JP2009170773A - インプリントモールドおよびインプリント装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】パターンの破損を防止し、離型工程を容易にするモールド作成法および転写装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のインプリントモールドは、凹凸パターンが形成された面と逆側の面の基板に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部を形成したことを特徴とする。本発明の構成によれば、剥離時に樹脂とインプリントモールドの付着力によってインプリントモールド自体が湾曲し、剥離力が付着面の周囲に集中して働くため、従来よりも小さな力で剥離を開始する事が出来る。また、剥離が進行するにつれて剥離力は周囲から中心へと順次効率よく働いていくため、パターン破損の減少と転写スピードの向上の両立を図る事が出来る。
【選択図】 図2

Description

本発明は、インプリントモールドおよび該インプリントモールドを用いるのに好適なインプリント装置に関する。
近年、微細な寸法が要求されるパターンの形成にインプリント法を用いることが提案されている。インプリント法は、微細パターンが形成されたインプリントモールドを樹脂を塗布した転写基板に型押し、パターン転写するものである。
インプリント法には、樹脂をガラス転移温度以上に加熱した状態でインプリントモールドを押し付け、温度が低下してから剥離を行う熱サイクル法や、紫外線硬化性樹脂をレジストとして用い、光透過性を有するインプリントモールドを押し付けた状態で紫外線を照射し、レジスト硬化させてパターン転写する光インプリント法などがある(特許文献1参照)。
半導体デバイスの製造においては、高度なアラインメント技術と高速なスループットが要求されるため、モールド裏面側からのアラインメントが容易な透明モールドである光インプリント法を用いる事が多い。
光インプリント法の転写原理を図1に示す。被転写基板1に光感光性樹脂2を塗布し(a)、光透過性を有するインプリントモールド3を樹脂がモールド内に入る程度の圧力で上から押し付ける(b)。この状態でインプリントモールド3側より露光光4を照射するとモールドパターン形状通りにレジスト2が硬化する。最後にインプリントモールド3を基板1から引き剥がし、基板1上に所望のパターンを形成する(c)。
インプリント法では硬化した樹脂とモールドが強く付着してしまうため、剥離時に樹脂に強い力が加わり、形成したパターンやインプリントモールド自体が破損する問題がある。
例えば、インプリントモールドのパターン面にフッ素ポリマーなどで剥離層を形成し、モールドと樹脂間の剥離性を向上させることが提案されている(非特許文献1参照)。
特に、光インプリント法では、レジスト樹脂とインプリントモールドが密着した状態で露光光照射時に硬化するため、両者は強く付着してしまい、剥離時に形成したパターンやインプリントモールドが破損する問題は顕著である。
特開2000−194142号公報 「ナノインプリント技術徹底解説」、Electric Journal、2004年11月22日、P20−38
しかしながら、剥離層を形成することでは、転写を繰り返しているうちに剥離層が磨耗し、その性能が劣化してしまう。また、このような剥離層を形成してもモールドと硬化樹脂が密着している状態から剥離するためには強い力を要し、スループットの低下や転写されたパターンの破壊を引き起こす原因となる。
そこで、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、パターンの破損を防止し、離型工程を容易にするモールド作成法および転写装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の本発明は、微細なパターンを形成するために用いるインプリントモールドにおいて、基板と、前記基板に、形成された凹凸パターンと、前記凹凸パターンが形成された面と逆側の面の基板に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部と、を備えたことを特徴とするインプリントモールドである。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載のインプリントモールドであって、凹部は、曲面で構成された凹部であることを特徴とするインプリントモールドである。
請求項3に記載の本発明は、請求項1または2のいずれかに記載のインプリントモールドであって、基板は、露光光を透過する材料からなる基板であることを特徴とするインプリントモールドである。
請求項4に記載の本発明は、インプリントモールドを用いて微細なパターンを形成するインプリント装置において、インプリントモールドを保持する機構は、インプリントモールドの凹凸パターン側の保持位置が逆側の面の保持位置に比べ基板の外縁部側の位置に保持する機構であることを特徴とするインプリント装置である。
請求項5に記載の本発明は、請求項4に記載のインプリント装置であって、インプリントモールドを保持する機構は、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する位置に露光光を透過するための開口部を設けていることを特徴とするインプリント装置である。
本発明のインプリントモールドは、凹凸パターンが形成された面と逆側の面の基板に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部を形成したことを特徴とする。
本発明の構成によれば、剥離時に樹脂とインプリントモールドの付着力と剥離方向に働く力によって凹部に応力がかかり、インプリントモールド自体が湾曲する。このため、剥離力が付着面の周囲に集中して働くため、従来よりも小さな力で剥離を開始する事が出来る。また、剥離が進行するにつれて剥離力は周囲から中心へと順次効率よく働いていくため、パターン破損の減少と転写スピードの向上の両立を図る事が出来る。
以下、本発明のインプリントモールドについて説明を行う。
本発明のインプリントモールドは、
基板と、
前記基板に、形成された凹凸パターンと、
前記凹凸パターンが形成された面と逆側の面の基板に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部と、備える(図2(a))。
本発明のインプリントモールドは、凹凸パターンが形成された面と逆側の面の基板に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部を形成したことを特徴とする。
