JPH05226455A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH05226455A JPH05226455A JP5952492A JP5952492A JPH05226455A JP H05226455 A JPH05226455 A JP H05226455A JP 5952492 A JP5952492 A JP 5952492A JP 5952492 A JP5952492 A JP 5952492A JP H05226455 A JPH05226455 A JP H05226455A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- orientation flat
- semiconductor wafer
- buffer stage
- wafer
- processing
- Prior art date
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ロボットチャンバ２０内のオリフラ合わせ機構
３４の近傍にバッファステージ３６を設ける。 【効果】バッファステージ３６を設けることにより、オ
リフラ合わせ機構３４でのオリフラ合わせの最中に、次
にオリフラ合わせを行なう半導体ウエハ１０をオリフラ
合わせ機構３４のすぐ近くまで搬送しておいて載置して
おくことができるので、処理時間の短縮を図ることがで
きる。
３４の近傍にバッファステージ３６を設ける。 【効果】バッファステージ３６を設けることにより、オ
リフラ合わせ機構３４でのオリフラ合わせの最中に、次
にオリフラ合わせを行なう半導体ウエハ１０をオリフラ
合わせ機構３４のすぐ近くまで搬送しておいて載置して
おくことができるので、処理時間の短縮を図ることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子の製
造等において使用される、処理装置に関する。
造等において使用される、処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の処理装置について、半導体素子の
製造工程において使用される縦型熱処理装置を例に採っ
て説明する。
製造工程において使用される縦型熱処理装置を例に採っ
て説明する。
【０００３】縦型熱処理装置としては、多数枚の半導体
ウエハを収納したウエハボートを略円筒型の縦型プロセ
スチューブ内に搬入し、このプロセスチューブを加熱す
ることにより、半導体ウエハの加熱処理を行なうものが
知られている。
ウエハを収納したウエハボートを略円筒型の縦型プロセ
スチューブ内に搬入し、このプロセスチューブを加熱す
ることにより、半導体ウエハの加熱処理を行なうものが
知られている。
【０００４】このような熱処理装置は、例えば、半導体
ウエハへの酸化膜の形成や、熱ＣＶＤ法による薄膜形
成、熱拡散法による高不純物濃度領域の形成などに、使
用される。
ウエハへの酸化膜の形成や、熱ＣＶＤ法による薄膜形
成、熱拡散法による高不純物濃度領域の形成などに、使
用される。
【０００５】図３は、かかる縦型熱処理装置の構成例を
概略的に示す断面図である。
概略的に示す断面図である。
【０００６】図に示したように、例えば石英等によって
形成されたプロセスチューブ８０の下側にはマニホール
ド８２が設置されており、かかるマニホールド８２に設
けられた排気管８４およびガス導入管８６によって、プ
ロセスチューブ８０内のガスの排気および導入が行われ
る。また、このプロセスチューブ８０の外側には、プロ
セスチューブ８０を囲んでヒータ８８が設けられてお
り、プロセスチューブ８０内を所望の温度に加熱制御す
ることができる。
形成されたプロセスチューブ８０の下側にはマニホール
ド８２が設置されており、かかるマニホールド８２に設
けられた排気管８４およびガス導入管８６によって、プ
ロセスチューブ８０内のガスの排気および導入が行われ
る。また、このプロセスチューブ８０の外側には、プロ
セスチューブ８０を囲んでヒータ８８が設けられてお
り、プロセスチューブ８０内を所望の温度に加熱制御す
ることができる。
【０００７】多数枚の半導体ウエハ１０を収納したウエ
ハボート９０は、ボートエレベータ７６により、真空室
７８からプロセスチューブ８０に挿入される。ここで、
ウエハボート９０がプロセスチューブ８０内に挿入され
たときは、フランジ９４によってプロセスチューブ８０
内が密閉されるように構成されている。
ハボート９０は、ボートエレベータ７６により、真空室
７８からプロセスチューブ８０に挿入される。ここで、
ウエハボート９０がプロセスチューブ８０内に挿入され
たときは、フランジ９４によってプロセスチューブ８０
内が密閉されるように構成されている。
【０００８】このような装置においては、半導体ウエハ
１０のウエハボート９０への収納する作業や半導体ウエ
ハ１０を収納したウエハボート９０をプロセスチューブ
８０へ挿入する作業は、例えばＮ2 ガス等の雰囲気下で
行なうことが望ましい。これらの作業を大気中で行なう
と、大気中のＯ2 によって半導体ウエハ表面に自然酸化
