JPH11176902A - 半導体製造装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及びその製造方法Info
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- JPH11176902A JPH11176902A JP9339648A JP33964897A JPH11176902A JP H11176902 A JPH11176902 A JP H11176902A JP 9339648 A JP9339648 A JP 9339648A JP 33964897 A JP33964897 A JP 33964897A JP H11176902 A JPH11176902 A JP H11176902A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハを処理すべき処理装置に対し
て、そのウエハ搬送用ロボットアームの温度を適温とな
るように温度調整することにより、ヒートショックによ
る半導体ウエハの割れを低減することができる半導体製
造装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ホットプレートからなる加熱室１１と、
冷却プレートからなる冷却室１２と、ウエハ搬送用の加
熱機構付きロボットアーム１３と、ローダーカセット１
５とアンローダーカセット１６から構成されている。さ
らに、上記ロボットアーム１３は、回転駆動部１７に連
動するアーム部（何も内蔵されていないアーム部）１３
Ａと、その先端に配置される回転駆動部１３Ｂと、この
回転駆動部１３Ｂに連動するコイルヒータ内蔵のアーム
部１３Ｃとを有し、そのアーム部１３Ｃの先端部にＧａ
Ａｓウエハ１４が載置される。ここで、ロボットアーム
１３は、回転駆動部１３Ｂを中心にして、アーム部１３
Ｃのみを回転させることができる。
て、そのウエハ搬送用ロボットアームの温度を適温とな
るように温度調整することにより、ヒートショックによ
る半導体ウエハの割れを低減することができる半導体製
造装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ホットプレートからなる加熱室１１と、
冷却プレートからなる冷却室１２と、ウエハ搬送用の加
熱機構付きロボットアーム１３と、ローダーカセット１
５とアンローダーカセット１６から構成されている。さ
らに、上記ロボットアーム１３は、回転駆動部１７に連
動するアーム部（何も内蔵されていないアーム部）１３
Ａと、その先端に配置される回転駆動部１３Ｂと、この
回転駆動部１３Ｂに連動するコイルヒータ内蔵のアーム
部１３Ｃとを有し、そのアーム部１３Ｃの先端部にＧａ
Ａｓウエハ１４が載置される。ここで、ロボットアーム
１３は、回転駆動部１３Ｂを中心にして、アーム部１３
Ｃのみを回転させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置及
びその製造方法に係り、特に、化合物半導体素子の電極
拡散工程に使用するシンター炉に関するものである。
びその製造方法に係り、特に、化合物半導体素子の電極
拡散工程に使用するシンター炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の化合物半導体用シンター炉の構成
を以下に説明する。図１１はかかる従来の化合物半導体
用シンター炉の構成図である。化合物半導体のシンター
工程で、所望の特性を得るためには、急熱、急冷の処理
を行う必要があり、Ｓｉ工程で行っている石英管等での
拡散方式ではなく、ホットプレート上で基板を加熱後、
冷却プレートにより急冷を行う方式が一般的である。
を以下に説明する。図１１はかかる従来の化合物半導体
用シンター炉の構成図である。化合物半導体のシンター
工程で、所望の特性を得るためには、急熱、急冷の処理
を行う必要があり、Ｓｉ工程で行っている石英管等での
拡散方式ではなく、ホットプレート上で基板を加熱後、
冷却プレートにより急冷を行う方式が一般的である。
【０００３】以下、枚葉式のＧａＡｓのシンター炉を例
に説明する。また、バッチ装置も同様の思想で構成され
ており、枚数が増えたと考えればよい。図１１に示すよ
うに、従来のシンター炉は、ホットプレートからなる加
熱室１と、冷却プレートからなる冷却室２と、ウエハ搬
送用のＳＵＳ製ロボットアーム３と、ローダーカセット
５とアンローダーカセット６から構成されている。
に説明する。また、バッチ装置も同様の思想で構成され
ており、枚数が増えたと考えればよい。図１１に示すよ
うに、従来のシンター炉は、ホットプレートからなる加
熱室１と、冷却プレートからなる冷却室２と、ウエハ搬
送用のＳＵＳ製ロボットアーム３と、ローダーカセット
５とアンローダーカセット６から構成されている。
【０００４】ＧｓＡｓ（ウエハ）基板４の処理手順とし
ては、まず、ローダーカセット５よりＧａＡｓ基板４を
ＳＵＳ製ロボットアーム３により取り出し、加熱室１に
搬入する。加熱室１はホットプレート上で約４５０℃で
あり、室内は窒素雰囲気になっている。約５分程熱処理
を施した後、ＳＵＳ製ロボットアーム３により、ＧａＡ
ｓ基板４を加熱室１から取り出し、冷却室２に搬入す
る。
ては、まず、ローダーカセット５よりＧａＡｓ基板４を
ＳＵＳ製ロボットアーム３により取り出し、加熱室１に
搬入する。加熱室１はホットプレート上で約４５０℃で
あり、室内は窒素雰囲気になっている。約５分程熱処理
を施した後、ＳＵＳ製ロボットアーム３により、ＧａＡ
ｓ基板４を加熱室１から取り出し、冷却室２に搬入す
る。
【０００５】この時、冷却室２は冷却プレート上で、約
２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程の冷却処理
を施した後、ＳＵＳ製ロボットアーム３によりＧｓＡｓ
基板４を冷却室２から取り出し、アンローダーカセット
６に収納し工程が終了する。
２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程の冷却処理
を施した後、ＳＵＳ製ロボットアーム３によりＧｓＡｓ
基板４を冷却室２から取り出し、アンローダーカセット
６に収納し工程が終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法では、以下の問題点が発生していた。 （１）ＧａＡｓ基板４は、基板強度が非常に弱いため、
室温からの加熱処理を行う時に、室温から４５０℃まで
急速昇温する際のヒートショックにより基板４が割れ
る。
た従来の方法では、以下の問題点が発生していた。 （１）ＧａＡｓ基板４は、基板強度が非常に弱いため、
室温からの加熱処理を行う時に、室温から４５０℃まで
急速昇温する際のヒートショックにより基板４が割れ
る。
【０００７】（２）加熱処理から搬出する際に、ロボッ
トアーム３との接触によるクールショックにより基板４
が割れる。 本発明は、上記問題点を除去し、半導体ウエハを処理す
べき処理装置に対してそのウエハ搬送用ロボットアーム
の温度を適温となるように温度調整することにより、ヒ
ートショックによる半導体ウエハの割れを低減すること
ができる半導体製造装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
トアーム３との接触によるクールショックにより基板４
が割れる。 本発明は、上記問題点を除去し、半導体ウエハを処理す
べき処理装置に対してそのウエハ搬送用ロボットアーム
の温度を適温となるように温度調整することにより、ヒ
ートショックによる半導体ウエハの割れを低減すること
ができる半導体製造装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体製造装置において、処理装置と、この処理
装置に半導体ウエハを搬送する温度調整機構を有する搬
送用ロボットアームとを設けるようにしたものである。
成するために、 〔１〕半導体製造装置において、処理装置と、この処理
装置に半導体ウエハを搬送する温度調整機構を有する搬
送用ロボットアームとを設けるようにしたものである。
【０００９】〔２〕上記〔１〕記載の半導体製造装置に
おいて、前記温度調整機構は加熱機構である。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体製造装置において、前記
温度調整機構は冷却機構である。 〔４〕上記〔１〕記載の半導体製造装置において、前記
温度調整機構は加熱及び冷却機構である。
おいて、前記温度調整機構は加熱機構である。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体製造装置において、前記
温度調整機構は冷却機構である。 〔４〕上記〔１〕記載の半導体製造装置において、前記
