JP4784969B2 - マスクブランク用のガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及び研磨装置に関する。

半導体デバイス等の半導体装置に形成される電子回路は、転写マスクに形成されたマスクパターンを回路原板とし、露光等の方法によりこのマスクパターンを転写して形成されている。電子回路は、近年、急速に高密度化、高精度化が図られている。従って、転写マスクに形成されるマスクパターンについても、高密度化、高精度化が図られている。このような観点から、この転写マスクを製造するためのマスクブランク及びマスクブランク用のガラス基板も、高精度に製造される必要がある。

従来、このようなマスクブランクや、マスクブランク用のガラス基板を得る方法としては、例えば、下記特許文献１に記載の技術や、特許文献２に記載の技術が提供されている。
例えば、特許文献１に記載の技術においては、ブラシ毛を備える回転ブラシを利用して、例えば板状体の端部を所定の方法を用いて研磨することにより、高精度の仕上げ面を効率よく得ている。また、例えば特許文献２に記載の技術においては、板状ガラス基板の面取斜面部を含む領域をブラッシングし、稜線部分を丸く形成せしめることにより、マスク基板の製造工程中において、欠け等が生じることを防止している。
特許第２５８５７２７号公報 特許第２８６６６８４号公報

最近では、半導体デバイスの電子回路の線幅を、極めて微細化することが求められている。例えば、６５ｎｍデザインルールで製造される半導体装置や、６５ｎｍデザインルール以下の、例えば４５ｎｍデザインルールで製造される半導体装置が要求されるようになってきた。従って、転写マスク、マスクブランク、マスクブランク用のガラス基板においても、従来に要求されていた精度や清浄度では必ずしも十分とは言えない状況になってきた。

また、転写マスクとしても、従来から用いられているＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）で露光するための転写マスクに代替して、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）やＦ_２エキシマレーザー光（波長１５７ｎｍ）等の波長の短い光で露光するための転写マスクが盛んに開発されている。更には、ＥＵＶ光（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）を用いて転写を行う反射型の転写マスクについても盛んに開発が行われている。このＥＵＶ光としては、例えば、波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の極紫外光が利用される。

このような短波長光を用いる場合、マスクブランク又はマスクブランク用のガラス基板において、これまでは問題とされなかった欠陥やパーティクルが問題となる場合がある。

そこで、本発明 は、上記の課題を解決できる、マスクブランク用のガラス基板、マス
クブランク、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及び研磨装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、例えば６５ｎｍデザインルール或いはそれ以下である、従来に比べて微細なデザインルールで製造される半導体デバイス等を製造する場合において、特に好適な転写マスクの得られるマスクブランク、マスクブランクの製造方法、マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及びマスクブランク用のガラス基板の研磨装置を提供することを第２の目的とする。

更に、本発明は、ＡｒＦエキシマレーザ露光型マスク、Ｆ２エキシマレーザ露光型マスク、又は反射型マスク等の、従来に比べてより短波長の光を利用して露光する転写マスクを製造する場合において、特に好適なマスクブランク、マスクブランクの製造方法、マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク用のガラス基板の製造方法、及びマスクブランク用のガラス基板の研磨装置を提供することを第３の目的とする。

本発明者が上述の課題について鋭意研究を行ったところ、従来用いられていたマスクブランク用のガラス基板の研磨においては、端面部分、特に角部近傍に隣接して存在する端面の曲面状の部分を鏡面とすることが困難であることが原因の一つであると突き止めた。更に、面取斜面部分の鏡面品質が不十分であることも原因の一つであることを突き止めた。具体的には、ガラス基板の端面の曲面状の部分や、面取斜面部分の鏡面品質が不十分であることにより、マスクブランク用のガラス基板主表面の鏡面研磨で用いた研磨砥粒が洗浄で完全に除去しきれずに残留し、発塵の原因となり、マスクブランクやマスクブランク用の基板における欠陥、パーティクルとなったり、また、工程間搬送や、収納ケース出し入れ時に、搬送治具や収納ケースの基板保持部等が上記端面部分に接触することにより発塵し、マスクブランクやマスクブランク用の基板における欠陥、パーティクルとなることがわかった。また、マスクブランク用のガラス基板は、マスクパターンを形成するための薄膜を対向主表面上にスパッタリング等で成膜する際、基板ホルダーにセットして成膜が行われる。マスクパターンを形成するための薄膜は、ＥＢ描画の際にチャージアップ防止のためにガラス基板の面取斜面部分まで通常成膜される。また、スパッタ粒子がガラス基板の端面の曲面状の部分にまで回りこむことがある。これらの面取斜面部分や曲面状の部分の鏡面品質が不十分だと、これらの箇所に形成された薄膜の膜付着力が十分でないことにより、膜剥がれが発生し、発塵の原因となり、マスクブランクにおける欠陥、パーティクルとなることがわかった。薄膜の膜付着力が弱いことの原因としては、ガラス基板の対向主表面に比べて、面取斜面部分や曲面状の部分に形成される膜厚が非常に薄いこと、基板ホルダーからの脱ガスが原因により、基板ホルダーに近い面取斜面部分や曲面状の部分に形成された薄膜の組成が変化すること等が考えられる。

本発明は、この知見を元にして完成されたものである。本発明は、以下の構成を有するものである。

（構成１）対向主表面と、該対向主表面の外縁に隣接する端面を有するガラス基板であって、ガラス基板を平面視したときに、該基板の角部近傍に隣接する曲面状の端面部分を備え、この曲面状の端面部分は、算術平均表面粗さＲａで０．５ｎｍ以下である鏡面とされた、マスクブランク用のガラス基板。

（構成２）対向主表面と、該対向主表面の外縁に隣接する端面を有するガラス基板であって、前記端面は、側面部と、この側面部と主表面との間に形成された面取斜面部を備え、この面取斜面部は、算術平均表面粗さＲａで０．５ｎｍ以下である鏡面とされた、マスクブランク用のガラス基板。

（構成３）構成１又は２に記載のマスクブランク用のガラス基板であって、前記主表面は、算術平均粗さＲａで０．２ｎｍ以下である鏡面とされた、マスクブランク用のガラス基板。

（構成４）構成１乃至３の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の少なくとも前記対向主表面の一方に、マスクパターンを形成するための薄膜が成膜されたマスクブランク。