膜が形成されてしまうからである。このため、ウエハキ
ャリア９８に収納された半導体ウエハ１０をウエハボー
ト９０に移し換えるための搬送手段９２は、真空室９６
内に配置されている。
１０のウエハボート９０への収納する作業や半導体ウエ
ハ１０を収納したウエハボート９０をプロセスチューブ
８０へ挿入する作業は、例えばＮ2 ガス等の雰囲気下で
行なうことが望ましい。これらの作業を大気中で行なう
と、大気中のＯ2 によって半導体ウエハ表面に自然酸化
膜が形成されてしまうからである。このため、ウエハキ
ャリア９８に収納された半導体ウエハ１０をウエハボー
ト９０に移し換えるための搬送手段９２は、真空室９６
内に配置されている。
【０００９】このような構成の装置を用いて半導体ウエ
ハ１０に処理を施す場合は、まず、Ｎ2 ガス雰囲気下で
半導体ウエハ１０をウエハボート９０に収納し、このウ
エハボート９０を搬入手段によって上昇させてプロセス
チューブ８０内に挿入する。その後、排気管８４を用い
てプロセスチューブ８０内のＮ2 ガスを排出し、プロセ
スチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導入
管８６により処理ガスを導入し、所望の処理を行なう。
ハ１０に処理を施す場合は、まず、Ｎ2 ガス雰囲気下で
半導体ウエハ１０をウエハボート９０に収納し、このウ
エハボート９０を搬入手段によって上昇させてプロセス
チューブ８０内に挿入する。その後、排気管８４を用い
てプロセスチューブ８０内のＮ2 ガスを排出し、プロセ
スチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導入
管８６により処理ガスを導入し、所望の処理を行なう。
【００１０】一方、処理が終了すると、排気管８４を用
いてプロセスチューブ８０内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６によりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガス
の圧力が真空室７８のＮ2 ガスの圧力と同じになると、
ウエハボート９０を下降させ、半導体ウエハ１０を取り
出す。
いてプロセスチューブ８０内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６によりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガス
の圧力が真空室７８のＮ2 ガスの圧力と同じになると、
ウエハボート９０を下降させ、半導体ウエハ１０を取り
出す。
【００１１】このように、図３に示した縦型熱処理装置
では、縦型熱処理部をプロセスチューブ８０によって構
成していることと、マニホールド８２に排気管８４およ
びガス導入管８６を具備させたこととにより、プロセス
チューブ８０内の雰囲気ガスを自由に入れ換えることが
できるので、このプロセスチューブ８０への半導体ウエ
ハ１０の搬入をＮ2 ガス雰囲気下で行なっても、所望の
ガス雰囲気下での処理を行なうことができる。また、処
理の終了後に半導体ウエハ１０をプロセスチューブ８０
の外へ搬出する際にも、上述のようにしてＮ2 ガス雰囲
気下に戻すことができるので、プロセスチューブ８０の
外部の雰囲気に悪影響を及ぼすことがない。すなわち、
上述のような構成により、プロセスチューブ８０への半
導体ウエハ１０の搬入および搬出をＮ2 ガス雰囲気下で
行なうことができるので、半導体ウエハ１０への自然酸
化膜の形成を防止することが可能となるのである。
では、縦型熱処理部をプロセスチューブ８０によって構
成していることと、マニホールド８２に排気管８４およ
びガス導入管８６を具備させたこととにより、プロセス
チューブ８０内の雰囲気ガスを自由に入れ換えることが
できるので、このプロセスチューブ８０への半導体ウエ
ハ１０の搬入をＮ2 ガス雰囲気下で行なっても、所望の
ガス雰囲気下での処理を行なうことができる。また、処
理の終了後に半導体ウエハ１０をプロセスチューブ８０
の外へ搬出する際にも、上述のようにしてＮ2 ガス雰囲
気下に戻すことができるので、プロセスチューブ８０の
外部の雰囲気に悪影響を及ぼすことがない。すなわち、
上述のような構成により、プロセスチューブ８０への半
導体ウエハ１０の搬入および搬出をＮ2 ガス雰囲気下で
行なうことができるので、半導体ウエハ１０への自然酸
化膜の形成を防止することが可能となるのである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子を安価に製
造するためには、製造工程を簡略化し、製造に要する時
間を短縮することが要請される。
造するためには、製造工程を簡略化し、製造に要する時
間を短縮することが要請される。
【００１３】ところで、上述した従来の縦型熱処理装置
には、ウエハボート９０へ多数枚の半導体ウエハ１０を
収納する際に、各半導体ウエハ１０のオリエンテーショ
ンフラットの向きを正確に一致させることができないと
いう課題があった。このため、例えば、この縦型熱処理
装置を用いて処理を行なう場合、プロセスチューブ８０
内での処理ガスの流れに乱れが生じ、これに起因して、