温度調整機構は加熱及び冷却機構である。
【００１０】〔５〕半導体製造装置において、加熱装置
と、冷却装置と、前記加熱装置及び前記冷却装置に半導
体ウエハを搬送する加熱機構を有する搬送用ロボットア
ームとを設けるようにしたものである。 〔６〕半導体製造装置において、加熱装置と、冷却装置
と、前記加熱装置に半導体ウエハを搬送する加熱機構を
有する第１の搬送用ロボットアームと、前記冷却装置に
半導体ウエハを搬送する冷却機構を有する第２の搬送用
ロボットアームとを設けるようにしたものである。
と、冷却装置と、前記加熱装置及び前記冷却装置に半導
体ウエハを搬送する加熱機構を有する搬送用ロボットア
ームとを設けるようにしたものである。 〔６〕半導体製造装置において、加熱装置と、冷却装置
と、前記加熱装置に半導体ウエハを搬送する加熱機構を
有する第１の搬送用ロボットアームと、前記冷却装置に
半導体ウエハを搬送する冷却機構を有する第２の搬送用
ロボットアームとを設けるようにしたものである。
【００１１】〔７〕半導体製造装置において、加熱装置
と、冷却装置と、中間温度室と、前記加熱装置に半導体
ウエハを搬送する加熱機構を有する第１の搬送用ロボッ
トアームと、前記冷却装置及び前記中間温度室に半導体
ウエハを搬送する冷却機構を有する第２の搬送用ロボッ
トアームとを設けるようにしたものである。 〔８〕半導体製造装置において、加熱装置と、冷却装置
と、中間温度室と、前記加熱装置、前記冷却装置又は前
記中間温度室に半導体ウエハを搬送する加熱機構及び冷
却機構を有する搬送用ロボットアームと、前記冷却装置
及び前記中間温度室に半導体ウエハを搬送する冷却機構
を有する第２の搬送用ロボットアームとを設けるように
したものである。
と、冷却装置と、中間温度室と、前記加熱装置に半導体
ウエハを搬送する加熱機構を有する第１の搬送用ロボッ
トアームと、前記冷却装置及び前記中間温度室に半導体
ウエハを搬送する冷却機構を有する第２の搬送用ロボッ
トアームとを設けるようにしたものである。 〔８〕半導体製造装置において、加熱装置と、冷却装置
と、中間温度室と、前記加熱装置、前記冷却装置又は前
記中間温度室に半導体ウエハを搬送する加熱機構及び冷
却機構を有する搬送用ロボットアームと、前記冷却装置
及び前記中間温度室に半導体ウエハを搬送する冷却機構
を有する第２の搬送用ロボットアームとを設けるように
したものである。
【００１２】
〔９〕上記〔１〕記載の半導体製造装置に
おいて、前記処理装置はシンター装置である。 〔１０〕半導体製造方法において、半導体ウエハを処理
すべき処理装置に対して半導体ウエハを搬送する搬送用
ロボットアームの温度を適温となるように温度調整する
ようにしたものである。
おいて、前記処理装置はシンター装置である。 〔１０〕半導体製造方法において、半導体ウエハを処理
すべき処理装置に対して半導体ウエハを搬送する搬送用
ロボットアームの温度を適温となるように温度調整する
ようにしたものである。
【００１３】〔１１〕上記〔１０〕記載の半導体製造方
法において、前記処理装置はシンター装置であり、前記
半導体ウエハを加熱する際には前記搬送用ロボットアー
ムを加熱し、前記半導体ウエハを冷却する際には前記搬
送用ロボットアームを冷却するようにしたものである。 本発明によれば、上記したように、半導体製造に当た
り、処理装置と、この処理装置に半導体ウエハを搬送す
る温度調整機構を有する搬送用ロボットアームを備え、
半導体ウエハを処理すべき処理装置に対して、その搬送
用ロボットアームの温度を適温となるように温度調整す
るようにしたので、ヒートショックによる半導体ウエハ
の割れを低減することができる。
法において、前記処理装置はシンター装置であり、前記
半導体ウエハを加熱する際には前記搬送用ロボットアー
ムを加熱し、前記半導体ウエハを冷却する際には前記搬
送用ロボットアームを冷却するようにしたものである。 本発明によれば、上記したように、半導体製造に当た
り、処理装置と、この処理装置に半導体ウエハを搬送す
る温度調整機構を有する搬送用ロボットアームを備え、
半導体ウエハを処理すべき処理装置に対して、その搬送
用ロボットアームの温度を適温となるように温度調整す
るようにしたので、ヒートショックによる半導体ウエハ
の割れを低減することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すシ
ンター炉の構成図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３
はそのシンター炉のウエハの処理手順を示す図である。
これらの図に示すように、この実施例のシンター炉は、
ホットプレートからなる加熱室１１と、冷却プレートか
らなる冷却室１２と、ウエハ搬送用の加熱機構付きロボ
ットアーム１３と、ローダーカセット１５とアンローダ
ーカセット１６から構成されている。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すシ
ンター炉の構成図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３
はそのシンター炉のウエハの処理手順を示す図である。
これらの図に示すように、この実施例のシンター炉は、
ホットプレートからなる加熱室１１と、冷却プレートか
らなる冷却室１２と、ウエハ搬送用の加熱機構付きロボ
ットアーム１３と、ローダーカセット１５とアンローダ
ーカセット１６から構成されている。
【００１５】さらに、加熱機構付きロボットアーム１３
は、回転駆動部１７に連動するアーム部（何も内蔵され
ていないアーム部）１３Ａと、その先端に配置される回
転駆動部１３Ｂと、この回転駆動部１３Ｂに連動するコ
イルヒータ内蔵のアーム部１３Ｃとを有し、そのアーム
部１３Ｃの先端部にＧａＡｓウエハ１４が載置される。
ここで、加熱機構付きロボットアーム１３は、回転駆動
部１３Ｂを中心にして、アーム部１３Ｃのみを回転させ
ることができる（後述の図３参照）。
は、回転駆動部１７に連動するアーム部（何も内蔵され
ていないアーム部）１３Ａと、その先端に配置される回
転駆動部１３Ｂと、この回転駆動部１３Ｂに連動するコ
イルヒータ内蔵のアーム部１３Ｃとを有し、そのアーム
部１３Ｃの先端部にＧａＡｓウエハ１４が載置される。
ここで、加熱機構付きロボットアーム１３は、回転駆動
部１３Ｂを中心にして、アーム部１３Ｃのみを回転させ
ることができる（後述の図３参照）。
【００１６】そこで、図２に示すように、加熱室１１の
上方の所定位置に位置決めされたＧａＡｓウエハ１４
は、突き上げピン駆動装置（モータ）１８の駆動によ
り、ウエハピックアップ用突き上げピン１９によって押
し上げられると、コイルヒータ内蔵のアーム部１３Ｃが
退避する。すると、ウエハピックアップ用突き上げピン
１９が下降して、ＧａＡｓウエハ１４は、加熱室１１に
セットされ、加熱処理される。
上方の所定位置に位置決めされたＧａＡｓウエハ１４
は、突き上げピン駆動装置（モータ）１８の駆動によ
り、ウエハピックアップ用突き上げピン１９によって押
し上げられると、コイルヒータ内蔵のアーム部１３Ｃが
退避する。すると、ウエハピックアップ用突き上げピン
１９が下降して、ＧａＡｓウエハ１４は、加熱室１１に
セットされ、加熱処理される。
【００１７】以下、第１実施例のＧａＡｓウエハ（基
板）の処理手順を、図３を参照しながら説明する。ま
ず、ローダーカセット１５よりＧａＡｓウエハ１４を、
加熱機構付きロボットアーム１３により取り出し、加熱
室１１に搬入する（ステップ）。この時、ロボットア
ーム１３の温度は約２００℃に温度調整されている。加
熱室１１は、ホットプレート上で約４５０℃であり、室
内は窒素雰囲気になっている。約５分程熱処理を施した
後、加熱機構付きロボットアーム１３により、ＧａＡｓ
ウエハ１４を加熱室１１から取り出し、冷却室１２に搬
入する（ステップ）。
板）の処理手順を、図３を参照しながら説明する。ま
ず、ローダーカセット１５よりＧａＡｓウエハ１４を、
加熱機構付きロボットアーム１３により取り出し、加熱
室１１に搬入する（ステップ）。この時、ロボットア
ーム１３の温度は約２００℃に温度調整されている。加
熱室１１は、ホットプレート上で約４５０℃であり、室
内は窒素雰囲気になっている。約５分程熱処理を施した
後、加熱機構付きロボットアーム１３により、ＧａＡｓ
ウエハ１４を加熱室１１から取り出し、冷却室１２に搬
入する（ステップ）。
【００１８】この時、冷却室１２は冷却プレート上で約
２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程冷却処理を
施した後、加熱機構付きロボットアーム１３によりＧａ
Ａｓウエハ１４を冷却室１２から取り出し、アンローダ
ーカセット１６に収納し（ステップ）、工程が終了す
る。この時、全てのこのＧａＡｓウエハ１４の処理中、
