JPH10107113A - 基板搬送装置 - Google Patents
基板搬送装置Info
- Publication number
- JPH10107113A JPH10107113A JP27707396A JP27707396A JPH10107113A JP H10107113 A JPH10107113 A JP H10107113A JP 27707396 A JP27707396 A JP 27707396A JP 27707396 A JP27707396 A JP 27707396A JP H10107113 A JPH10107113 A JP H10107113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mounting plate
- substrate
- heater
- arm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板の部分的急冷によって生ずる不具合、例え
ばウェーハのスリップ発生を防止し、基板処理の品質の
向上を図る。 【解決手段】基板搬送装置はヒータが設けられた基板載
置プレート２０を具備し、前記ヒータが前記基板載置プ
レート面上に形成された抵抗パターン２１であり、前記
抵抗パターンが形成された面をアルミナ絶縁保護層２４
で被覆したことにより、液体、ガス等の雰囲気下で前記
基板載置プレートを加熱することが可能となり、処理後
の基板が部分的に急冷されることはなく、従ってウェー
ハのスリップの発生を防止できる。
ばウェーハのスリップ発生を防止し、基板処理の品質の
向上を図る。 【解決手段】基板搬送装置はヒータが設けられた基板載
置プレート２０を具備し、前記ヒータが前記基板載置プ
レート面上に形成された抵抗パターン２１であり、前記
抵抗パターンが形成された面をアルミナ絶縁保護層２４
で被覆したことにより、液体、ガス等の雰囲気下で前記
基板載置プレートを加熱することが可能となり、処理後
の基板が部分的に急冷されることはなく、従ってウェー
ハのスリップの発生を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に於
いて、シリコンウェーハ、ガラス基板等被処理基板を搬
送する基板搬送装置に関するものである。
いて、シリコンウェーハ、ガラス基板等被処理基板を搬
送する基板搬送装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板搬送装置は半導体製造装置内で処理
工程の進行に応じて被処理基板を搬送するものである。
工程の進行に応じて被処理基板を搬送するものである。
【０００３】図４、図５に於いて従来の半導体製造装置
に於ける基板搬送装置について、ここでは基板をウェー
ハとし、基板搬送装置をウェーハ搬送装置として説明す
る。
に於ける基板搬送装置について、ここでは基板をウェー
ハとし、基板搬送装置をウェーハ搬送装置として説明す
る。
【０００４】図４は半導体製造装置の概略説明図であっ
て、該半導体製造装置はローダ１に搬送室２が連設さ
れ、該搬送室２はゲートバルブ３を介して反応室４が気
密に連設されている。前記ローダ１と前記搬送室２とは
搬送口５によって連通され、前記搬送室２と前記反応室
４とは前記ゲートバルブ３を介して連通されている。
て、該半導体製造装置はローダ１に搬送室２が連設さ
れ、該搬送室２はゲートバルブ３を介して反応室４が気
密に連設されている。前記ローダ１と前記搬送室２とは
搬送口５によって連通され、前記搬送室２と前記反応室
４とは前記ゲートバルブ３を介して連通されている。
【０００５】前記ローダ１にはウェーハ６が装填された
ウェーハカセット７が搬入搬出され、搬入された前記ウ
ェーハカセット７は図示しないカセット受載台に乗載さ
れ、該カセット受載台はウェーハ６の装填されたピッチ
で間欠的に上昇、下降する様構成されている。
ウェーハカセット７が搬入搬出され、搬入された前記ウ
ェーハカセット７は図示しないカセット受載台に乗載さ
れ、該カセット受載台はウェーハ６の装填されたピッチ
で間欠的に上昇、下降する様構成されている。
【０００６】前記反応室４の周囲にはヒータ８が設けら
れ、該ヒータ８により前記反応室４内部は処理温度に加
熱される。該反応室４内部にはウェーハホルダ９が設け
られ、該ウェーハホルダ９には前記ウェーハが遊嵌可能
なウェーハ受載孔１０が穿設され、該ウェーハ受載孔１
０には前記ウェーハ６を支持する爪１１が所要数（図で
は４箇所）設けられている。前記ウェーハホルダ９の下
方には前記ウェーハ６を昇降するウェーハ昇降機構１２
が設けられている。
れ、該ヒータ８により前記反応室４内部は処理温度に加
熱される。該反応室４内部にはウェーハホルダ９が設け
られ、該ウェーハホルダ９には前記ウェーハが遊嵌可能
なウェーハ受載孔１０が穿設され、該ウェーハ受載孔１
０には前記ウェーハ６を支持する爪１１が所要数（図で
は４箇所）設けられている。前記ウェーハホルダ９の下
