JP3268394B2

JP3268394B2 - 処理方法

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Publication number: JP3268394B2
Application number: JP08993392A
Authority: JP
Inventors: 公裕松瀬
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1992-03-11
Filing date: 1992-03-11
Publication date: 2002-03-25
Anticipated expiration: 2017-03-25
Also published as: JPH05259098A

Description

【発明の詳細な説明】

【００１０】

【産業上の利用分野】本発明は、真空状態下で処理を行
う処理方法に係り、特に処理用のチャンバに連結される
搬送用のチャンバを真空排気する方法に関する。

【００２０】

【従来の技術】半導体製造装置の最近の傾向として、複
数のプロセスチャンバを連結し、異なるプロセスを連続
的または同時進行的に行うようにしたマルチチャンバ方
式が普及している。

【００３０】マルチチャンバ方式では、装置の中心にロ
ードロック・チャンバないしトランスポート・チャンバ
等の搬送室が設けられ、この搬送室から搬送アーム等の
ロボットによって各プロセスチャンバへ任意にアクセス
し、被処理体である半導体ウエハを搬入／搬出できるよ
うになっている。一般にプロセスチャンバでは真空状態
の下でプロセスが行われるため、プロセスチャンバ間で
ウエハを空気に触れさせずに搬送する必要があり、搬送
室もターボ分子ポンプ等の真空ポンプによって真空に排
気される。

【００４０】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、ウエハ
は真空排気された搬送室内を搬送されるのであるが、そ
れでも搬送室内にはＯ２やＨ２Ｏ等の大気中分子が存在
し、それらのＯ２，Ｈ２分子によりウエハ表面が酸化し
て不所望な自然酸化膜が形成されることがある。特に、
あるプロセスチャンバにおいて金属層を蒸着するための
ＣＶＤプロセスが行われる場合、下地表面に自然酸化膜
が形成されていると、その上に蒸着される金属層の成膜
特性にバラツキが生じる。したがって、ウエハが搬送室
内で滞在または搬送中に酸化されることは望ましくな
い。

【００５０】そのような被処理体の酸化を防止する方法
として、搬送室内の真空度を高める方法が考えられる。
しかし、大気中のガスのうち、Ｎ２ガス等は排気されや
すいが、Ｏ２ガス，Ｈ２Ｏガスはなかなか排気されずに
残りやすい。このため、中途半端に真空度を高くする
と、大気中よりも却って酸化されやすいことがある。

【００６０】したがって、Ｏ２ガス，Ｈ２Ｏガスがほと
んどなくなるまで搬送室内を高真空に排気すれば、問題
が解決するようにも思われる。ところが、マルチチャン
バ方式の半導体製造装置では、搬送室とプロセスチャン
バとが連結されるため、搬送室の真空度をむやみに高く
することができない。つまり、一般にプロセスチャンバ
では反応ガスを利用して所定のプロセスが行われるた
め、搬送室の真空度がプロセスチャンバの真空度を超え
たならば、プロセスチャンバから反応ガスが搬送室へ流
入し、搬送室に流入した反応ガスはそこからカセットチ
ャンバ等を通って装置外部へ流出し、人体等に危害を与
える危険があり、環境保全の面から望ましくない。した
がって、たとえばプロセスチャンバの真空度が１×１０
^−５Ｔｏｒｒ程度の場合、搬送室の真空度は１×１０
^−４Ｔｏｒｒ程度が限度で、これ以上低くすることがで
きない。

【００７０】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、処理用のチャンバに連結された搬送用のチャン
バにおいて被処理体の変質を効率的かつ確実に防止し、
ひいては処理品質を向上させる処理方法を提供すること
を目的とする。