加熱機構付きロボットアーム１３は約２００℃に温度調
整されている。
２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程冷却処理を
施した後、加熱機構付きロボットアーム１３によりＧａ
Ａｓウエハ１４を冷却室１２から取り出し、アンローダ
ーカセット１６に収納し（ステップ）、工程が終了す
る。この時、全てのこのＧａＡｓウエハ１４の処理中、
加熱機構付きロボットアーム１３は約２００℃に温度調
整されている。
【００１９】次に、この実施例の動作について説明す
る。この第１実施例では、ＧａＡｓウエハ１４は加熱室
（約４５０℃）１１に搬入される際、加熱機構付きロボ
ットアーム１３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ１４
は約１５０〜２００℃まで昇温されることになり、加熱
室１１で処理される際に、ＧａＡｓウエハ１４の温度は
急激に上昇しない。
る。この第１実施例では、ＧａＡｓウエハ１４は加熱室
（約４５０℃）１１に搬入される際、加熱機構付きロボ
ットアーム１３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ１４
は約１５０〜２００℃まで昇温されることになり、加熱
室１１で処理される際に、ＧａＡｓウエハ１４の温度は
急激に上昇しない。
【００２０】次に、加熱室１１から搬出後のＧａＡｓウ
エハ１４は、約４５０℃を有しているが、加熱機構付き
ロボットアーム１３と接触するため、ウエハ温度は急激
に低下はしない。加熱機構付きロボットアーム１３で搬
送中のＧａＡｓウエハ１４の温度は約１５０〜２００℃
に保持され、冷却室（約２０℃）１２に搬入される。こ
のように、第１実施例によれば、搬送用ロボットアーム
に加熱機構を付加することにより、 （１）加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、加熱機
構付きロボットアームによる搬送のため、従来のよう
に、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発生する
ヒートショックによるウエハの割れを低減することがで
きる。
エハ１４は、約４５０℃を有しているが、加熱機構付き
ロボットアーム１３と接触するため、ウエハ温度は急激
に低下はしない。加熱機構付きロボットアーム１３で搬
送中のＧａＡｓウエハ１４の温度は約１５０〜２００℃
に保持され、冷却室（約２０℃）１２に搬入される。こ
のように、第１実施例によれば、搬送用ロボットアーム
に加熱機構を付加することにより、 （１）加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、加熱機
構付きロボットアームによる搬送のため、従来のよう
に、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発生する
ヒートショックによるウエハの割れを低減することがで
きる。
【００２１】（２）加熱室からＧａＡｓウエハを搬出す
る場合、加熱機構付きロボットアームによる搬送のた
め、従来のように、４５０℃から室温までに急激に降温
する際に発生するクールショックによるウエハの割れを
低減することができる。 次に、本発明の第２実施例について説明する。図４は本
発明の第２実施例を示すシンター炉の構成図、図５は図
４のＢ−Ｂ線断面図、図６は図４のＣ−Ｃ線断面図であ
る。
る場合、加熱機構付きロボットアームによる搬送のた
め、従来のように、４５０℃から室温までに急激に降温
する際に発生するクールショックによるウエハの割れを
低減することができる。 次に、本発明の第２実施例について説明する。図４は本
発明の第２実施例を示すシンター炉の構成図、図５は図
４のＢ−Ｂ線断面図、図６は図４のＣ−Ｃ線断面図であ
る。
【００２２】これらの図に示すように、この実施例のシ
ンター炉は、ホットプレートからなる加熱室２１と、冷
却プレートからなる冷却室２２と、ウエハ搬送用の加熱
機構付きロボットアーム（第１の搬送用ロボットアー
ム）２３と、ローダーカセット２５とアンローダーカセ
ット２６と冷却機能付きロボットアーム（第２の搬送用
ロボットアーム）２７から構成されている。
ンター炉は、ホットプレートからなる加熱室２１と、冷
却プレートからなる冷却室２２と、ウエハ搬送用の加熱
機構付きロボットアーム（第１の搬送用ロボットアー
ム）２３と、ローダーカセット２５とアンローダーカセ
ット２６と冷却機能付きロボットアーム（第２の搬送用
ロボットアーム）２７から構成されている。
【００２３】さらに、加熱機構付きロボットアーム２３
は、回転駆動部２８Ａに連動するアーム部（何も内蔵さ
れていないアーム部）２３Ａと、その先端に配置される
回転駆動部２３Ｂと、この回転駆動部２３Ｂに連動する
コイルヒータ内蔵のアーム部２３Ｃとを有し、そのアー
ム部２３Ｃの先端部にＧａＡｓウエハ２４が載置され
る。ここで、加熱機構付きロボットアーム２３は、回転
駆動部２３Ｂを中心にして、アーム部２３Ｃのみを回転
させることができる（後述の図７参照）。
は、回転駆動部２８Ａに連動するアーム部（何も内蔵さ
れていないアーム部）２３Ａと、その先端に配置される
回転駆動部２３Ｂと、この回転駆動部２３Ｂに連動する
コイルヒータ内蔵のアーム部２３Ｃとを有し、そのアー
ム部２３Ｃの先端部にＧａＡｓウエハ２４が載置され
る。ここで、加熱機構付きロボットアーム２３は、回転
駆動部２３Ｂを中心にして、アーム部２３Ｃのみを回転
させることができる（後述の図７参照）。
【００２４】また、冷却機構付きロボットアーム２７
は、回転駆動部２８Ｂに連動するアーム部（何も内蔵さ
れていないアーム部）２７Ａと、その先端に配置される
回転駆動部２７Ｂと、この回転駆動部２７Ｂに連動する
循環冷却水機構の内蔵のアーム部２７Ｃとを有し、その
アーム部２７Ｃの先端部にＧａＡｓウエハ２４が載置さ
れる。ここで、冷却機構付きロボットアーム２７は、回
転駆動部２７Ｂを中心にして、アーム部２７Ｃのみを回
転させることができる（後述の図７参照）。
は、回転駆動部２８Ｂに連動するアーム部（何も内蔵さ
れていないアーム部）２７Ａと、その先端に配置される
回転駆動部２７Ｂと、この回転駆動部２７Ｂに連動する
循環冷却水機構の内蔵のアーム部２７Ｃとを有し、その
アーム部２７Ｃの先端部にＧａＡｓウエハ２４が載置さ
れる。ここで、冷却機構付きロボットアーム２７は、回
転駆動部２７Ｂを中心にして、アーム部２７Ｃのみを回
転させることができる（後述の図７参照）。
【００２５】そこで、図５に示すように、加熱室２１の
上方の所定位置に位置決めされたＧａＡｓウエハ２４
は、突き上げピン駆動装置（モータ）２９Ａの駆動によ
り、ウエハピックアップ用突き上げピン３０Ａによって
押し上げられると、コイルヒータ内蔵のアーム部２３Ｃ
が退避する。すると、ウエハピックアップ用突き上げピ
ン３０Ａが下降して、ＧａＡｓウエハ２４は、加熱室２
１にセットされ、加熱処理される。
上方の所定位置に位置決めされたＧａＡｓウエハ２４
は、突き上げピン駆動装置（モータ）２９Ａの駆動によ
り、ウエハピックアップ用突き上げピン３０Ａによって
押し上げられると、コイルヒータ内蔵のアーム部２３Ｃ
が退避する。すると、ウエハピックアップ用突き上げピ
ン３０Ａが下降して、ＧａＡｓウエハ２４は、加熱室２
１にセットされ、加熱処理される。
【００２６】また、冷却室２２の上方の所定位置に位置
決めされた場合には、ＧａＡｓウエハは、図６に示すよ
うに、突き上げピン駆動装置（モータ）２９Ｂの駆動に
より、ウエハピックアップ用突き上げピン３０Ｂによっ
て押し上げられると、循環冷却水機構の内蔵のアーム部
２７Ｃが退避する。すると、ウエハピックアップ用突き
上げピン３０Ｂが下降して、ＧａＡｓウエハ２４は、冷
却室２２にセットされ、冷却処理される。
決めされた場合には、ＧａＡｓウエハは、図６に示すよ
うに、突き上げピン駆動装置（モータ）２９Ｂの駆動に
より、ウエハピックアップ用突き上げピン３０Ｂによっ
て押し上げられると、循環冷却水機構の内蔵のアーム部
２７Ｃが退避する。すると、ウエハピックアップ用突き
上げピン３０Ｂが下降して、ＧａＡｓウエハ２４は、冷
却室２２にセットされ、冷却処理される。
【００２７】以下、第２実施例のＧａＡｓウエハ（基
板）の処理手順を説明する。まず、ローダーカセット２
５よりＧａＡｓウエハ２４を加熱機構付きロボットアー
ム２３により取り出し、加熱室２１に搬入する。この
時、加熱機構付きロボットアーム２３の温度は約２００
℃に温度調整されている。加熱室２１はホットプレート
上で約４５０℃であり、室内は窒素雰囲気になってい
る。
板）の処理手順を説明する。まず、ローダーカセット２
５よりＧａＡｓウエハ２４を加熱機構付きロボットアー
ム２３により取り出し、加熱室２１に搬入する。この
時、加熱機構付きロボットアーム２３の温度は約２００