方には前記ウェーハ６を昇降するウェーハ昇降機構１２
が設けられている。
【０００７】前記搬送室２内部には基板搬送装置１３が
設けられ、該基板搬送装置１３は屈伸可能なアーム１４
を有し、該アーム１４の先端にはウェーハ載置プレート
１５が設けられ、前記アーム１４全体は少なくとも１８
０゜回転可能となっている。
設けられ、該基板搬送装置１３は屈伸可能なアーム１４
を有し、該アーム１４の先端にはウェーハ載置プレート
１５が設けられ、前記アーム１４全体は少なくとも１８
０゜回転可能となっている。
【０００８】前記反応室４に前記ウェーハ６を搬送する
場合、前記搬送室２から前記アーム１４を伸長させ、前
記ローダ１内の前記ウェーハカセット７に向かって前記
ウェーハ載置プレート１５を前進させ、該ウェーハ載置
プレート１５を前記ウェーハカセット７のウェーハ６と
ウェーハ６との間に挿入する。前記カセット受載台（図
示せず）を下降させ、前記ウェーハ６を前記ウェーハ載
置プレート１５に受載する。
場合、前記搬送室２から前記アーム１４を伸長させ、前
記ローダ１内の前記ウェーハカセット７に向かって前記
ウェーハ載置プレート１５を前進させ、該ウェーハ載置
プレート１５を前記ウェーハカセット７のウェーハ６と
ウェーハ６との間に挿入する。前記カセット受載台（図
示せず）を下降させ、前記ウェーハ６を前記ウェーハ載
置プレート１５に受載する。
【０００９】前記アーム１４は縮短し、縮短後１８０゜
回転し、前記反応室４内のウェーハホルダ９に向かって
伸長する。前記ウェーハ６が前記ウェーハ受載孔１０の
直上に位置した所で、前記ウェーハ昇降機構１２が上昇
し、前記ウェーハ載置プレート１５上の前記ウェーハ６
は前記ウェーハ昇降機構１２に受載される。
回転し、前記反応室４内のウェーハホルダ９に向かって
伸長する。前記ウェーハ６が前記ウェーハ受載孔１０の
直上に位置した所で、前記ウェーハ昇降機構１２が上昇
し、前記ウェーハ載置プレート１５上の前記ウェーハ６
は前記ウェーハ昇降機構１２に受載される。
【００１０】前記アーム１４が後退した後前記ウェーハ
昇降機構１２が下降し、前記ウェーハ６は前記ウェーハ
受載孔１０に嵌装されると共に前記爪１１により支持さ
れ、前記ウェーハホルダ９に移載される。前記ゲートバ
ルブ３が閉塞して、前記ウェーハ６の搬入が完了し、前
記反応室４がヒータ８により加熱され、前記ウェーハ６
への処理が開始される。処理後の前記ウェーハ６は前述
した搬入時と逆の手順で搬出される。
昇降機構１２が下降し、前記ウェーハ６は前記ウェーハ
受載孔１０に嵌装されると共に前記爪１１により支持さ
れ、前記ウェーハホルダ９に移載される。前記ゲートバ
ルブ３が閉塞して、前記ウェーハ６の搬入が完了し、前
記反応室４がヒータ８により加熱され、前記ウェーハ６
への処理が開始される。処理後の前記ウェーハ６は前述
した搬入時と逆の手順で搬出される。
【００１１】尚、特に図示しないが、前記アーム１４の
先端が真空吸着を行うツィーザの場合もある。
先端が真空吸着を行うツィーザの場合もある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら上記した従来
の基板搬送装置ではウェーハ６は反応室４内で加熱され
処理されており、処理中、処理後のウェーハ６は高温に
なっており、処理後に反応室４からウェーハ６を搬出す
る場合、ウェーハ載置プレート１５は常温である為ウェ
ーハ載置プレート１５とウェーハ６との温度差が大き
く、ウェーハ６のウェーハ載置プレート１５との接触部
分のみが部分的に急冷され、該接触部分にスリップ即ち
結晶構造にずれが生じる等の不具合があった。
の基板搬送装置ではウェーハ６は反応室４内で加熱され
処理されており、処理中、処理後のウェーハ６は高温に
なっており、処理後に反応室４からウェーハ６を搬出す
る場合、ウェーハ載置プレート１５は常温である為ウェ
ーハ載置プレート１５とウェーハ６との温度差が大き
く、ウェーハ６のウェーハ載置プレート１５との接触部
分のみが部分的に急冷され、該接触部分にスリップ即ち
結晶構造にずれが生じる等の不具合があった。
【００１３】本発明は上記実情に鑑みなしたものであっ
て、基板の部分的急冷によって生ずる不具合、例えばウ
ェーハのスリップ発生を防止し、基板処理の品質の向上
を図ろうとするものである。
て、基板の部分的急冷によって生ずる不具合、例えばウ
ェーハのスリップ発生を防止し、基板処理の品質の向上
を図ろうとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータが設け
られた基板載置プレートを具備する基板搬送装置に係
り、前記ヒータが前記基板載置プレート面上に形成され
た抵抗パターンである基板搬送装置に係るものであっ
て、前記基板載置プレートを加熱して処理後の基板を受
載する為、該処理後の基板が部分的に急冷されることは
なく、従ってスリップの発生を防止できる。
られた基板載置プレートを具備する基板搬送装置に係
