기판 유지대에 각형 기판을 세팅한 상태를 나타낸다.
도 7은 각형 기판의 측면의 폭 방향에 따라 회전 연마 패드를 왕복 이동시키면서 연마를 행하는 방법의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 8은 측면 경면화 장치의 일례를 나타내는 개략도이며, (A)는 각형 기판을 세팅한 상태, (B)는 각형 기판을 연마하고 있는 상태를 나타낸다.
도 1 및 도 2에 본 발명에 관한 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 일례를 나타낸다. 도 1, 2에 도시한 바와 같이, 기판(1)은 사각 형상의 판상 기판이며, 서로 대향하는 표면(2)과 이면(3)의 2개의 면 및 4개의 측면부(4)를 갖는다. 대향하는 표리면 중 한쪽의 면(표면)은, 임프린트·리소그래피에 사용되는 요철에 의한 패턴(5)이나 메사 구조(6)가 각인되어 있다. 통상, 사각 형상의 기판의 4개의 각부는 곡면 형상으로 가공되어 있으며, 기판은 주측면(4a)과 주측면끼리의 사이를 원활하게 접속하는 곡면상 각부(4d)를 갖는다. 또한, 주측면(4a) 및 곡면상 각부(4d)와 표면(2) 및 이면(3)의 경계에는, 각각 모따기부(4b, 4c)가 형성되어 있다.
본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판은, 상기 측면의 평탄도가 20㎛ 이하, 바람직하게는 10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 기판 측면의 평탄도란, 기판의 측면 표면의 최소 2승 평면을 기준면으로 한 경우에 있어서의 기준면과 측면 표면의 볼록 부분의 거리의 최댓값과, 기준면과 측면 표면의 오목 부분의 거리의 최댓값의 합이며, 수치가 낮을수록 높은 평탄도를 나타낸다. 평탄도의 측정은, 예를 들어 레이저광 등의 코히렌트(coherent)한 광을 기판 표면에 대어 반사시키고, 기판 표면의 높이의 차가 반사광의 위상 어긋남으로서 관측되는 것을 이용한 광학 간섭식의 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어 자이고(Zygo)사제 자이고 마크(Zygo Mark) IVxp 또는 자이고 뉴뷰(Zygo NewView)7300을 사용하여 측정할 수 있다.
기판 측면의 평탄도는, 도 1에 도시하는 주측면(4a)의 평탄도이며, 평탄도의 범위에 곡면상 각부(4d) 및 모따기부(4b, 4c)는 포함하지 않는다. 평탄도의 범위를 엄밀하게 규정하면, 실질적으로 고정밀도로 측정할 수 있는 범위, 즉 주측면(4a)의 주연으로부터 소정 폭을 제외한 각형 범위가 바람직하다. 예를 들어 광학 간섭식의 방법으로 기판 측면의 평탄도의 측정을 행하는 경우, 주연 근방의 범위는 곡면상 각부(4d) 및 모따기부(4b, 4c)에 가깝기 때문에, 산란광의 영향에 의해 평탄도를 정확하게 측정할 수 없는 경우가 있기 때문이다. 이 경우의 소정 폭을 어느 정도로 설정할지는 기판의 사이즈에 따라서도 상이하여 일률적으로는 말할 수 없지만, 예를 들어 주측면(4a)의 길이 방향의 양단으로부터, 길이 방향의 길이의 2％, 바람직하게는 5％, 더욱 바람직하게는 10％의 길이의 폭을, 주측면(4a)의 짧은 방향(폭 방향)의 양단으로부터 짧은 방향의 길이의 5％, 바람직하게는 15％, 더욱 바람직하게는 20％의 길이의 폭을 소정 폭으로서 나눈 각형 범위를 평탄도의 범위로서 규정할 수 있다.
측면의 평탄도가 20㎛를 초과한 임프린트·리소그래피용 각형 기판을 사용하여, 임프린트·리소그래피법에 의해 예를 들어 수지 상에 상기 기판의 요철에 의한 패턴을 전사하는 경우, 이하와 같은 다양한 문제가 일어난다.
예를 들어 임프린트·리소그래피 장치에 배열된 액츄에이터·시스템에 의해 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 측면부의 가압을 행하는 경우, 구비된 복수의 액츄에이터 각각에 있어서 소정의 압력으로 가압할 수 없게 되거나, 기판의 가압부에 상정한 것 이외의 왜곡이 발생하여, 기판의 가압부 만곡이나 변형을 고정밀도로 제어할 수 없게 된다. 그 결과, 예를 들어 피전사용 기판 상의 액적상 수지에 가압을 행하는 경우, 수지 사이에 개재하는 가스를 효율적으로 제어하면서 압출하여 제거할 수 없으며, 가스가 수지 내에 남음으로써 전사한 수지 상의 패턴에 결함이 발생하는 등의 문제가 일어난다. 또한, 기판의 가압부를 고정밀도로 제어하여 변형시킴에 따른 패턴 형상의 다양한 파라미터(배율 특성, 스큐(skew)/직교성 특성 및 사다리꼴 특성 등)의 정정이 잘되지 않아, 원하는 형상 특성을 가진 패턴이 얻어지지 않게 된다. 또한, 각형 기판을 평탄도가 낮은 측면부를 가압하여 파지함으로써, 각형 기판이 경사진 상태로 파지되어, 수지 상에 형성된 패턴 위치가 소정 위치로부터의 어긋남이 발생한다.
또한, 상기 측면끼리 이루는 각도는, 각형 기판의 측면부를 장치가 파지한 경우에도 기판의 회전, 기울기 등이 발생하지 않고, 피전사용 기판의 원하는 위치에 고정밀도로 맞추는 것을 가능하게 하는 관점에서, 바람직하게는 90°±0.1° 이내, 더욱 바람직하게는 90°±0.05° 이내이다. 기판 측면끼리 이루는 각도란, 기판의 측면 표면의 최소 2승 평면끼리 이루는 각도이다. 기판 측면끼리 이루는 각도의 측정은, 예를 들어 SEMI P1-92의 규격에 있어서의 사각형도의 측정 방법에 준하여, 기준이 되는 측면에 대하여 직각이어야 할 측면 표면의 임의의 점에 다이얼 게이지를 접촉시키고, 다이얼 게이지의 값과 측정점간의 거리로부터 각도를 산출하거나 하여 측정할 수 있다.
본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 측면은, 기판의 청정도 및 강도의 관점에서 경면인 것이 바람직하고, 면 조도(Ra)로서 2nm 이하, 특히 0.5nm 이하가 바람직하다. 또한, 면 조도(Ra)는, JIS B0601에 준거하여 측정할 수 있다.
본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 외형은, 취급하기 쉽다는 점에서 각 변 20 내지 300mm, 특히 각 변 50 내지 200mm가 바람직하다. 또한, 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 판 두께는 1 내지 10mm, 특히 3 내지 8mm인 것이 바람직하다. 1mm보다 얇으면, 임프린트·리소그래피에 사용할 때에 유지 방법이나 자중 휨의 영향으로 기판이 변형되기 쉽고, 전사시의 패턴 위치가 부정합이 되거나, 패턴 오차가 발생하는 경우가 있다. 10mm보다 두꺼우면 부피가 증가하기 때문에, 기판이 무거워져 운반이나 취급이 곤란해지거나, 고비용이 되는 경우가 있다.