℃に温度調整されている。加熱室２１はホットプレート
上で約４５０℃であり、室内は窒素雰囲気になってい
る。
【００２８】約５分程加熱処理を施した後、加熱機構付
きロボットアーム２３によりＧａＡｓウエハ２４を加熱
室２１から取り出し、冷却室２２に搬入する。この時、
冷却室２２は冷却プレート上で約２０℃の窒素雰囲気に
なっている。約５分程冷却処理を施した後、冷却機構付
きロボットアーム２７によりＧａＡｓウエハ２４を冷却
室２２から取り出し、アンローダーカセット２６に収納
して工程が終了する。この時、全てのＧａＡｓウエハ２
４の処理中、加熱機構付きロボットアーム２３は約２０
０℃に温度調整され、冷却機構付きロボットアーム２７
は約２０℃に温度調整されている。
きロボットアーム２３によりＧａＡｓウエハ２４を加熱
室２１から取り出し、冷却室２２に搬入する。この時、
冷却室２２は冷却プレート上で約２０℃の窒素雰囲気に
なっている。約５分程冷却処理を施した後、冷却機構付
きロボットアーム２７によりＧａＡｓウエハ２４を冷却
室２２から取り出し、アンローダーカセット２６に収納
して工程が終了する。この時、全てのＧａＡｓウエハ２
４の処理中、加熱機構付きロボットアーム２３は約２０
０℃に温度調整され、冷却機構付きロボットアーム２７
は約２０℃に温度調整されている。
【００２９】次に、この実施例の動作について説明す
る。この第２実施例では、ＧａＡｓウエハ２４は、加熱
室２１（約４５０℃）に搬入される際、加熱機構付きロ
ボットアーム２３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ２
４は約１５０〜２００℃まで昇温されることになり、加
熱室２１で処理される際、ＧａＡｓウエハ温度は急激に
上昇しない。
る。この第２実施例では、ＧａＡｓウエハ２４は、加熱
室２１（約４５０℃）に搬入される際、加熱機構付きロ
ボットアーム２３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ２
４は約１５０〜２００℃まで昇温されることになり、加
熱室２１で処理される際、ＧａＡｓウエハ温度は急激に
上昇しない。
【００３０】次に、加熱室２１から搬出後のＧａＡｓウ
エハ２４は、約４５０℃を有しているが、加熱機構付き
ロボットアーム２３と接触するため、ウエハ温度は急激
に低下しない。ロボットアーム２３の搬送中のＧａＡｓ
ウエハ２４の温度は約１５０〜２００℃に保持され、冷
却室２２（約２０℃）に搬入される。冷却室２２より搬
出後のＧａＡｓウエハ２４は約２０℃を有しているが、
冷却機構付きロボットアーム２７と接触するため、Ｇａ
Ａｓウエハ２４は温度変化せず、そのままアンローダー
カセット２６に収納される。
エハ２４は、約４５０℃を有しているが、加熱機構付き
ロボットアーム２３と接触するため、ウエハ温度は急激
に低下しない。ロボットアーム２３の搬送中のＧａＡｓ
ウエハ２４の温度は約１５０〜２００℃に保持され、冷
却室２２（約２０℃）に搬入される。冷却室２２より搬
出後のＧａＡｓウエハ２４は約２０℃を有しているが、
冷却機構付きロボットアーム２７と接触するため、Ｇａ
Ａｓウエハ２４は温度変化せず、そのままアンローダー
カセット２６に収納される。
【００３１】このように、第２実施例によれば、搬送用
ロボットアームに加熱機構付きロボットアームと冷却機
構付きロボットアームを付加することにより、 （１）加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、加熱機
構付きロボットアームで搬送するために、従来のよう
に、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発生する
ヒートショックによるウエハの割れを低減することがで
きる。
ロボットアームに加熱機構付きロボットアームと冷却機
構付きロボットアームを付加することにより、 （１）加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、加熱機
構付きロボットアームで搬送するために、従来のよう
に、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発生する
ヒートショックによるウエハの割れを低減することがで
きる。
【００３２】（２）加熱室からＧａＡｓウエハを搬出す
る場合、加熱機構付きロボットアームで搬送するため
に、従来のように、ロボットアームが接触する時の４５
０℃から室温までに急激に降温する際に発生するクール
ショックによるウエハの割れを低減することができる。 （３）冷却室からＧａＡｓウエハを搬出する際、ＧａＡ
ｓウエハは温度変化せず、ロボットアームに接触する時
の約２０℃から約２００℃までに緩やかに昇温されるヒ
ートショックによるウエハの割れを低減することができ
る。
る場合、加熱機構付きロボットアームで搬送するため
に、従来のように、ロボットアームが接触する時の４５
０℃から室温までに急激に降温する際に発生するクール
ショックによるウエハの割れを低減することができる。 （３）冷却室からＧａＡｓウエハを搬出する際、ＧａＡ
ｓウエハは温度変化せず、ロボットアームに接触する時
の約２０℃から約２００℃までに緩やかに昇温されるヒ
ートショックによるウエハの割れを低減することができ
る。
【００３３】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図７は本発明の第３実施例を示すシンター炉の構成
図、図８はそのシンター炉のウエハの処理手順を示す図
である。なお、ロボットアーム機構は上記実施例と同様
であるので、ここでは詳細な説明は省略する。これらの
図に示すように、この実施例のシンター炉は、ホットプ
レートからなる加熱室３１と、冷却プレートからなる冷
却室３２と、ウエハ搬送用の加熱機構付きロボットアー
ム３３と、ローダーカセット３５と、アンローダーカセ
ット３６と冷却機能付きロボットアーム３７と、ホット
プレートからなる中間温度室３８から構成されている。
る。図７は本発明の第３実施例を示すシンター炉の構成
図、図８はそのシンター炉のウエハの処理手順を示す図
である。なお、ロボットアーム機構は上記実施例と同様
であるので、ここでは詳細な説明は省略する。これらの
図に示すように、この実施例のシンター炉は、ホットプ
レートからなる加熱室３１と、冷却プレートからなる冷
却室３２と、ウエハ搬送用の加熱機構付きロボットアー
ム３３と、ローダーカセット３５と、アンローダーカセ
ット３６と冷却機能付きロボットアーム３７と、ホット
プレートからなる中間温度室３８から構成されている。
【００３４】以下、第３実施例のＧａＡｓウエハ（基
板）の処理手順を、図８を参照しながら説明する。ま
ず、ローダーカセット３５よりＧａＡｓウエハ３４を冷
却機構付きロボットアーム３７（約２０℃）により取り
出し、中間温度室３８に搬入する（ステップ）。この
時、中間温度室３８の温度は約１５０℃で室内は窒素雰
囲気になっている。なお、この時、冷却機構付きロボッ
トアーム３７は、図示しないが、加熱機構付きロボット
アーム３３の動作に支障のない場所へ退避する。
板）の処理手順を、図８を参照しながら説明する。ま
ず、ローダーカセット３５よりＧａＡｓウエハ３４を冷
却機構付きロボットアーム３７（約２０℃）により取り
出し、中間温度室３８に搬入する（ステップ）。この
時、中間温度室３８の温度は約１５０℃で室内は窒素雰
囲気になっている。なお、この時、冷却機構付きロボッ
トアーム３７は、図示しないが、加熱機構付きロボット
アーム３３の動作に支障のない場所へ退避する。
【００３５】そこで、約５分程加熱処理を施した後、加
熱機構付きロボットアーム３３（約２００℃）により、
中間温度室３８からＧａＡｓウエハ３４を搬出し、加熱
室３１に搬入する（ステップ）。この時、ホットプレ
ート上は約４５０℃で室内は素雰囲気になっている。約
５分程度熱処理を施した後、加熱機構付きロボットアー
ム３３によりＧａＡｓウエハ３４を加熱室３１から搬出
し、中間温度室３８にＧａＡｓウエハ３４を搬入する
（ステップ）。
熱機構付きロボットアーム３３（約２００℃）により、
中間温度室３８からＧａＡｓウエハ３４を搬出し、加熱
室３１に搬入する（ステップ）。この時、ホットプレ
ート上は約４５０℃で室内は素雰囲気になっている。約
５分程度熱処理を施した後、加熱機構付きロボットアー
ム３３によりＧａＡｓウエハ３４を加熱室３１から搬出
し、中間温度室３８にＧａＡｓウエハ３４を搬入する
（ステップ）。
【００３６】なお、この時、加熱機構付きロボットアー
ム３３は、図示しないが、冷却機構付きロボットアーム
３７の動作に支障のない場所へ退避する。そこで、約５
分程の熱処理を施した後、冷却機構付きロボットアーム
３７によりＧａＡｓウエハ３４を中間温度室３８から搬