均一な処理を行なうことができない場合があった。
には、ウエハボート９０へ多数枚の半導体ウエハ１０を
収納する際に、各半導体ウエハ１０のオリエンテーショ
ンフラットの向きを正確に一致させることができないと
いう課題があった。このため、例えば、この縦型熱処理
装置を用いて処理を行なう場合、プロセスチューブ８０
内での処理ガスの流れに乱れが生じ、これに起因して、
均一な処理を行なうことができない場合があった。
【００１４】かかる課題を解決するために、本発明者
は、予めオリフラ合わせ機構で半導体ウエハ１０のオリ
エンテーションフラットの向きを一枚ずつ設定した後
に、半導体ウエハを一枚ずつウエハボート９０へ収納す
ることにより、ウエハボート９０へ収納した各半導体ウ
エハ１０のオリエンテーションフラットの向きを正確に
一致させることを試みた。しかし、この場合、各半導体
ウエハ１０のオリエンテーションフラットの向きを正確
に一致させることはできるものの、この向き合わせに要
する時間やオリフラ合わせ機構に半導体ウエハ１０を搬
送する時間の分、半導体ウエハ１０の処理に要する時間
が長くなってしまい、したがって、半導体素子の製造に
要する時間が全体で長くなってしまうという新たな課題
を生じた。
は、予めオリフラ合わせ機構で半導体ウエハ１０のオリ
エンテーションフラットの向きを一枚ずつ設定した後
に、半導体ウエハを一枚ずつウエハボート９０へ収納す
ることにより、ウエハボート９０へ収納した各半導体ウ
エハ１０のオリエンテーションフラットの向きを正確に
一致させることを試みた。しかし、この場合、各半導体
ウエハ１０のオリエンテーションフラットの向きを正確
に一致させることはできるものの、この向き合わせに要
する時間やオリフラ合わせ機構に半導体ウエハ１０を搬
送する時間の分、半導体ウエハ１０の処理に要する時間
が長くなってしまい、したがって、半導体素子の製造に
要する時間が全体で長くなってしまうという新たな課題
を生じた。
【００１５】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みて試されたものであり、被処理体の処理に要する時間
を短縮することができる処理装置を提供することを目的
とする。
みて試されたものであり、被処理体の処理に要する時間
を短縮することができる処理装置を提供することを目的
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる処理装置
は、複数の被処理体をバッチ処理する処理部と、処理さ
れる複数の前記被処理体を収容する収容部と、前記収容
部より前記処理部に向けて一枚ずつ前記被処理体を搬送
する搬送手段と、前記収容部と処理部との間の搬送途中
に配置され、前記処理部に搬入される前に前記被処理体
の位置合わせを行なう位置合わせ機構と、前記位置合わ
せ機構と隣接して配置され、前記位置合わせ機構で位置
合わせを行なう前記被処理体を一時的に載置するための
バッファステージと、を具備することを特徴とする。
は、複数の被処理体をバッチ処理する処理部と、処理さ
れる複数の前記被処理体を収容する収容部と、前記収容
部より前記処理部に向けて一枚ずつ前記被処理体を搬送
する搬送手段と、前記収容部と処理部との間の搬送途中
に配置され、前記処理部に搬入される前に前記被処理体
の位置合わせを行なう位置合わせ機構と、前記位置合わ
せ機構と隣接して配置され、前記位置合わせ機構で位置
合わせを行なう前記被処理体を一時的に載置するための
バッファステージと、を具備することを特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明に係わる処理装置では、最初の被処理体
を位置合わせ機構に載置して位置合わせを行なっている
最中に、次に位置合わせを行なう被処理体をバッファス
テージまで搬送して載置しておくことにより、処理部へ
の被処理体の搬入に要する時間を全体として短縮する。
を位置合わせ機構に載置して位置合わせを行なっている
最中に、次に位置合わせを行なう被処理体をバッファス
テージまで搬送して載置しておくことにより、処理部へ
の被処理体の搬入に要する時間を全体として短縮する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１９】図１は、本実施例に係わる処理装置の構成
を概念的に示す上面図である。
を概念的に示す上面図である。
【００２０】図１において、準備室であるロボットチャ
ンバ２０は、排気管及びガス導入管（共に図示せず）が
接続された真空チャンバによって構成されており、非酸
化雰囲気を得るためのパージガス（本実施例ではＮ2 ガ
スを使用する）をガス導入管より導入することができる
ように構成されている。また、このロボットチャンバ２
０は、処理室例えば縦型熱処理炉を有する酸化装置２
２、および、処理室例えば縦型熱処理炉を有するＣＶＤ
装置２４に、それぞれゲートバルブ５２，５４を介して
連結されている。
ンバ２０は、排気管及びガス導入管（共に図示せず）が
接続された真空チャンバによって構成されており、非酸
化雰囲気を得るためのパージガス（本実施例ではＮ2 ガ
