JP3340147B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP3340147B2 JP3340147B2 JP05952692A JP5952692A JP3340147B2 JP 3340147 B2 JP3340147 B2 JP 3340147B2 JP 05952692 A JP05952692 A JP 05952692A JP 5952692 A JP5952692 A JP 5952692A JP 3340147 B2 JP3340147 B2 JP 3340147B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子の製
造等において使用される、処理装置に関する。
造等において使用される、処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の処理装置について、半導体素子の
製造工程において使用される縦型熱処理装置を例に採っ
て説明する。
製造工程において使用される縦型熱処理装置を例に採っ
て説明する。
【０００３】縦型熱処理装置としては、多数枚の半導体
ウエハを収納したウエハボートを略円筒型の縦型プロセ
スチューブ内に搬入し、プロセスチューブ内を所定の処
理ガス下で加熱することにより、半導体ウエハの各種処
理を行なうものが知られている。
ウエハを収納したウエハボートを略円筒型の縦型プロセ
スチューブ内に搬入し、プロセスチューブ内を所定の処
理ガス下で加熱することにより、半導体ウエハの各種処
理を行なうものが知られている。
【０００４】このような熱処理装置は、例えば、半導体
ウエハへの酸化膜の形成や、熱ＣＶＤ法による薄膜形
成、熱拡散法による高不純物濃度領域の形成などに、使
用される。
ウエハへの酸化膜の形成や、熱ＣＶＤ法による薄膜形
成、熱拡散法による高不純物濃度領域の形成などに、使
用される。
【０００５】図３は、かかる縦型熱処理装置の構成例を
概略的に示す断面図である。
概略的に示す断面図である。
【０００６】図に示したように、例えば石英等によって
形成されたプロセスチューブ８０の下側にはマニホール
ド８２が設置されており、かかるマニホールド８２に設
けられた排気管８４およびガス導入管８６によって、プ
ロセスチューブ８０内のガスの排気および導入が行われ
る。また、このプロセスチューブ８０の外側には、プロ
セスチューブ８０を囲んでヒータ８８が設けられてお
り、プロセスチューブ８０内を所望の温度に加熱制御す
ることができる。
形成されたプロセスチューブ８０の下側にはマニホール
ド８２が設置されており、かかるマニホールド８２に設
けられた排気管８４およびガス導入管８６によって、プ
ロセスチューブ８０内のガスの排気および導入が行われ
る。また、このプロセスチューブ８０の外側には、プロ
セスチューブ８０を囲んでヒータ８８が設けられてお
り、プロセスチューブ８０内を所望の温度に加熱制御す
ることができる。
【０００７】多数枚の半導体ウエハ１０を収納したウエ
ハボート９０は、ボートエレベータ７６により、ロード
ロック室７８からプロセスチューブ８０に挿入される。
ここで、ウエハボート９０がプロセスチューブ８０内に
挿入されたときは、フランジ９４によってプロセスチュ
ーブ８０内が密閉されるように構成されている。
ハボート９０は、ボートエレベータ７６により、ロード
ロック室７８からプロセスチューブ８０に挿入される。
ここで、ウエハボート９０がプロセスチューブ８０内に
挿入されたときは、フランジ９４によってプロセスチュ
ーブ８０内が密閉されるように構成されている。
【０００８】このような装置においては、半導体ウエハ
１０をウエハボート９０へ収納する作業や半導体ウエハ
１０を収納したウエハボート９０をプロセスチューブ８
０へ挿入する作業は、例えばＮ2 ガス等の雰囲気下で行
なうことが望ましい。これらの作業を大気中で行なう
と、大気中のＯ2 によって半導体ウエハ表面に自然酸化
膜が形成されてしまうからである。このため、ウエハキ
ャリア９８に収納された半導体ウエハ１０をウエハボー
ト９０に移し換えるための搬送手段９２は、Ｎ2ガスの
導入および排気が可能な真空室９６内に配置されてい
る。
１０をウエハボート９０へ収納する作業や半導体ウエハ
１０を収納したウエハボート９０をプロセスチューブ８
０へ挿入する作業は、例えばＮ2 ガス等の雰囲気下で行