出する。次に、冷却機構付きロボットアーム３７にてＧ
ａＡｓウエハ３４を冷却室３２に搬入する（ステップ
）。
ム３３は、図示しないが、冷却機構付きロボットアーム
３７の動作に支障のない場所へ退避する。そこで、約５
分程の熱処理を施した後、冷却機構付きロボットアーム
３７によりＧａＡｓウエハ３４を中間温度室３８から搬
出する。次に、冷却機構付きロボットアーム３７にてＧ
ａＡｓウエハ３４を冷却室３２に搬入する（ステップ
）。
【００３７】この時、冷却室３２は冷却プレート上で約
２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程の冷却処理
を施した後、冷却機構付きロボットアーム３７によりＧ
ａＡｓウエハ３４を冷却室３２から取り出し、アンロー
ダーカセット３６に収納して（ステップ）、工程が終
了する。この時、全てのＧａＡｓウエハ３４の処理中、
加熱機構付きロボットアーム３３は約２００℃に温度調
整され、冷却機構付きロボットアーム３７は約２０℃に
温度調整されている。
２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程の冷却処理
を施した後、冷却機構付きロボットアーム３７によりＧ
ａＡｓウエハ３４を冷却室３２から取り出し、アンロー
ダーカセット３６に収納して（ステップ）、工程が終
了する。この時、全てのＧａＡｓウエハ３４の処理中、
加熱機構付きロボットアーム３３は約２００℃に温度調
整され、冷却機構付きロボットアーム３７は約２０℃に
温度調整されている。
【００３８】次に、この実施例の動作について説明す
る。この第３実施例では、ＧａＡｓウエハ３４は中間温
度室（約１５０℃）３８に搬入される際、冷却機構付き
ロボットアーム３７で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ
３４は約２０℃〜１５０℃に緩やかに昇温される。約５
分程熱処理を施した後、加熱機構付きロボットアーム３
３（約２００℃）により中間温度室３８より搬出される
が、この時のＧａＡｓウエハ３４の温度は約１５０℃
で、加熱機構付きロボットアーム３３との温度差は約５
０℃と温度変化はほとんど無い。
る。この第３実施例では、ＧａＡｓウエハ３４は中間温
度室（約１５０℃）３８に搬入される際、冷却機構付き
ロボットアーム３７で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ
３４は約２０℃〜１５０℃に緩やかに昇温される。約５
分程熱処理を施した後、加熱機構付きロボットアーム３
３（約２００℃）により中間温度室３８より搬出される
が、この時のＧａＡｓウエハ３４の温度は約１５０℃
で、加熱機構付きロボットアーム３３との温度差は約５
０℃と温度変化はほとんど無い。
【００３９】次に、ＧａＡｓウエハ３４を加熱室３１に
搬入し、約５分程熱処理を施した後、加熱機構付きロボ
ットアーム３３にて加熱室３１から搬出される。この
時、ＧａＡｓウエハ３４は、約４５０℃を有している
が、加熱機構付きロボットアーム３３と接触するため
に、ウエハ温度は急激には低下しない。次に、加熱機構
付きロボットアーム３３により中間温度室３８に搬入す
る。この時、加熱機構付きロボットアーム３３の搬送中
のＧａＡｓウエハ３４の温度は、約１５０℃〜２００℃
に保持されるため、中間温度室３８（１５０℃）との差
は約５０℃であるので、ウエハ温度は急激には低下しな
い。次に、約５分程熱処理を施した後、冷却機構付きロ
ボットアーム３７にてＧａＡｓウエハ３４は搬送される
が、この時のＧａＡｓウエハ３４の温度は、約１５０℃
であるため、冷却機構付きロボットアーム３７と接触す
る際も緩やかに降温される。
搬入し、約５分程熱処理を施した後、加熱機構付きロボ
ットアーム３３にて加熱室３１から搬出される。この
時、ＧａＡｓウエハ３４は、約４５０℃を有している
が、加熱機構付きロボットアーム３３と接触するため
に、ウエハ温度は急激には低下しない。次に、加熱機構
付きロボットアーム３３により中間温度室３８に搬入す
る。この時、加熱機構付きロボットアーム３３の搬送中
のＧａＡｓウエハ３４の温度は、約１５０℃〜２００℃
に保持されるため、中間温度室３８（１５０℃）との差
は約５０℃であるので、ウエハ温度は急激には低下しな
い。次に、約５分程熱処理を施した後、冷却機構付きロ
ボットアーム３７にてＧａＡｓウエハ３４は搬送される
が、この時のＧａＡｓウエハ３４の温度は、約１５０℃
であるため、冷却機構付きロボットアーム３７と接触す
る際も緩やかに降温される。
【００４０】次に、冷却機構付きロボットアーム３７に
より冷却室３２に搬入する。この時のウエハ温度は約２
０℃であるため、冷却室３２との温度差は無い。次に、
冷却機構付きロボットアーム３７にてＧａＡｓウエハ３
４を冷却室３２にから搬出するため、ＧａＡｓ基板３４
は温度変化しないまま、アンローダーカセット３６に収
納される。
より冷却室３２に搬入する。この時のウエハ温度は約２
０℃であるため、冷却室３２との温度差は無い。次に、
冷却機構付きロボットアーム３７にてＧａＡｓウエハ３
４を冷却室３２にから搬出するため、ＧａＡｓ基板３４
は温度変化しないまま、アンローダーカセット３６に収
納される。
【００４１】このように、第３実施例によれば、搬送用
ロボットアームに加熱機構付きロボットアームと冷却機
構付きロボットアームを付加し、中間温度室を設けるこ
とにより、 （１）加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、従来の
ように、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発生
するヒートショックによるウエハの割れを低減すること
ができる。
ロボットアームに加熱機構付きロボットアームと冷却機
構付きロボットアームを付加し、中間温度室を設けるこ
とにより、 （１）加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、従来の
ように、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発生
するヒートショックによるウエハの割れを低減すること
ができる。
【００４２】（２）加熱室からＧａＡｓウエハを搬出す
る場合、従来のように、ロボットアームが接触する時の
４５０℃から室温までに急激に降温する際に発生するク
ールショックによるウエハの割れを低減することができ
る。 （３）中間温度室を設けるようにしたので、加熱室及び
冷却室からＧａＡｓウエハを搬入、搬出する際に発生す
るヒートショック、クールショックを最小限に低減する
ことができるため、ウエハの割れを低減することができ
る。
る場合、従来のように、ロボットアームが接触する時の
４５０℃から室温までに急激に降温する際に発生するク
ールショックによるウエハの割れを低減することができ
る。 （３）中間温度室を設けるようにしたので、加熱室及び
冷却室からＧａＡｓウエハを搬入、搬出する際に発生す
るヒートショック、クールショックを最小限に低減する
ことができるため、ウエハの割れを低減することができ
る。
【００４３】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。図９は本発明の第４実施例を示すシンター炉の構成
図、図１０は図９のＤ−Ｄ線断面図である。これらの図
に示すように、この実施例のシンター炉は、ホットプレ
ートからなる加熱室４１と、冷却プレートからなる冷却
室４２と、ウエハ搬送用の加熱・冷却機構付きロボット
アーム４３と、ローダーカセット４５とアンローダーカ
セット４６とホットプレートからなる中間温度室４７か
ら構成されている。
る。図９は本発明の第４実施例を示すシンター炉の構成
図、図１０は図９のＤ−Ｄ線断面図である。これらの図
に示すように、この実施例のシンター炉は、ホットプレ
ートからなる加熱室４１と、冷却プレートからなる冷却
室４２と、ウエハ搬送用の加熱・冷却機構付きロボット
アーム４３と、ローダーカセット４５とアンローダーカ
セット４６とホットプレートからなる中間温度室４７か
ら構成されている。
【００４４】さらに、加熱・冷却機構付きロボットアー
ム４３は、回転駆動部４８に連動するアーム部（何も内
蔵されていないアーム部）４３Ａと、その先端に配置さ
れる回転駆動部４３Ｂと、この回転駆動部４３Ｂに連動
するコイルヒータ及び循環冷却水機構内蔵のアーム部４
３Ｃとを有し、そのアーム部４３Ｃの先端部にＧａＡｓ
ウエハ４４が載置される。
ム４３は、回転駆動部４８に連動するアーム部（何も内
蔵されていないアーム部）４３Ａと、その先端に配置さ
れる回転駆動部４３Ｂと、この回転駆動部４３Ｂに連動
するコイルヒータ及び循環冷却水機構内蔵のアーム部４
３Ｃとを有し、そのアーム部４３Ｃの先端部にＧａＡｓ