スを使用する）をガス導入管より導入することができる
ように構成されている。また、このロボットチャンバ２
０は、処理室例えば縦型熱処理炉を有する酸化装置２
２、および、処理室例えば縦型熱処理炉を有するＣＶＤ
装置２４に、それぞれゲートバルブ５２，５４を介して
連結されている。
【００２１】酸化装置２２およびＣＶＤ装置２４は処理
部の一例であり、その構成は、上述の図３に示した縦型
熱処理装置の構成とほぼ同じである。なお、それぞれの
装置において、ガス導入管８６からは、その装置におけ
る処理の内容に応じた処理ガスと、Ｎ2 ガスとを導入す
ることができるように構成されている。処理ガスとして
は、例えばＣＶＤ装置２４の場合、ポリシリコン薄膜を
形成するのであればＳｉＨ4 ガスを使用し、シリコン窒
化膜を形成するのであればＮＨ4 ガスおよびＳｉＨ2 Ｃ
ｌ2 ガスを使用する。また、ヒータ８８の加熱能力も、
処理の内容に応じて定めればよい。例えば、酸化装置２
２の場合は８００〜１２００℃に設定できるように構成
し、また、ＣＶＤ装置２４は５００〜１０００℃に設定
できるように構成すればよい。
部の一例であり、その構成は、上述の図３に示した縦型
熱処理装置の構成とほぼ同じである。なお、それぞれの
装置において、ガス導入管８６からは、その装置におけ
る処理の内容に応じた処理ガスと、Ｎ2 ガスとを導入す
ることができるように構成されている。処理ガスとして
は、例えばＣＶＤ装置２４の場合、ポリシリコン薄膜を
形成するのであればＳｉＨ4 ガスを使用し、シリコン窒
化膜を形成するのであればＮＨ4 ガスおよびＳｉＨ2 Ｃ
ｌ2 ガスを使用する。また、ヒータ８８の加熱能力も、
処理の内容に応じて定めればよい。例えば、酸化装置２
２の場合は８００〜１２００℃に設定できるように構成
し、また、ＣＶＤ装置２４は５００〜１０００℃に設定
できるように構成すればよい。
【００２２】ロボットチャンバ２０は、被処理体として
の半導体ウエハ１０を収納するためのカセット室３０
ａ，３０ｂとも、ゲートバルブ５８ａ，５８ｂを介して
連結されている。このカセット室３０ａ，３０ｂは、排
気及びＮ2 ガスを導入可能に構成されると共に、半導体
ウエハ１０を収納したウエハキャリアをそのまま設置で
きるように構成されている。カセット室３０ａ，３０ｂ
は、例えば、処理前の半導体ウエハ１０を収納したウエ
ハキャリアはカセット室３０ａに設置し、処理後の半導
体ウエハ１０はカセット室３０ｂに設置されたウエハキ
ャリアに収納されることとしてもよい。また、例えば、
カセット室３０ａに設置したウエハキャリアの半導体ウ
エハは、処理後にカセット室３０ａのウエハキャリアに
収納されることとしてもよい。なお、カセット室の数
は、１個でもよいし、３個以上でもよいことはもちろん
である。
の半導体ウエハ１０を収納するためのカセット室３０
ａ，３０ｂとも、ゲートバルブ５８ａ，５８ｂを介して
連結されている。このカセット室３０ａ，３０ｂは、排
気及びＮ2 ガスを導入可能に構成されると共に、半導体
ウエハ１０を収納したウエハキャリアをそのまま設置で
きるように構成されている。カセット室３０ａ，３０ｂ
は、例えば、処理前の半導体ウエハ１０を収納したウエ
ハキャリアはカセット室３０ａに設置し、処理後の半導
体ウエハ１０はカセット室３０ｂに設置されたウエハキ
ャリアに収納されることとしてもよい。また、例えば、
カセット室３０ａに設置したウエハキャリアの半導体ウ
エハは、処理後にカセット室３０ａのウエハキャリアに
収納されることとしてもよい。なお、カセット室の数
は、１個でもよいし、３個以上でもよいことはもちろん
である。
【００２３】ロボットチャンバ２０内には、半導体ウエ
ハ１０の搬送を行なうための第１の搬送手段である搬送
機構３２が設けられている。この搬送機構３２は、上述
した酸化装置２２およびＣＶＤ装置２４のウエハボー
ト、カセット室３０ａ，３０ｂ内のウエハキャリア、並
びに、後述するオリフラ合わせ機構３４およびバッファ
ステージ３６に対する、半導体ウエハ１０の搬入、搬出
を行うことができるように構成されている。
ハ１０の搬送を行なうための第１の搬送手段である搬送
機構３２が設けられている。この搬送機構３２は、上述
した酸化装置２２およびＣＶＤ装置２４のウエハボー
ト、カセット室３０ａ，３０ｂ内のウエハキャリア、並
びに、後述するオリフラ合わせ機構３４およびバッファ
ステージ３６に対する、半導体ウエハ１０の搬入、搬出
を行うことができるように構成されている。
【００２４】ロボットチャンバ２０内に設けられたオリ
フラ合わせ機構３４は、搬送機構３２を用いて半導体ウ
エハ１０を酸化装置２２或いはＣＶＤ装置２４に搬入す
る前に、予め、この半導体ウエハ１０のオリエンテーシ
ョンフラット１０ａの向きを調整するために使用される
（以下、この調整を「オリフラ合わせ」と略称する）。
オリフラ合わせ機構３４の構成は特に限定されるもので
はないが、本実施例では、上部に設けられた載置台３４
ａに半導体ウエハ１０を載置し、この載置台３４ａを回
転させることにより、オリフラ合わせを行なう。なお、
オリエンテーションフラットの向きが所望の向きとなっ
たか否かは、例えば光センサ等を用いて検知することが