なうことが望ましい。これらの作業を大気中で行なう
と、大気中のＯ2 によって半導体ウエハ表面に自然酸化
膜が形成されてしまうからである。このため、ウエハキ
ャリア９８に収納された半導体ウエハ１０をウエハボー
ト９０に移し換えるための搬送手段９２は、Ｎ2ガスの
導入および排気が可能な真空室９６内に配置されてい
る。
【０００９】このような構成の装置を用いて半導体ウエ
ハ１０に処理を施す場合は、まず、Ｎ2 ガス雰囲気下で
半導体ウエハ１０をウエハボート９０に収納し、このウ
エハボート９０を搬入手段によって上昇させてプロセス
チューブ８０内に挿入する。その後、排気管８４を用い
てプロセスチューブ８０内のＮ2 ガスを排出し、プロセ
スチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導入
管８６により処理ガスを導入し、所望の処理を行なう。
ハ１０に処理を施す場合は、まず、Ｎ2 ガス雰囲気下で
半導体ウエハ１０をウエハボート９０に収納し、このウ
エハボート９０を搬入手段によって上昇させてプロセス
チューブ８０内に挿入する。その後、排気管８４を用い
てプロセスチューブ８０内のＮ2 ガスを排出し、プロセ
スチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導入
管８６により処理ガスを導入し、所望の処理を行なう。
【００１０】一方、処理が終了すると、排気管８４を用
いてプロセスチューブ８０内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６によりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガス
の圧力がロードロック室７８のＮ2 ガスの圧力と同じに
なると、ウエハボート９０を下降させ、半導体ウエハ１
０を取り出す。
いてプロセスチューブ８０内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６によりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガス
の圧力がロードロック室７８のＮ2 ガスの圧力と同じに
なると、ウエハボート９０を下降させ、半導体ウエハ１
０を取り出す。
【００１１】このように、図３に示した縦型熱処理装置
では、プロセスチューブ８０への半導体ウエハ１０の搬
入および搬出をＮ2 ガス雰囲気下で行なうことができる
ので、半導体ウエハ１０への自然酸化膜の形成を防止す
ることが可能となる。
では、プロセスチューブ８０への半導体ウエハ１０の搬
入および搬出をＮ2 ガス雰囲気下で行なうことができる
ので、半導体ウエハ１０への自然酸化膜の形成を防止す
ることが可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の縦型熱処理装置には、半導体ウエハ１０
の処理の終了後に、プロセスチューブ８０内の処理ガス
を完全には排出することができずにプロセスチューブ８
０内に残留してしまい、半導体ウエハ１０の搬入時や搬
出時にこの残留ガスが真空室９６に流入してしまうおそ
れがあるという課題があった。かかる場合には、かかる
残留ガスが真空室９６内の半導体ウエハ１０と反応して
しまい、半導体素子の特性や歩留まりの悪化の原因とな
るおそれがある。
たような従来の縦型熱処理装置には、半導体ウエハ１０
の処理の終了後に、プロセスチューブ８０内の処理ガス
を完全には排出することができずにプロセスチューブ８
０内に残留してしまい、半導体ウエハ１０の搬入時や搬
出時にこの残留ガスが真空室９６に流入してしまうおそ
れがあるという課題があった。かかる場合には、かかる
残留ガスが真空室９６内の半導体ウエハ１０と反応して
しまい、半導体素子の特性や歩留まりの悪化の原因とな
るおそれがある。
【００１３】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みて試されたものであり、処理室内に残留する処理ガス
が真空室に混入することを防止できる処理装置を提供す
ることを目的とする。
みて試されたものであり、処理室内に残留する処理ガス
が真空室に混入することを防止できる処理装置を提供す
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる処理装置