（構成５）構成１乃至３の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の少なくとも前記対向主表面の一方、及び、前記面取斜面部及び／又は前記曲面状の端面部分に、マスクパターンを形成するための薄膜が成膜されたマスクブランク。

（構成６）表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる回転可能な円筒状部材をガラス基板の外縁に隣接する端面に接触させて、該端面を鏡面にするマスクブランク用のガラス基板の製造方法であって、前記円筒状部材の回転軸を前記ガラス基板の主表面に対して交差する方向に配向させ、前記円筒状部材と前記ガラス基板の端面とを、前記外縁に沿って相対的に移動させるとともに、前記ガラス基板の角部近傍に隣接する少なくとも一つの端面部分を鏡面にすることを特徴とする、マスクブランク用のガラス基板の製造方法。

（構成７）表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる回転可能な円筒状部材をガラス基板の外縁に隣接する端面に接触させて、該端面を鏡面にするマスクブランク用のガラス基板の製造方法であって、前記端面は、側面部と、この側面部と主表面との間に形成された面取斜面部を有し、前記円筒状部材の回転軸を該面取斜面部の短手方向に配向させ、前記円筒状部材と前記ガラス基板の端面とを、前記外緑に沿って相対的に移動させるとともに、前記面取斜面部を鏡面にすることを特徴とする、マスクブランク用のガラス基板の製造方法。

（構成８）構成６又は７に記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法であって、前記端面にコロイダルシリカ研磨砥粒を供給して鏡面研磨することを特徴とするマスクブランク用のガラス基板の製造方法。

（構成９）構成６乃至８の何れか１に記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法であって、前記円筒状部材により前記端面を鏡面にした後に、前記ガラス基板の主表面にコロイダルシリカ研磨砥粒を供給して主表面の鏡面研磨を行うマスクブランク用のガラス基板の製造方法。

（構成１０）ガラス基板の端面に研磨ブラシを接触させて、研磨ブラシとガラス基板の端面とを相対的に移動させるブラシ研磨加工を行い、その後に、構成６又は７に記載の端面を鏡面にすることを特徴とする、マスクブランク用のガラス基板の製造方法。

（構成１１）構成６乃至１０の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法により得られたガラス基板の少なくとも前記対向主表面の一方に、マスクパターンを形成するための薄膜を成膜する、マスクブランクの製造方法。
（構成１２）構成６乃至１０の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法により得られたガラス基板の少なくとも前記対向主表面の一方、及び、前記面取斜面部及び／または前記曲面状の端面部分に、マスクパターンを形成するための薄膜を成膜する、マスクブランクの製造方法。

（構成１３）マスクブランク用のガラス基板を研磨する研磨装置であって、表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる回転可能な円筒状部材と、前記円筒状部材の回転軸を前記マスクブランク用ガラス基板の主表面に対して交差する方向に配向させて、前記円筒状部材を保持する円筒状部材保持部と、前記ガラス基板の外縁に隣接する端面に前記円筒状部材を接触させながら、前記円筒状部材と前記ガラス基板の端面とを、前記外縁に沿って相対的に移動させることにより、前記円筒状部材に、前記ガラス基板の角部近傍に隣接する少なくとも一つの端面部分を研磨させる研磨制御部とを備える研磨装置。

（構成１４）主表面の外縁に隣接する端面であって、側面部と、この側面部と主表面との間に形成された面取斜面部を有する端面を備えるマスクブランク用のガラス基板を研磨する研磨装置であって、表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる回転可能な円筒状部材と、前記円筒状部材の回転軸を前記面取斜面部の短手方向に配向させて、前記円筒状部材を保持する円筒状部材保持部と、前記ガラス基板の前記面取斜面部に前記円筒状部材を接触させながら、前記円筒状部材と前記ガラス基板の端面とを、前記外緑に沿って相対的に移動させることにより、前記円筒状部材に、前記面取斜面部を研磨させる研磨制御部とを備える研磨装置。

本発明によれば、短波長光を用いて半導体デバイスを製造するのに適したマスクブランク、及び／又はマスクブランク用ガラス基板の提供することができる。また、マスクブランク用ガラス基板の端面を、高い精度で鏡面研磨することができる。また、マスクブランク用ガラス基板の端面を研磨するのに適した研磨装置を、提供することができる。

以下、本発明に係る実施の形態を、図面を参照しながら説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るガラス基板１０の一例を示す。図１（ａ）は、ガラス基板１０の斜視図である。図１（ｂ）は、ガラス基板１０の断面図である。ガラス基板１０は、マスクブランク用のガラス基板であり、例えば石英ガラスにより形成される。本例は、例えばＡｒＦレーザー光（波長１９３ｎｍ）、又はＦ_２レーザー光（波長１５７ｎｍ）等の短波長光を用いて半導体デバイスを製造するのに適したマスクブランク、及び／又はマスクブランク用ガラス基板の提供を目的とする。

本例において、ガラス基板１０は、四角形状の板状体であり、２つの対向主表面２と、端面１とを有する。２つの対向主表面２は、この板状体の上面及び下面であり、互いに対向するように形成されている。また、２つの対向主表面２の少なくとも一方は、マスクパターンが形成されるべき主表面である。

端面１は、この板状体の側面であり、対向主表面２の外縁に隣接する。本例において、端面１は、平面状の端面部分１ｄ、及び曲面状の端面部分１ｆを有する。平面状の端面部分１ｄは、一方の対向主表面２の辺と、他方の対向主表面２の辺とを接続する面であり、側面部１ａ、及び面取斜面部１ｂを含む。側面部１ａは、平面状の端面部分１ｄにおける、対向主表面２とほぼ垂直な部分（Ｔ面）である。面取斜面部１ｂは、側面部１ａと対向主表面２との間における面取りされた部分（Ｃ面）であり、側面部１ａと対向主表面２との間に形成される。

曲面状の端面部分１ｆは、ガラス基板１０を平面視したときに、ガラス基板１０の角部１０ａ近傍に隣接する部分（Ｒ部）であり、側面部１ｃ及び面取斜面部１ｅを含む。ここで、ガラス基板１０を平面視するとは、例えば、対向主表面２と垂直な方向から、ガラス基板１０を見ることである。また、ガラス基板１０の角部１０ａとは、例えば、対向主表面２の外縁における、２辺の交点近傍である。２辺の交点とは、２辺のそれぞれの延長線の交点であってよい。本例において、曲面状の端面部分１ｆは、ガラス基板１０の角部１０ａを丸めることにより、曲面状に形成されている。