또한, 각형 기판의 각부에 강도를 가지게 하여, 칩핑, 균열 및 절결을 방지하고, 기판 세정·건조시의 액체 고임, 액체 잔류를 방지하는 관점에서, 곡면상 각부의 곡률 반경(R)은 0.5 내지 10, 보다 바람직하게는 1.5 내지 3.5이다.
여기서, 본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판은 석영 유리, 티타니아 도프 석영 유리, 실리콘(Si), 실리콘 산화막, 폴리디메틸실록산(PDMS), 니켈(Ni), 사파이어나, 이들의 하이브리드 소재를 들 수 있다. 이 중, 석영 유리 기판은 자외선을 투과하는 성질을 갖는 것이기 때문에, 수지층을 경화시키기 위해 자외선을 이용하는 임프린트·리소그래피에 이용되는 경우가 많다. 또한, 석영 유리는 가시광 영역에 있어서도 투명하기 때문에, 전사시의 위치 정렬도 하기 쉽다는 이점도 있다.
본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 표면에는, 요철에 의한 패턴을 각인하기 위한 금속 박막 또는 레지스트막을 갖고 있을 수도 있다. 금형 기판에 패턴을 형성할 때에는 EB 묘화 장치를 사용하지만, 그전에 금속 박막이나 레지스트막을 도포하여 두는 것이 바람직하다. 금속 박막 또는 레지스트막은, 통상법에 따라 5nm 내지 5㎛ 두께의 막을 형성할 수 있다.
본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 금형용 기판은, 도 3 내지 5에 도시한 바와 같이, 이면(3)에 비관통의 구멍(7) 또는 홈(8)을 갖고 있을 수도 있다. 비관통의 구멍(7)이나 홈(8)은, 노광 장치나 나노임프린트 장치에 조입하기 위해, 장치의 형태나 용도에 맞춰서 제조되는 것이다.
또한, 비관통의 구멍의 형상은, 평면 형상이 원 형상, 타원 형상, 장원 형상, 사각 형상, 다각형 형상으로 할 수 있지만, 도 3(A) 및 도 4에 도시한 바와 같은 원 형상이 바람직하다. 그의 크기는, 원 형상이면 직경, 타원 형상이나 장원 형상이면 장경, 각 형상이면 대각 길이가 5 내지 150mm인 것이 바람직하다. 홈의 경우에는, 도 3(B) 및 도 5에 도시한 바와 같이, 양 측벽(8a, 8b)가 서로 평행한 평면에 형성하는 것이 바람직하지만, 양 측벽이 평행하지 않을 수도 있고, 한쪽 또는 양쪽의 측벽이 직선 형상이 아닌 곡면일 수도 있다.
이어서, 본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명에 있어서는, 기판 측면이 연삭에 의해 가공된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 측면 중앙부 영역에 대하여, 수직 방향으로 일정 압력으로 회전 연마 패드를 누르면서, 회전 연마 패드와 각형 기판을 상대적으로 측면에 대하여 평행 이동시켜, 각형 기판의 측면의 길이 방향 중앙부 영역을 연마한다.
회전 연마 패드는, 그의 연마 가공부가 연마 가능한 회전체이면 어떠한 것이어도 상관없지만, 원반상의 지지체에 연마 가공부로서 연마천 등을 접착시킨 것 등을 들 수 있다.
회전 연마 패드의 연마 가공부의 재질로서는, 발포 폴리우레탄, 산화세륨 함침 폴리우레탄, 산화지르코늄 함침 폴리우레탄, 부직포, 스웨이드, 고무, 양모 펠트 등, 피가공물을 가공 제거할 수 있는 것이면 종류는 한정되지 않는다.
회전 연마 패드를 각형 기판 측면에 일정 압력으로 누르는 방법으로서는, 공기압 피스톤(pneumatic piston), 로드셀 등의 가압 기구를 사용하는 방법을 들 수 있다.
측면 및 곡면상 각부 및 모따기부를 연마하는 경우의 연마 압력은, 모두 바람직하게는 1 내지 1,000,000Pa(1MPa), 보다 바람직하게는 1,000 내지 100,000Pa(0.1MPa)이다.
회전 연마 패드와 각형 기판을 상대적으로 기판 측면에 대하여 평행 이동시키는 방법은, 각형 기판을 기판 유지대 상에 기판 측면과 이동축선이 평행이 되도록 세팅하고, 기판 유지대에 고정하는 방법을 들 수 있다. 여기서, 이동축선이란, 직선 상을 이동하는 회전 연마 패드의 이동축선 또는 기판 유지대의 이동축선을 나타낸다. 구체적인 방법으로서는, 도 6에 도시한 바와 같은 위치 결정 지그를 사용하는 방법을 들 수 있다. 위치 결정 지그(11)는 볼트나 마이크로미터 등의 기구에 의해 돌출량(13)을 조절할 수 있는 위치 결정 핀(12)을 갖고, 위치 결정 핀의 돌출량은 위치 결정 핀의 선단끼리를 연결한 직선(14)이 상기 이동축선과 평행이 되도록, 마이크로 피크 등을 사용하여 각각 조절된다. 각형 기판(16)은 기판 유지대(15) 상에 위치 결정 지그의 위치 결정 핀에 측면을 대면서 세팅하고, 그 후 고정된다. 각형 기판을 고정하는 방법으로서는, 진공 흡착, 메커니컬 클램프, 영구 자성 척킹(chucking), 전자 척킹 등을 들 수 있다. 고정하는 각형 기판은 고정용 받침대 기판 등과 왁스, 접착제, UV 경화 수지, 시일 등에 의해 접착되어 있을 수도 있고, 고정용 받침대 기판을 상기 방법으로 고정하는 것으로 할 수도 있다.
상기 회전 연마 패드에 의한 연마를 행하는 경우, 연마 지립 슬러리를 개재시킨 상태에서 연마 가공을 행하는 것이 바람직하다.
이 경우, 연마 지립으로서는, 실리카, 세리아, 알런덤(alundum), 화이트 알런덤(WA), FO(알루미나), 지르코니아, SiC, 다이아몬드, 티타니아, 게르마니아 등을 들 수 있으며, 그의 입도는 10nm 내지 10㎛가 바람직하고, 이들의 물 슬러리를 적절하게 사용할 수 있다.