できる。なお、オリフラ合わせと同時に、半導体ウエハ
１０の水平方向の位置合わせも行なうこととする。
フラ合わせ機構３４は、搬送機構３２を用いて半導体ウ
エハ１０を酸化装置２２或いはＣＶＤ装置２４に搬入す
る前に、予め、この半導体ウエハ１０のオリエンテーシ
ョンフラット１０ａの向きを調整するために使用される
（以下、この調整を「オリフラ合わせ」と略称する）。
オリフラ合わせ機構３４の構成は特に限定されるもので
はないが、本実施例では、上部に設けられた載置台３４
ａに半導体ウエハ１０を載置し、この載置台３４ａを回
転させることにより、オリフラ合わせを行なう。なお、
オリエンテーションフラットの向きが所望の向きとなっ
たか否かは、例えば光センサ等を用いて検知することが
できる。なお、オリフラ合わせと同時に、半導体ウエハ
１０の水平方向の位置合わせも行なうこととする。
【００２５】一方、バッファステージ３６は、載置台３
６ａを有しており、オリフラ合わせ機構３４が半導体ウ
エハ１０のオリフラ合わせをしている最中に、次にオリ
フラ合わせをする半導体ウエハ１０をあらかじめ搬送し
て載置しておくために使用される。
６ａを有しており、オリフラ合わせ機構３４が半導体ウ
エハ１０のオリフラ合わせをしている最中に、次にオリ
フラ合わせをする半導体ウエハ１０をあらかじめ搬送し
て載置しておくために使用される。
【００２６】オリフラ合わせ機構３４およびバッファス
テージ３６を用いてオリフラ合わせをする手順につい
て、カセット室３０ａ内の半導体ウエハ１０を１枚づつ
取り出し、オリフラ合わせをした後に、酸化装置２２内
の収納手段であるウエハボート９０に収納する場合を例
に採って説明する。なお、以下の工程は、カセット室３
０ａ、ロボットチャンバ２０及び処理室２２又は２４内
の雰囲気を、大気以外の雰囲気例えば真空雰囲気あるい
はＮ2 雰囲気に設定し、半導体ウエハ１０の搬入に必要
なゲートバルブは全て開放した状態にて実施される。
テージ３６を用いてオリフラ合わせをする手順につい
て、カセット室３０ａ内の半導体ウエハ１０を１枚づつ
取り出し、オリフラ合わせをした後に、酸化装置２２内
の収納手段であるウエハボート９０に収納する場合を例
に採って説明する。なお、以下の工程は、カセット室３
０ａ、ロボットチャンバ２０及び処理室２２又は２４内
の雰囲気を、大気以外の雰囲気例えば真空雰囲気あるい
はＮ2 雰囲気に設定し、半導体ウエハ１０の搬入に必要
なゲートバルブは全て開放した状態にて実施される。
【００２７】まず、搬送機構３２が、カセット室３０
ａから１枚目の半導体ウエハ１０を取り出し、オリフラ
合わせ機構３４に載置する。
ａから１枚目の半導体ウエハ１０を取り出し、オリフラ
合わせ機構３４に載置する。
【００２８】オリフラ合わせ機構３４による、１枚目
の半導体ウエハ１０のオリフラ合わせを開始する。
の半導体ウエハ１０のオリフラ合わせを開始する。
【００２９】搬送機構３２が、カセット室３０ａから
２枚目の半導体ウエハ１０を取り出し、バッファステー
ジ３６に載置する。
２枚目の半導体ウエハ１０を取り出し、バッファステー
ジ３６に載置する。
【００３０】１枚目の半導体ウエハ１０のオリフラ合
わせが終了すると、搬送機構３２が、１枚目の半導体ウ
エハ１０を酸化装置２２内まで搬送し、ウエハボート９
０に収納する。
わせが終了すると、搬送機構３２が、１枚目の半導体ウ
エハ１０を酸化装置２２内まで搬送し、ウエハボート９
０に収納する。
【００３１】搬送機構３２が、バッファステージ３６
に載置された２枚目の半導体ウエハ１０をオリフラ合わ
せ機構３４まで搬送して載置する。
に載置された２枚目の半導体ウエハ１０をオリフラ合わ
せ機構３４まで搬送して載置する。
【００３２】オリフラ合わせ機構３４による、２枚目
の半導体ウエハ１０のオリフラ合わせを開始する。
の半導体ウエハ１０のオリフラ合わせを開始する。
【００３３】搬送機構３２が、カセット室３０ａから
３枚目の半導体ウエハ１０を取り出し、バッファステー
ジ３６に載置する。
３枚目の半導体ウエハ１０を取り出し、バッファステー
ジ３６に載置する。
【００３４】以下、同様にして、カセット室３０ａ内
のすべての半導体ウエハ１０について、順次、オリフラ
合わせを行ない、ウエハボート９０に収納する。
のすべての半導体ウエハ１０について、順次、オリフラ
合わせを行ない、ウエハボート９０に収納する。
【００３５】このようにして、バッファステージ３６を
用いて、次の半導体ウエハ１０をあらかじめオリフラ合
わせ機構３４の近傍まで搬送しておくことにより、オリ
フラ合わせ機構３４でのオリフラ合わせを１回行なう度
に半導体ウエハ１０のオリフラ合わせ機構３４から酸化
装置２２までの搬送およびカセット室３０ａからオリフ
ラ合わせ機構３４への搬送を行なう場合に比べ、作業時
間を飛躍的に短縮することができる。例えば、本実施例
に係わる処理装置の場合、バッファステージ３６を使用
しない場合は１枚の半導体ウエハ１０について６０秒の
作業時間が必要であるが、バッファステージ３６を使用
する場合に必要な作業時間は４５秒であった。
用いて、次の半導体ウエハ１０をあらかじめオリフラ合
わせ機構３４の近傍まで搬送しておくことにより、オリ