側面部１ｃは、平面状の端面部分１ｄの側面部１ａに接続される曲面であり、この側面部１ｃを挟んで隣接する２つの側面部１ａを、滑らかに接続する。側面部１ｃは、側面部１ａとほぼ同じ幅を有してよい。面取斜面部１ｅは、側面部１ｃと対向主表面２との間における、面取りされた部分（Ｒ部のＣ面）である。面取斜面部１ｅは、面取斜面部１ｂとほぼ同じ幅を有してよい。

本例のガラス基板１０は、ＡｒＦエキシマレーザー露光型マスク、Ｆ２エキシマレーザー露光型マスク又は反射型マスクとされるマスクブランク用のガラス基板である。ガラス基板１０は、６５ｎｍデザインルールの半導体製造用として使用されるマスクパターンが形成されるマスクブランク用のガラス基板であってよい。

また、ガラス基板１０は、例えば４５ｎｍデザインルール等の、６５ｎｍデザインルールの半導体製造用として使用されるマスクパターンよりも微細なマスクパターンが形成されるマスクブランク用のガラス基板であってもよい。ガラス基板１０は、縮小露光用のレチクルとされるマスクブランク用のガラス基板であってもよい。ガラス基板１０は、例えば、超紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）露光型マスクとされるマスクブランク用のガラス基板であってもよい。この超紫外線露光型マスクは、反射型マスクであってよい。また、超紫外線（ＥＵＶ光）とは、例えば、波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の極紫外光であってよい。

図２は、ガラス基板１０を製造する製造方法の一例を示すフローチャートである。本例の製造方法は、最初に、石英ガラスで形成された、四角形状の基板を準備する（Ｓ１０２）。この基板は、例えば、ガラス基板１０を製造するための荒ずり（粗研削）後のガラス基板であり、例えば、面取り加工され、かつ所定の端面（側面部及び／又は面取斜面部）表面粗さに仕上げられている。

そして、次に、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）研磨砥粒を用いて、１回目の端面研磨を行う（Ｓ１０４）。この酸化セリウム研磨砥粒は、例えばクラスタサイズで１μｍ程度の大きさを有する。本例において、工程１０４は、ガラス基板１０の端面１となるべき面（以下、基板の端面という）を、例えば、研磨ブラシを用いて研磨する。

そして、次に、ＳｉＣ研磨砥粒及びＡｌ_２Ｏ_３研磨砥粒を用いて、ガラス基板１０の対向主表面２となるべき面（以下、基板の主表面という）に対して、主表面ラッピングを行う（Ｓ１０６）。本例において、工程Ｓ１０６は、最初にＳｉＣ研磨砥粒を用いてラッピングを行い、その後に、Ａｌ_２Ｏ_３研磨砥粒を用いてラッピングを行う。

そして、次に、研磨パッド及び酸化セリウム研磨砥粒を用いて、主表面研磨を行う（Ｓ１０８）。工程Ｓ１０８は、基板の主表面に対する、一次ポリシング工程である。

そして、次に、研磨ブラシ及び酸化セリウム研磨砥粒を用いて、基板の端面に対する２回目の研磨を行う（Ｓ１１０）。工程１１０は、例えば、ガラス基板の端面に研磨ブラシを接触させて、研磨ブラシとガラス基板の端面とを相対的に移動させるブラシ研磨加工を行う。

そして、次に、研磨パッド及び酸化セリウム研磨砥粒を用いて、基板の主表面を、更に研磨する（Ｓ１１２）。工程Ｓ１１２は、例えば二次ポリシング工程等の、基板の主表面に対する、鏡面研磨前の仕上げの研磨工程である。

そして、次に、基板の端面に対する３回目の研磨として、端面にコロイダルシリカ研磨砥粒を供給しながら表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる回転可能な円筒状部材を用い、端面を鏡面研磨する（Ｓ１１４）。円筒状部材は、具体的には、円筒状のウレタン表面を研磨パッドを作製するのと同様の方法により発泡させ微小孔が形成された円筒状の研磨パッドや、円筒状支持部材の表面に研磨パッドを固定させたものが研磨パッドが挙げられる。これにより、ガラス基板１０の端面１を鏡面に仕上げる。この研磨パッドは、例えば発泡ウレタンにより形成される。この研磨パッドは、ＡｓｋｅｒＣ硬度で５５程度の硬度を有するのが好ましい。また、コロイダルシリカ研磨砥粒は、例えば粒子径４０ｎｍ程度（例えば２０〜１００ｎｍ、より好ましくは３０〜５０ｎｍ）であるのが好ましい。また、スラリーはアルカリ性とするのが好ましく、スラリーＰＨは、１０．２程度（例えば９〜１２、より好ましくは１０．０〜１０．５）とするのが好ましい。

そして、工程Ｓ１１４において研磨パッド等の表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる円筒状部材により端面を研磨した後に、この基板の主表面にコロイダルシリカ研磨砥粒を供給して、研磨パッドにより、主表面の鏡面研磨を行う（Ｓ１１６）。これにより、ガラス基板１０の対向主表面２を鏡面に仕上げる。本例において、対向主表面２は、算術平均粗さＲａで０．２ｎｍ以下である鏡面とされる。

本例によれば、基板の主表面及び端面のそれぞれに対し、酸化セリウム及びコロイダルシリカを順次用いた研磨を行うことにより、ガラス基板１０の対向主表面２及び端面１を、高い精度で仕上げることができる。
尚、上述のＳ１０４の１回目の端面研磨は省略しても構わない。

ここで、例えば対向主表面２に対して端面１の表面粗さが大きい場合、対向主表面２の精度を高めたとしても、端面１からの発塵等により、問題が生じてしまう場合がある。しかし、本例によれば、対向主表面２及び端面１の両方を、高い精度で鏡面研磨することにより、端面１からの発塵を、適切に防止することができる。