り、前記ヒータが前記基板載置プレート面上に形成され
た抵抗パターンである基板搬送装置に係るものであっ
て、前記基板載置プレートを加熱して処理後の基板を受
載する為、該処理後の基板が部分的に急冷されることは
なく、従ってスリップの発生を防止できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ、基板をウェーハとし、基板搬送装
置をウェーハ搬送装置として説明する。
て図面を参照しつつ、基板をウェーハとし、基板搬送装
置をウェーハ搬送装置として説明する。
【００１６】図中２０はウェーハ載置プレートを示し、
該ウェーハ載置プレート２０は図示しない基板搬送装置
のアーム先端に設けられる。
該ウェーハ載置プレート２０は図示しない基板搬送装置
のアーム先端に設けられる。
【００１７】前記ウェーハ載置プレート２０は２本の平
行な腕部２０ａ，２０ｂ、該腕部２０ａ，２０ｂの両基
端に掛渡る橋稜部２０ｃを有する二股のフォーク形状に
形成され、該ウェーハ載置プレート２０の裏面には前記
腕部２０ａ、前記橋稜部２０ｃ、前記腕部２０ｂに掛渡
り、ヒータとなる抵抗パターン２１がループ状に形成さ
れる。該抵抗パターン２１の両端は前記橋稜部２０ｃの
両幅端に位置し、該両幅端には端子部２２，２３が形成
される。前記ウェーハ載置プレート２０の裏面全体には
アルミナ絶縁保護層２４が形成され、前記抵抗パターン
２１全体は前記アルミナ絶縁保護層２４で絶縁被覆され
る。
行な腕部２０ａ，２０ｂ、該腕部２０ａ，２０ｂの両基
端に掛渡る橋稜部２０ｃを有する二股のフォーク形状に
形成され、該ウェーハ載置プレート２０の裏面には前記
腕部２０ａ、前記橋稜部２０ｃ、前記腕部２０ｂに掛渡
り、ヒータとなる抵抗パターン２１がループ状に形成さ
れる。該抵抗パターン２１の両端は前記橋稜部２０ｃの
両幅端に位置し、該両幅端には端子部２２，２３が形成
される。前記ウェーハ載置プレート２０の裏面全体には
アルミナ絶縁保護層２４が形成され、前記抵抗パターン
２１全体は前記アルミナ絶縁保護層２４で絶縁被覆され
る。
【００１８】前記端子部２２，２３にはＮｉリード線２
５が接続され、該Ｎｉリード線２５は図示しない電源部
と接続されており、前記抵抗パターン２１には前記Ｎｉ
リード線２５を介して電力が供給される様になってい
る。
５が接続され、該Ｎｉリード線２５は図示しない電源部
と接続されており、前記抵抗パターン２１には前記Ｎｉ
リード線２５を介して電力が供給される様になってい
る。
【００１９】前記基板搬送装置は半導体製造装置の搬送
室２６に設けられ、図示しないウェーハカセット等搬送
元から反応室２７へのウェーハ２８の搬入は前述した従
来の基板搬送装置１３と同様に行われ、前記ウェーハ２
８への処理が開始される。
室２６に設けられ、図示しないウェーハカセット等搬送
元から反応室２７へのウェーハ２８の搬入は前述した従
来の基板搬送装置１３と同様に行われ、前記ウェーハ２
８への処理が開始される。
【００２０】該ウェーハ２８の処理中に前記搬送室２６
内で、前記電源部から前記Ｎｉリード線２５を介して前
記抵抗パターン２１に電力を供給し、前記ウェーハ載置
プレート２０を加熱する。該ウェーハ載置プレート２０
の温度を上昇させ、該ウェーハ載置プレート２０の温度
を処理後の前記ウェーハ２８の温度と同じ温度に保って
おく。
内で、前記電源部から前記Ｎｉリード線２５を介して前
記抵抗パターン２１に電力を供給し、前記ウェーハ載置
プレート２０を加熱する。該ウェーハ載置プレート２０
の温度を上昇させ、該ウェーハ載置プレート２０の温度
を処理後の前記ウェーハ２８の温度と同じ温度に保って
おく。
【００２１】前記ウェーハ２８の処理が完了した後、図
示しないアームを伸長させ、高温になっている前記ウェ
ーハ載置プレート２０を前記反応室２７内に挿入し、搬
入時と逆の手順で前記ウェーハ載置プレート２０上に前
記ウェーハ２８を載置し、該ウェーハ２８を搬出する。
示しないアームを伸長させ、高温になっている前記ウェ
ーハ載置プレート２０を前記反応室２７内に挿入し、搬
入時と逆の手順で前記ウェーハ載置プレート２０上に前
記ウェーハ２８を載置し、該ウェーハ２８を搬出する。
【００２２】前記ウェーハ載置プレート２０の温度は処
理後のウェーハ２８の温度と同じ温度に保たれているの
で温度差がなく、前記ウェーハ２８の前記ウェーハ載置
プレート２０との接触部分が急冷されることはなく、従
って部分的な急冷が防止され、ウェーハ表面での結晶間
のスリップ発生が防止され、ウェーハの内部欠陥の発生
が防止され、ウェーハの品質が向上する。
理後のウェーハ２８の温度と同じ温度に保たれているの
で温度差がなく、前記ウェーハ２８の前記ウェーハ載置
プレート２０との接触部分が急冷されることはなく、従
って部分的な急冷が防止され、ウェーハ表面での結晶間
のスリップ発生が防止され、ウェーハの内部欠陥の発生
が防止され、ウェーハの品質が向上する。
【００２３】又、前記抵抗パターン２１、前記Ｎｉリー
ド線２５は前記アルミナ絶縁保護層で被覆されている
