JP2002009129A - 基板搬送アーム及び基板搬送方法 - Google Patents

基板搬送アーム及び基板搬送方法

Info

Publication number
JP2002009129A
JP2002009129A JP2000191643A JP2000191643A JP2002009129A JP 2002009129 A JP2002009129 A JP 2002009129A JP 2000191643 A JP2000191643 A JP 2000191643A JP 2000191643 A JP2000191643 A JP 2000191643A JP 2002009129 A JP2002009129 A JP 2002009129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
temperature
substrate holding
holding part
transfer arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000191643A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Imaoka
哲夫 今岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000191643A priority Critical patent/JP2002009129A/ja
Publication of JP2002009129A publication Critical patent/JP2002009129A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manipulator (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異なる温度で複数の処理が連続して同一装置
内で行われる場合でも、基板に歪みを生ぜずまた基板を
破損することのない基板搬送アームならびに基板搬送方
法を提供する。 【解決手段】 基板保持部1に載置された熱処理直後の
基板3の温度を、基板温度測定用熱電対4によって測定
し、また、基板保持部温度測定用熱電対5によって基板
保持部1の温度を測定し、測定されたそれぞれの温度デ
ータを温度データ収集装置に収集し、これらの温度デー
タを比較演算装置に転送し所望の基板保持部温度とする
ための最適な温度を算出し、算出された温度データは装
置コントローラーから温度調節器コントローラーに基板
保持部温度調節器の温度調整指示を出し、基板搬送アー
ムの温度調整を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置特に
半導体基板処理装置の基板搬送アーム及び搬送方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体製造装置においては半導体
基板の大口径化、設備クリーン度の要求から、基板の搬
送には基板保持部と基板保持部取り付け軸を有する金属
製あるいはセラミックの基板搬送アームが多用されてい
る。またクリーンルーム設置面積の縮小と工程時間短縮
のため、製造装置の集約化が進んでいる。このため基板
のドライエッチング工程、アッシング工程及び、CVD
工程等のように、異なる温度で複数の処理が、同一装置
内の各処理室間を基板が搬送される様な同一装置内で連
続して行われることが多くなっている。これら基板の各
処理室間の移動、搬送には前述のような基板搬送アーム
が単独ですべての搬送を行っている。
【0003】ここで従来の基板搬送アームの概略図を図
3と図4に示す。図3は基板搬送アームに半導体基板な
どの基板が載せられた状態の上側から見た概略平面図で
あり、図4は、図3における一点鎖線で示したA−A´
ラインにおける概略断面図である。
【0004】図3、図4において1は基板搬送アームの
基板保持部、2は基板搬送アームの基板保持部取り付け
軸、3は基板である。基板保持部及び基板保持部取り付
け軸は一般的には、標準的なアルマイト被覆処理(被覆
処理厚み約40μm)を施されたアルミ合金などからな
るものが多用されている。
【0005】従来の半導体基板処理装置における基板の
連続処理の一例として熱処理に相当するアッシング処理
およびこれに引き続く基板冷却処理を同一製造装置内で
実施する場合について以下に説明する。一般的に基板の
アッシング処理は300℃乃至400℃で実施される。
尚、基板搬送アームは、アッシング処理中などの基板処
理中は当該処理用のプロセスチャンバー外に待機してお
り、従って通常、待機中の基板搬送アームは待機場所に
おける雰囲気温度、通常例えば室温になっている。アッ
シング処理が終了し、300℃乃至400℃に加熱され
た状態の基板3はアッシング処理が行われたプロセスチ
ャンバー内に移動した基板搬送アームにより取り出され
る。基板3は基板搬送アームの基板保持部1上に載置さ
れたまま、直ちに基板保持部取り付け軸2の動作により
次の冷却処理のため20℃乃至30℃に保持された図示
しない冷却ステージに搬送され、冷却処理される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】アッシング処理などの
プロセス処理後の基板は、熱処理により加熱されてお
り、金属製などの基板搬送アームで取り出した際にアー
ムと基板との接触部分の基板温度は急激に冷却され、次