本例によれば、主表面の鏡面研磨の前に予め、端面、特に、端面の曲面状部分や端面の面取斜面部分を確実に所定の鏡面としているので、例えば、主表面の鏡面研磨で用いた研磨砥粒が端面に残留する問題を防止することもできる。このため、マスクブランク用のガラス基板、マスクブランクの発塵を低減することができる。これにより、後工程、又は露光環境での発塵を、適切に防ぐことができる。
また、本例によれば、対向主表面２及び端面１の両方を、高い精度で鏡面研磨すること、また、主表面の鏡面研磨の前に予め、端面、特に、端面の曲面状部分や端面の面取斜面部分を確実の所定の鏡面としているので、ガラス基板上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング等で成膜する際、対向主表面だけでなく、端面の曲面状部分や端面の面取斜面部分に上記薄膜が形成されても、薄膜の膜付着力が十分となり、膜剥がれが発生せず、マスクブランクにおける欠陥、パーティクル発生を適切に防ぐことができる。

図３及び図４は、工程Ｓ１１４を更に詳しく説明する図である。図３は、工程Ｓ１１４で用いられる研磨装置１００の構成の一例を示す側面図である。尚、以下の説明において、ガラス基板１０の端面１及び対向主表面２とは、端面１及び対向主表面２として研磨されるべき面である。

本例において、研磨装置１００は、マスクブランク用のガラス基板を研磨する研磨装置であって、表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる円筒状部材としての研磨パッド２０、円筒状部材としての研磨パッドを保持する円筒状部材保持部としてのパッド保持部５２、研磨制御部５４、及び基板保持部５６を備える。研磨パッド２０は、ワークであるガラス基板１０の端面１を研磨するためのポリシャである。本例において、研磨パッド２０は、所定の軸方向の回転軸を中心として回転可能な円筒状であり、ガラス基板１０端面１と線接触する。また、研磨パッド２０は、例えば発泡ウレタンにより形成されており、コロイダルリシリカ研磨砥粒とともに用いられる。研磨パッド２０は、回転軸近傍の内部から表面までの全体が、一体に形成されるのが好ましい。この場合、端面１を、適切な硬度で、押圧することができる。研磨パッド２０は、中心軸部分に、表面部とは別体の心棒を有してもよい。

パッド保持部５２は、研磨パッド２０を、回転可能に保持する。本例において、パッド保持部５２は、研磨パッド２０の回転軸を対向主表面２に対して交差する方向に配向させて、研磨パッド２０を保持する。パッド保持部５２は、研磨パッド２０の回転軸を、この回転軸と、端面１における長手方向とがほぼ垂直になる方向に、配向させてよい。

研磨制御部５４は、ガラス基板１０と研磨パッド２０との相対位置を制御することにより、研磨パッド２０に、端面１を鏡面研磨させる。本例において、研磨制御部５４は、研磨パッド２０を、ガラス基板１０の厚さ方向と平行な軸方向に揺動させながら、矢印３０で示す方向に回転させる。これにより、研磨制御部５４は、この回転軸を加工軸として、研磨パッド２０にガラス基板１０を研磨させる。また、この場合、研磨パッド２０においてガラス基板１０と接触する面を、清浄に保つことができる。研磨制御部５４は、ガラス基板１０を、研磨パッド２０の回転に伴って回転させてよい。

また、研磨制御部５４は、基板保持部５６を移動させることにより、研磨パッド２０に対するガラス基板１０の逃げ及び押しつけを制御する。これにより、研磨制御部５４は、研磨の強さを一定に保つ。本例において、研磨制御部５４は、ガラス基板１０の保持に要する圧力に基づき、この圧力が一定になるようにフィードバック制御しながら、基板保持部５６を移動させる。

基板保持部５６は、バッキング材１０２、複数の保持部１０４、及び複数のロードセル１０６を有する。バッキング材１０２は、ガラス基板１０の対向主表面２を覆う層状体であり、ガラス基板１０を保持するための圧力から、対向主表面２を保護する。保持部１０４は、バッキング材１０２を介して対向主表面２を押圧する部材であり、ガラス基板１０の上面側及び下面側のそれぞれに設けられることにより、ガラス基板１０を保持する。これにより、基板保持部５６は、ガラス基板１０の上面及び下面の両側からの圧力で、ワークであるガラス基板１０を保持する。また、ロードセル１０６は、それぞれの保持部１０４に対応して設けられた加重センサであり、対応する保持部１０４がガラス基板１０に与える圧力を検知して、研磨制御部５４に通知する。

研磨制御部５４は、この通知に基づき、ガラス基板１０の保持に要する圧力を検知する。本例によれば、ワーク押さえである基板保持部５６に加重センサを設けることにより、研磨の強さを、高い精度で検出することができる。また、これにより、ガラス基板１０の端面１を、高い精度で鏡面研磨することができる。また、本例において、研磨装置１００は、ガラス基板１０を、枚葉式に一枚ずつ研磨する。これにより、ガラス基板１０の研磨を、各ガラス基板１０毎に適切に、行うことができる。

図４は、工程Ｓ１１４における研磨方法の概要を示す上面図である。本例において、研磨制御部５４（図３参照）は、矢印３０の方向への研磨パッド２０の回転に伴って、基板保持部５６（図３参照）に保持されたガラス基板１０を、矢印３２に示す方向に回転させる。これにより、研磨制御部５４は、ガラス基板１０の外縁に隣接する端面１に研磨パッド２０を接触させながら、研磨パッド２０と端面１とを、この外縁に沿って相対的に移動させる。尚、ガラス基板１０の外縁とは、例えば、対向主表面２を上下方向の面とした場合の側面であり、対向主表面２の外縁であってよい。

ガラス基板１０の回転に伴い、研磨パッド２０は、端面１における平面状の端面部分１ｄ及び曲面状の端面部分１ｆのそれぞれと、順次接触する。これにより、研磨制御部５４は、研磨パッド２０を、ガラス基板１０の端面１の全周に渡って移動させる。本例によれば、端面１の全周を、適切に、鏡面研磨することができる。研磨制御部５４は、研磨パッド２０に、端面１を、全周に渡って同一の条件で研磨させるのが好ましい。研磨制御部５４は、研磨パッド２０に、ガラス基板１０の外縁を、全周に渡って同一の速度で移動させてよい。

尚、端面１の全周とは、対向主表面２の外縁に沿った、４つの平面状の端面部分１ｄ、
及び４つの曲面状の端面部分１ｆに渡る一周である。この一周は、例えば側面部の一周でもよく、面取斜面部の一周でもよい。ここで、側面部の一周とは、それぞれの平面状の端面部分１ｄにおける側面部１ａ（図１参照）と、それぞれの曲面状の端面部分１ｆにおける側面部１ｃ（図１参照）を含む一周である。また、面取斜面部の一周とは、それぞれの平面状の端面部分１ｄにおける面取斜面部１ｂ（図１参照）と、それぞれの曲面状の端面部分１ｆにおける面取斜面部１ｅ（図１参照）を含む一周である。