剥離工程時に(図2(b))点線のようにインプリントモールドが湾曲し、樹脂とインプリントモールドの界面のうち、転写領域に隣接した転写周辺部分に力が集中する。そして、周辺から順次剥離が進行していくため、従来よりも小さな力で離型が可能となる。この結果、転写されたパターンの破壊およびインプリントモールド自体の破壊を防止する事が出来る。
また、本発明のインプリントモールドは、凹部は、曲面で構成された凹部であることが好ましい。
曲面で構成された凹部のとき、モールド圧着時にかかる鉛直方向の力に対し、伝達方向の断面方向に一様な圧縮応力が働き、モールド水平方向への力となる。従って、インプリント装置内でインプリントモールドが水平方向に広がらないように固定されていればモールドは変形せず、凹型形状に加工したことによるモールドの剛性の低下が抑えられる。
曲面で構成された凹部としては、例えば、アーチ型形状などが挙げられる。
凹部の寸法は設計事項であり、インプリントモールドの大きさ、厚み、撓み量などに応じて、適宜決定してよい。
また、凹部の形成は、適宜公知の微細加工方法により形成して良い。このとき、微細加工方法としては、例えば、微細加工技術として、リソグラフィ方法、エッチング方法、微細機械加工法(レーザ加工、マシニング加工、研削加工など)などを用いても良い。
基板は、用いるインプリント法に応じて適宜選択すればよく、限定されるものではない。例えば、金属、樹脂、ガラスなどであっても良い。例えば、基板として、シリコン基板、石英基板、SOI基板、などを用いても良い。
また、基板は、露光光を透過する材料からなる基板であることが好ましい。露光光を透過する材料からなる基板用いることにより、好適に光インプリント法に用いることが出来る。光インプリント法は、レジスト樹脂とインプリントモールドが密着した状態で露光光照射時に硬化するため両者は強く付着することが知られており、本発明の剥離時に樹脂とインプリントモールドの付着力によってインプリントモールド自体が湾曲するインプリントモールドは特に好適に作用する。
露光光を透過する材料からなる基板としては、例えば、一般的な露光光に対して透過性を有する石英基板などが挙げられる。
凹凸パターンは、所望する転写パターンに応じて、適宜設計し、適宜公知の微細加工方法により形成して良い。このとき、微細加工方法としては、例えば、微細加工技術として、リソグラフィ方法、エッチング方法、微細機械加工法(レーザ加工、マシニング加工、研削加工など)などを用いても良い。
以下、本発明のインプリント装置について説明を行う。
本発明のインプリント装置は、インプリントモールドを保持する機構は、インプリントモールドの凹凸パターン側の保持位置が逆側の面の保持位置に比べ基板の外縁部側の位置に保持する機構であることを特徴とする。
図3に示すように、インプリントモールドの凹凸パターン側の保持位置が逆側の面の保持位置に比べ基板の外縁部側の位置に保持すること(モールド転写面側固定部111は、モールド裏面側固定部112よりも外側に位置している)により、圧着時はモールド裏面側固定部112を通して圧着力が加わりモールドが逆方向に撓むことが防止される。また、剥離時はモールド転写面側固定部111を通して力が加わるため、インプリントモールドの湾曲が容易になる。
このため、好適に本発明のインプリントモールドを用いてインプリント法を行うことが出来る。
また、本発明のインプリント装置は、インプリントモールドを保持する機構は、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する位置に露光光を透過するための開口部を設けていることが好ましい。凹凸パターンに対応する位置に開口部を設けることで、好適に光インプリント法を行うことが出来る。
光インプリント法は、レジスト樹脂とインプリントモールドが密着した状態で露光光照射時に硬化するため両者は強く付着することが知られており、本発明の剥離時に樹脂とインプリントモールドの付着力によってインプリントモールド自体が湾曲するインプリントモールドは特に好適に作用する。
以下、本発明のインプリント装置の一例として、転写基板上にインプリントモールドの凹凸パターンを複数箇所順次転写するステップアンドリピート方式の光インプリント装置を挙げ、図4を用いながら説明を行う。
転写基板101はウェハステージ102上に設置される。ウェハステージ102は水平方向に移動可能であり、レーザー干渉計(図示せず)からの情報により、正確な位置制御が行われる。インプリントモールド103は裏面側よりモールド保持機構104に固定されている。さらにその上部には、レベライザ105があり、nmオーダーのパターンをウェハに水平に転写するための平行出しを行う。照明光学系106は、レンズ群と光源107からの光路を変化させるためのミラーから構成される。インプリントモールドを含む転写側の機構は駆動部108に固定されており、全体が上下動することにより転写される。また、検出器109はウェハとのアラインメントをとるために設けられ、転写装置によっては、あらかじめレジストがコートされた転写基板を使用せずに転写ステップ毎にレジストを滴下するディスペンサー110が設置されているものもある。
図5は、図4のインプリントモールド近傍拡大図である。インプリントモールド103は転写面周囲がエッチングされて段差を有し、転写部分以外は転写基板101と接触しない構造となっている。また、モールド背面側から露光光を照射するため、インプリントモールド103は開口部を有するモールド保持機構104で固定されている。
インプリント法により、パターン転写を行う工程では、スピンコートもしくはディスペンサー110によってレジストが塗布されたウェハに対し、駆動部108によりインプリントモールド103が降下して基板に圧着する。次に、上部より露光光を照射し、レジストが硬化した後、駆動部108が上昇することによってモールドがレジストから剥離し、基板にパターンが転写される。
光インプリント法の原理を説明する図である。 本発明のインプリントモールドの一例を示す図である。 本発明のインプリント装置の保持機構の一例を示す図である。 本発明のインプリント装置の全体概略図である。 本発明のインプリント装置のインプリントモールド近傍拡大図である。
符号の説明
1・・・基板
2・・・レジスト
3・・・インプリントモールド
4・・・露光光
5・・・レジスト残膜
101・・・転写基板
102・・・ウェハステージ
103・・・インプリントモールド
104・・・モールド保持機構
105・・・レベライザ
106・・・照明光学系
107・・・光源
108・・・駆動部
109・・・検出器
110・・・ディスペンサー
111・・・モールド転写面側固定部
112・・・モールド裏面側固定部

Claims (5)

  1. 微細なパターンを形成するために用いるインプリントモールドにおいて、
    基板と、