【００８０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の処理方法は、それぞれ密閉可能な
第１および第２のチャンバを連結し、前記第１のチャン
バ内で所定の第１の圧力の真空中で被処理体に所定の処
理を施すようにした処理方法において、前記第２のチャ
ンバを外気に開放して外部から前記被処理体を室内に搬
入する第１の工程と、前記第２のチャンバ内に前記被処
理体を搬入した後、前記第２のチャンバ内を密閉した状
態で所定の第２の圧力に達するまで真空排気する第２の
工程と、前記第２の圧力に達してから前記第２のチャン
バ内に不活性ガスを供給しながら真空排気を継続して前
記第２のチャンバ内を前記第１および第２の圧力のいず
れよりも高い所定の第３の圧力の真空状態にする第３の
工程と、前記被処理体に前記処理を施すために、前記第
３の圧力に保たれている前記第２のチャンバと前記第１
の圧力に保たれている前記第１のチャンバとを一時的に
連通させて、前記被処理体を前記第２のチャンバから前
記第１のチャンバに搬入する第４の工程と、前記第１の
チャンバ内で前記処理が済んだ後、前記第２のチャンバ
と前記第１のチャンバとを一時的に連通させて、前記第
１のチャンバから前記第２のチャンバへ前記被処理体を
搬出する第５の工程と、前記第１のチャンバから前記第
２のチャンバへ前記被処理体を搬出した後、前記第２の
チャンバに対する前記不活性ガスの供給と前記真空排気
とを終了させる第６の工程と、前記第２のチャンバを外
気に開放して前記第２のチャンバから外部へ前記処理の
済んだ前記被処理体を搬出する第７の工程とを有する。

【００９０】上記第１の処理方法において、好ましく
は、前記第１の工程では前記被処理体が予め設定された
複数個単位で外部から前記第２のチャンバに搬入され、
前記第４の工程では前記被処理体が１個単位で前記第１
のチャンバに搬入され、前記第１のチャンバでは前記被
処理体が１個単位で前記処理を施され、前記第５の工程
では前記被処理体が１個単位で前記第１のチャンバから
搬出され、前記第７の工程では前記被処理体が前記複数
個単位で前記第２のチャンバから外部へ搬出されてよ
い。

【０１００】また、本発明の第２の処理方法は、それぞ
れ密閉可能な第１および第２のチャンバを連結し、前記
第１のチャンバ内で所定の第１の圧力の真空中で被処理
体に所定の処理を施すようにした処理方法において、前
記第２のチャンバを外気に開放して外部から前記被処理
体を室内に搬入する第１の工程と、前記第２のチャンバ
内に前記被処理体を搬入した後、前記第２のチャンバ内
を密閉した状態で所定の第２の圧力に達するまで真空排
気する第２の工程と、前記第２の圧力に達してから前記
第２のチャンバ内に不活性ガスを供給しながら真空排気
を継続して前記第２のチャンバ内を前記第１および第２
の圧力のいずれよりも高い所定の第３の圧力の真空状態
にする第３の工程と、前記第２のチャンバ内を前記第３
の圧力に維持している状態から前記不活性ガスの供給を
止めて前記第３の圧力よりも低い第４の圧力に達するま
で真空排気減圧する第４の工程と、前記第４の圧力に達
してから前記第２のチャンバ内に不活性ガスを供給しな
がら真空排気を継続して前記第２のチャンバ内を前記第
３の圧力に戻す第５の工程と、前記第４の工程と前記第
５の工程とを周期的に１回または複数回繰り返す第６の
工程と、前記被処理体に前記処理を施すために、前記第
３の圧力に保たれている前記第２のチャンバと前記第１
の圧力に保たれている前記第１のチャンバとを一時的に
連通させて、前記被処理体を前記第２のチャンバから前
記第１のチャンバに搬入する第７の工程と、前記第１の
チャンバ内で前記処理が済んだ後、前記第２のチャンバ
と前記第１のチャンバとを一時的に連通させて、前記第
１のチャンバから前記第２のチャンバへ前記被処理体を
搬出する第８の工程と、前記第１のチャンバから前記第
２のチャンバへ前記被処理体を搬出した後、前記第２の
チャンバに対する前記不活性ガスの供給と前記真空排気
とを終了させる第９の工程と、前記第２のチャンバを外
気に開放して前記第２のチャンバから外部へ前記処理の
済んだ前記被処理体を搬出する第１０の工程とを有す
る。

【０１１０】上記第２の処理方法において、好ましく
は、前記第１の工程では前記被処理体が予め設定された
複数個単位で外部から前記第２のチャンバに搬入され、
前記第７の工程では前記被処理体が１個単位で前記第１
のチャンバに搬入され、前記第１のチャンバでは前記被
処理体が１個単位で前記処理を施され、前記第８の工程
では前記被処理体が１個単位で前記第１のチャンバから
搬出され、前記第１０の工程では前記被処理体が前記複
数個単位で前記第２のチャンバから外部へ搬出されてよ
い。