ウエハ４４が載置される。
【００４５】ここで、ロボットアーム４３は、回転駆動
部４３Ｂを中心にして、アーム部４３Ｃのみを回転させ
ることができる（後述の図１０参照）。また、コイルヒ
ータ及び循環冷却水機構内蔵のアーム部４３Ｃにおいて
は、温度調整機構（図示なし）により、コイルヒータと
循環冷却水機構のいずれか一方を作動状態にして、温度
の調整が行えるようにしている。
部４３Ｂを中心にして、アーム部４３Ｃのみを回転させ
ることができる（後述の図１０参照）。また、コイルヒ
ータ及び循環冷却水機構内蔵のアーム部４３Ｃにおいて
は、温度調整機構（図示なし）により、コイルヒータと
循環冷却水機構のいずれか一方を作動状態にして、温度
の調整が行えるようにしている。
【００４６】そこで、図１０に示すように、加熱室４１
の上方の所定位置に位置決めされたＧａＡｓウエハ４４
は、突き上げピン駆動装置（モータ）４９の駆動によ
り、ウエハピックアップ用突き上げピン５０によって押
し上げられると、コイルヒータ及び循環冷却水機構内蔵
のアーム部４３Ｃが退避する。すると、ウエハピックア
ップ用突き上げピン５０が下降して、ＧａＡｓウエハ４
４は、加熱室４１にセットされ、加熱処理される。
の上方の所定位置に位置決めされたＧａＡｓウエハ４４
は、突き上げピン駆動装置（モータ）４９の駆動によ
り、ウエハピックアップ用突き上げピン５０によって押
し上げられると、コイルヒータ及び循環冷却水機構内蔵
のアーム部４３Ｃが退避する。すると、ウエハピックア
ップ用突き上げピン５０が下降して、ＧａＡｓウエハ４
４は、加熱室４１にセットされ、加熱処理される。
【００４７】次に、第４実施例のＧａＡｓウエハ４４の
処理手順を説明する。まず、ローダーカセット４５から
ＧａＡｓウエハ４４を加熱・冷却機構付きロボットアー
ム４３（冷却機構作動で約２０℃）により取り出し、搬
送中に加熱・冷却機構付きロボットアーム４３によりＧ
ａＡｓウエハ４４を約１５０℃まで昇温（加熱機構作
動）してから中間温度室４７に搬入する。
処理手順を説明する。まず、ローダーカセット４５から
ＧａＡｓウエハ４４を加熱・冷却機構付きロボットアー
ム４３（冷却機構作動で約２０℃）により取り出し、搬
送中に加熱・冷却機構付きロボットアーム４３によりＧ
ａＡｓウエハ４４を約１５０℃まで昇温（加熱機構作
動）してから中間温度室４７に搬入する。
【００４８】この時、中間温度室４７の温度は約１５０
℃で室内は窒素雰囲気になっている。約５分程度の熱処
理を施した後、加熱・冷却機構付きロボットアーム４３
（約１５０℃）により、中間温度室４７からＧａＡｓウ
エハ４４を搬出し、搬送中に加熱・冷却ロボットアーム
４３（加熱機構作動）により約４５０℃まで昇温してか
ら加熱室４１に搬入する。
℃で室内は窒素雰囲気になっている。約５分程度の熱処
理を施した後、加熱・冷却機構付きロボットアーム４３
（約１５０℃）により、中間温度室４７からＧａＡｓウ
エハ４４を搬出し、搬送中に加熱・冷却ロボットアーム
４３（加熱機構作動）により約４５０℃まで昇温してか
ら加熱室４１に搬入する。
【００４９】この時、ホットプレート上は約４５０℃で
室内は素雰囲気になっている。約５分程熱処理を施した
後、加熱・冷却機構付きロボットアーム４３（加熱機構
作動により約４５０℃に保持）により加熱室４１からＧ
ａＡｓウエハ４４を搬出し、ＧａＡｓウエハ４４の搬送
中に加熱・冷却機構付きロボットアーム４３により約１
５０℃まで降温（冷却機構作動）し、中間温度室４７に
搬入する。約５分程熱処理を施した後、加熱・冷却機構
付きロボットアーム４３によりＧａＡｓウエハ４４を中
間温度室４７から搬出する。
室内は素雰囲気になっている。約５分程熱処理を施した
後、加熱・冷却機構付きロボットアーム４３（加熱機構
作動により約４５０℃に保持）により加熱室４１からＧ
ａＡｓウエハ４４を搬出し、ＧａＡｓウエハ４４の搬送
中に加熱・冷却機構付きロボットアーム４３により約１
５０℃まで降温（冷却機構作動）し、中間温度室４７に
搬入する。約５分程熱処理を施した後、加熱・冷却機構
付きロボットアーム４３によりＧａＡｓウエハ４４を中
間温度室４７から搬出する。
【００５０】そして、ＧａＡｓウエハ４４の搬送中に、
加熱・冷却機構付きロボットアーム４３により約２０℃
まで降温する（冷却機構作動）。次に、加熱・冷却機構
付きロボットアーム４３にてＧａＡｓウエハ４４を冷却
室４２に搬入する。この時、冷却室４２は冷却プレート
上で約２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程冷却
処理を施した後、加熱・冷却機構付きロボットアーム４
３（約２０℃）によりＧａＡｓウエハ４４を冷却室４２
から搬出し、アンローダーカセット４６に収納し工程が
終了する。
加熱・冷却機構付きロボットアーム４３により約２０℃
まで降温する（冷却機構作動）。次に、加熱・冷却機構
付きロボットアーム４３にてＧａＡｓウエハ４４を冷却
室４２に搬入する。この時、冷却室４２は冷却プレート
上で約２０℃の窒素雰囲気になっている。約５分程冷却
処理を施した後、加熱・冷却機構付きロボットアーム４
３（約２０℃）によりＧａＡｓウエハ４４を冷却室４２
から搬出し、アンローダーカセット４６に収納し工程が
終了する。
【００５１】次に、この実施例の動作について説明す
る。この第４実施例では、ＧａＡｓウエハ４４は中間温
度室４７（約１５０℃）に搬入される際、ローダーカセ
ット４５から搬送中に加熱・冷却機構付きロボットアー
ム４３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ４４は約２０
℃〜１５０℃に昇温されてから中間温度室４７に搬入さ
れるので、温度変化がなく、ヒートショックは発生しな
い。
る。この第４実施例では、ＧａＡｓウエハ４４は中間温
度室４７（約１５０℃）に搬入される際、ローダーカセ
ット４５から搬送中に加熱・冷却機構付きロボットアー
ム４３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ４４は約２０
℃〜１５０℃に昇温されてから中間温度室４７に搬入さ
れるので、温度変化がなく、ヒートショックは発生しな
い。
【００５２】次いで、約５分程熱処理を施した後、加熱
・冷却機構付きロボットアーム４３（約１５０℃）によ
り中間温度室４７からＧａＡｓウエハ４４を搬出するた
め、クールショックは発生しない。次に、ＧａＡｓウエ
ハ４４の搬送中に加熱・冷却機構付きロボットアーム４
３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ４４は約１５０℃
から４５０℃に昇温されてから、加熱室４１（約４５０
℃）に搬入されるため、温度変化がなく、ヒートショッ
クは発生しない。
・冷却機構付きロボットアーム４３（約１５０℃）によ
り中間温度室４７からＧａＡｓウエハ４４を搬出するた
め、クールショックは発生しない。次に、ＧａＡｓウエ
ハ４４の搬送中に加熱・冷却機構付きロボットアーム４
３で搬送されるため、ＧａＡｓウエハ４４は約１５０℃
から４５０℃に昇温されてから、加熱室４１（約４５０
℃）に搬入されるため、温度変化がなく、ヒートショッ
クは発生しない。
【００５３】次いで、約５分程熱処理を施した後、加熱
・冷却機構付きロボットアーム４３（約４５０℃）によ
り、ＧａＡｓウエハ４４は加熱室４１から搬出されるた
めクールショックは発生しない。次に、加熱・冷却機構
付きロボットアーム４３で搬送されるため、ＧａＡｓウ
エハ４４は約４５０℃から１５０℃に降温されてから中
間温度室４７（約１５０℃）に搬入されることになり、
ヒートショックは発生しない。
・冷却機構付きロボットアーム４３（約４５０℃）によ
り、ＧａＡｓウエハ４４は加熱室４１から搬出されるた
めクールショックは発生しない。次に、加熱・冷却機構
付きロボットアーム４３で搬送されるため、ＧａＡｓウ
エハ４４は約４５０℃から１５０℃に降温されてから中
間温度室４７（約１５０℃）に搬入されることになり、
ヒートショックは発生しない。
【００５４】次いで、約５分程熱処理を施した後、加
熱、冷却機構付きロボットアーム４３（約１５０℃）に
てＧａＡｓウエハ４４を中間温度室４７から搬出し、搬
送中にＧａＡｓウエハ４４は約１５０℃から２０℃に降
温されてから冷却室４２（約２０℃）に搬入されるた
め、温度変化がなく、クールショックは発生しない。次
に、約５分程冷却処理を施した後、加熱・冷却機構付き
ロボットアーム４３（約２０℃）でＧａＡｓウエハ４４
は冷却室４２から搬出されるため、ＧａＡｓウエハ４４
は温度変化がなく、クールショックは発生しない。次
に、加熱・冷却機構付きロボットアーム４３にて、アン
ローダカセット４６にＧａＡｓウエハ４４を収納して工
程が終了する。
熱、冷却機構付きロボットアーム４３（約１５０℃）に
てＧａＡｓウエハ４４を中間温度室４７から搬出し、搬