フラ合わせ機構３４でのオリフラ合わせを１回行なう度
に半導体ウエハ１０のオリフラ合わせ機構３４から酸化
装置２２までの搬送およびカセット室３０ａからオリフ
ラ合わせ機構３４への搬送を行なう場合に比べ、作業時
間を飛躍的に短縮することができる。例えば、本実施例
に係わる処理装置の場合、バッファステージ３６を使用
しない場合は１枚の半導体ウエハ１０について６０秒の
作業時間が必要であるが、バッファステージ３６を使用
する場合に必要な作業時間は４５秒であった。
【００３６】なお、ロボットチャンバ２０内の、オリフ
ラ合わせ機構３４およびバッファステージ３６を配置す
る位置は、特に限定されるものではない。ただし、本実
施例のような構成の場合は、オリフラ合わせ機構３４か
ら酸化装置２２までの搬送およびバッファステージ３６
からオリフラ合わせ機構３４への搬送を行なっている最
中はオリフラ合わせを行なうことができないので、オリ
フラ合わせ機構３４と酸化装置２２との距離およびバッ
ファステージ３６とオリフラ合わせ機構３４との距離
は、なるべく短いことが望ましい。
ラ合わせ機構３４およびバッファステージ３６を配置す
る位置は、特に限定されるものではない。ただし、本実
施例のような構成の場合は、オリフラ合わせ機構３４か
ら酸化装置２２までの搬送およびバッファステージ３６
からオリフラ合わせ機構３４への搬送を行なっている最
中はオリフラ合わせを行なうことができないので、オリ
フラ合わせ機構３４と酸化装置２２との距離およびバッ
ファステージ３６とオリフラ合わせ機構３４との距離
は、なるべく短いことが望ましい。
【００３７】また、オリフラ合わせ機構３４と酸化装置
２２との距離を充分短くすることができない場合には、
オリフラ合わせを終了した半導体ウエハ１０を一時的に
載置するための第２のバッファステージ３６を設けても
よい。このとき、第２のバッファステージ３６から酸化
装置２２への搬送は、次の半導体ウエハ１０のオリフラ
合わせの最中に行なえばよい。さらに、１台のオリフラ
合わせ機構３４に対して、オリフラ合わせ前の半導体ウ
エハ１０を載置するためのバッファステージ３６やオリ
フラ合わせ後の半導体ウエハ１０を載置するためのバッ
ファステージ３６を複数台づつ設けることとしてもよ
い。この場合は、さらなる作業時間の短縮を図ることが
できる。
２２との距離を充分短くすることができない場合には、
オリフラ合わせを終了した半導体ウエハ１０を一時的に
載置するための第２のバッファステージ３６を設けても
よい。このとき、第２のバッファステージ３６から酸化
装置２２への搬送は、次の半導体ウエハ１０のオリフラ
合わせの最中に行なえばよい。さらに、１台のオリフラ
合わせ機構３４に対して、オリフラ合わせ前の半導体ウ
エハ１０を載置するためのバッファステージ３６やオリ
フラ合わせ後の半導体ウエハ１０を載置するためのバッ
ファステージ３６を複数台づつ設けることとしてもよ
い。この場合は、さらなる作業時間の短縮を図ることが
できる。
【００３８】加えて、ロボットチャンバ２０内の、オリ
フラ合わせ機構３４の個数も、複数台であってもよい。
オリフラ合わせ機構３４を複数台とした場合は、さらな
る作業時間の短縮を図ることができる。さらに、酸化装
置２２からＣＶＤ装置２４へ半導体ウエハ１０を搬送す
るときにもオリフラ合わせを行ないたいときは、第２の
オリフラ合わせ機構３４およびバッファステージ３６を
設けることとしてもよい。
フラ合わせ機構３４の個数も、複数台であってもよい。
オリフラ合わせ機構３４を複数台とした場合は、さらな
る作業時間の短縮を図ることができる。さらに、酸化装
置２２からＣＶＤ装置２４へ半導体ウエハ１０を搬送す
るときにもオリフラ合わせを行ないたいときは、第２の
オリフラ合わせ機構３４およびバッファステージ３６を
設けることとしてもよい。
【００３９】以上説明したように、本実施例の処理装置
によれば、バッファステージ３６を用いて次の半導体ウ
エハ１０をあらかじめオリフラ合わせ機構３４の近傍ま
で搬送しておくことができるので、処理に要する全体の
時間を短縮することができる。 図２は、位置合せ機構
３４の両側に第１，第２のバッファステージ６０，６２
を配置した実施例を示している。第１のバッファステー
ジ６０は、上記実施例のバッファステージ３６と同様の
目的で使用され、位置合わせ前の半導体ウエハ１０を一
時的に載置するものである。第２のバッファステージ６
２は、位置合わせ直後の半導体ウエハ１０を一時的に載
置するものである。
によれば、バッファステージ３６を用いて次の半導体ウ
エハ１０をあらかじめオリフラ合わせ機構３４の近傍ま
で搬送しておくことができるので、処理に要する全体の
時間を短縮することができる。 図２は、位置合せ機構
３４の両側に第１，第２のバッファステージ６０，６２
を配置した実施例を示している。第１のバッファステー
ジ６０は、上記実施例のバッファステージ３６と同様の
目的で使用され、位置合わせ前の半導体ウエハ１０を一
時的に載置するものである。第２のバッファステージ６
２は、位置合わせ直後の半導体ウエハ１０を一時的に載
置するものである。
【００４０】上記構成によれば、位置合わせ機構３４に