회전 연마 패드는 원반의 외주에 가까운 영역의 연마량이 중앙부에 비해 많기 때문에, 각형 기판 측면의 모든 부분에 대하여 일정 압력, 일정 속도로 연마하면, 측면의 길이 방향 단부 영역의 연마량이 길이 방향 중앙부 영역에 비교하여 많아지고, 측면이 볼록 형상의 능선 형상이 될 가능성이 생긴다. 따라서, 본 발명에 있어서는 회전 연마 패드와 각형 기판의 상대적인 평행 이동에 있어서의 이동 속도를 연마 위치에 따라 변화시켜 연마를 행한다. 보다 바람직하게는, 회전 연마 패드의 중심이 각형 기판의 측면 길이 방향 중앙부 영역에 위치할 때의 이동 속도보다도, 측면 길이 방향 단부 영역에 위치할 때의 이동 속도를 빠르게 하여 연마하는 방법이 바람직하다. 측면 단부 영역을 측면 중앙부 영역보다도 빠른 이동 속도로 연마함으로써, 측면 단부 영역의 연마량이 측면 중앙부 영역의 연마량에 비해 적어지고, 단부 영역이 중앙부 영역에 비해 과잉으로 연마되는 것을 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 측면 단부 영역은, 기판의 한 측면의 길이를 100으로 한 경우, 상기 한 측면의 일단부측 및 타단부측의 길이가 각각 25 이하, 특히 15 내지 25 범위의 영역이며, 중앙부 영역은 이들 양단부 영역간의 50 이상, 특히 50 내지 70 범위의 영역인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 일단부측 및 타단부측의 길이가 각각 30 이하, 특히 10 내지 30 범위의 영역이며, 중앙부 영역이 양단부 영역간의 40 이상, 특히 40 내지 80 범위의 영역이다.
또한, 회전 연마 패드와 각형 기판의 상대적인 평행 이동시의 이동 속도를, 각형 기판의 측면의 요철 상태에 따라 변화시켜 연마를 행할 수 있다. 예를 들어 연마를 행하기 전의 각형 기판의 측면의 평탄도를 미리 측정해 두고, 측면의 요철 형상에 따라 이동 속도를, 오목부에 있어서의 이동 속도를 빠르게, 볼록부에 있어서의 이동 속도를 느리게 하는 등 하여 변화시켜 제어함으로써, 평탄한 측면을 얻는 것이 가능해진다.
상기 회전 연마 패드에 의한 연마에 있어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 경우에 따라서는 회전 연마 패드와 각형 기판을 상대적으로 기판 측면의 폭 방향에 따라 이동(도면에 있어서 상하로 요동)시키면서 상기 이동 축선에 따라 평행 이동(지그재그 이동)시킬 수도 있다. 상하의 요동은, 각형 기판 측면의 폭 방향과 평행한 직선 상을 이동시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상하의 요동 폭은, 회전 연마 패드가 각형 기판 측면과 접촉하는 범위인 것이 바람직하다. 상하의 요동 이동을 동반하여 상기 평행 이동을 행하여 연마함으로써, 각형 기판 측면에 회전 연마 패드의 회전 궤적에 따라 형성되는 연마 자국을 감소시킬 수 있다. 도 7은 각형 기판의 위치를 고정하여, 회전 연마 패드를 상하로 요동 이동시키는 방식의 일례를 나타낸다. 회전 연마 패드(21)는 각형 기판(16)의 측면의 폭 방향과 평행한 직선(41) 상을 상하로 왕복 이동하여, 요동 이동한다. 도 7은 요동 폭(42)의 상단부 및 하단부에 달한 시점의 회전 연마 패드의 위치를 나타내고 있으며, 요동 폭(42)은 회전 연마 패드가 각형 기판 측면에 접촉하는 범위가 되어 있다.
상기 회전 연마 패드에 의한 연마에 있어서, 각형 기판의 한 측면의 연마를 행한 후에 상기 기판을 순차 90°씩 회전시키고, 나머지 측면을 연마함으로써, 각형 기판의 4개의 측면 전부를 연마하는 방법이 가공 정밀도, 생산성의 면에서 바람직하다. 기판을 90°씩 회전시키는 방법으로서는, 하스 커플링이나 로터리 인코더에 의한 정밀 위치 결정 기능을 갖는 회전 기구에 의해 각형 기판을 고정한 기판 유지대를 회전시키는 방식을 들 수 있다.
상기 각형 기판은, 상기 회전 연마 패드에 의한 연마를 실시하는 전단계로서, 연삭 가공에 의해 측면이 연삭된 기판을 사용한다. 연삭 가공에 의한 측면 형성 방법은, 예를 들어 머시닝 센터나 그 밖의 수치 제어 공작 기계를 사용하여, 균열, 금, 심한 칩핑 등이 발생하지 않는 연삭 조건으로 지석을 회전, 이동시키고, 피연삭 대상인 각형 기판에 연삭을 실시하고, 소정의 사이즈의 측면을 형성하여 행한다. 이때, 경우에 따라서는 곡면상 각부 및 모따기부도, 측면과 마찬가지로 하여 연삭 가공에 의해 형성할 수도 있다.
연삭 가공은, 다이아몬드 지립, CBN 지립 등을 전착 또는 메탈 본드로 고정한 지석을 사용하여, 주축 회전수 100 내지 30,000rpm, 특히 1,000 내지 15,000rpm, 연삭 속도 1 내지 10,000mm/분, 특히 10 내지 1,000mm/분으로 행하는 것이 가공 정밀도, 생산성의 면에서 바람직하다.
상기 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 곡면상 각부 및 모따기부는 연마에 의해 경면화되어 있는 것이 강도 유지, 청정도의 면에서 바람직하다. 곡면상 각부 및 모따기부의 연마는 측면에 대하여 가능한 한 접촉하지 않고, 측면의 가공 정밀도에 영향을 주지 않는 방법으로 행해지는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 연마제 슬러리를 공급하면서, 회전 연마 패드를 일정 압력으로 누르면서, 곡면상 각부 및 모따기부의 형상을 따르도록 이동시키면서 행하는 방법을 들 수 있다. 회전 연마 패드에 의한 연마를 행하는 경우, 연마 지립 슬러리를 개재시킨 상태로 가공을 행하는 것이 바람직하다. 회전 연마 패드, 가압 방식, 연마 지립 슬러리는 상기 측면 연마의 경우와 마찬가지로 행할 수 있다.
본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판은, 기판 표면에 요철에 의한 패턴이 각인되어 있다. 요철에 의한 패턴을 각인하는 방법은, 기판의 소정 부분을 제거하는 방법이면 무엇이든지 상관없고, 레이저 가공, 웨트 에칭, 드라이 에칭, 포토리소그래피, 나노임프린트·리소그래피 등을 들 수 있다. 이하에 요철 패턴의 각인 방법의 예를 들지만, 제작 방법은 하기 방법으로 한정되는 것은 아니다.
(나노 레벨의 요철 패턴)
상하로 대향하는 표리면 및 4개의 측면을 갖는 각형 기판의 한쪽면(표면) 전체면에 금속 박막을 형성한다. 성막 방법은, 예를 들어 스퍼터링 성막법이나 증착 성막법을 사용할 수 있다. 금속 박막은 단층이어도 복수층으로 이루어져도 상관없다. 일례로서 크롬 박막을 들 수 있다. 이어서 금속 박막 상에 예를 들어 전자선 묘화용 레지스트 재료를 도포하고, 소정의 온도, 시간으로 베이크 처리를 실시하여, 레지스트막을 형성한다.
또한, 전자 묘화 장치 등을 사용하여, 상기 레지스트막에 소정의 패턴을 묘화한 후, 레지스트막을 현상한다. 에칭 가공에 의해 소정의 패턴의 금속 박막을 제거한다. 에칭 가공 후, 잔존하는 레지스트막은 제거할 수도 있다. 이어서, 상기 기판에 대하여 에칭 가공을 행하여 기판 상에 요철 패턴을 각인한다. 여기에서의 에칭 가공은, 예를 들어 나노 레벨의 요철 패턴을 형성하는 경우, 가공 정밀도의 면에서 드라이 에칭인 것이 바람직하다.