工程へ搬送されるまでに基板面内で生じる温度差による
基板内での熱応力による歪みが生じる。さらに基板の歪
みが回復しない状態のまま、冷却処理のため低温に保持
された冷却ステージ上に移載された場合、前記の基板の
歪みは急激に増大する。このため甚だしい場合は基板の
破損となり、製品不良率あるいは設備稼動率の低下要因
となっていた。
【0007】本発明は上記問題点に鑑み、異なる温度で
複数の処理が連続して同一装置内で行われる場合でも、
基板に歪みを生ぜずまた基板を破損することのない基板
搬送アームならびにこの基板搬送アームを有効に活用す
ることができる基板搬送方法を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の基板搬送アームならびに基板搬送方法は、次
のものである。
【0009】(1)すなわち本発明の基板搬送アーム
は、基板保持部と基板保持部取り付け軸を有する基板搬
送アームにおいて、基板保持部に基板温度及び基板保持
部温度を測定する手段を備えていることを特徴とする。
【0010】(2)前記(1)項に記載の基板搬送アー
ムにおいては、基板保持部に設けられている基板温度を
測定する手段が、基板との接触部に設けられている熱電
対であり、基板保持部に設けられている基板保持部温度
を測定する手段が、基板との非接触部に設けられている
熱電対であることが好ましい。
【0011】(3)また、前記(1)項乃至(2)項の
いずれかに記載の基板搬送アームにおいては、基板保持
部内部に温度調節手段をさらに備えていることが好まし
い。
【0012】(4)また、前記(3)項に記載の基板搬
送アームにおいては、基板保持部内部に配設されている
温度調節手段が、ヒーター及び/または電子冷却素子か
らなる温度調節手段であることが好ましい。
【0013】(5)また、本発明の基板搬送方法は、基
板に熱処理を行う工程を少なくとも1つと、基板に冷却
処理を行う工程を少なくとも1つ有する基板処理工程に
おける基板搬送方法において、基板を前記熱処理工程か
ら前記冷却処理工程に搬送する際に、基板温度を前記熱
処理工程の温度と前記冷却工程の温度との中間の範囲の
所定の温度に調整する工程を備えることを特徴とする。
【0014】(6)前記(5)項に記載の基板搬送方法
においては、基板温度を所定の温度に調整する工程が、
基板保持部と基板保持部取り付け軸を有する基板搬送ア
ームであって前記基板保持部に基板温度及び基板保持部
温度を測定する手段を備え基板保持部内部に温度調節手
段を備えた基板搬送アームに基板を載置する工程、基板
温度と基板保持部温度を測定する工程、前記温度測定値
を比較演算した結果に基づいて基板保持部の温度を制御
する工程からなることが好ましい。
【0015】(7)また、前記(5)乃至(6)項のい
ずれかに記載の基板搬送方法においては、熱処理温度が
300℃乃至400℃であり、冷却処理温度が20℃乃
至30℃であり、かつ所定の温度が70℃乃至100℃
であることが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明において、基板を熱処理工
程から冷却処理工程に搬送する際に、基板温度を前記熱
処理工程の温度と前記冷却工程の温度との中間の範囲の
所定の温度に調整する工程における、「所定の温度」と
は、具体的な温度範囲は、基板の素材や種類、熱処理工
程の温度と冷却工程の温度などの種々の要因によって変
わるが、熱処理工程と冷却工程の間で急激な温度変化を
避けるために、熱処理工程の温度と冷却工程の温度の中
間の範囲の温度であって、基板面内で生じる温度差によ
る基板内で熱応力による歪みが生じにくい温度範囲を意
味するものである。具体例としては、熱処理が300℃
乃至400℃であり、冷却処理が20℃乃至30℃の場
合には、本発明の基板搬送方法における、「所定の温
度」の範囲は70℃乃至100℃が好ましい。
【0017】以下図面を参照しながら、本発明の基板搬
送アームならびにこれを用いた基板搬送方法についてそ
の実施例を説明する。
【0018】図1は、本発明の基板搬送アームに半導体
基板などの基板が載せられた状態の上側から見た概略平
面図であり、図2は、図1における一点鎖線で示したA
−A´ラインにおける概略断面図であるが、アームの基
板保持部と基板保持部取り付け軸のベースとなる素材が
あたかも透明で内部が透視できると仮定した場合の内部
構造を示した断面図に温度制御回路を模式的に追加した
図である。
【0019】図1および図2において、1は基板搬送ア
ームの基板保持部、2は基板搬送アームの基板保持部取
り付け軸、3は基板保持部上に載せられている基板、4
は基板温度測定用熱電対、5は基板保持部温度測定用熱
電対、6は基板保持部温度調節器、7は基板保持部温度
調節器の温度測定用熱電対、8は基板温度測定用熱電対
ケーブル、9は基板保持部温度測定用熱電対ケーブル、
10は基板保持部温度調節器ケーブル、11は基板保持
部温度調節器の温度測定用熱電対ケーブル、12は温度
データ収集装置、13は温度調節器コントローラー、1
4は温度データ比較演算装置、15は装置コントローラ
ーである。
【0020】基板保持部1は、基板接触部に埋め込まれ
た基板温度測定用熱電対4と、基板と接触しない部分に
埋め込まれた基板保持部温度測定用熱電対5と、内部に
基板保持部温度調節器6を備え、基板保持部取付け軸2
に連なる図示していないアーム動作の駆動手段により機
能動作を行う基板搬送アームである。なお、基板保持部
温度調整器6としては、ヒーターまたは電子冷却素子あ
るいはこの両者が好ましく用いられる。