図４（ａ）は、平面状の端面部分１ｄと研磨パッド２０とが接触している状態を示す図である。図４（ｂ）は、曲面状の端面部分１ｆと研磨パッド２０とが接触している状態を示す図である。

平面状の端面部分１ｄと研磨パッド２０とが接触している場合、研磨制御部５４は、ガラス基板１０を、所定の圧力で、研磨パッド２０に押しつける。そして、ガラス基板１０の回転により、曲面状の端面部分１ｆと研磨パッド２０とが接触した場合、研磨制御部５４は、ガラス基板１０を逃がすことにより、この圧力を一定に保つ。そのため、本例によれば、端面１の全周に渡って、研磨の強さを一定に保つことができる。また、これにより、端面１の全周を、連続的に研磨することができる。本例によれば、端面１の全周を、高い精度で鏡面研磨することができる。

尚、他の例において、研磨制御部５４は、研磨パッド２０に、端面１の一部を研磨させてもよい。この場合、研磨制御部５４は、研磨パッド２０に、例えば、曲面状の端面部分１ｆと、この曲面状の端面部分１ｆを挟んで隣接する複数の平面状の端面部分１ｄを、研磨させてよい。この場合も、これらの部分を、高い精度で、鏡面研磨することができる。

図５は、基板保持部５６の構成、及び工程Ｓ１１４における研磨方法を、更に詳しく説明する図である。本例において、基板保持部５６は、回転部１１０、回転ステージ１１２、及びワーク保持軸１０８を有している。回転部１１０は、バッキング材１０２、保持部１０４、及びロードセル１０６を含む部分であり、研磨パッド２０の回転に伴い、ガラス基板１０とともに、矢印３２の方向に回転する。

回転ステージ１１２は、回転部１１０を回転可能に保持する台座であり、回転部１１０を上下から挟むように設けられる。ワーク保持軸１０８は、回転ステージ１１２を傾斜可能に保持する軸であり、回転部１１０の上下の回転ステージ１１２を、上下方向から支持する。また、本例において、ワーク保持軸１０８は、研磨制御部５４（図３参照）の指示に応じて、例えば図５（ｂ）に示すように、回転部１１０とともにガラス基板１０を傾斜させる。

図５（ａ）は、ガラス基板１０のＴ面を研磨する方法の一例を示す。この場合、ワーク保持軸１０８は、ガラス基板１０を水平に保つ。そのため、研磨パッド２０は、軸方向をガラス基板１０の対向主表面２（図１参照）と垂直にして、ガラス基板１０の端面１（図１参照）と接触する。

そして、ロードセル１０６により検出される圧力の負荷に応じたフィードバック制御により、ガラス基板１０を研磨パッド２０に押しつける圧力（全体押し圧）を一定に保ちながら、研磨制御部５４は、研磨パッド２０及びガラス基板１０を回転させる。これにより、研磨パッド２０は、端面１における、側面部１ａ及び側面部１ｃ（図１参照）を含む全周を研磨する。本例によれば、端面１を、全周に渡って、均一な鏡面に研磨することができる。尚、均一な鏡面とは、例えば、算術平均表面粗さＲａのばらつきが所定の範囲内である鏡面である。

ここで、他の例においては、端面１を、例えば平面状の研磨パッドを用いて研磨することも考えられる。しかし、この場合、例えば平面状の端面部分１ｄと曲面状の端面部分１ｆ（図１参照）との形状の違いにより、例えば曲面状の端面部分１ｆに、研磨ムラが生じてしまう場合も考えられる。

また、端面１を、例えば研磨ブラシにより研磨するとすれば、端面１に傷が付いてしまう場合がある。また、石英ガラスで形成されたガラス基板１０を研磨する場合に、研磨ブラシとコロイダルシリカ研磨砥粒を用いると、コロイダルシリカ研磨砥粒がガラス基板１０に付着してしまい、適切に研磨できない場合も考えられる。

しかし、本例において、研磨パッド２０は、基板の厚さ方向に軸方向を有し、かつ端面１に対して線接触する。また、研磨制御部５４は、フィードバック制御により、全体押し圧を一定に保っている。この場合、研磨パッド２０は、平面状の端面部分１ｄと曲面状の端面部分１ｆとを、同じ条件で研磨することができる。そのため、本例によれば、研磨パッド２０を端面１に沿って移動させることにより、端面１の全周を、高い精度で研磨することができる。また、円筒状の研磨パッド２０を回転させながら研磨を行うことにより、研磨パッド２０の接触面を、清浄に保ち、コロイダルシリカ研磨砥粒の付着を、適切に防ぐことができる。そのため、本例によれば、ガラス基板１０の端面１を、高い精度で、鏡面研磨することができる。

図５（ｂ）は、ガラス基板１０のＣ面を研磨する方法の一例を示す。この場合、ワーク保持軸１０８は、ガラス基板１０を傾斜させて保つ。そのため、研磨パッド２０は、軸方向をガラス基板１０の対向主表面２に対して傾かせて、ガラス基板１０の端面１と接触する。この場合、パッド保持部５２は、例えば、研磨パッド２０の回転軸を面取斜面部の短手方向に配向させて、研磨パッド２０を保持する。

そして、研磨制御部５４は、面取斜面部１ｂ及び／又は面取斜面部１ｅ（図１参照）に研磨パッド２０を接触させながら、研磨パッド２０と端面１とを、対向主表面２の外緑に沿って相対的に移動させる。そして、これにより、研磨制御部５４は、研磨パッド２０に、面取斜面部１ｂ及び／又は面取斜面部１ｅを研磨させる。

この場合も、研磨制御部５４は、全体押し圧を一定に保ちながら、ガラス基板１０を回転させる。これにより、研磨パッド２０は、端面１における、面取斜面部１ｂ及び面取斜面部１ｅを含む全周を研磨する。この場合も、端面１を、全周に渡って、均一な鏡面に研磨することができる。

尚、他の例においては、例えば研磨ボックスの底面に設けられた平行溝等により、端面１のＴ面とＣ面を同時に研磨することも考えられる。しかし、この場合、各面の位置だしは困難であり、面取斜面部であるＣ面に研磨ムラが生じ、十分な研磨精度が得られない場合も考えられる。