送中にＧａＡｓウエハ４４は約１５０℃から２０℃に降
温されてから冷却室４２（約２０℃）に搬入されるた
め、温度変化がなく、クールショックは発生しない。次
に、約５分程冷却処理を施した後、加熱・冷却機構付き
ロボットアーム４３（約２０℃）でＧａＡｓウエハ４４
は冷却室４２から搬出されるため、ＧａＡｓウエハ４４
は温度変化がなく、クールショックは発生しない。次
に、加熱・冷却機構付きロボットアーム４３にて、アン
ローダカセット４６にＧａＡｓウエハ４４を収納して工
程が終了する。
【００５５】このように、第４実施例によれば、搬送用
ロボットアームに加熱・冷却機構付きロボットアームを
設けることにより、加熱室、冷却室、中間温度室の温度
に合わせて搬送、搬入を行うため、ＧａＡｓウエハは温
度変化せず、ヒートショック、クールショック等を防止
することができ、ウエハの割れを低減することができ
る。
ロボットアームに加熱・冷却機構付きロボットアームを
設けることにより、加熱室、冷却室、中間温度室の温度
に合わせて搬送、搬入を行うため、ＧａＡｓウエハは温
度変化せず、ヒートショック、クールショック等を防止
することができ、ウエハの割れを低減することができ
る。
【００５６】なお、上記第１実施例乃至第４実施例にお
いては、シンター装置を例示して説明したが、本発明
は、それに限定されるものではなく、例えば、ホットプ
レートを使用する枚葉製造装置のＣＶＤ装置、ドライエ
ッチング装置などに関しても適応可能である。また、本
発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発
明の範囲から排除するものではない。
いては、シンター装置を例示して説明したが、本発明
は、それに限定されるものではなく、例えば、ホットプ
レートを使用する枚葉製造装置のＣＶＤ装置、ドライエ
ッチング装置などに関しても適応可能である。また、本
発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の
趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発
明の範囲から排除するものではない。
【００５７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）半導体製造に当たり、処理装置と、この処理装置
に半導体ウエハを搬送する温度調整機構を有する搬送用
ロボットアームを備え、半導体ウエハを処理すべき処理
装置に対して、その搬送用ロボットアームの温度を適温
となるように温度調整することにより、ヒートショック
による半導体ウエハの割れを低減することができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）半導体製造に当たり、処理装置と、この処理装置
に半導体ウエハを搬送する温度調整機構を有する搬送用
ロボットアームを備え、半導体ウエハを処理すべき処理
装置に対して、その搬送用ロボットアームの温度を適温
となるように温度調整することにより、ヒートショック
による半導体ウエハの割れを低減することができる。
【００５８】（Ｂ）より具体的には、 （１）搬送用ロボットアームに加熱機構を付加すること
により、加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、従来
のように、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発
生するヒートショックによるウエハの割れを低減するこ
とができる。また、加熱室からＧａＡｓウエハを搬出す
る場合、従来のように、ロボットアームが接触する時の
４５０℃から室温までに急激に降温する際に発生するク
ールショックによるウエハの割れを低減することができ
る。
により、加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場合、従来
のように、室温から４５０℃まで急激に昇温する際に発
生するヒートショックによるウエハの割れを低減するこ
とができる。また、加熱室からＧａＡｓウエハを搬出す
る場合、従来のように、ロボットアームが接触する時の
４５０℃から室温までに急激に降温する際に発生するク
ールショックによるウエハの割れを低減することができ
る。
【００５９】（２）搬送用ロボットアームに加熱機構付
きロボットアームと冷却機構付きロボットアームを付加
することにより、加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場
合、従来のように、室温から４５０℃まで急激に昇温す
る際に発生するヒートショックによるウエハの割れを低
減することができる。また、加熱室からＧａＡｓウエハ
を搬出する場合、従来のように、ロボットアームが接触
する時の４５０℃から室温までに急激に降温する際に発
生するクールショックによるウエハの割れを低減するこ
とができる。
きロボットアームと冷却機構付きロボットアームを付加
することにより、加熱室にＧａＡｓウエハを搬入する場
合、従来のように、室温から４５０℃まで急激に昇温す
る際に発生するヒートショックによるウエハの割れを低
減することができる。また、加熱室からＧａＡｓウエハ
を搬出する場合、従来のように、ロボットアームが接触
する時の４５０℃から室温までに急激に降温する際に発
生するクールショックによるウエハの割れを低減するこ
とができる。
【００６０】更に、冷却室からＧａＡｓウエハを搬出す
る際、ＧａＡｓウエハは温度変化せず、ロボットアーム
に接触する時の約２０℃から約２００℃までに緩やかに
昇温されるヒートショックによるウエハの割れを低減す
ることができる。 （３）搬送用ロボットアームに加熱機構付きロボットア
ームと冷却機構付きロボットアームを付加し、中間温度
室を設けることにより、加熱室にＧａＡｓウエハを搬入
する場合、従来のように、室温から４５０℃まで急激に
昇温する際に発生するヒートショックによるウエハの割
れを低減することができる。
る際、ＧａＡｓウエハは温度変化せず、ロボットアーム
に接触する時の約２０℃から約２００℃までに緩やかに
昇温されるヒートショックによるウエハの割れを低減す
ることができる。 （３）搬送用ロボットアームに加熱機構付きロボットア
ームと冷却機構付きロボットアームを付加し、中間温度
室を設けることにより、加熱室にＧａＡｓウエハを搬入
する場合、従来のように、室温から４５０℃まで急激に
昇温する際に発生するヒートショックによるウエハの割
れを低減することができる。
【００６１】また、加熱室からＧａＡｓウエハを搬出す
る場合、ロボットアームが接触する時の４５０℃から室
温までに急激に降温する際に発生するクールショックに
よるウエハの割れを低減することができる。更に、中間
温度室を設けるようにしたので、加熱室から冷却室から
ＧａＡｓウエハを搬入、搬出する際に発生するヒートシ
ョック、クールショックを最小限に低減することができ
るため、ウエハの割れを低減することができる。
る場合、ロボットアームが接触する時の４５０℃から室
温までに急激に降温する際に発生するクールショックに
よるウエハの割れを低減することができる。更に、中間
温度室を設けるようにしたので、加熱室から冷却室から
ＧａＡｓウエハを搬入、搬出する際に発生するヒートシ
ョック、クールショックを最小限に低減することができ
るため、ウエハの割れを低減することができる。
【００６２】（４）搬送用ロボットアームに加熱・冷却
機構付きロボットアームを設けることにより、加熱室、
冷却室、中間温度室の温度に合わせて搬送、搬入を行う
ことができるので、ＧａＡｓウエハは温度変化せず、ヒ
ートショック、クールショック等を防止することがで
き、ウエハの割れを低減することができる。
機構付きロボットアームを設けることにより、加熱室、
冷却室、中間温度室の温度に合わせて搬送、搬入を行う
ことができるので、ＧａＡｓウエハは温度変化せず、ヒ
ートショック、クールショック等を防止することがで
き、ウエハの割れを低減することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すシンター炉の構成図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示すシンター炉のウエハ
の処理手順を示す図である。
の処理手順を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すシンター炉の構成図
である。
である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図４のＣ−Ｃ線断面図である。
【図７】本発明の第３実施例を示すシンター炉の構成図
である。
である。
【図８】本発明の第３実施例を示すシンター炉のウエハ
の処理手順を示す図である。