は、ボートに搭載された複数の被処理体を、それぞれ異
なる処理ガスを用いてバッチ処理する２つのプロセスチ
ューブと、前記２つのプロセスチューブに前記ボートを
搬入出するボートエレベータをそれぞれ備えた２つのロ
ードロック室と、前記２つのロードロック室と２つの第
１のゲートバルブを介して連結され、前記２つのロード
ロック室内の前記ボートに対して前記被処理体を一枚ず
つ搬送する搬送機構を備え、前記２つのロードロック室
への前記被処理体の搬入および搬出を所定の雰囲気ガス
下で行なうための１つのロボットチャンバと、前記１つ
のロボットチャンバ室と第２のゲートバルブを介して連
結され、前記被処理体が搭載されるカセットを収容した
カセット室と、前記２つのロードロック室内の雰囲気ガ
スのガス圧を、前記１つのロボットチャンバ内のガス圧
よりも低い所定の値に設定するガス圧設定手段と、を有
し、前記２つの第１のゲートバルブの開口の各面積が、
前記ガス圧設定手段によって設定された前記２つのロー
ドロック室内のガス圧と前記１つのロボットチャンバ内
のガス圧との差を維持することができ、且つ、前記被処
理体の搬入および搬出をすることができる面積であるこ
とを特徴とする。
は、ボートに搭載された複数の被処理体を、それぞれ異
なる処理ガスを用いてバッチ処理する２つのプロセスチ
ューブと、前記２つのプロセスチューブに前記ボートを
搬入出するボートエレベータをそれぞれ備えた２つのロ
ードロック室と、前記２つのロードロック室と２つの第
１のゲートバルブを介して連結され、前記２つのロード
ロック室内の前記ボートに対して前記被処理体を一枚ず
つ搬送する搬送機構を備え、前記２つのロードロック室
への前記被処理体の搬入および搬出を所定の雰囲気ガス
下で行なうための１つのロボットチャンバと、前記１つ
のロボットチャンバ室と第２のゲートバルブを介して連
結され、前記被処理体が搭載されるカセットを収容した
カセット室と、前記２つのロードロック室内の雰囲気ガ
スのガス圧を、前記１つのロボットチャンバ内のガス圧
よりも低い所定の値に設定するガス圧設定手段と、を有
し、前記２つの第１のゲートバルブの開口の各面積が、
前記ガス圧設定手段によって設定された前記２つのロー
ドロック室内のガス圧と前記１つのロボットチャンバ内
のガス圧との差を維持することができ、且つ、前記被処
理体の搬入および搬出をすることができる面積であるこ
とを特徴とする。
【００１５】
【作用】ガス圧設定手段によって処理室内のガス圧を真
空室内のガス圧よりも低く設定し、ゲートバルブの開口
の面積をガス圧設定手段によって設定された処理室内の
ガス圧と真空室内のガス圧との差を維持することがで
き、且つ、被処理体の搬入および搬出をすることができ
るように設定することにより、被処理体の搬入時や搬出
時に、雰囲気ガスが処理室の外部から内部への方向にの
み流れ、処理装置の内部から外部へは流れないようにす
る。これにより、処理室内に残留した処理ガスが真空室
内へ流入することを防止する。
空室内のガス圧よりも低く設定し、ゲートバルブの開口
の面積をガス圧設定手段によって設定された処理室内の
ガス圧と真空室内のガス圧との差を維持することがで
き、且つ、被処理体の搬入および搬出をすることができ
るように設定することにより、被処理体の搬入時や搬出
時に、雰囲気ガスが処理室の外部から内部への方向にの
み流れ、処理装置の内部から外部へは流れないようにす
る。これにより、処理室内に残留した処理ガスが真空室
内へ流入することを防止する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１７】図１は、本実施例に係わる処理装置の構成
を概念的に示す上面図である。また、図２は、図１に示
した処理装置の要部の構成を示す概略的断面図である。
なお、図２において、図３と同じ符号を付した構成部
は、それぞれ、図３の同じものを示す。
を概念的に示す上面図である。また、図２は、図１に示
した処理装置の要部の構成を示す概略的断面図である。
なお、図２において、図３と同じ符号を付した構成部
は、それぞれ、図３の同じものを示す。
【００１８】真空室としてのロボットチャンバ２０は、
ガス導入管４２により非酸素雰囲気を得るためのパージ
ガス（本実施例ではＮ2 ガスを使用する）を導入すると
ともに、このガスを排気管４４により排気することがで
きるように構成されている。このガス導入管４２からの