(몰드용 메사 구조)
상하로 대향하는 표리면 및 4개의 측면을 갖는 각형 기판의 한쪽면(표면) 전체면에 금속 박막을 형성한다. 성막 방법은 상기한 방법과 동일할 수도 있다. 또한, 기판 표면에는 예를 들어 상기 방법에 의한 나노 레벨의 요철 패턴 등의 요철 형상이 각인되어 있을 수도 있다.
이어서, 금속 박막 상에, 예를 들어 포토레지스트 재료를 도포하고, 소정의 온도, 시간으로 베이크 처리를 실시하여, 레지스트막을 형성한다.
상기 레지스트막 상에 예를 들어 노광 장치를 사용한 포토리소그래피법에 의해 메사 형성용의 레지스트 패턴을 형성한다. 구체적으로는, 예를 들어 메사 패턴을 가진 포토마스크를 세팅한 노광 장치에 기판을 도입하고, 자외선에 의한 노광을 행하고, 그 후에 현상한다. 이어서, 웨트 에칭 등의 방법으로, 상기 메사 형성용 레지스트 패턴으로 보호되어 있는 부분 이외의 크롬 박막을 제거한다. 또한, 상기 기판에 대하여 에칭 가공을 행하고, 메사 구조를 형성한다. 여기에서의 에칭 가공은, 기판을 에칭할 수 있는 방법이면 웨트 에칭 및 드라이 에칭 중 어느 것이어도 된다.
마찬가지의 방법으로 얼라인먼트 마크 등, 밀리부터 마이크로 레벨의 구조체를 기판 상에 형성할 수 있다.
본 발명의 임프린트·리소그래피용 각형 기판은, 이면에 비관통의 구멍 또는 홈을 갖고 있을 수도 있다. 비관통의 구멍 또는 홈의 가공 방법은, 예를 들어 머시닝 센터나 그 밖의 수치 제어 공작 기계를 사용하여, 기판의 가공면에 균열, 금, 심한 칩핑 등이 발생하지 않는 연삭 조건으로 지석을 회전, 이동시키고, 소정의 사이즈, 깊이의 비관통의 구멍 또는 홈의 연삭을 실시하여 행한다.
구체적으로는, 다이아몬드 지립, CBN 지립 등을 전착 또는 메탈 본드로 고정한 지석을 사용하여, 주축 회전수 100 내지 30,000rpm, 특히 1,000 내지 15,000rpm, 연삭 속도 1 내지 10,000mm/분, 특히 10 내지 1,000mm/분으로 연삭하는 것이 바람직하다.
비관통의 구멍 또는 홈의 저면 및 측면의 연삭 가공면은 필요에 따라 연마된다. 연삭 가공면의 가공 변질층을 제거하여 연삭에 의한 잔류 응력을 제거함으로써, 잔류 응력이 야기하는 기판의 형상 변화를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 비관통의 구멍 또는 홈의 저면 및 측면이 연마되어 있지 않으면 세정에 의해 오염을 완전히 제거하는 것이 곤란해지고, 전부 제거할 수 없었던 오염에 의해 패턴이 오염되거나 하는 경우가 발생하여 바람직하지 않다. 또한 이와 같이 비관통의 구멍 또는 홈의 저면 및 측면을 연마함으로써, 저면의 강도는 크게 증가한다.
비관통의 구멍 또는 홈의 저면 및 측면의 각각의 연삭면을 연마하는 방법은, 예를 들어 연삭면에서 회전 연마 툴의 연마 가공부에 소정 압력으로 접촉시켜, 소정의 속도로 상대적으로 이동시켜 행한다.
상기 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면을 연마할 때에, 연마된 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면에 회전 연마 툴의 연마 가공부를 각각 독립된 일정 압력으로 접촉시켜 측면 및 저면의 연삭면을 연마할 수 있다.
회전 연마 툴은, 그의 연마 가공부가 연마 가능한 회전체이면 어떠한 것이어도 상관없지만, 툴 척킹부를 가진 스핀들(spindle), 류터(Leutor)에 연마 툴을 장착시키는 방식 등을 들 수 있다.
연마 툴의 재질로서는, 적어도 그의 연마 가공부가 GC 지석, WA 지석, 다이아몬드 지석, 세륨 지석, 세륨 패드, 고무 지석, 펠트 버프, 폴리우레탄 등, 피가공물을 가공 제거할 수 있는 것이면 종류는 한정되지 않는다.
상술한 비관통의 구멍 또는 홈의 저면 및 측면의 연삭면에 회전 연마 툴의 연마 가공부를 접촉시켜 연마를 행하는 경우, 연마 지립 슬러리를 개재시킨 상태에서 가공을 행하는 것이 바람직하다.
이 경우, 연마 지립으로서는, 실리카, 세리아, 알런덤, 화이트 알런덤(WA), FO, 지르코니아, SiC, 다이아몬드, 티타니아, 게르마니아 등을 들 수 있으며, 그의 입도는 10nm 내지 10㎛가 바람직하고, 이들의 물 슬러리를 적절하게 사용할 수 있다.
상기와 같이 하여 연마하여 얻어지는 비관통의 구멍 또는 홈의 저면 및 측면은, 광 투과의 관점에서 면 조도(Ra)가 2nm 이하, 특히 1nm 이하의 경면인 것이 바람직하다. 또한, 면 조도 Ra는 JIS B0601에 준거한 값이다.
비관통의 구멍 또는 홈을 형성하는 공정은, 연삭에 의해 측면을 형성하는 공정 전후, 또는 연삭된 측면을 연마하는 공정 후 중 어느 것이어도 상관없지만, 가공의 용이함, 능률의 면에서 비관통의 구멍 또는 홈의 연삭을 행하는 공정은 측면의 연삭을 행하는 공정의 직전 또는 직후에, 연삭된 비관통의 구멍 또는 홈의 연마를 행하는 공정은 연삭된 측면의 연마를 행하는 공정의 직전 또는 직후에 행하는 것이 바람직하다.
[실시예]
이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
각주 블록 형상으로 성형한 합성 석영 잉곳 원료에 대하여 슬라이스 가공을 행하고, 외형 각 변 160.0mm, 판 두께 6.50mm의 판상의 각형 기판을 얻었다.
상기 각형 기판을 휠 연삭 장치에 도입하고, 다이아몬드 지립 부착 연삭 휠에 의한 각 측면 및 모따기부의 연삭 가공을 행하여, 외형이 각 변 152.0mm이며, 곡률 반경(R)이 2.5mm인 곡면상 각부 및 모따기부를 갖는 사각 형상의 각형 기판을 얻었다.
이어서, 랩핑 가공을 행하고, 서로 대향하는 표면과 이면의 2개의 면이 불투명 유리면(면 거칠기: RMS=0.32㎛)인 합성 석영 유리 기판을 얻어 각형 기판으로 하였다.