の処理手順を示す図である。
【図９】本発明の第４実施例を示すシンター炉の構成図
である。
である。
【図１０】図９のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１１】従来の化合物半導体用シンター炉の構成図で
ある。
ある。
１１，２１，３１，４１ 加熱室 １２，２２，３２，４２ 冷却室 １３，２３，３３ ウエハ搬送用の加熱機構付きロボ
ットアーム １３Ａ，２３Ａ，２７Ａ，４３Ａ アーム部（何も内
蔵されていないアーム部） １３Ｂ，１７，２３Ｂ，２７Ｂ，２８Ａ，２８Ｂ，４３
Ｂ，４８ 回転駆動部 １３Ｃ，２３Ｃ コイルヒータ内蔵のアーム部 １４，２４，３４，４４ ＧａＡｓウエハ １５，２５，３５，４５ ローダーカセット １６，２６，３６，４６ アンローダーカセット １８，２９Ａ，２９Ｂ，４９ 突き上げピン駆動装置
（モータ） １９，３０Ａ，３０Ｂ，５０ ウエハピックアップ用
突き上げピン ２７，３７ ウエハ搬送用の冷却機能付きロボットア
ーム ２７Ｃ 循環冷却水機構の内蔵のアーム部 ３８，４７ 中間温度室 ４３ 加熱・冷却機構付きロボットアーム ４３Ｃ コイルヒータ及び循環冷却水機構内蔵のアー
ム部
ットアーム １３Ａ，２３Ａ，２７Ａ，４３Ａ アーム部（何も内
蔵されていないアーム部） １３Ｂ，１７，２３Ｂ，２７Ｂ，２８Ａ，２８Ｂ，４３
Ｂ，４８ 回転駆動部 １３Ｃ，２３Ｃ コイルヒータ内蔵のアーム部 １４，２４，３４，４４ ＧａＡｓウエハ １５，２５，３５，４５ ローダーカセット １６，２６，３６，４６ アンローダーカセット １８，２９Ａ，２９Ｂ，４９ 突き上げピン駆動装置
（モータ） １９，３０Ａ，３０Ｂ，５０ ウエハピックアップ用
突き上げピン ２７，３７ ウエハ搬送用の冷却機能付きロボットア
ーム ２７Ｃ 循環冷却水機構の内蔵のアーム部 ３８，４７ 中間温度室 ４３ 加熱・冷却機構付きロボットアーム ４３Ｃ コイルヒータ及び循環冷却水機構内蔵のアー
ム部
Claims (11)
- 【請求項１】（ａ）処理装置と、（ｂ）該処理装置に半
導体ウエハを搬送する温度調整機構を有する搬送用ロボ
ットアームとを具備することを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記温度調整機構は加熱機構であることを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記温度調整機構は冷却機構であることを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記温度調整機構は加熱及び冷却機構であることを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】（ａ）加熱装置と、（ｂ）冷却装置と、
（ｃ）前記加熱装置及び前記冷却装置に半導体ウエハを
搬送する加熱機構を有する搬送用ロボットアームとを具
備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】（ａ）加熱装置と、（ｂ）冷却装置と、
（ｃ）前記加熱装置に半導体ウエハを搬送する加熱機構
を有する第１の搬送用ロボットアームと、（ｄ）前記冷
却装置に半導体ウエハを搬送する冷却機構を有する第２
の搬送用ロボットアームとを具備することを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項７】（ａ）加熱装置と、（ｂ）冷却装置と、
（ｃ）中間温度室と、（ｄ）前記加熱装置に半導体ウエ
ハを搬送する加熱機構を有する第１の搬送用ロボットア
ームと、（ｅ）前記冷却装置及び前記中間温度室に半導
体ウエハを搬送する冷却機構を有する第２の搬送用ロボ
ットアームとを具備することを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項８】（ａ）加熱装置と、（ｂ）冷却装置と、
（ｃ）中間温度室と、（ｄ）前記加熱装置、前記冷却装
置又は前記中間温度室に半導体ウエハを搬送する加熱機
構及び冷却機構を有する搬送用ロボットアームと、
（ｅ）前記冷却装置及び前記中間温度室に半導体ウエハ
を搬送する冷却機構を有する第２の搬送用ロボットアー
ムとを具備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項９】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記処理装置はシンター装置であることを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項１０】 半導体ウエハを処理すべき処理装置に
対して半導体ウエハを搬送する搬送用ロボットアームの
温度を適温となるように温度調整することを特徴とする
半導体製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の半導体製造方法にお
いて、前記処理装置はシンター装置であり、前記半導体
ウエハを加熱する際には前記搬送用ロボットアームを加
熱し、前記半導体ウエハを冷却する際には前記搬送用ロ
ボットアームを冷却することを特徴とする半導体製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9339648A JPH11176902A (ja) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 半導体製造装置及びその製造方法 |
| US09/206,235 US6413888B1 (en) | 1997-12-10 | 1998-12-07 | Method and apparatus for preventing rapid temperature variation of wafers during processing |
| US10/135,444 US6919541B2 (en) | 1997-12-10 | 2002-05-01 | Apparatus for preventing rapid temperature variation during wafer processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9339648A JPH11176902A (ja) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 半導体製造装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176902A true JPH11176902A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18329494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9339648A Pending JPH11176902A (ja) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 半導体製造装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6413888B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11176902A (ja) |
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| CN111725101B (zh) * | 2020-06-17 | 2023-11-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 冷却装置及冷却方法 |
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| JPH0812846B2 (ja) * | 1991-02-15 | 1996-02-07 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体製造装置 |
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1997
- 1997-12-10 JP JP9339648A patent/JPH11176902A/ja active Pending
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1998
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2002
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