Ｎ2 ガスの導入量と、排気管４４からの排気量を制御す
ることにより、ロボットチャンバ２０内のＮ2 ガスのガ
ス圧を任意に設定することができる。
ガス導入管４２により非酸素雰囲気を得るためのパージ
ガス（本実施例ではＮ2 ガスを使用する）を導入すると
ともに、このガスを排気管４４により排気することがで
きるように構成されている。このガス導入管４２からの
Ｎ2 ガスの導入量と、排気管４４からの排気量を制御す
ることにより、ロボットチャンバ２０内のＮ2 ガスのガ
ス圧を任意に設定することができる。
【００１９】また、このロボットチャンバ２０は、酸化
装置２２およびＣＶＤ装置２４に、それぞれゲートバル
ブ３２，３４を介して連結されている。
装置２２およびＣＶＤ装置２４に、それぞれゲートバル
ブ３２，３４を介して連結されている。
【００２０】処理室としての酸化装置２２およびＣＶＤ
装置２４の構成はほぼ同じであり、それぞれ、ロードロ
ック室７８内にＮ2 ガスを導入するためのガス導入管４
６と、このロードロック室７８内を排気するための排気
管４８とを有している。このガス導入管４６からのＮ2
ガスの導入量と、排気管４８からの排気量を制御するこ
とにより、ロードロック室７８内のＮ2 ガスのガス圧を
任意に設定することができる。
装置２４の構成はほぼ同じであり、それぞれ、ロードロ
ック室７８内にＮ2 ガスを導入するためのガス導入管４
６と、このロードロック室７８内を排気するための排気
管４８とを有している。このガス導入管４６からのＮ2
ガスの導入量と、排気管４８からの排気量を制御するこ
とにより、ロードロック室７８内のＮ2 ガスのガス圧を
任意に設定することができる。
【００２１】本実施例の処理装置では、このロードロッ
ク室７８内のガス圧を上述のロボットチャンバ２０内の
ガス圧よりも低く設定し、さらに、ゲ−ト３２および３
４の開口面積を所定の面積にする。これにより、Ｎ2 ガ
スが、ゲ−ト３２および３４の開口を介して、ロボット
チャンバ２０内からロードロック室７８内への方向にの
み流れるようにし、ロードロック室７８内からロボット
チャンバ２０内へは流れないようにする。なお、このと
きのロードロック室７８内のガス圧とロボットチャンバ
２０内のガス圧との差や、ゲ−ト３２および３４の開口
は、半導体ウエハ１０の搬入時や搬出時にＮ2 ガスがロ
ボットチャンバ２０内からロードロック室７８内への方
向にのみ流れる状態に維持できるようなものであればよ
い。すなわち、ロードロック室７８内のガス圧とロボッ
トチャンバ２０内のガス圧との差は、Ｎ2 ガスがロボッ
トチャンバ２０内からロードロック室７８内への方向に
のみ流れるようにできる値であればよい。また、ゲ−ト
３２および３４の開口は、このときのロードロック室７
８とロボットチャンバ２０とのガス圧の差を維持するに
ために十分な面積に絞り込まれており、且つ、半導体ウ
エハ１０の搬入や搬出を行なうことができるものであれ
ばよい。
ク室７８内のガス圧を上述のロボットチャンバ２０内の
ガス圧よりも低く設定し、さらに、ゲ−ト３２および３
４の開口面積を所定の面積にする。これにより、Ｎ2 ガ
スが、ゲ−ト３２および３４の開口を介して、ロボット
チャンバ２０内からロードロック室７８内への方向にの
み流れるようにし、ロードロック室７８内からロボット
チャンバ２０内へは流れないようにする。なお、このと
きのロードロック室７８内のガス圧とロボットチャンバ
２０内のガス圧との差や、ゲ−ト３２および３４の開口
は、半導体ウエハ１０の搬入時や搬出時にＮ2 ガスがロ
ボットチャンバ２０内からロードロック室７８内への方
向にのみ流れる状態に維持できるようなものであればよ
い。すなわち、ロードロック室７８内のガス圧とロボッ
トチャンバ２０内のガス圧との差は、Ｎ2 ガスがロボッ
トチャンバ２０内からロードロック室７８内への方向に
のみ流れるようにできる値であればよい。また、ゲ−ト
３２および３４の開口は、このときのロードロック室７
８とロボットチャンバ２０とのガス圧の差を維持するに
ために十分な面積に絞り込まれており、且つ、半導体ウ
エハ１０の搬入や搬出を行なうことができるものであれ
ばよい。
【００２２】ガス導入管８６は、その装置における処理
の内容に応じた処理ガスと、Ｎ2 ガスとを導入すること
ができるように構成されている。処理ガスとしては、例
えばＣＶＤ装置２４の場合、ポリシリコン薄膜を形成す
るのであればＳｉＨ4 ガスを使用し、シリコン窒化膜を