【０１２０】また、上記第１または第２の処理方法にお
いて、好ましくは、前記第２のチャンバが、前記第１の
チャンバと第１のゲートバルブを介して接続され、室内
に前記被処理体を搬送するための搬送手段が配設されて
いる搬送室と、この搬送室と第２のゲートバルブを介し
て接続され、外部から前記被処理体の搬入および搬出の
可能なロード／アンロード室とを含んでよい。

【０１３０】本発明の一態様によれば、上記第１または
第２の処理方法において、前記第１のチャンバが複数個
設けられ、それら複数個の前記第１のチャンバに共通の
前記第２のチャンバが連結される。

【０１４０】本発明の別の態様によれば、少なくとも１
つの前記第１のチャンバでＣＶＤ処理が行われる。

【０１５０】

【作用】本発明では、搬送用の第２のチャンバ内に外部
より未処理の被処理体を搬入してから処理済みの被処理
体を搬出するまでの間、該チャンバの室内に不活性ガス
を送りながら室内を真空排気する。真空排気の開始前
は、第２のチャンバ内に大気ガスが充満しており、大気
状態と同様に不所望なガスたとえばＯ2ガス、Ｈ2Ｏガス
等が漂っている。本発明では、先ず、第２のチャンバ内
を高真空度に真空排気することにより、ガスの絶対量を
可及的に少なくする。それでも、そのような不所望なガ
スは排気されにくく、その多くが残存し、それらの分圧
比はむしろ増大していく。そして、第２のチャンバ内の
真空度が設定値（第２の圧力）に達したなら、真空排気
を継続しつつ、そこに不活性ガスを供給する。これによ
り、第２のチャンバ内では、不活性ガスの分圧比および
絶対量が急激に増大すると同時に、不所望なガスの分圧
比が急激に減少する。また、不活性ガスに巻き込まれる
ようにして不所望なガスも効率的に室外へ排気されるた
め、不所望なガスの絶対量も減少する。そして、排気さ
れずに残る不所望なガスの分子は、相対的に多量な不活
性ガスの存在によって自由運動を抑制される。このよう
な雰囲気中においては、被処理体表面での不所望なガス
の分子による酸化反応が抑制される。したがって、不所
望なガスがなくなるまでチャンバ内が高真空に排気され
なくても、被処理体の酸化その他の変質は効果的に防止
される。これにより、たとえばＣＶＤプロセスでは、被
処理体の表面に自然酸化膜が形成されにくいため、バラ
ツキの少ない均一な膜質を得ることができる。

【０１６０】

【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。図１は本発明の一実施例による処理方法を実施
するマルチチャンバ型半導体製造装置の構成を概略的に
示す図である。

【０１７０】図１において、この半導体製造装置は、た
とえば半導体ウエハ上に金属層を形成する装置であっ
て、ドライエッチングのプロセスを行うための第１のプ
ロセスチャンバ１０およびＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のプロセスを行う
ための第２のプロセスチャンバ１２と、ウエハ搬送を行
うためのロードロック・チャンバ１４およびトランスポ
ート・チャンバ１６と、ウエハカセットをロード／アン
ロードするための一対のロード／アンロード室またはカ
セットチャンバ１８，２０とから構成される。

【０１８０】ロードロック・チャンバ１４はゲートバル
ブ２２，２４を介してそれぞれカセットチャンバ１８，
２０に連結され、トランスポート・チャンバ１６はゲー
トバルブ２６，２８を介してそれぞれ両プロセスチャン
バ１０，１２に連結されている。ロードロック・チャン
バ１４とトランスポート・チャンバ１６同士は互いに連
通し、搬送室を形成する。

【０１９０】ロードロック・チャンバ１４内には、半導
体ウエハＷを搬送するための伸縮回転自在な搬送アーム
３０が設けられている。この搬送アーム３０は、ゲート
バルブ２２，２４を介してカセットチャンバ１８，２０
から未処理のウエハＷを搬出し、処理済のウエハＷをカ
セットチャンバ１８，２０に搬入するように構成されて
いる。一方、トランスポート・チャンバ１６内にも、半
導体ウエハＷを搬送するための伸縮回転自在な搬送アー
ム３２が設けられており、この搬送アーム３２はゲート
バルブ２６，２８を介してそれぞれプロセスチャンバ１
０，１２内にアクセスして、ウエハＷを搬入または搬出
するように構成されている。ロードロック・チャンバ１
４側の搬送アーム３０とトランスポート・チャンバ１６
側の搬送アーム３２は、互いにバッファプレート３４を
介してウエハＷを非同期的に受け渡しするようになって
いる。