しかし、本例によれば、面取斜面部１ｂ、ｅを、側面部１ａ、ｃを研磨する場合と同様の精度で、適切に研磨することができる。そのため、本例によれば、端面１の全周を、研磨ムラを生じさせずに、高い精度で研磨することができる。

ここで、端面１の研磨精度が低い場合、端面１にスクラッチ等が発生する場合がある。
そして、例えば端面１にスクラッチ等が存在すると、その内部に、パーティクルや研磨砥粒等の異物が入り込む場合ある。そのため。端面１の粗さが大きい場合には、異物の残留が生じてしまう場合がある。また、この異物が後に脱落することにより、例えば以降の工程加工中に微小欠陥を発生させる場合や、洗浄槽を汚染させてしまう場合がある。

また、例えばＡｒＦレーザー光、又はＦ_２レーザー光等の短波長光用のマスクブランク、又はマスクブランク用ガラス基板においては、許容される異物のサイズは極めて小さくなっており、ガラス基板１０の全体に渡って、このようなスクラッチ等をなくすことが求められている。このような用途においては、例えば端面１の一部にスクラッチが生じている場合であっても、問題が生じてしまう場合がある。

本例によれば、例えば曲面状の端面部分１ｆや面取斜面部１ｂ、ｅ等も含め、端面１の全周を、高い精度で鏡面研磨することができる。また、これにより、ガラス基板１０の全体を、高い精度で鏡面研磨することができる。そのため、本例によれば、短波長光を用いて半導体デバイスを製造するのに適したマスクブランク用ガラス基板を、適切に製造することができる。

尚、端面１は、例えば、全周に渡って、算術平均表面粗さＲａで０．５ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以下の鏡面に研磨されてよい。端面１は、全周に渡って、２乗平均粗さＲＭＳで０．５ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以下の鏡面に研磨されてよい。端面１は、全周に渡って、最大高さＲｍａｘで１０ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ以下の鏡面に研磨されてよい。

また、端面１は、全周に渡って、算術平均表面粗さＲａ、又は２乗平均粗さＲＭＳでデザインルールの約１／１００以下、より好ましくは１／２００以下の鏡面に研磨されてよい。端面１は、全周に渡って、最大高さＲｍａｘでデザインルールの１／５以下、より好ましくは１／１０以下の表面粗さの鏡面に研磨されてよい。端面１は、全周に渡って、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により傷が観測されないような鏡面に研磨されるのが好ましい。端面１は、例えばアルカリ加速等の、所定のアルカリ処理を行った場合にもＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により傷が観測されないような鏡面に研磨されるの好ましい。

この場合、曲面状の端面部分１ｆも、上記と同様の精度の鏡面に研磨されてよい。例えば、曲面状の端面部分ｆは、算術平均表面粗さＲａで０．５ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以下である鏡面とされてよい。また、面取斜面部１ｂ及び曲面状の端面部分１ｆも、上記と同様の精度の鏡面に研磨されてよく、例えば、算術平均表面粗さＲａで０．５ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以下である鏡面とされてよい。

図６は、本例のガラス基板１０を用いたマスクブランク５０の構成の一例を示す。マスクブランク５０は、ガラス基板１０と、薄膜１２とを有する。薄膜１２は、マスクパターンを形成するための薄膜であり、ガラス基板１０の上方の対向主表面２上に形成される。本例において、薄膜１２は、例えば遮光膜、又は位相シフト膜等であり、端面１の少なくとも一部を更に覆うように形成されている。

本例によれば、端面１を高い精度で鏡面研磨することにより、薄膜１２の付着強度を高めることができる。また、これにより、例えば後工程、又はは露光環境における発塵を防ぐことができる。本例によれば、短波長光を用いて半導体デバイスを製造するのに適したマスクブランクを、適切に製造することができる。

図７は、工程Ｓ１１４における研磨方法、及び研磨装置１００の構成の他の例を示す。
図７（ａ）は、この研磨方法を示す。図７（ｂ）は、この研磨方法に用いられる研磨装置１００の構成の一例を示す。尚、以下に説明する点を除き、図７において、図３〜５と同じ符号を付した構成は、図３〜５における構成と、同一又は同様の機能を有するため、説明を省略する。

本例において、ガラス基板１０は、水平又は所定の角度に傾けられた状態で固定される。そして、研磨制御部５４は、回転する研磨パッド２０を、軸方向に揺動させながら、ガラス基板１０の周りを周回するように、端面１に沿って移動させる。研磨パッド２０は、矢印３０の方向に回転しながら、矢印３４ａ〜ｃの方向へ、順次移動する。また、研磨制御部５４は、ガラス基板１０に対する研磨パッド２０の逃げ及び押しつけを制御することにより、研磨の強さを一定に保つ。本例においても、端面１を適切に、鏡面研磨することができる。

尚、本発明における表面粗さとは、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等により測定されるものであって、算術平均表面粗さＲａとは、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に従うものである。

（実施例１）
上述の実施の形態における基板の端面に対する研磨（Ｓ１１４）として、コロイダルシリカ研磨砥粒の粒子径として１００ｎｍ、スラリーＰＨを１０．２、硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）が５５の研磨パッドを用いて、ガラス基板の四隅（角部）近傍に隣接する部分（曲面状の端面部分：Ｒ部）の鏡面研磨を行い、マスクブランク用ガラス基板を得た。
対向主表面、面取斜面部、及び、Ｒ部の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（測定エリア：１０μｍ□）で複数箇所測定したところ、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１４ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．６５ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．５０ｎｍであった。

（実施例２〜３）
上述の実施例１におけるコロイダルシリカ研磨砥粒の粒子径として８０ｎｍ（実施例２）、４０ｎｍ（実施例３）とした以外は、実施例１と同様にして、ガラス基板の四隅（角部）近傍に隣接する部分（Ｒ部）の鏡面研磨を行い、マスクブランク用ガラス基板を得た。
対向主表面、面取斜面部、及び、Ｒ部の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（測定エリア：１０μｍ□）で複数箇所測定したところ、実施例２のマスクブランク用ガラス基板は、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１５ｎｍ、面取斜面部の表面粗さＲａ＝０．６３ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．２７ｎｍ、実施例３のマスクブランク用ガラス基板は、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１５ｎｍ、面取斜面部の表面粗さＲａ＝０．６３ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．１９ｎｍであった。