形成するのであればＮＨ4 ガスおよびＳｉＨ2 Ｃｌ2ガ
スを使用する。また、ヒータ８８の加熱能力も、処理の
内容に応じて定めればよい。例えば、酸化装置２２の場
合は８００〜１２００℃に設定できるように構成し、ま
た、ＣＶＤ装置２４は５００〜１０００℃に設定できる
ように構成すればよい。
の内容に応じた処理ガスと、Ｎ2 ガスとを導入すること
ができるように構成されている。処理ガスとしては、例
えばＣＶＤ装置２４の場合、ポリシリコン薄膜を形成す
るのであればＳｉＨ4 ガスを使用し、シリコン窒化膜を
形成するのであればＮＨ4 ガスおよびＳｉＨ2 Ｃｌ2ガ
スを使用する。また、ヒータ８８の加熱能力も、処理の
内容に応じて定めればよい。例えば、酸化装置２２の場
合は８００〜１２００℃に設定できるように構成し、ま
た、ＣＶＤ装置２４は５００〜１０００℃に設定できる
ように構成すればよい。
【００２３】また、ロボットチャンバ２０は、被処理体
としての半導体ウエハ１０を収納するためのカセット室
２６，２８とも、ゲートバルブ３６，３８を介して連結
されている。このカセット室２６，２８は、Ｎ2 ガスを
導入・排気することができるように構成されると共に、
半導体ウエハ１０を収納したウエハキャリアをそのまま
設置できるように構成されている。カセット室２６，２
８は、例えば、処理前の半導体ウエハ１０を収納したウ
エハキャリアはカセット室２６に設置し、処理後の半導
体ウエハ１０はカセット室２８に設置されたウエハキャ
リアに収納されることとしてもよい。また、例えば、カ
セット室２６に設置したウエハキャリアの半導体ウエハ
は、処理後にカセット室２６のウエハキャリアに収納さ
れることとしてもよい。なお、カセット室の数は、１個
でもよいし、３個以上でもよいことはもちろんである。
としての半導体ウエハ１０を収納するためのカセット室
２６，２８とも、ゲートバルブ３６，３８を介して連結
されている。このカセット室２６，２８は、Ｎ2 ガスを
導入・排気することができるように構成されると共に、
半導体ウエハ１０を収納したウエハキャリアをそのまま
設置できるように構成されている。カセット室２６，２
８は、例えば、処理前の半導体ウエハ１０を収納したウ
エハキャリアはカセット室２６に設置し、処理後の半導
体ウエハ１０はカセット室２８に設置されたウエハキャ
リアに収納されることとしてもよい。また、例えば、カ
セット室２６に設置したウエハキャリアの半導体ウエハ
は、処理後にカセット室２６のウエハキャリアに収納さ
れることとしてもよい。なお、カセット室の数は、１個
でもよいし、３個以上でもよいことはもちろんである。
【００２４】ロボットチャンバ２０内には、半導体ウエ
ハ１０の搬送を行なうための搬送機構３２が設けられて
いる。この搬送機構３２は、上述した酸化装置２２およ
びＣＶＤ装置２４のウエハボート９０や、カセット室２
６，２８内のウエハキャリアに対する、半導体ウエハ１
０の搬入、搬出を行うことができるように構成されてい
る。
ハ１０の搬送を行なうための搬送機構３２が設けられて
いる。この搬送機構３２は、上述した酸化装置２２およ
びＣＶＤ装置２４のウエハボート９０や、カセット室２
６，２８内のウエハキャリアに対する、半導体ウエハ１
０の搬入、搬出を行うことができるように構成されてい
る。
【００２５】このような構成の装置においては、半導体
ウエハ１０に処理を施す場合は、まず、ロボットチャン
バ２０、酸化装置２２、ＣＶＤ装置２４およびカセット
室２６，２８の内部を所定のＮ2 ガス雰囲気下に設定す
る。ついで、ゲートバルブ３２を開いて、搬送機構４０
によって、カセット室２６または２８内の半導体ウエハ
１０を酸化装置２２またはＣＶＤ装置２４のウエハボー
ト９０に収納し、ゲートバルブ３２を閉じる。続いて、
ウエハボート９０を搬入手段によって上昇させてプロセ
スチューブ８０内に挿入する。その後、排気管８４を用
いてプロセスチューブ８０内のＮ2 ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６により処理ガスを導入し、所望の処理を行な
う。
ウエハ１０に処理を施す場合は、まず、ロボットチャン
バ２０、酸化装置２２、ＣＶＤ装置２４およびカセット
室２６，２８の内部を所定のＮ2 ガス雰囲気下に設定す
る。ついで、ゲートバルブ３２を開いて、搬送機構４０
によって、カセット室２６または２８内の半導体ウエハ