【０２００】両カセットチャンバ１８，２０には、この
半導体製造装置で処理を受けるべきウエハＷをたとえば
２５枚装填したウエハカセット３６，３８がそれぞれロ
ードされる。このカセット・ローディングの後、ゲート
バルブ２２，２４が開いて両カセットチャンバ１８，２
０とロードロック・チャンバ１４、トランスポート・チ
ャンバ１６とが連通した状態の下で、本実施例による真
空排気方法にしたがいターボ分子ポンプ４０によって各
チャンバ１４，１６，１８，２０が大気圧から所定の圧
力たとえば１×１０^−２Ｔｏｒｒ程度まで排気される。
両反応チャンバ１０，１２は、ゲートバルブ２６，２８
を閉じたままで、それぞれ専用のターボ分子ポンプ（図
示せず）によって所定の圧力たとえば１×１０^−５Ｔｏ
ｒｒ程度まで真空排気される。

【０２１０】本実施例の装置においては、トランスポー
ト・チャンバ１６に、開閉弁４２を介して上記のターボ
分子ポンプ４０が接続されるとともに、開閉弁４４およ
び流量調整器（ＭＦＣ）４６を介して不活性ガス供給源
４８が接続され、後述するように真空排気中の搬送室
（トランスポート・チャンバ１６およびロードロック・
チャンバ１４）に不活性ガスが供給されるようになって
いる。なお、ターボ分子ポンプ４０はモータ５０によっ
て回転駆動される。

【０２２０】真空状態の搬送室１４，１６において、ロ
ードロック・チャンバ１４側の搬送アーム３０は、カセ
ットチャンバ１８，２０内のウエハカセット３６，３８
から処理前のウエハＷを１枚ずつ取り出してはそれをバ
ッファプレート３４を介してトランスポート・チャンバ
１６側の搬送アーム３２に渡し、処理済のウエハＷをバ
ッファプレート３４を介してトランスポート・チャンバ
１６側の搬送アーム３２より受け取ってはそれをカセッ
トチャンバ１８，２０のウエハカセット３６，３８に戻
すというウエハ搬送作業を行う。また、トランスポート
・チャンバ１６側の搬送アーム３２は、バッファプレー
ト３４を介してロードロック・チャンバ１４側の搬送ア
ーム３０より受け取ったウエハＷを先ずエッチングプロ
セスのため反応チャンバ１０に搬入し、エッチングプロ
セスの終了したウエハＷを反応チャンバ１０から搬出し
てそれをＣＶＤプロセスのため反応チャンバ１２へ移
し、ＣＶＤプロセスの終了したウエハＷを反応チャンバ
１２から搬出してそれをバッファプレート３４を介して
ロードロック・チャンバ１４側の搬送アーム３０に渡す
というウエハ搬送作業を行う。

【０２３０】このように、真空状態の搬送室１４，１６
内でウエハＷは搬送されるのであるが、搬送室１４，１
６内は１×１０^−２Ｔｏｒｒ程度の圧力であるため、Ｏ
2 やＨ2 Ｏ等の酸化の原因となる不所望なガス分子がか
なり漂っており、それらの不所望なガス分子がウエハＷ
に全然作用しないわけではない。しかし、本実施例によ
れば、Ｏ2 やＨ2 Ｏ等の不所望なガス分子による酸化作
用が著しく抑制され、ウエハＷの表面に自然酸化膜が形
成されるおそれが少なく、したがって反応チャンバ１２
のＣＶＤプロセスでは成膜特性のバラツキの少ない金属
層が得られる。

【０２４０】次に、図２〜図４を参照して本実施例によ
る真空排気方法の作用を説明する。図２は、本実施例に
よる真空排気方法の動作タイミングを示す図である。図
２において、時刻ｔ0 で排気系の開閉弁４２が開けら
れ、ターボ分子ポンプ４０によって搬送室１４，１６内
が大気圧状態（７６０Ｔｏｒｒ）から真空排気される。
この真空引きは、搬送室１４，１６内の気圧が所定の圧
力たとえば１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度に達するまで行わ
れる。