    前記基板に、形成された凹凸パターンと、
    前記凹凸パターンが形成された面と逆側の面の基板に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部と、
    を備えたことを特徴とするインプリントモールド。
  2. 請求項1に記載のインプリントモールドであって、
    凹部は、曲面で構成された凹部であること
    を特徴とするインプリントモールド。
  3. 請求項1または2のいずれかに記載のインプリントモールドであって、
    基板は、露光光を透過する材料からなる基板であること
    を特徴とするインプリントモールド。
  4. インプリントモールドを用いて微細なパターンを形成するインプリント装置において、
    インプリントモールドを保持する機構は、インプリントモールドの凹凸パターン側の保持位置が逆側の面の保持位置に比べ基板の外縁部側の位置に保持する機構であること
    を特徴とするインプリント装置。
  5. 請求項4に記載のインプリント装置であって、
    インプリントモールドを保持する機構は、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する位置に露光光を透過するための開口部を設けていること
    を特徴とするインプリント装置。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251601A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Toshiba Corp テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法
JP2011051875A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Korea Inst Of Machinery & Materials ナノインプリントを利用した金属酸化薄膜パターンの形成方法及びled素子の製造方法
JP2011224925A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Disco Corp 凹凸構造を形成するための治具
JP2011245816A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法
JP2011245787A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法
JP2012032786A (ja) * 2010-06-28 2012-02-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体用合成石英ガラス基板の製造方法
JP2012060074A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Toshiba Corp インプリント装置及び方法
WO2012093736A1 (en) 2011-01-06 2012-07-12 Fujifilm Corporation Method for cleansing nanoimprinting molds
WO2012121418A2 (en) 2011-03-09 2012-09-13 Fujifilm Corporation Nanoimprinting method and nanoimprinting apparatus for executing the nanoimprinting method
JP2012231056A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置
JP2013088793A (ja) * 2011-10-24 2013-05-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体用ガラス基板及びその製造方法
JP2013163265A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Dainippon Printing Co Ltd 微細構造の形成方法およびインプリント装置
JP2013214627A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法
JP2013219230A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP2014030994A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Hikari Kinzoku Kogyosho:Kk 樹脂製品、および樹脂製品の製造方法
JP2014051050A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp モールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法
JP2014133310A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd インプリントモールドの製造方法
WO2015108002A1 (ja) * 2014-01-15 2015-07-23 旭硝子株式会社 インプリント用テンプレート及び転写パターンを形成しうるテンプレート、並びにそれらの製造方法
JP2016131257A (ja) * 2016-04-06 2016-07-21 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法
JP2018022732A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 大日本印刷株式会社 インプリントモールド
JP2018201042A (ja) * 2018-09-05 2018-12-20 大日本印刷株式会社 インプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板の製造方法及びインプリントモールドの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH075693A (ja) * 1993-03-16 1995-01-10 Philips Electron Nv 平坦な基板表面に硬化フォトレジストのパターン化レリーフを設ける方法および装置