１０を酸化装置２２またはＣＶＤ装置２４のウエハボー
ト９０に収納し、ゲートバルブ３２を閉じる。続いて、
ウエハボート９０を搬入手段によって上昇させてプロセ
スチューブ８０内に挿入する。その後、排気管８４を用
いてプロセスチューブ８０内のＮ2 ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６により処理ガスを導入し、所望の処理を行な
う。
【００２６】一方、処理が終了すると、排気管８４を用
いてプロセスチューブ８０内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６によりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガス
の圧力がロードロック室７８のＮ2 ガスの圧力と同じ値
となると、ウエハボート９０を下降させる。次に、ゲー
トバルブ３２を開き、搬送機構４０によって半導体ウエ
ハ１０を取り出し、他方の縦型処理装置に搬入し、或い
は、カセット室２６，２８に収納する。このとき、上述
したように、ロードロック室７８内のガスがロボットチ
ャンバ２０内へ流れ込むことはないので、プロセスチュ
ーブ８０内に残留した処理ガスがロードロック室７８内
からロボットチャンバ２０内へ流れ込むことはない。し
たがって、この処理ガスがロードロック室７８内やカセ
ット室２６，２８内の半導体ウエハ１０と反応してしま
い、半導体素子の特性や歩留まりを悪化させることはな
い。また、同様にして、次に処理を行なう半導体ウエハ
１０をウエハボート９０に収納する際にも、ロードロッ
ク室７８内のガスがロボットチャンバ２０内へ流れ込む
ことはない。
いてプロセスチューブ８０内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ８０内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管８６によりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガス
の圧力がロードロック室７８のＮ2 ガスの圧力と同じ値
となると、ウエハボート９０を下降させる。次に、ゲー
トバルブ３２を開き、搬送機構４０によって半導体ウエ
ハ１０を取り出し、他方の縦型処理装置に搬入し、或い
は、カセット室２６，２８に収納する。このとき、上述
したように、ロードロック室７８内のガスがロボットチ
ャンバ２０内へ流れ込むことはないので、プロセスチュ
ーブ８０内に残留した処理ガスがロードロック室７８内
からロボットチャンバ２０内へ流れ込むことはない。し
たがって、この処理ガスがロードロック室７８内やカセ
ット室２６，２８内の半導体ウエハ１０と反応してしま
い、半導体素子の特性や歩留まりを悪化させることはな
い。また、同様にして、次に処理を行なう半導体ウエハ
１０をウエハボート９０に収納する際にも、ロードロッ
ク室７８内のガスがロボットチャンバ２０内へ流れ込む
ことはない。
【００２７】なお、本実施例では、処理装置として、酸
化処理およびＣＶＤ薄膜形成を行なう処理装置を例に採
って説明したが、処理の種類や数は特に限定されるもの
ではなく、他の処理を行なう処理装置であってもよいこ
とはもちろんである。
化処理およびＣＶＤ薄膜形成を行なう処理装置を例に採
って説明したが、処理の種類や数は特に限定されるもの
ではなく、他の処理を行なう処理装置であってもよいこ
とはもちろんである。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の処
理装置によれば、処理室内に残留する処理ガスが真空室
に混入することを防止できるので、被処理体の特性の悪
化や歩留まりの悪化を防止することが可能となる。
理装置によれば、処理室内に残留する処理ガスが真空室
に混入することを防止できるので、被処理体の特性の悪
化や歩留まりの悪化を防止することが可能となる。
【図１】本発明の１実施例に係わる処理装置の構成を概
念的に示す上面図である。
念的に示す上面図である。
【図２】本発明の１実施例に係わる処理装置の構成を概
念的に示す断面図である。
念的に示す断面図である。
【図３】従来の処理装置の構成例を概略的に示す断面図
である。
である。