【０２５０】真空引きが終了すると、時刻ｔ1 でガス供
給系の開閉弁４４が開けられ、不活性ガス供給源４８よ
り不活性ガスたとえばＮ2 ガスが所定の圧力・流量で搬
送室１４，１６内に供給される。一方、ターボ分子ポン
プ４０による真空排気も継続して行われる。このよう
に、搬送室１４，１６は、Ｎ2 ガスの供給を受けながら
真空排気されることによって、室内の圧力がたとえば１
×１０^−２Ｔｏｒｒ程度に保たれ、この真空状態の下で
上記したようなウエハ搬送作業が行われる。そして、カ
セット３６，３８の全ウエハＷについてプロセスが終了
すると、時刻ｔ2で開閉弁４２，４４が閉められて真空
排気およびＮ2 ガスの供給が止められ、カセット交換の
ため搬送室１４，１６内は大気圧まで戻される。

【０２６０】図３は、図２の真空排気の各段階における
搬送室１４，１６内の各ガスの分圧比を概念的に示す図
である。図中、各分子名で記した小枠の横方向の幅は当
該分子の分圧比を表し、小枠の面積は当該分子の絶対量
を表している。

【０２７０】真空排気の開始前は、大気ガスが充満して
おり、大気状態と同様にＮ２ガス、Ｏ２ガスが全体の約
７５％、２０％をそれぞれ占め、Ｈ２Ｏガス（水蒸気）
も幾らかの割合を占める（図３の（Ａ））。ほかにも、
アルゴンや二酸化炭素等が微量に含まれているが、これ
らのガスは本発明の作用には直接関係しないので、無視
する。

【０２８０】時刻ｔ０から開始された真空引きによっ
て、搬送室１４，１６に入っていた大気ガスのうち、Ｎ
２ガスはほとんど排気されるが、Ｏ２ガスやＨ２Ｏガス
等は排気されにくく、その多くが残存し、したがって搬
送室１４，１６内のガス中に占めるＯ２ガス、Ｈ２Ｏガ
スの割合つまり分圧比は増大する（図３の（Ｂ））。

【０２９０】しかし、時刻ｔ１から開始されたＮ２ガス
の供給によって、Ｎ２ガスの分圧比および絶対量が急激
に増大すると同時に、Ｏ２ガス、Ｈ２Ｏガスの分圧比が
急激に減少する。また、Ｎ２ガスに巻き込まれるように
してＯ２ガス、Ｈ２Ｏガスも効率的に室外へ排気される
ため、Ｏ２ガス、Ｈ２Ｏガスの絶対量も減少する（図３
の（Ｃ））。室内の気圧は、真空排気速度とＮ２ガス供
給速度とが均衡する状態たとえば１×１０^−２Ｔｏｒｒ
まで上昇する。

【０３００】こうして、プロセス実行中のたとえば時刻
ｔ２で、ウエハＷは、１×１０^−２Ｔｏｒｒ程度の真空
下で、Ｎ２ガスの分圧が大きくてＯ２ガス、Ｈ２Ｏガス
の分圧が小さい雰囲気に晒されることになる。かかる雰
囲気においては、相対的にＮ２分子がＯ２、Ｈ２Ｏ分子
よりも多数存在するため、Ｏ２、Ｈ２Ｏ分子がＮ２分子
によって運動を抑制され、ウエハ表面上の酸化反応、つ
まりＯ２、Ｈ２ＯがＳｉに置き換わる化学反応も抑制さ
れる。したがって、従来のようにＮ２ガスを流さずに単
に１×１０^−３Ｔｏｒｒ程度まで真空排気する方法より
も、ウエハＷの酸化を効果的に防止することができる。

【０３１０】図４は、本実施例の真空排気方法による効
果の一例を示す成膜特性のデータを示す図である。この
データは、本実施例の真空排気方法を実施する半導体製
造装置において、１カセット分の半導体ウエハに金属層
としてＷＳｉ（タングステン・シリサイド）被膜をＣＶ
Ｄプロセスによって蒸着した場合の各ウエハのシート抵
抗の値である。この例では、各ウエハのシート抵抗値が
１６０〜１７０Ω／□の範囲に収まっており、バラツキ
が小さい。このように、本実施例の真空排気方法を用い
ると、シート抵抗のバラツキの小さい均一な膜質の金属
層が得られる。