【0021】本発明の基板搬送アームを用いた基板搬送
方法の実施例としてアッシング処理およびこれに引き続
く基板冷却処理を同一製造装置内で実施する場合につい
て以下に説明する。
【0022】従来と同様に半導体基板のアッシング処理
は300℃乃至400℃で実施される。基板搬送アーム
は、基板のアッシング処理中はアッシング処理が行われ
るプロセスチャンバー外に待機しており、アッシング処
理が終了し、300℃乃至400℃に加熱された状態の
基板3はアッシング処理が行われたプロセスチャンバー
内に移動した基板搬送アームにより取り出される。基板
搬送アームの基板保持部1に載置された直後の基板3の
温度を、基板温度測定用熱電対4によって測定し、ま
た、基板と接触しない部分に埋め込まれた基板保持部温
度測定用熱電対5によって基板保持部1の温度を測定
し、測定されたそれぞれの温度データは、それぞれ基板
温度測定用熱電対ケーブル8および9を介して、温度デ
ータ収集装置12に収集される。収集された温度データ
は、温度データ比較演算装置14に転送され、ここでは
所定の基板保持部温度として最適な温度(例えばこの例
では70〜100℃)を算出し、算出された温度データ
は装置コントローラー15に送信された後、温度調整器
コントローラー13に基板保持部温度調節器6の温度調
整指示を出す。指示を受けた温度調節器コントローラー
13は、基板保持部温度調節器ケーブル10を介し、基
板保持部温度調節器6に温度調整指示を出すと基板保持
部温度調節器6は所定の基板温度(この例では70℃乃
至100℃)で基板を保持できるように、温度調整を開
始する。基板保持部温度調節器6の温度は常時、基板保
持部温度調節器の温度測定用熱電対7により測定され、
基板保持部温度調節器の温度測定用熱電対ケーブル11
を介し、温度データ収集装置12に収集された後、温度
データ比較演算装置14で所定の基板温度となるように
比較演算し、常時温度制御を実施することで、基板搬送
アームは、基板を常に所定の基板温度である70℃乃至
100℃を保ちながら、基板保持部取り付け軸2の動作
により次の冷却処理のため20℃乃至30℃に保持され
た図示しない冷却ステージに移載する。以上の工程によ
れば基板に歪みを生ぜずまた基板を破損することは皆無
となる。
【0023】本実施例では、基板保持部が基板の外周近
傍部分と接触する形態の基板搬送アームを用いたが、上
記の形態に限定されるものではなく、基板裏面、表面に
関わらず基板温度及び基板保持部温度を測定する手段を
備え基板保持部内部に温度調節手段を備えた基板搬送ア
ームであれば同様の効果が得られる。
【0024】
【発明の効果】以上述べたように本発明の基板搬送アー
ムにおいては、搬送アームに基板温度と基板保持部温度
を測定する手段とさらに好ましくは基板保持部の温度調
節手段を備えているので、熱処理工程から冷却工程へ基
板を搬送する際に、基板面内で生じる温度差による基板
内での熱応力による歪みが生じないように制御できる搬
送アームを提供できる。
【0025】また、本発明の基板搬送方法は、基板温度
を熱処理工程の温度と冷却工程の温度との中間の範囲の
所定の温度に調整する工程を有しており、更に好ましく
は、前記所定の温度に調整する工程において、本発明の
搬送用アームを用いて、基板温度と基板保持部温度を測
定し、測定値を比較演算した結果に基づいて基板保持部
の温度を制御し、所定の基板温度に調整した後に基板の
冷却処理を行う工程を経ることにより異なる温度で複数
の処理が連続して同一装置内で行われる場合でも、基板
に歪みを生ぜずまた基板を破損することを防止できる基
板搬送方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板搬送アームに基板が載せられた状
態の上側から見た概略平面図。
【図2】図1のA−A´ラインにおける内部構造を示し
た概略断面図に温度制御回路を模式的に追加した図。
【図3】従来の基板搬送アームに基板が載せられた状態
の上側から見た概略平面。
【図4】図3における一点鎖線で示したA−A´ライン
における概略断面図。
【符号の説明】
1 基板保持部 2 基板保持部取り付け軸 3 基板 4 基板温度測定用熱電対 5 基板保持部温度測定用熱電対 6 基板保持部温度調節器 7 基板保持部温度調節器の温度測定用熱電対 8 基板温度測定用熱電対ケーブル 9 基板保持部温度測定用熱電対ケーブル 10 基板保持部温度調節器ケーブル 11 基板保持部温度調節器の温度測定用熱電対ケ
ーブル 12 温度データ収集装置 13 温度調節器コントローラー 14 温度データ比較演算装置 15 装置コントローラー
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C23C 14/50 C23C 14/50 E 5F045 16/44 16/44 F 16/458 16/458 16/46 16/46 H01L 21/205 H01L 21/205 21/3065 21/302 B Fターム(参考) 3F061 AA01 BA00 BA03 BE02 DB04 4K029 DA08 EA08 JA01 4K030 GA01 GA12 JA10 KA23 KA41 5F004 AA06 BB18 BC06 CA04 5F031 CA02 GA36 GA37 JA46 MA23 MA28 MA32 5F045 DQ10 DQ17 EN04 GB11 HA24

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板保持部と基板保持部取り付け軸を有
