JPH04162709A - 半導体製造装置および反応処理方法 - Google Patents
半導体製造装置および反応処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
複数の処理室を連結したマルチチャンバ装置に関し。
マルチチャンバ装置における相互汚染を防止することを
目的とし。
目的とし。
１）反応ガスを導入して処理を行う反応室と、被処理物
を搬送するための搬送室と、該反応室と該搬送室との間
にそれぞれゲートバルブを介して接続された予備室と、
該反応室の圧力より該予備室の圧力を高くてき、かつ該
予備室の圧力より該搬送室の圧力を高くできる圧力調節
手段とを有するように構成する。
を搬送するための搬送室と、該反応室と該搬送室との間
にそれぞれゲートバルブを介して接続された予備室と、
該反応室の圧力より該予備室の圧力を高くてき、かつ該
予備室の圧力より該搬送室の圧力を高くできる圧力調節
手段とを有するように構成する。
２）前記１）の半導体製造装置において、前記予備室と
前記反応室を接続するゲートバルブを開く時は該予備室
より該反応室を高真空にし、該予備室と該搬送室を接続
するゲートバルブを開く時は該搬送室より該予備室を高
真空にする工程を有するように構成する。
前記反応室を接続するゲートバルブを開く時は該予備室
より該反応室を高真空にし、該予備室と該搬送室を接続
するゲートバルブを開く時は該搬送室より該予備室を高
真空にする工程を有するように構成する。
本発明は複数の処理室を連結したマルチチャンバ装置に
関する。
関する。
近年、半導体装置は高集積化か進みサブミクロンパター
ンの形成か日常的に行われるようになってきた。
ンの形成か日常的に行われるようになってきた。
これにともない９枚葉式のスループットを向上させるこ
とに注力していたこれまでの装置の並列的な使い方（エ
ツチングや成膜ごとに異なる装置を使う方法）から、プ
ロセスの不安定要素を減らすため、複数の工程を１台の
装置で処理するマルチチャンバ装置か採用されるように
なってきた。
とに注力していたこれまでの装置の並列的な使い方（エ
ツチングや成膜ごとに異なる装置を使う方法）から、プ
ロセスの不安定要素を減らすため、複数の工程を１台の
装置で処理するマルチチャンバ装置か採用されるように
なってきた。
第２図は従来例によるマルチチャンバ装置の配置を説明
する平面図である。
する平面図である。
図において、１はＣＶＤ室、２は洗浄室、３はドライエ
ツチング室、４はＰＶＤ （スパッタ等の物理的成膜）
室、５は搬送室、６はＰＴＡ （ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍ
ａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置、７はウェハ搬出口、
８はウェハ搬入口、９はゲートバルブである。
ツチング室、４はＰＶＤ （スパッタ等の物理的成膜）
室、５は搬送室、６はＰＴＡ （ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍ
ａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置、７はウェハ搬出口、
８はウェハ搬入口、９はゲートバルブである。
このシステムにおいては、搬送室５を介してＣＶＤ室１
．洗浄室２．ドライエツチング室３゜ＰＶＤ室４．
ＰＴＡ （Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ
ｉｎｇ）室６、ウェハ搬入出ロア、８か放射状に配置さ
れ。
．洗浄室２．ドライエツチング室３゜ＰＶＤ室４．
ＰＴＡ （Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ
ｉｎｇ）室６、ウェハ搬入出ロア、８か放射状に配置さ
れ。
ウェハは各室間を中央の搬送室５を介して搬送される。
しかし、マルチチャンバ装置においては、各々の処理か
らの相互汚染（クロスコンタミネーション）が懸念され
、実際に確認された。
らの相互汚染（クロスコンタミネーション）が懸念され
、実際に確認された。
第４図はマルチチャンバ装置における相互汚染を確認し
た従来例を説明する図である。
た従来例を説明する図である。
図はＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ
５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）のスペクトルで、結合エ
ネルギーに対する単位エネルギー当たりのカウント数を
示す。
５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）のスペクトルで、結合エ
ネルギーに対する単位エネルギー当たりのカウント数を
示す。
この例は、タングステン（Ｗ）を選択成長させるために
六弗化タングステン（ＷＦ ８ ）を用いた気相成長（
ＣＶＤ）装置が搬送室と直結されている場合の相互汚染
を確認した例である。
六弗化タングステン（ＷＦ ８ ）を用いた気相成長（
ＣＶＤ）装置が搬送室と直結されている場合の相互汚染
を確認した例である。
図より、アルミニウム（Ａｔ）表面にＷＦ６に起因する
弗素（Ｆ）か付着しているのが容易に確認することかで
きる。調査の結果、ＦはＡｌ−Ｆ結合を示していた。