JP2007190735A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Tdk Corp スタンパー、凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法
JP2007305895A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Apic Yamada Corp インプリント方法およびナノ・インプリント装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH075693A (ja) * 1993-03-16 1995-01-10 Philips Electron Nv 平坦な基板表面に硬化フォトレジストのパターン化レリーフを設ける方法および装置
JP2007190735A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Tdk Corp スタンパー、凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法
JP2007305895A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Apic Yamada Corp インプリント方法およびナノ・インプリント装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251601A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Toshiba Corp テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法
JP2011051875A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Korea Inst Of Machinery & Materials ナノインプリントを利用した金属酸化薄膜パターンの形成方法及びled素子の製造方法
JP2011224925A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Disco Corp 凹凸構造を形成するための治具
JP2011245787A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法
JP2011245816A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Hoya Corp マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法
JP2012032786A (ja) * 2010-06-28 2012-02-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体用合成石英ガラス基板の製造方法
JP2012060074A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Toshiba Corp インプリント装置及び方法
US9073102B2 (en) 2011-01-06 2015-07-07 Fujifilm Corporation Method for cleansing nanoimprinting molds
WO2012093736A1 (en) 2011-01-06 2012-07-12 Fujifilm Corporation Method for cleansing nanoimprinting molds
WO2012121418A2 (en) 2011-03-09 2012-09-13 Fujifilm Corporation Nanoimprinting method and nanoimprinting apparatus for executing the nanoimprinting method
JP2012231056A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置
JP2013088793A (ja) * 2011-10-24 2013-05-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体用ガラス基板及びその製造方法
JP2013163265A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Dainippon Printing Co Ltd 微細構造の形成方法およびインプリント装置
JP2013214627A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法
JP2013219230A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP2014030994A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Hikari Kinzoku Kogyosho:Kk 樹脂製品、および樹脂製品の製造方法
JP2014051050A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp モールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法
JP2014133310A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd インプリントモールドの製造方法
WO2015108002A1 (ja) * 2014-01-15 2015-07-23 旭硝子株式会社 インプリント用テンプレート及び転写パターンを形成しうるテンプレート、並びにそれらの製造方法
JP2016131257A (ja) * 2016-04-06 2016-07-21 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法
JP2018022732A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 大日本印刷株式会社 インプリントモールド
JP2018201042A (ja) * 2018-09-05 2018-12-20 大日本印刷株式会社 インプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板の製造方法及びインプリントモールドの製造方法

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