상기 합성 석영 유리 기판을 도 8(A)에 개요를 나타내는 측면 경면화 장치에 도입하고, 장치 내의 기판 유지대(15)의 진공 흡착 파지부에, 위치 결정 지그(11)의 위치 결정 핀(12)에 측면을 대면서, 측면과 회전 연마 패드(52)의 이동 축(51)이 평행이 되도록 세팅하고, 진공 흡착 파지부를 작동시켜 합성 석영 유리 기판을 기판 유지대에 고정하였다. 그 후, 위치 결정 지그는, 연마의 방해가 되지 않는 장소까지 이동시켜, 장치 내에 수납하였다.
그 후, 상기 합성 석영 유리 기판의 곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 연마를 행하였다. 연마시의 측면 경면화 장치의 개요를 도 8(B)에 나타낸다.
상기 곡면상 각부 및 모따기부의 연마는, 연마제 슬러리를 공급하면서, 회전 연마 패드(54)를 0.02MPa의 일정 압력으로 누르면서, 곡면상 각부 및 모따기부의 형상에 따르도록 이동시키면서 행하였다. 연마에는 공기압 피스톤 가압 기구(55) 부착 회전 연마 패드(54)를 암 선단에 구비한 5축 다관절 로봇(56)을 사용하였다. 연마제 슬러리에는 산화세륨 수용액을, 회전 연마 패드(54)의 연마 가공부에는 폴리우레탄계 연마 천을 사용하였다.
상기 기판 측면의 연마는, 연마제 슬러리를 공급하면서, 회전 연마 패드(52)를 0.04MPa의 일정 압력으로 측면에 대하여 수직 방향으로 누르면서, 또한 측면에 대하여 평행하게 길이 방향으로 왕복 이동시키면서, 동시에 짧은 방향(폭 방향)으로 요동시켜 행하였다. 왕복 이동시에 연마 패드의 중심이 측면의 길이 방향 단부 영역에 왔을 때에는, 연마 패드의 이동 속도를 길이 방향 중앙부 영역의 이동 속도보다도 빠르게 하여 연마를 행하였다. 연마제 슬러리에는 산화세륨 수용액을, 회전 연마 패드(52)의 연마 가공부에는 부직포계 연마천을 사용하였다.
상기 곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 연마는, 합성 석영 유리 기판을 하스 커플링에 의한 정밀 위치 결정 기능을 갖는 회전 기구에 의해 90°씩 회전시켜, 순서대로 연마하였다. 연마의 순서는 곡면상 각부의 모따기부, 곡면상의 각부, 측면의 모따기부, 측면의 순서로 행하였다.
곡면상 각부, 모따기부 및 측면 전부의 연마가 완료된 후, 진공 흡착 파지부로부터 합성 석영 유리 기판을 취출하였다. 기판의 외형은 각 변 151.980mm가 되었다.
이어서, 상기 합성 석영 유리 기판의 표리면을 산화세륨을 사용하여 조연마를 행하고, 콜로이달 실리카를 사용하여 정밀 연마를 행하여, 서로 대향하는 표면과 이면의 2개의 면이 평활하면서도 저결함으로 경면화된 합성 석영 유리 기판을 얻었다. 기판의 판 두께는 6.35mm가 되었다.
이 합성 석영 유리 기판의 표면 전체면에 스퍼터링 성막 장치에 의해 크롬 박막을 형성하였다. 이어서, 크롬 박막 상에 전자선 묘화용 레지스트(ZEP720A: 닛본 제온제)를 스핀 코터에 의해 도포하고, 소정의 온도, 시간으로 베이크 처리를 실시하여, 레지스트막을 형성하였다.
이어서, 전자 묘화기를 사용하여, 상기 레지스트막에 라인 앤드 스페이스 패턴을 묘화한 후, 레지스트막의 현상, 염소 가스를 사용한 드라이 에칭에 의한 크롬 박막의 제거, CHF3 가스를 사용한 드라이 에칭을 거쳐서 합성 석영 유리 기판 상에 요철 패턴을 형성하고, 도 1에 도시하는 표면에 하프 피치 20nm의 라인 앤드 스페이스 요철 패턴이 각인된 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판을 얻었다.
상기 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 각 측정의 측정 결과는 하기와 같이 되었다.
(측면의 평탄도)
4면의 측정 결과
3.5㎛, 3.5㎛, 2.9㎛, 3.5㎛
(인접하는 측면끼리 이루는 각도)
4개소 모두 90°±0.04° 이내
(측면의 표면 거칠기)
Ra=0.15nm
각 측정에는 하기의 장치를 사용하였다.
측면의 평탄도: 자이고 뉴뷰7300
인접하는 측면끼리 이루는 각도: 다이얼 게이지
측면의 표면 거칠기: 원자간력 현미경
[실시예 2]
서로 대향하는 표면과 이면의 2개의 면이 정밀하게 연마되어, 브러시 연마에 의해 경면화된 측면, 곡면상 각부 및 모따기부를 갖는 외형 각 변 153.0mm, 판 두께 6.35mm의 사각 형상의 합성 석영 유리 각형 기판을 원료 기판으로서 준비하였다.
이 합성 석영 유리 기판의 표면 전체면에 스퍼터링 성막 장치에 의해 크롬 박막을 형성하였다. 이어서, 크롬 박막 상에 포지티브형 포토레지스트(AZP1350: AZ 일렉트로닉 머티리얼즈사제)를 스핀 코터에 의해 도포하고, 소정의 온도, 시간으로 프리베이크 처리를 실시하여, 레지스트막을 형성하였다.
포토마스크를 세팅한 노광 장치에 상기 합성 석영 유리 기판을 도입하고, 파장 자외선에 의한 노광을 행하였다. 포토마스크에는, 중앙에 26mm×33mm의 사각 형상의 메사 패턴을 가진 유리제 포토마스크 기판을 사용하였다.
이어서, 상기 합성 석영 유리 기판을 노광 장치로부터 취출하고, 현상을 행하여, 메사 형성용의 레지스트 패턴을 형성하였다. 그리고, 상기 합성 석영 유리 기판에 대하여, 질산 제2세륨 암모늄 수용액에 의한 크롬 에칭을 행하여, 상기 메사 형성용 레지스트 패턴으로 보호되어 있는 부분 이외의 크롬 박막을 제거하였다. 또한, 상기 합성 석영 유리 기판에 대하여, 불산 수용액에 의한 웨트 에칭을 행하여, 상기 레지스트 패턴으로 보호되고 있는 부분 이외의 합성 석영을 제거하였다. 또한, 아세톤에 의해 레지스트막을 제거하고, 표면이 크롬 박막으로 성막된 높이가 30㎛ 정도인 메사 구조를 형성하였다.
이어서, 표면을 위로 한 상태에서 상기 합성 석영 유리 기판을 SUS제의 받침대판 상에 시프트 왁스에 의해 접착하였다.
상기 받침대판과 접착한 합성 석영 유리 기판을 머시닝 센터에 도입하고, 머시닝 센터의 가공 테이블 상에 설치한 마그네틱 척(magnetic chuck) 장치 상에 고정하였다. 그 후, 다이아몬드 지립 부착 지석에 의한 측면 및 모따기부의 연삭 가공을 행하여, 외형이 각 변 152.0mm이며, R: 2.5mm인 곡면상 각부 및 모따기부를 갖는 사각 형상의 각형 기판을 형성하였다. 그 후, 합성 석영 유리 기판을 접착시킨 받침대판마다 취출하였다.