    する基板搬送アームにおいて、基板保持部に基板温度及
    び基板保持部温度を測定する手段を備えていることを特
    徴とする基板搬送アーム。
  2. 【請求項2】 基板保持部に設けられている基板温度を
    測定する手段が、基板との接触部に設けられている熱電
    対であり、基板保持部に設けられている基板保持部温度
    を測定する手段が、基板との非接触部に設けられている
    熱電対である請求項1記載の基板搬送アーム。
  3. 【請求項3】 基板保持部内部に温度調節手段をさらに
    備えている請求項1乃至2のいずれかに記載の基板搬送
    アーム。
  4. 【請求項4】 基板保持部内部に配設されている温度調
    節手段が、ヒーター及び/または電子冷却素子からなる
    温度調節手段である請求項3に記載の基板搬送アーム。
  5. 【請求項5】 基板に熱処理を行う工程を少なくとも1
    つと、基板に冷却処理を行う工程を少なくとも1つ有す
    る基板処理工程における基板搬送方法において、基板を
    前記熱処理工程から前記冷却処理工程に搬送する際に、
    基板温度を前記熱処理工程の温度と前記冷却工程の温度
    との中間の範囲の所定の温度に調整する工程を備えるこ
    とを特徴とする基板搬送方法。
  6. 【請求項6】 基板温度を所定の温度に調整する工程
    が、基板保持部と基板保持部取り付け軸を有する基板搬
    送アームであって前記基板保持部に基板温度及び基板保
    持部温度を測定する手段を備え基板保持部内部に温度調
    節手段を備えた基板搬送アームに基板を載置する工程、
    基板温度と基板保持部温度を測定する工程、前記温度測
    定値を比較演算した結果に基づいて基板保持部の温度を
    制御する工程からなる請求項5に記載の基板搬送方法。
  7. 【請求項7】 熱処理温度が300℃乃至400℃であ
    り、冷却処理温度が20℃乃至30℃であり、かつ所定
    の温度が70℃乃至100℃である請求項5乃至6のい
    ずれかに記載の基板搬送方法。
JP2000191643A 2000-06-26 2000-06-26 基板搬送アーム及び基板搬送方法 Pending JP2002009129A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000191643A JP2002009129A (ja) 2000-06-26 2000-06-26 基板搬送アーム及び基板搬送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000191643A JP2002009129A (ja) 2000-06-26 2000-06-26 基板搬送アーム及び基板搬送方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002009129A true JP2002009129A (ja) 2002-01-11

Family

ID=18690917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000191643A Pending JP2002009129A (ja) 2000-06-26 2000-06-26 基板搬送アーム及び基板搬送方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002009129A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319723A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP2008227422A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Seiko Precision Inc 穴開け装置
KR100964619B1 (ko) 2003-10-06 2010-06-22 삼성전자주식회사 리프트 핀, 이를 포함하는 리프팅 장치
KR101015190B1 (ko) 2007-09-28 2011-02-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 유지 장치, 기판 유지 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체
KR101021396B1 (ko) * 2007-03-20 2011-03-14 가부시키가이샤 소쿠도 기판 열처리장치
KR20180107725A (ko) * 2017-03-22 2018-10-02 캐논 가부시끼가이샤 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
KR102008509B1 (ko) * 2019-06-14 2019-08-07 ㈜ 엘에이티 디스플레이용 글라스 기판 온도조절시스템
JP2022529385A (ja) * 2019-05-22 2022-06-21 ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド プロセスチャンバ及び半導体処理デバイス