為、前記抵抗パターン２１、前記Ｎｉリード線２５等が
他の装置の金属面に当たってもショートすることはな
く、液体、ガス等の雰囲気下で前記ウェーハ載置プレー
ト２０の加熱が可能となる。
ド線２５は前記アルミナ絶縁保護層で被覆されている
為、前記抵抗パターン２１、前記Ｎｉリード線２５等が
他の装置の金属面に当たってもショートすることはな
く、液体、ガス等の雰囲気下で前記ウェーハ載置プレー
ト２０の加熱が可能となる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ウェー
ハ載置プレートを予め処理後のウェーハと同じ温度に保
っておくことで、ウェーハへの温度差による部分的な急
冷を防止でき、従ってウェーハの内部結晶間のスリップ
発生を防止することができる。
ハ載置プレートを予め処理後のウェーハと同じ温度に保
っておくことで、ウェーハへの温度差による部分的な急
冷を防止でき、従ってウェーハの内部結晶間のスリップ
発生を防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す作動説明図である。
【図２】ウェーハ載置プレートの裏面側斜視図である。
【図３】図２のＡ部拡大図である。
【図４】半導体製造装置の概略説明図である。
【図５】従来例を示す作動説明図である。
２０ ウェーハ載置プレート ２０ａ 腕部 ２０ｂ 腕部 ２０ｃ 橋稜部 ２１ 抵抗パターン ２２ 端子部 ２３ 端子部 ２４ アルミナ絶縁保護層 ２５ Ｎｉリード線 ２６ 搬送室 ２７ 反応室 ２８ ウェーハ
Claims (2)
- 【請求項１】 ヒータが設けられた基板載置プレートを
具備することを特徴とする基板搬送装置。 - 【請求項２】 前記ヒータが前記基板載置プレート面上
に形成された抵抗パターンである請求項１の基板搬送装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27707396A JPH10107113A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 基板搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27707396A JPH10107113A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 基板搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107113A true JPH10107113A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17578410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27707396A Pending JPH10107113A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 基板搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010019206A (ko) * | 1999-08-25 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼 운송장치 |
| CN108766909A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-06 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种改善低温离子注入中结露现象的装置和方法 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP27707396A patent/JPH10107113A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010019206A (ko) * | 1999-08-25 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼 운송장치 |
| CN108766909A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-06 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种改善低温离子注入中结露现象的装置和方法 |
| CN108766909B (zh) * | 2018-05-24 | 2021-05-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种改善低温离子注入中结露现象的装置和方法 |
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