상기 받침대판과 접착한 합성 석영 유리 기판을 도 8(A)에 나타내는 측면 경면화 장치에 도입하고, 장치 내의 기판 유지대(15)의 마그네틱 척 장치에, 위치 결정 지그(11)의 위치 결정 핀(12)에 기판의 측면을 대면서 기판의 측면과 회전 연마 패드(52)의 이동 축(51)이 평행이 되도록 세팅하고, 마그네틱 척 장치를 작동시켜 합성 석영 유리 기판을 고정하였다.
그 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 상기 합성 석영 유리 기판의 곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 연마를 행하였다.
곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 모든 연마가 완료된 후, 마그네틱 척 장치로부터 받침대판과 접착한 합성 석영 유리 기판을 취출하였다. 이어서, 가열에 의해 시프트 왁스를 용해시켜, 합성 석영 유리 기판을 받침대판으로부터 제거하였다. 그 후, 기판의 세정을 행하고, 도 2에 도시하는 표면에 26mm×33mm, 높이 30㎛의 사각 형상의 메사 구조가 각인된 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판을 얻었다.
상기 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 각 측정의 측정 결과는 하기와 같이 되었다. 각 측정에는 실시예 1과 마찬가지의 장치를 사용하였다.
(측면의 평탄도)
4면의 측정 결과
1.9㎛, 2.5㎛, 1.9㎛, 2.1㎛
(인접하는 측면끼리 이루는 각도)
4개소 모두 90°±0.04° 이내
(측면의 표면 거칠기)
Ra=0.17nm
[실시예 3]
서로 대향하는 표면과 이면의 2개의 면이 정밀하게 연마되어, 브러시 연마에 의해 경면화된 측면, 곡면상 각부 및 모따기부를 갖는 외형 각 변 152.0mm, 판 두께 6.35mm의 사각 형상의 합성 석영 유리 각형 기판을 원료 기판으로서 준비하였다.
이 합성 석영 유리 기판의 표면 전체면에 스퍼터링 성막 장치에 의해 크롬 박막을 형성하였다. 이어서, 크롬 박막 상에 전자선 묘화용 레지스트(ZEP720A: 닛본 제온제)를 스핀 코터에 의해 도포하고, 소정의 온도, 시간으로 베이크 처리를 실시하여, 레지스트막을 형성하였다.
이어서, 전자 묘화기를 사용하여 상기 레지스트막에 라인 앤드 스페이스 패턴을 묘화한 후, 레지스트막의 현상, 염소 가스를 사용한 드라이 에칭에 의한 크롬 박막의 제거, CHF3 가스를 사용한 드라이 에칭을 거쳐서 합성 석영 유리 기판 상에 요철 패턴을 형성하였다.
상기 각형 기판을 다이싱 장치에 도입하고, 다이아몬드 지립 부착 다이싱 블레이드에 의한 절단 가공을 행하여, 외형이 각 변 75.0mm인 판상의 각형 기판을 얻었다.
이어서, 표면을 아래로 한 상태에서, 상기 합성 석영 유리 기판을 SUS제의 받침대판 상에 시프트 왁스에 의해 접착하였다.
상기 받침대판과 접착한 합성 석영 유리 기판을 머시닝 센터에 도입하고, 머시닝 센터의 가공 테이블 상에 설치한 마그네틱 척 장치 상에 고정하였다. 그 후, 다이아몬드 지립 부착 지석에 의한 측면, 모따기부 및 비관통의 구멍의 연삭 가공을 행하여, 외형이 각 변 70.0mm이며, R: 1.0mm인 곡면상 각부 및 모따기부를 갖고, 직경 50mm, 깊이 4mm의 원형의 비관통의 구멍을 갖는 사각 형상의 각형 기판을 형성하였다. 그 후, 합성 석영 유리 기판을 접착시킨 받침대판마다 취출하였다.
그 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 상기 합성 석영 유리 기판의 곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 연마를 행하였다.
곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 모든 연마가 완료된 후, 마그네틱 척 장치로부터 받침대판과 접착한 합성 석영 유리 기판을 취출하였다. 이어서, 합성 석영 유리 기판을 기판 유지대에 고정하여, 산화세륨계 연마제 슬러리를 공급하면서, 500rpm으로 회전하는 직경 50mmφ, 높이 30mm의 양모 펠트 버프를 비관통의 구멍의 저면에 3,500Pa, 측면에 2,000Pa로 누르고, 기판 유지대를 10rpm으로 회전시켜 60분간 연마하고, 비관통의 구멍의 저면 및 측면의 연삭면을 경면 가공하였다.
이어서, 가열에 의해 시프트 왁스를 용해시켜, 합성 석영 유리 기판을 받침대판으로부터 제거하였다. 그 후, 기판의 세정을 행하여, 도 4(A) 및 (C)에 나타내는 표면에 하프 피치 20nm의 라인 앤드 스페이스 요철 패턴이 각인되고, 이면에 원형의 비관통의 구멍을 가진 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판을 얻었다.
상기 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 각 측정의 측정 결과는 하기와 같이 되었다. 각 측정에는 실시예 1과 마찬가지의 장치를 사용하였다.
(측면의 평탄도)
4면의 측정 결과
1.7㎛, 2.1㎛, 2.3㎛, 1.9㎛
(인접하는 측면끼리 이루는 각도)
4개소 모두 90°±0.04° 이내
(측면의 표면 거칠기)
Ra=0.21nm
[실시예 4]
서로 대향하는 표면과 이면의 2개의 면이 정밀하게 연마되며, 브러시 연마에 의해 경면화된 측면, 곡면상 각부 및 모따기부를 갖는 외형 각 변 153.0mm, 판 두께 6.35mm의 사각 형상의 합성 석영 유리 각형 기판을 원료 기판으로서 준비하였다.
이 합성 석영 유리 기판의 표면 전체면에 스퍼터링 성막 장치에 의해 크롬 박막을 형성하였다. 이어서, 크롬 박막 상에 포지티브형 포토레지스트(AZP1350: AZ 일렉트로닉 머티리얼즈사제)를 스핀 코터에 의해 도포하고, 소정의 온도, 시간으로 프리베이크 처리를 실시하여, 레지스트막을 형성하였다.
포토마스크를 세팅한 노광 장치에 상기 합성 석영 유리 기판을 도입하고, 파장 자외선에 의한 노광을 행하였다. 포토마스크에는, 중앙에 26mm×33mm의 사각 형상의 메사 패턴을 가진 유리제 포토마스크 기판을 사용하였다.
이어서, 상기 합성 석영 유리 기판을 노광 장치로부터 취출하고, 현상을 행하여, 메사 형성용의 레지스트 패턴을 형성하였다. 그리고, 상기 합성 석영 유리 기판에 대하여, 질산 제2세륨 암모늄 수용액에 의한 크롬 에칭을 행하여, 상기 메사 형성용 레지스트 패턴으로 보호되어 있는 부분 이외의 크롬 박막을 제거하였다. 또한, 상기 합성 석영 유리 기판에 대하여, 불산 수용액에 의한 웨트 에칭을 행하여, 상기 레지스트 패턴으로 보호되어 있는 부분 이외의 합성 석영을 제거하였다. 또한, 아세톤에 의해 레지스트막을 제거하고, 표면이 크롬 박막으로 성막된 높이가 30㎛ 정도인 메사 구조를 형성하였다.