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319723A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP4497832B2 (ja) * 2003-04-16 2010-07-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置
KR100964619B1 (ko) 2003-10-06 2010-06-22 삼성전자주식회사 리프트 핀, 이를 포함하는 리프팅 장치
JP2008227422A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Seiko Precision Inc 穴開け装置
KR101021396B1 (ko) * 2007-03-20 2011-03-14 가부시키가이샤 소쿠도 기판 열처리장치
US8383990B2 (en) 2007-03-20 2013-02-26 Sokudo Co., Ltd. Substrate transport apparatus and heat treatment apparatus
KR101015190B1 (ko) 2007-09-28 2011-02-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 유지 장치, 기판 유지 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체
KR20180107725A (ko) * 2017-03-22 2018-10-02 캐논 가부시끼가이샤 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
KR102274347B1 (ko) 2017-03-22 2021-07-08 캐논 가부시끼가이샤 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
JP2022529385A (ja) * 2019-05-22 2022-06-21 ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド プロセスチャンバ及び半導体処理デバイス
JP7153812B2 (ja) 2019-05-22 2022-10-14 ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド プロセスチャンバ及び半導体処理デバイス
KR102008509B1 (ko) * 2019-06-14 2019-08-07 ㈜ 엘에이티 디스플레이용 글라스 기판 온도조절시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0155994B1 (ko) 피처리체의 열처리 방법 및 그 장치
JP2003282461A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2002026113A (ja) ホットプレート及び半導体装置の製造方法
JP2003037073A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20080237184A1 (en) Method and apparatus for plasma processing
JP2002009129A (ja) 基板搬送アーム及び基板搬送方法
EP0966026A2 (en) A method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor
JP2009200142A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP3616732B2 (ja) 基板の処理方法及び処理装置
JP3898895B2 (ja) 加熱処理装置及び加熱処理方法
JP5352156B2 (ja) 熱処理装置
JPH03148829A (ja) 熱処理装置
JPH07194965A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2923332B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置、ならびに加熱体の制御方法
JP2002025990A (ja) 半導体デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方法
JPH0395952A (ja) 半導体装置の製造装置
JPH03138941A (ja) 半田バンプ形成方法および装置
JP2005333032A (ja) モニタ用被処理体の温度換算関数の形成方法、温度分布の算出方法及び枚葉式の熱処理装置
JP3063116B2 (ja) 化学的気相成長方法
JP2004281618A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004356295A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH10107113A (ja) 基板搬送装置
US7489494B2 (en) Guard wafer for semiconductor structure fabrication
KR100510459B1 (ko) 로드 락 챔버용 카세트 사용 시스템 및 그 사용방법
JP2003303870A (ja) 半導体ウェハー搬送機構