弗素（Ｆ）か付着しているのが容易に確認することかで
きる。調査の結果、ＦはＡｌ−Ｆ結合を示していた。
特に、ハロゲン系のガスは他の多くの物質と容易に反応
し９発塵の原因となったり、ウェハ表面に付着して腐食
の原因となっている。
し９発塵の原因となったり、ウェハ表面に付着して腐食
の原因となっている。
本発明はマルチチャンバ装置における相互汚染を防止す
ることを目的とする。
ることを目的とする。
上記課題の解決は。
１）反応ガスを導入して処理を行う反応室と、被処理物
を搬送するための搬送室と、該反応室と該搬送室との間
にそれぞれゲートバルブを介して接続された予備室と、
該反応室の圧力より該予備室の圧力を高くでき、かつ該
予備室の圧力より該搬送室の圧力を高くできる圧力調節
手段を有する半導体製造装置、あるいは ２）請求項１の半導体製造装置において、前記予備室と
前記反応室を接続するゲートバルブを開く時は該予備室
より該反応室を高真空にし、該予備室と該搬送室を接続
するゲートバルブを開く時は該搬送室より該予備室を高
真空にする工程を有する反応処理方法により達成される
。
を搬送するための搬送室と、該反応室と該搬送室との間
にそれぞれゲートバルブを介して接続された予備室と、
該反応室の圧力より該予備室の圧力を高くでき、かつ該
予備室の圧力より該搬送室の圧力を高くできる圧力調節
手段を有する半導体製造装置、あるいは ２）請求項１の半導体製造装置において、前記予備室と
前記反応室を接続するゲートバルブを開く時は該予備室
より該反応室を高真空にし、該予備室と該搬送室を接続
するゲートバルブを開く時は該搬送室より該予備室を高
真空にする工程を有する反応処理方法により達成される
。
本発明は、搬送室と反応室（処理室）との間に予備室を
設け、予備室と反応室を接続するゲートバルブを開く時
は予備室より反応室を高真空にし。
設け、予備室と反応室を接続するゲートバルブを開く時
は予備室より反応室を高真空にし。
予備室と搬送室を接続するゲートバルブを開く時は搬送
室より予備室を高真空にすることにより。
室より予備室を高真空にすることにより。
すなわち汚染源の上流はど圧力を下げ各室の圧力差を利
用して反応室から予備室、あるいは予備室から搬送室へ
の汚染物質の流出を抑制するようにしたものである。
用して反応室から予備室、あるいは予備室から搬送室へ
の汚染物質の流出を抑制するようにしたものである。
〔実施例〕
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例によるマル
チチャンバ装置の配置を説明する平面図である。
チチャンバ装置の配置を説明する平面図である。
第１図（ａ）は全体の配置図、第１図（ｂ）は部分的な
詳細配置図である。
詳細配置図である。
図において、１はＣＶＤ室、２は洗浄室、３はドライエ
ツチング室、４はＰＶＤ室、５は搬送室、６はＲＴＡ室
、７はウェハ搬出口、８はウェハ搬入口。
ツチング室、４はＰＶＤ室、５は搬送室、６はＲＴＡ室
、７はウェハ搬出口、８はウェハ搬入口。
９はゲートバルブ、１０は予備室である。
この例では、高真空中にハロゲンを含むガスを導入する
ドライエツチング室３．ＣＶＤ室１および洗浄室２と、
搬送室５との間に予備室１０をそれぞれ設けている。
ドライエツチング室３．ＣＶＤ室１および洗浄室２と、
搬送室５との間に予備室１０をそれぞれ設けている。
ここで、窒素雰囲気中で大気圧に近い圧力下で洗浄を行
う洗浄室２には周知のように当然予備室を設ける必要が
ある。
う洗浄室２には周知のように当然予備室を設ける必要が
ある。
また、光照射によるハロゲンのドライ前処理にも本発明
を適用してもよい。
を適用してもよい。
つぎに、この装置を用いた実施例について説明する。
ハロゲン系ガスを使うＣＶＤ室ｌは、ロータリポンプと
ブースタポンプを用いて１０−’ Ｔｏｒｒ台の真空度
を基準圧力としており、予備室１０はターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）により排気され１０−’ Ｔｏｒｒ台以下の
到達真空度を得ることができるようにする。
ブースタポンプを用いて１０−’ Ｔｏｒｒ台の真空度
を基準圧力としており、予備室１０はターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）により排気され１０−’ Ｔｏｒｒ台以下の
到達真空度を得ることができるようにする。
また、圧力調節手段として、予備室１０とターボ分子ポ
ンプの間に排気コンダクタンスを任意に調節できるバル
ブ１１と窒素（またはその他の不活性ガス）を導入でき
るリークバルブが設けられ。
ンプの間に排気コンダクタンスを任意に調節できるバル
ブ１１と窒素（またはその他の不活性ガス）を導入でき
るリークバルブが設けられ。
ＣＶＤ室１と搬送室５の真空度に応じて予備室１０の真
空度を任意に調節できるようにしている。
空度を任意に調節できるようにしている。
例えば、 ＣＶＤ室１と搬送室５間のゲートバルブを開
く時はＣＶＤ室ｌの方を高真空にし、予備室１０と搬送
室５間のゲートバルブを開く時は予備室１１の方を高真
空になるように操作する。
く時はＣＶＤ室ｌの方を高真空にし、予備室１０と搬送
室５間のゲートバルブを開く時は予備室１１の方を高真
空になるように操作する。
このようにすれば、 ＣＶＤ室１から搬送室５へのハロ