てオリフラ合わせが終了すると、その半導体ウエハ１０
はロボットアーム３２によって第２のバッファステージ
６２上に載置される。オリフラ合わせ中に、次の半導体
ウエハ１０が第１のバッファステージ６０上に載置され
て待機しているので、オリフラ合わせ後に直ちに次の半
導体ウエハ１０をオリフラ合わせ機構３４上に載置で
き、オリフラ合わせ動作を速やかに開始できる。その
後、第２のバッファステージ６２上のオリフラ合わせ済
みの半導体ウエハ１０を、ロボットアーム３２によって
処理室側に搬入することになる。
てオリフラ合わせが終了すると、その半導体ウエハ１０
はロボットアーム３２によって第２のバッファステージ
６２上に載置される。オリフラ合わせ中に、次の半導体
ウエハ１０が第１のバッファステージ６０上に載置され
て待機しているので、オリフラ合わせ後に直ちに次の半
導体ウエハ１０をオリフラ合わせ機構３４上に載置で
き、オリフラ合わせ動作を速やかに開始できる。その
後、第２のバッファステージ６２上のオリフラ合わせ済
みの半導体ウエハ１０を、ロボットアーム３２によって
処理室側に搬入することになる。
【００４１】なお、本実施例では、処理装置として、酸
化処理、ＣＶＤ薄膜形成を行なう処理装置を例に採って
説明したが、処理の種類や連結する処理装置の数は特に
限定されるものではなく、イオン注入などの他の処理を
行なう装置であってもよいことはもちろんである。
化処理、ＣＶＤ薄膜形成を行なう処理装置を例に採って
説明したが、処理の種類や連結する処理装置の数は特に
限定されるものではなく、イオン注入などの他の処理を
行なう装置であってもよいことはもちろんである。
【００４２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の処
理装置によれば、被処理体の処理に要する時間を短縮す
ることができ、したがって、かかる被処理体の処理に要
するコストを低減させることができること等の効果を有
する。
理装置によれば、被処理体の処理に要する時間を短縮す
ることができ、したがって、かかる被処理体の処理に要
するコストを低減させることができること等の効果を有
する。
【図１】本発明の１実施例に係わる処理装置の構成を概
念的に示す平面図である。
念的に示す平面図である。
【図２】バッファステージを２か所に設けた本発明の変
形例を説明するための平面図である。
形例を説明するための平面図である。
【図３】従来の処理装置の構成例を概略的に示す断面図
である。
である。
１０ 半導体ウエハ ２０ ロボットチャンバ ２２ 酸化装置 ２４ ＣＶＤ装置 ３０ バッファステージ ３２ 搬送機構 ３４ オリフラ合わせ機構 ３６ バッファステージ
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の被処理体をバッチ処理する処理部
と、 処理される複数の前記被処理体を収容する収容部と、 前記収容部より前記処理部に向けて一枚ずつ前記被処理
体を搬送する搬送手段と、 前記収容部と処理部との間の搬送途中に配置され、前記
処理部に搬入される前に前記被処理体の位置合わせを行
なう位置合わせ機構と、 前記位置合わせ機構と隣接して配置され、前記位置合わ
せ機構で位置合わせを行なう前記被処理体を一時的に載
置するためのバッファステージと、 を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 位置合わせを行う前の前記被処理体を一時的に載置する
ための第１のバッファステージと、 位置合わせを行った後の前記被処理体を載置するための
第２のバッファステージと、 を具備することを特徴とする処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5952492A JP3130630B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
| US08/017,378 US5407350A (en) | 1992-02-13 | 1993-02-12 | Heat-treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5952492A JP3130630B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226455A true JPH05226455A (ja) | 1993-09-03 |
| JP3130630B2 JP3130630B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=13115746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5952492A Expired - Fee Related JP3130630B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3130630B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999052143A1 (fr) * | 1998-04-04 | 1999-10-14 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme d'alignement et dispositif de traitement de semi-conducteurs utilisant ce mecanisme |