（実施例４）
上述の実施の形態における基板の端面に対する研磨（Ｓ１１４）として、コロイダルシリカ研磨砥粒の粒子径として１００ｎｍ、スラリーＰＨを１０．２、硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）が５５の研磨パッドを用いて、ガラス基板の面取斜面部の鏡面研磨を行い、マスクブランク用ガラス基板を得た。
対向主表面、面取斜面部、及び、Ｒ部の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（測定エリア：１０μｍ□）で複数箇所測定したところ、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１５ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．４７ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．６７ｎｍであった。

（実施例５〜６）
上述の実施例４におけるコロイダルシリカ研磨砥粒の粒子径として８０ｎｍ（実施例５）、４０ｎｍ（実施例６）とした以外は、実施例４と同様にして、ガラス基板の面取斜面部の鏡面研磨を行い、マスクブランク用ガラス基板を得た。
対向主表面、面取斜面部、及び、Ｒ部の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（測定エリア：１０μｍ）で複数箇所測定したところ、実施例５のマスクブランク用ガラス基板は、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１４ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．２４ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．６６ｎｍ、実施例６のマスクブランク用ガラス基板は、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１４ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．１９ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．６５ｎｍであった。

（実施例７〜９）
上述の実施例１〜３で用いたコロイダルシリカ研磨砥粒（１００ｎｍ（実施例７）、８０ｎｍ（実施例８）、４０ｎｍ（実施例９））を用いて、ガラス基板の四隅（角部）近傍に隣接する部分（Ｒ部）及び面取斜面部の鏡面研磨を行い、マスクブランク用ガラス基板を得た。
対向主表面、面取斜面部、及び、Ｒ部の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（測定エリア：１０μｍ）で複数箇所測定したところ、実施例７のマスクブランク用ガラス基板は、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１５ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．４８ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．４９ｎｍ、実施例８のマスクブランク用ガラス基板は、主表面の表面粗さＲａ＝０．１４ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．２４ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．２６ｎｍ、実施例９のマスクブランク用ガラス基板は、主表面の表面粗さＲａ＝０．１４ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．１６ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．１７ｎｍであった。

（比較例１）
上述の実施例において、コロイダルシリカ研磨砥粒を使用した端面に対する鏡面研磨を行わなかった以外は、実施の形態におけるＳ１０２からＳ１１６の各研磨を行い、マスクブランク用ガラス基板を得た。
対向主表面、面取斜面部、及び、Ｒ部の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（測定エリア：１０μｍ□）で複数箇所測定したところ、主表面の表面粗さはＲａ＝０．１５ｎｍ、面取斜面部の表面粗さはＲａ＝０．６７ｎｍ、Ｒ部の表面粗さはＲａ＝０．６８ｎｍであった。

上述の実施例１〜９、比較例１のガラス基板をスパッタリング装置内の基板ホルダーにセットし、Ｃｒターゲットを用いて、ＣｒＮ／ＣｒＣＮ／ＣｒＯＮの積層膜からなる遮光膜をガラス基板上にスパッタ成膜してＡｒＦエキシマレーザー露光用マスクブランクを作製した。遮光膜は、ガラス基板の主表面全面及び面取斜面部全面に形成され、さらに、Ｒ部の約半分の領域に形成されていた。尚、遮光膜表面を純水を用いたスクラブ洗浄を行った後、乾燥した。

遮光膜表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて、０．０６μｍ以上の大きさのパーティクル、ピンホールの個数を測定した。
その結果、実施例１のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは４７個、実施例２のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは３５個、実施例３のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは２０個、実施例４のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは２２個、実施例５のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは１７個、実施例６のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは１３個、実施例７のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは９個、実施例８のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは５個、実施例９のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは２個であった。比較例１のガラス基板を用いて作製したマスクブランクは４９３個であった。

また、上述の実施例９と、比較例１のガラス基板をスパッタリング装置内の基板ホルダーにセットし、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを用いて、Ｍｏ／Ｓｉの積層膜からなる多層反射膜と、Ｃｒターゲットを用いて、ＣｒＮ膜からなるバッファー層と、ＴａＢターゲットを用いて、ＴａＢＮ膜からなる吸収体層をガラス基板上にスパッタ成膜してＥＵＶ露光用反射型マスクブランクを作製した。多層反射膜とバッファー層は、ガラス基板の主表面略全面に形成され、吸収体層は、ガラス基板の主表面及び面取斜面部全面に形成されていた。

吸収体膜表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて、０．０６μｍ以上の大きさのパーティクル、ピンホールの個数を測定した。
その結果、実施例９のガラス基板を用いて作製した反射型マスクブランクは７個、比較例１のガラス基板を用いて作製した反射型マスクブランクは１０３５個であった。
尚、比較例１のガラス基板を用いて作製したＡｒＦエキシマレーザー露光用マスクブランクとＥＵＶ露光用反射型マスクブランクの欠陥原因を分析したところ、研磨剤成分や、搬送治具、収納ケースの基板保持具の成分だけでなく、遮光膜や、吸収膜の成分も含まれていた。ガラス基板の面取斜面部を観察したところ、一部の箇所に膜剥がれが観察された。面取斜面部に形成されている遮光膜や吸収膜の成分をオージエ電子分光法により深さ方向の成分分析を行ったところ、ガラス基板主表面に形成されている吸収膜の組成比に比べ酸素が多く含まれていることが確認された。これは、成膜時に使用する基板ホルダーに含まれている酸素ガス（基板ホルダーを洗浄する際に残存したものと推定される）が、基板ホルダーに近接しているガラス基板の面取斜面部に形成される遮光膜や吸収膜の組成比に影響したものと考えられる。
実施例１〜９のガラス基板を用いて作製したＡｒＦエキシマレーザー露光用マスクブランクとＥＵＶ露光用反射型マスクブランクの欠陥原因には、遮光膜や吸収膜要因はなく、搬送治具、収納ケースの基板保持具の成分が若干含まれているだけであった。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