ゲン系のガスの流れは防止でき、相互汚染がなくなった
。
ゲン系のガスの流れは防止でき、相互汚染がなくなった
。
第３図はマルチチャンバ装置における相互汚染を抑制し
た実施例の結果を説明する図である。
た実施例の結果を説明する図である。
図は第４図の従来例に対比したＸＰＳのスペクトルであ
る。
る。
この例も、Ｗを選択成長させるためにＷＦ６を用いたＣ
ＶＤ後の清浄なＡ１表面の分析結果で、従来例と同様に
ｘＰＳ装置までの移動中に酸化されていることか示され
ている。
ＶＤ後の清浄なＡ１表面の分析結果で、従来例と同様に
ｘＰＳ装置までの移動中に酸化されていることか示され
ている。
しかし、従来例のように弗素は検出されず、相互汚染か
防止されていることか分かる。
防止されていることか分かる。
以上説明したように本発明によれば、マルチチャンバ装
置における相互汚染を防止することができた。
置における相互汚染を防止することができた。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例によるマル
チチャンバ装置の配置を説明する平面図。 第２図は従来例によるマルチチャンバ装置の配置を説明
する平面図。 第３図はマルチチャンバ装置における相互汚染を抑制し
た実施例の結果を説明する図。 第４図はマルチチャンバ装置における相互汚染を確認し
た従来例を説明する図である。 図において。 １はＣＶＤ室。 ２は洗浄室。 ３はドライエツチング室。 ４はＰＶＤ室。 ５は搬送室。 ６はＲＴＡ （Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅ
ａｌｉｎｇ）室。 ７はウェハ搬出口。 ８はウェハ搬入口。 ９はゲートバルブ。 １０は予備室。 １１はコンダクタンス調節バルブ 第 ＩＩ￥］
チチャンバ装置の配置を説明する平面図。 第２図は従来例によるマルチチャンバ装置の配置を説明
する平面図。 第３図はマルチチャンバ装置における相互汚染を抑制し
た実施例の結果を説明する図。 第４図はマルチチャンバ装置における相互汚染を確認し
た従来例を説明する図である。 図において。 １はＣＶＤ室。 ２は洗浄室。 ３はドライエツチング室。 ４はＰＶＤ室。 ５は搬送室。 ６はＲＴＡ （Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅ
ａｌｉｎｇ）室。 ７はウェハ搬出口。 ８はウェハ搬入口。 ９はゲートバルブ。 １０は予備室。 １１はコンダクタンス調節バルブ 第 ＩＩ￥］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）反応ガスを導入して処理を行う反応室と、被処理物
を搬送するための搬送室と、該反応室と該搬送室との間
にそれぞれゲートバルブを介して接続された予備室と、
該反応室の圧力より該予備室の圧力を高くでき、かつ該
予備室の圧力より該搬送室の圧力を高くできる圧力調節
手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。 ２）請求項１の半導体製造装置において、前記予備室と
前記反応室を接続するゲートバルブを開く時は該予備室
より該反応室を高真空にし、該予備室と該搬送室を接続
するゲートバルブを開く時は該搬送室より該予備室を高
真空にする工程を有することを特徴とする反応処理操作
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28916390A JPH04162709A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体製造装置および反応処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28916390A JPH04162709A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体製造装置および反応処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162709A true JPH04162709A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17739578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28916390A Pending JPH04162709A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 半導体製造装置および反応処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162709A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP6485536B1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-03-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28916390A patent/JPH04162709A/ja active Pending
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