| WO2000030156A1 (fr) * | 1998-11-17 | 2000-05-25 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement sous vide |
| KR100781351B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2007-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 패턴 검사장치 |
| JP2008526020A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板をシーケンスする方法 |
| JP2009152649A (ja) * | 2009-04-07 | 2009-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | ウェーハの搬送方法 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP5952492A patent/JP3130630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999052143A1 (fr) * | 1998-04-04 | 1999-10-14 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme d'alignement et dispositif de traitement de semi-conducteurs utilisant ce mecanisme |
| EP1079429A1 (en) * | 1998-04-04 | 2001-02-28 | Tokyo Electron Limited | Alignment processing mechanism and semiconductor processing device using it |
| US6702865B1 (en) | 1998-04-04 | 2004-03-09 | Tokyo Electron Limited | Alignment processing mechanism and semiconductor processing device using it |
| EP1079429A4 (en) * | 1998-04-04 | 2005-06-29 | Tokyo Electron Ltd | ALIGNMENT MECHANISM AND SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE USING THE MECHANISM |
| WO2000030156A1 (fr) * | 1998-11-17 | 2000-05-25 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement sous vide |
| US7025554B2 (en) | 1998-11-17 | 2006-04-11 | Tokyo Electron Limited | Vacuum process system |
| US7198448B2 (en) | 1998-11-17 | 2007-04-03 | Tokyo Electron Limited | Vacuum process system |
| KR100870816B1 (ko) * | 1998-11-17 | 2008-11-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 처리 시스템 |
| KR100781351B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2007-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 패턴 검사장치 |
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| JP2009152649A (ja) * | 2009-04-07 | 2009-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | ウェーハの搬送方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3130630B2 (ja) | 2001-01-31 |
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