【０３２０】図５は、従来方法つまり搬送室の室内を単
に真空排気する方法を用いた場合の成膜特性のデータを
示す。従来方法によれば、先に処理されるウエハほどシ
ート抵抗が高く、後に処理されるウエハほどシート抵抗
が次第に低くなる傾向があり全体的には１７０〜２００
Ω／□の範囲にわたり、バラツキが大きい。したがっ
て、均一な膜質の金属層を得るのは難しい。

【０３３０】以上、本発明の一実施例を説明したが、種
々の変形・変更が可能である。たとえば、図６に示すよ
うに、不活性ガスの供給を周期的に止めて、室内を周期
的に高真空に排気するようにしてもよい。また、本発明
で使用する不活性ガスとしては、Ｎ２ガスに限るもので
はなく、ＡｒガスやＸｅガス等の他の不活性ガスも当然
に使用可能である。また、上記実施例では、ロードロッ
ク．チャンバ１４、トランスポート・チャンバ１６を両
カセットチャンバ１８，２０と連通させた状態で真空排
気したが、ゲート２２，２４を閉じて、両カセットチャ
ンバ１８，２０と別個にロードロック・チャンバ１４、
トランスポート・チャンバ１６を真空排気することも可
能である。

【０３４０】また、本発明の真空排気方法は、ロードロ
ック・チャンバ１４、トランスポート・チャンバ１６の
いずれか一つしか備えない半導体製造装置にも適用可能
である。また、単一チャンバ方式の半導体製造装置にお
ける任意の搬送室の真空排気にも、さらにはイオン注入
機の熱処理装置等の非化学的処理（物理的処理、熱処理
等）装置の処理室の真空排気にも適用が可能である。ま
た、被処理体としては半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基
板などでもよく、酸化その他の変質を嫌う任意の被処理
体が可能である。

【０３５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理方法
によれば、処理用のチャンバに連結された搬送用のチャ
ンバにおいて不所望なガスがなくなるまでチャンバ内を
高真空に排気しなくても、被処理体の酸化その他の変質
を効率的かつ確実に防止することができ、ひいては処理
品質を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による真空排気方法を実施す
るマルチチャンバ型半導体製造装置の構成を概略的に示
す図である。

【図２】実施例による真空排気方法の動作タイミングを
示す図である。

【図３】実施例による真空排気方法の各段階における搬
送室内の各ガスの分圧比を概念的に示す図である。

【図４】実施例の真空排気方法の効果の一例として成膜
特性のデータを示す図である。

【図５】従来方法を用いた場合の成膜特性のデータを示
す図である。

【図６】変形例による真空排気方法の動作タイミングを
示す図である。

【符号の説明】

１０プロセスチャンバ１２プロセスチャンバ１４ロードロック．チャンバ１６トランスポート・チャンバ３０搬送アーム３２搬送アーム４０ターボ分子ポンプ４８不活性ガス供給源