１０ 半導体ウエハ ２０ ロボットチャンバ ２２ 酸化装置 ２４ ＣＶＤ装置 ２６，２８ カセット室 ４０ 搬送機構 ４２，４６ ガス導入管 ４４，４６ 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−38824（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−94070（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−174242（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 14/56 H01L 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】 ボートに搭載された複数の被処理体を、
それぞれ異なる処理ガスを用いてバッチ処理する２つの
プロセスチューブと、 前記２つのプロセスチューブに前記ボートを搬入出する
ボートエレベータをそれぞれ備えた２つのロードロック
室と、 前記２つのロードロック室と２つの第１のゲートバルブ
を介して連結され、前記２つのロードロック室内の前記
ボートに対して前記被処理体を一枚ずつ搬送する搬送機
構を備え、前記２つのロードロック室への前記被処理体
の搬入および搬出を所定の雰囲気ガス下で行なうための
１つのロボットチャンバと、 前記１つのロボットチャンバ室と第２のゲートバルブを
介して連結され、前記被処理体が搭載されるカセットを
収容したカセット室と、 前記２つのロードロック室内の雰囲気ガスのガス圧を、
前記１つのロボットチャンバ内のガス圧よりも低い所定
の値に設定するガス圧設定手段と、 を有し、前記２つの第１のゲートバルブの開口の各面積
が、前記ガス圧設定手段によって設定された前記２つの
ロードロック室内のガス圧と前記１つのロボットチャン
バ内のガス圧との差を維持することができ、且つ、前記
被処理体の搬入および搬出をすることができる面積であ
ることを特徴とする処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05952692A JP3340147B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
| US08/017,378 US5407350A (en) | 1992-02-13 | 1993-02-12 | Heat-treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05952692A JP3340147B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226267A JPH05226267A (ja) | 1993-09-03 |
| JP3340147B2 true JP3340147B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=13115811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05952692A Expired - Fee Related JP3340147B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3340147B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101364701B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-02-20 | 주식회사 유진테크 | 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
| KR101371435B1 (ko) * | 2012-01-04 | 2014-03-12 | 주식회사 유진테크 | 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP05952692A patent/JP3340147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05226267A (ja) | 1993-09-03 |
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