이어서, 표면을 아래로 한 상태에서 상기 합성 석영 유리 기판을 SUS제의 받침대판 상에 시프트 왁스에 의해 접착하였다.
상기 받침대판과 접착한 합성 석영 유리 기판을 머시닝 센터에 도입하고, 머시닝 센터의 가공 테이블 상에 설치한 마그네틱 척 장치 상에 고정하였다. 그 후, 다이아몬드 지립 부착 지석에 의한 측면, 모따기부 및 홈의 연삭 가공을 행하여, 외형이 각 변 152.0mm이며, R: 2.5mm인 곡면상 각부 및 모따기부를 갖고, 깊이 3mm, 폭 30mm, 길이 152mm인 단부면과 평행한 홈을 갖는 사각 형상의 각형 기판을 형성하였다. 그 후, 합성 석영 유리 기판을 접착시킨 받침대판마다 취출하였다.
그 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 상기 합성 석영 유리 기판의 곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 연마를 행하였다.
곡면상 각부, 모따기부 및 측면의 모든 연마가 완료된 후, 마그네틱 척 장치로부터 받침대판과 접착한 합성 석영 유리 기판을 취출하였다. 이어서, 합성 석영 유리 기판을 기판 유지대에 고정하여, 산화세륨계 연마제 슬러리를 공급하면서, 1,000rpm으로 회전하는 직경 30mmφ, 높이 30mm의 양모 펠트 버프를 홈 저면에 2,000Pa, 한쪽의 측면에 2,000Pa로 누르고, 기판 유지대를 50mm/분으로 5회 왕복 이동시켜, 홈 저면 및 다른 한쪽의 측면에 상기와 동일한 압력으로 눌러 기판 유지대를 50mm/분으로 5회 왕복 이동시켜 경면 가공하였다.
이어서, 가열에 의해 시프트 왁스를 용해시키고, 합성 석영 유리 기판을 받침대판으로부터 제거하였다. 그 후, 기판의 세정을 행하여, 도 5(B) 및 (D)에 나타내는 표면에 26mm×33mm, 높이 30㎛의 사각 형상의 메사 구조가 각인되고, 이면에 홈을 가진 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판을 얻었다.
상기 합성 석영 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 각 측정의 측정 결과는 하기와 같이 되었다. 각 측정에는 실시예 1과 마찬가지의 장치를 사용하였다.
(측면의 평탄도)
4면의 측정 결과
3.1㎛, 3.1㎛, 2.6㎛, 2.5㎛
(인접하는 측면끼리 이루는 각도)
4개소 모두 90°±0.04° 이내
(측면의 표면 거칠기)
Ra=0.19nm
1 각형 기판
2 표면
3 이면
4 측면
4a 측면
4b 측면 모따기부
4c 측면 모따기부
4d 곡면상 각부
5 요철에 의한 패턴
6 메사 구조
7 비관통의 구멍
8 홈
11 위치 결정 지그
12 위치 결정 핀
13 위치 결정 핀의 돌출량
14 위치 결정 핀의 선단끼리 연결한 직선
15 기판 유지대
16 각형 기판
21 회전 연마 패드
22 로크 기구 부착 가압 기구
23 회전축
24 피연마물
31 각형 기판 측면의 중앙부 영역
32 각형 기판 측면의 단부 영역
33 회전 연마 패드의 이동 방향
41 각형 기판의 측면의 폭 방향과 평행한 직선
42 회전 연마 패드의 요동 폭
51 회전 연마 패드의 이동 축
52 회전 연마 패드
53 공기압 피스톤 가압 기구
54 회전 연마 패드
55 공기압 피스톤 가압 기구
56 5축 다관절 로봇

Claims (14)

  1. 기판 측면이 연삭에 의해 가공된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 측면에 대하여, 수직 방향으로 일정 압력으로 회전 연마 패드를 상기 연마 패드의 회전축이 상기 측면에 직교하도록 누르면서 회전 연마 패드와 상기 각형 기판을 상대적으로 상기 회전축이 상기 측면에 대하여 평행이 되도록 이동시켜, 상기 각형 기판의 측면을 연마함에 있어서 회전 연마 패드의 중심이 각형 기판의 측면의 길이 방향 중앙부 영역에 위치할 때의 이동 속도보다도, 측면의 길이 방향 단부 영역에 위치할 때의 이동 속도를 빠르게 하여 연마하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 평행 이동시에 있어서, 회전 연마 패드와 각형 기판의 상대적 이동에 있어서의 이동 속도를, 각형 기판의 측면의 요철 상태에 따라 변화시켜 연마를 행하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 측면의 볼록부에 있어서의 이동 속도를 느리게, 측면의 오목부에 있어서의 이동 속도를 빠르게 하여 연마하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 각형 기판 측면의 짧은 방향(폭 방향)을 따라 각형 기판과 회전 연마 패드를 상대적으로 이동시켜 연마를 더 행하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각형 기판의 한 측면을 연마한 후, 상기 기판을 순차 90°씩 회전시키고, 나머지 측면을 연마함으로써, 각형 기판의 4개의 측면 전부의 연마를 행하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 연삭에 의해 측면을 형성하는 공정 전후 또는 연삭에 의해 가공된 측면을 연마하는 공정 후에, 각형 기판의 이면에 비관통의 구멍 또는 홈을 연삭에 의해 형성하는 공정을 더 포함하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 연삭된 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면을 연마하는 공정을 더 포함하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면을 연마하는 공정이, 연삭에 의해 가공된 비관통의 구멍 또는 홈의 측면 및 저면에 회전 연마 툴의 연마 가공부를 각각 독립된 일정 압력으로 접촉시켜 측면 및 저면의 연삭면을 연마하는 공정인 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 제조 방법.
  9. 기판 측면이 연삭에 의해 가공된 임프린트·리소그래피용 각형 기판의 측면에 대하여, 수직 방향으로 일정 압력으로 회전 연마 패드를 상기 연마 패드의 회전축이 상기 측면에 직교하도록 누르면서 회전 연마 패드와 상기 각형 기판을 상대적으로 상기 회전축이 상기 측면에 대하여 평행이 되도록 이동시켜, 상기 각형 기판의 측면을 연마함에 있어서 회전 연마 패드의 중심이 각형 기판의 측면의 길이 방향 중앙부 영역에 위치할 때의 이동 속도보다도, 측면의 길이 방향 단부 영역에 위치할 때의 이동 속도를 빠르게 하여 연마함으로써 제조되는 임프린트·리소그래피용 각형 기판으로서,
    상기 임프린트·리소그래피용 각형 기판은 표리면과 4개의 측면을 갖고, 표면에 요철에 의한 패턴이 각인되어 있으며, 상기 각 측면의 평탄도가 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
  10. 제9항에 있어서, 각형 기판의 인접하는 측면끼리 이루는 각도가 90±0.1°의 범위 내인 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 각형 기판의 각 측면이 경면인 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
  12. 제11항에 있어서, 각형 기판의 각 측면의 표면 거칠기(Ra)가 0.01 내지 2nm인 임프린트·리소그래피용 각형 기판.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서, 각형 기판이 이면에 비관통의 구멍 또는 홈을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 각형 기판.