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれ密閉可能な第１および第２のチ
ャンバを連結し、前記第１のチャンバ内で所定の第１の
圧力の真空中で被処理体に所定の処理を施すようにした
処理方法において、前記第２のチャンバを外気に開放して外部から前記被処
理体を室内に搬入する第１の工程と、前記第２のチャンバ内に前記被処理体を搬入した後、前
記第２のチャンバ内を密閉した状態で所定の第２の圧力
に達するまで真空排気する第２の工程と、前記第２の圧力に達してから前記第２のチャンバ内に不
活性ガスを供給しながら真空排気を継続して前記第２の
チャンバ内を前記第１および第２の圧力のいずれよりも
高い所定の第３の圧力の真空状態にする第３の工程と、前記被処理体に前記処理を施すために、前記第３の圧力
に保たれている前記第２のチャンバと前記第１の圧力に
保たれている前記第１のチャンバとを一時的に連通させ
て、前記被処理体を前記第２のチャンバから前記第１の
チャンバに搬入する第４の工程と、前記第１のチャンバ内で前記処理が済んだ後、前記第２
のチャンバと前記第１のチャンバとを一時的に連通させ
て、前記第１のチャンバから前記第２のチャンバへ前記
被処理体を搬出する第５の工程と、前記第１のチャンバから前記第２のチャンバへ前記被処
理体を搬出した後、前記第２のチャンバに対する前記不
活性ガスの供給と前記真空排気とを終了させる第６の工
程と、前記第２のチャンバを外気に開放して前記第２のチャン
バから外部へ前記処理の済んだ前記被処理体を搬出する
第７の工程とを有する処理方法。
【請求項２】前記第１の工程では前記被処理体が予め
設定された複数個単位で外部から前記第２のチャンバに
搬入され、前記第４の工程では前記被処理体が１個単位
で前記第１のチャンバに搬入され、前記第１のチャンバ
では前記被処理体が１個単位で前記処理を施され、前記
第５の工程では前記被処理体が１個単位で前記第１のチ
ャンバから搬出され、前記第７の工程では前記被処理体
が前記複数個単位で前記第２のチャンバから外部へ搬出
されることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】それぞれ密閉可能な第１および第２のチ
ャンバを連結し、前記第１のチャンバ内で所定の第１の
圧力の真空中で被処理体に所定の処理を施すようにした
処理方法において、前記第２のチャンバを外気に開放して外部から前記被処
理体を室内に搬入する第１の工程と、前記第２のチャンバ内に前記被処理体を搬入した後、前
記第２のチャンバ内を密閉した状態で所定の第２の圧力
に達するまで真空排気する第２の工程と、前記第２の圧力に達してから前記第２のチャンバ内に不
活性ガスを供給しながら真空排気を継続して前記第２の
チャンバ内を前記第１および第２の圧力のいずれよりも
高い所定の第３の圧力の真空状態にする第３の工程と、前記第２のチャンバ内を前記第３の圧力に維持している
状態から前記不活性ガスの供給を止めて前記第３の圧力
よりも低い第４の圧力に達するまで真空排気する第４の
工程と、前記第４の圧力に達してから前記第２のチャンバ内に不
活性ガスを供給しながら真空排気を継続して前記第２の
チャンバ内を前記第３の圧力に戻す第５の工程と、前記第４の工程と前記第５の工程とを周期的に１回また
は複数回繰り返す第６の工程と、前記被処理体に前記処理を施すために、前記第３の圧力
に保たれている前記第２のチャンバと前記第１の圧力に
保たれている前記第１のチャンバとを一時的に連通させ
て、前記被処理体を前記第２のチャンバから前記第１の
チャンバに搬入する第７の工程と、前記第１のチャンバ内で前記処理が済んだ後、前記第２
のチャンバと前記第１のチャンバとを一時的に連通させ
て、前記第１のチャンバから前記第２のチャンバへ前記
被処理体を搬出する第８の工程と、前記第１のチャンバから前記第２のチャンバへ前記被処
理体を搬出した後、前記第２のチャンバに対する前記不
活性ガスの供給と前記真空排気とを終了させる第９の工
程と、前記第２のチャンバを外気に開放して前記第２のチャン
バから外部へ前記処理の済んだ前記被処理体を搬出する
第１０の工程とを有する処理方法。
【請求項４】前記第１の工程では前記被処理体が予め
設定された複数個単位で外部から前記第２のチャンバに
搬入され、前記第７の工程では前記被処理体が１個単位
で前記第１のチャンバに搬入され、前記第１のチャンバ
では前記被処理体が１個単位で前記処理を施され、前記
第８の工程では前記被処理体が１個単位で前記第１のチ
ャンバから搬出され、前記第１０の工程では前記被処理
体が前記複数個単位で前記第２のチャンバから外部へ搬
出されることを特徴とする請求項３に記載の処理方法。
【請求項５】前記第２のチャンバが、前記第１のチャ
ンバと第１のゲートバルブを介して接続され、室内に前
記被処理体を搬送するための搬送手段が配設されている
搬送室と、この搬送室と第２のゲートバルブを介して接
続され、外部から前記被処理体の搬入および搬出の可能
なロード／アンロード室とを含むことを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の処理方法。
【請求項６】前記第１のチャンバが複数個設けられ、
それら複数個の前記第１のチャンバに共通の前記第２の
チャンバが連結されることを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載の処理方法。
【請求項７】少なくとも１つの前記第１のチャンバで
ＣＶＤ処理が行われることを特徴とする請求項１〜６の
いずれかに記載の処理方法。