マスクブランク、及び／又はマスクブランク用ガラス基板に好適に適用できる。また、
マスクブランク用ガラス基板を研磨する研磨装置に好適に適用できる。

本発明の一実施形態に係るガラス基板１０の一例を示す図である。図１（ａ）は、ガラス基板１０の斜視図である。図１（ｂ）は、ガラス基板１０の断面図である。 ガラス基板１０を製造する製造方法の一例を示すフローチャートである。 工程Ｓ１１４で用いられる研磨装置１００の構成の一例を示す側面図である。 工程Ｓ１１４における研磨方法の概要を示す上面図である。図４（ａ）は、平面状の端面部分１ｄと研磨パッド２０とが接触している状態を示す図である。図４（ｂ）は、曲面状の端面部分１ｆと研磨パッド２０とが接触している状態を示す図である。 基板保持部５６の構成、及び工程Ｓ１１４における研磨方法を、更に詳しく説明する図である。図５（ａ）は、ガラス基板１０のＴ面を研磨する方法の一例を示す。図５（ｂ）は、ガラス基板１０のＣ面を研磨する方法の一例を示す。 ガラス基板１０を用いたマスクブランク５０の構成の一例を示す図である。 工程Ｓ１１４における研磨方法、及び研磨装置１００の構成の他の例を示す。図７（ａ）は、この研磨方法を示す。図７（ｂ）は、この研磨方法に用いられる研磨装置１００の構成の一例を示す。

符号の説明

１・・・端面１、１ａ・・・側面部、１ｂ・・・面取斜面部、１ｃ・・・側面部、１ｄ・・・平面状の端面部分、１ｅ・・・面取斜面部、１ｆ・・・曲面状の端面部分、２・・・対向主表面２、１０・・・ガラス基板、１０ａ・・・角部、１２・・・薄膜、２０・・・研磨パッド、３０・・・矢印、３２・・・矢印、３４・・・矢印、５０・・・マスクブランク、５２・・・パッド保持部、５４・・・研磨制御部、５６・・・基板保持部、１００・・・研磨装置、１０２・・・パッキング材、１０４・・・保持部、１０６・・・ロードセル、１０８・・・ワーク保持軸、１１０・・・回転部、１１２・・・回転ステージ

Claims (13)

1. ＡｒＦエキシマレーザー光を露光光とする露光用マスクまたはＥＵＶ光を露光光とする反射型マスクを製造するために用いられ、対向主表面と、該対向主表面の外縁に隣接する端面を有するガラス基板を用いるマスクブランク用のガラス基板の製造方法であって、
   前記ガラス基板は、前記対向主表面の角部近傍の外縁に隣接する端面に曲面状の部分を備え、
   前記曲面状の部分を含む端面は、側面部と、該側面部および前記主表面の間に形成された面取斜面部とを備え、
   コロイダルシリカ研磨砥粒を用いて前記端面を研磨し、前記曲面状の部分および面取り斜面部を含む端面を算術平均表面粗さＲａで０．５ｎｍ以下である鏡面にする端面研磨工程と、
   前記端面研磨工程後、コロイダルシリカ研磨砥粒を用いて対向する主表面を研磨し、算術平均表面粗さＲａで０．２ｎｍ以下である鏡面にする主表面研磨工程と、
   を備えることを特徴とするマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
2. ＡｒＦエキシマレーザー光を露光光とする露光用マスクまたはＥＵＶ光を露光光とする反射型マスクを製造するために用いられ、対向主表面と、該対向主表面の外縁に隣接する端面を有するガラス基板を用いるマスクブランク用のガラス基板の製造方法であって、
   前記端面は、側面部と、該側面部および主表面の間に形成された面取斜面部を備え、
   コロイダルシリカ研磨砥粒を用いて前記面取斜面部を含む端面を研磨し、算術平均表面粗さＲａで０．５ｎｍ以下である鏡面にする端面研磨工程と、
   前記端面研磨工程後、コロイダルシリカ研磨砥粒を用いて対向する主表面を研磨し、算術平均表面粗さＲａで０．２ｎｍ以下である鏡面にする主表面研磨工程と、
   を備えることを特徴とするマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
3. ６５ｎｍデザインルールあるいはそれ以下のデザインルールにおけるマスクパターンを形成するためのマスクブランクに用いられるガラス基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
4. 前記端面研磨工程は、表面がガラス基板よりも軟質な材料からなる回転可能な円筒状部材を前記ガラス基板の端面に接触させ、前記円筒状部材とガラス基板の端面とを相対的に移動させ、前記端面を鏡面にすることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
5. 前記円筒状部材は、表面に発泡させた微小孔が形成された円筒状の研磨パッドからなる、または円筒状支持部材の表面に発泡ウレタンの研磨パッドを固定させた構造からなることを特徴とする請求項４に記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
6. 前記円筒状部材の回転軸を前記ガラス基板の主表面に対して交差する方向に配向させ、前記円筒状部材と前記ガラス基板の端面とを、前記外縁に沿って相対的に移動させるとともに、
   前記ガラス基板の角部近傍に隣接する少なくとも一つの端面部分を鏡面にすることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
7. 前記円筒状部材の回転軸を前記面取斜面部の短手方向に配向させ、
   前記円筒状部材と前記ガラス基板の端面とを、前記外緑に沿って相対的に移動させるとともに、前記面取斜面部を鏡面にすることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
8. 酸化セリウム研磨砥粒を用い、前記ガラス基板の端面に研磨ブラシを接触させて、研磨ブラシとガラス基板の端面とを相対的に移動させるブラシ研磨加工を行い、その後に、前記端面研磨工程を行うことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法。
9. 請求項１乃至８の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法で製造されたマスクブランク用のガラス基板の少なくとも前記対向主表面の一方に、マスクパターンを形成するための薄膜が成膜されることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
10. 請求項１乃至８の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法で製造されたマスクブランク用のガラス基板の少なくとも前記対向主表面の一方、及び、前記面取斜面部に、マスクパターンを形成するための薄膜が成膜されることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
11. 請求項９または１０に記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの薄膜に、６５ｎｍデザインルールあるいはそれ以下のデザインルールにおけるマスクパターンが形成されることを特徴とする露光用マスクの製造方法。
12. 請求項１乃至８の何れかに記載のマスクブランク用のガラス基板の製造方法で製造されたマスクブランク用のガラス基板における一方の主表面に、ＥＵＶ露光光を反射する多層反射膜が成膜され、前記主表面に成膜された多層反射膜上および面取斜面部にマスクパターンを形成するための吸収体層が成膜されることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
13. 請求項１２に記載の反射型マスクブランクの製造方法で製造された反射型マスクブランクに、６５ｎｍデザインルールあるいはそれ以下のデザインルールにおけるマスクパターンが形成されることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
    

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