  14. 제9항 또는 제10항에 있어서, 크기가 각 변 20 내지 300mm인 각형 기판.
KR1020220028160A 2014-08-19 2022-03-04 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법 KR102588457B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014166352 2014-08-19
JPJP-P-2014-166352 2014-08-19
KR1020150114304A KR20160022260A (ko) 2014-08-19 2015-08-13 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150114304A Division KR20160022260A (ko) 2014-08-19 2015-08-13 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220034091A KR20220034091A (ko) 2022-03-17
KR102588457B1 true KR102588457B1 (ko) 2023-10-13

Family

ID=53900769

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150114304A KR20160022260A (ko) 2014-08-19 2015-08-13 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법
KR1020220028160A KR102588457B1 (ko) 2014-08-19 2022-03-04 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150114304A KR20160022260A (ko) 2014-08-19 2015-08-13 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9884448B2 (ko)
EP (1) EP2995994B1 (ko)
JP (1) JP6398902B2 (ko)
KR (2) KR20160022260A (ko)
CN (1) CN105372933B (ko)
TW (1) TWI683785B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107635453B (zh) * 2015-06-22 2019-07-26 奥林巴斯株式会社 内窥镜用摄像装置
JP6763359B2 (ja) 2016-08-25 2020-09-30 信越化学工業株式会社 角型ガラス基板及びその製造方法
JP6974964B2 (ja) * 2017-06-08 2021-12-01 アルバック成膜株式会社 貼り合わせ基板、製造方法
JP2019012193A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 クアーズテック株式会社 フォトマスク用基板及びその製造方法
JP6946130B2 (ja) * 2017-09-20 2021-10-06 株式会社東芝 紡糸装置
JP6972853B2 (ja) * 2017-09-28 2021-11-24 大日本印刷株式会社 インプリントモールド形成用基板、インプリントモールド形成用ブランクス、およびインプリントモールド、ならびにインプリントモールド形成用ブランクスの製造方法およびインプリントモールドの製造方法
CN107962661B (zh) * 2017-11-17 2019-11-12 嘉兴市博宏新型建材有限公司 一种保温材料成型浇铸打磨机
CN108227403B (zh) * 2018-01-03 2019-11-26 业成科技（成都）有限公司 曝光旋转治具
JP7041545B2 (ja) * 2018-02-16 2022-03-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法及びモールド
JP7067131B2 (ja) * 2018-03-07 2022-05-16 大日本印刷株式会社 インプリントモールド製造用基板およびインプリントモールドならびにインプリントモールド製造用基板の製造方法およびインプリントモールドの製造方法
US11249405B2 (en) * 2018-04-30 2022-02-15 Canon Kabushiki Kaisha System and method for improving the performance of a nanoimprint system
JP7205325B2 (ja) * 2019-03-19 2023-01-17 大日本印刷株式会社 被加工基板、インプリントモールド用基板及びインプリントモールド
US20220088832A1 (en) * 2020-09-24 2022-03-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Manufacturing of imprint mold-forming substrate
CN113097104B (zh) * 2021-03-25 2022-08-02 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种方形基片的生产设备及其生产方法
CN113141718B (zh) * 2021-04-21 2022-04-05 广东科视光学技术股份有限公司 一种在玻璃基板上通过单光刻头形成接驳线路的方法
CN117464522B (zh) * 2023-12-21 2024-03-22 内蒙古北科交大机器人有限公司 一种打磨组件及耐寒打磨系统

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0354569A (ja) 1989-07-24 1991-03-08 Dainippon Printing Co Ltd レジストパターンの形成方法
JP3368497B2 (ja) * 1999-07-13 2003-01-20 三立精機株式会社 多軸式横型研磨機
JP2005533339A (ja) 2001-09-17 2005-11-04 アドビオン バイオサイエンシーズ インコーポレーティッド 誘電膜
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
MY164487A (en) 2002-07-11 2017-12-29 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography processes
JP4784969B2 (ja) 2004-03-30 2011-10-05 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用のガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP4384954B2 (ja) * 2004-08-30 2009-12-16 篤暢 宇根 加工方法、加工装置およびこの加工方法により加工された矩形平板状の加工物
WO2006025507A1 (ja) 2004-09-03 2006-03-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. 研磨装置及び研磨方法
KR100601474B1 (ko) * 2004-10-28 2006-07-18 삼성전기주식회사 임프린트법을 이용한 고분해능 인쇄회로기판의 제조방법
US7608542B2 (en) * 2005-06-17 2009-10-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Large-size glass substrate for photomask and making method, computer-readable recording medium, and mother glass exposure method
JP5412713B2 (ja) * 2007-05-22 2014-02-12 大日本印刷株式会社 測定システム、測定方法及びプログラム
CN102246269B (zh) * 2008-12-17 2014-08-06 旭硝子株式会社 反射型掩模用低膨胀玻璃基板及其加工方法
JP5346243B2 (ja) 2009-06-04 2013-11-20 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法及びパターン転写方法
KR101215304B1 (ko) * 2009-11-03 2012-12-26 한국전자통신연구원 나노 임프린트 리소그라피 공정용 템플릿 및 그 제조 방법
KR20130007570A (ko) 2010-03-16 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피 광학 부재용 기재, 및 그의 제조 방법
JP5664470B2 (ja) * 2010-06-28 2015-02-04 信越化学工業株式会社 ナノインプリント用合成石英ガラス基板の製造方法
JP5772827B2 (ja) * 2010-07-12 2015-09-02 旭硝子株式会社 インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法
JP2012027176A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Tosoh Corp フォトマスク用基板
JP2013062296A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板、及び半導体パッケージ
JP5776491B2 (ja) * 2011-10-24 2015-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスク用、レチクル用又はナノインプリント用のガラス基板及びその製造方法
US9607647B2 (en) * 2012-09-28 2017-03-28 Hoya Corporation Magnetic-disk glass substrate and magnetic disk
JP6252098B2 (ja) * 2012-11-01 2017-12-27 信越化学工業株式会社 角形金型用基板
US20160236314A1 (en) * 2013-10-04 2016-08-18 Fujimi Incorporated Polishing device and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN105372933A (zh) 2016-03-02
EP2995994B1 (en) 2020-09-23
KR20160022260A (ko) 2016-02-29
TW201623139A (zh) 2016-07-01
JP2016043692A (ja) 2016-04-04
US11904521B2 (en) 2024-02-20
US20180079130A1 (en) 2018-03-22
TWI683785B (zh) 2020-02-01
EP2995994A3 (en) 2016-08-10
CN105372933B (zh) 2021-02-02
US9884448B2 (en) 2018-02-06
JP6398902B2 (ja) 2018-10-03
US20160052193A1 (en) 2016-02-25
EP2995994A2 (en) 2016-03-16
KR20220034091A (ko) 2022-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102588457B1 (ko) 임프린트·리소그래피용 각형 기판 및 그의 제조 방법
KR102047598B1 (ko) 반도체용 합성 석영 유리 기판의 제조 방법
US9902037B2 (en) Electronic grade glass substrate and making method
TWI618616B (zh) 方形模具用基板

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right