TWI674622B - 磊晶晶圓的製造裝置及製造方法 - Google Patents

磊晶晶圓的製造裝置及製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI674622B
TWI674622B TW107139442A TW107139442A TWI674622B TW I674622 B TWI674622 B TW I674622B TW 107139442 A TW107139442 A TW 107139442A TW 107139442 A TW107139442 A TW 107139442A TW I674622 B TWI674622 B TW I674622B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
reaction chamber
wafer
exhaust
chamber
wafer transfer
Prior art date
Application number
TW107139442A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201931441A (zh
Inventor
南出由生
和田直之
竹村泰隆
Original Assignee
日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 filed Critical 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司
Publication of TW201931441A publication Critical patent/TW201931441A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI674622B publication Critical patent/TWI674622B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/005—Transport systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

[課題]
提供能夠提高LPD品質的磊晶晶圓的製造裝置及製造方法。
[解決手段]
將從磊晶晶圓的製造裝置1的反應室111的排氣量，在反應室中正執行磊晶成膜處理時控制為第1排氣量，在打開閘閥114在反應室和晶圓移載室12之間投入或取出晶圓WF時控制為小於第1排氣量的第2排氣量，在反應室中結束磊晶成膜處理之後直到反應室的氣體之清除處理結束為止的期間，控制為大於第1排氣量的第3排氣量。

Description

磊晶晶圓的製造裝置及製造方法
本發明係關於磊晶晶圓的製造裝置及製造方法。
已知有磊晶矽晶圓的製造方法(專利文獻1)，其使用具備使磊晶膜成長的反應室(process chamber)、和反應室連通以將晶圓搬送到反應室內的晶圓移載室(transfer chamber)、設置於反應室和移載室的連通部以使反應室和移載室的氣體流通開放或閉止的間隔可動機構(gate valve，閘閥)的磊晶成長裝置，在背面具備多結晶矽膜的矽晶圓之表面側形成矽磊晶膜。
在此磊晶晶圓的製造方法中，在使得處於氮氣環境的移載室內之壓力較處於氫氣環境的反應室內之壓力提高0.067kPa~0.267kPa (0.5Torr~2Torr) 的狀態下打開閘閥，將移載室內的矽晶圓搬送到反應室內，同時利用移載室內的壓力和反應室內的壓力之差而將移載室內的氮氣體供給到反應室內。然後，將矽晶圓載置於設置在反應室內的晶座，關閉閘閥以使得向反應室內的氮氣體供給停止後，在矽晶圓表面形成矽磊晶膜。
先行技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2013-232455號公報
發明欲解決的問題
但是，若如上記習知技術那樣，將反應室和移載室的差壓設定為均一，則當設定的差壓大的情況下，打開閘閥時粒子容易被揚起，另一方面，設定的差壓變小使得排氣壓力下降時，則造成粒子的排氣不足。在任一情況下，都有LPD(Light Point Defect,光點缺陷)品質低下的問題。
本發明所欲解決的課題為:提供能夠提高LPD品質的磊晶晶圓知製造裝置及製造方法。
解決問題的手段
本發明為磊晶晶圓的製造裝置，其包括:使磊晶膜在晶圓成長的反應室；與前記反應室連通的晶圓移載室；設置於前記反應室和前記晶圓移載室的連通部以使得反應室和晶圓移載室之氣體流通開閉的閘閥；晶圓移載裝置，設置於前記晶圓移載室，將處理前的晶圓從前記晶圓移載室投入前記反應室，將處理後的晶圓從前記反應室取出至前記晶圓移載室；第1控制裝置，其執行將前記晶圓從前記晶圓移載室向前記反應室投入，在前記反應室中執行磊晶成膜處理之後，將前記晶圓從前記反應室取出到前記晶圓移載室的控制；第1排氣裝置，將前記晶圓移載室的氣體排氣；第2排氣裝置，將前記反應室的氣體排氣；第2控制裝置，控制前記第1排氣裝置及前記第2排氣裝置之排氣量；前記第2控制裝置，將前記第1排氣裝置的排氣量控制在既定的範圍，並且輸入前記第1控制裝置之磊晶膜成長工程的控制信號，基於該控制信號控制前記第2排氣裝置的排氣量，其中，在前記反應室中正在執行磊晶成膜處理時，將其控制為第1排氣量，打開前記閘閥在前記反應室和前記晶圓移載室之間投入或取出前記晶圓時，將其控制為小於前記第1排氣量的第2排氣量，於前記反應室中結束磊晶成膜處理之後，直到前記反應室之氣體的清除(purge)處理結束為止，將其控制為大於前記第1排氣量的第3排氣量。
本發明中以此為佳:前記第2控制裝置，從於前記反應室中結束磊晶成膜處理，且前記反應室之氣體的清除處理已結束的時點，直到打開前記閘閥將前記晶圓取出到前記晶圓移載室的時點為止的期間，將前記第2排氣裝置的排氣量控制為前記第1排氣量或第2排氣量。
本發明中，可以為:將由前記第1排氣裝置所控制之排氣量的排氣壓作為基準時，前記第1排氣量的排氣壓為-0.4~-0.6kPa、前記第2排氣量的排氣壓為0~-0.3kPa、前記第3排氣量的排氣壓為-0.7kPa以上。
本發明為磊晶晶圓的製造方法，其係為使用具備使磊晶膜在晶圓成長的反應室、與前記反應室連通的晶圓移載室、設置於前記反應室和前記晶圓移載室的連通部以使得反應室和晶圓移載室之氣體流通開閉的閘閥、設置於前記晶圓移載室以將處理前的晶圓從前記晶圓移載室投入前記反應室並將處理後的晶圓從前記反應室取出至前記晶圓移載室的晶圓移載裝置之磊晶晶圓的製造裝置之磊晶晶圓的製造方法，在該方法中:將前記晶圓移載室的壓力控制在既定的範圍，並且，在前記反應室中正在執行磊晶成膜處理時，將前記反應室的壓力控制為第1壓力，打開前記閘閥在前記反應室和前記晶圓移載室之間投入或取出前記晶圓時，將前記反應室的壓力控制為高於前記第1壓力的第2壓力，於前記反應室中結束磊晶成膜處理之後，直到前記反應室之氣體的清除(purge)處理結束為止，將前記反應室的壓力控制為低於前記第1壓力的第3壓力。
本發明中以此為佳:從於前記反應室中結束磊晶成膜處理，且前記反應室的氣體之清除處理已結束的時點，直到打開前記閘閥將前記晶圓取出到前記晶圓移載室的時點為止的期間，將前記反應室的壓力控制為前記第1壓力或前記第2壓力。
發明效果
依據本發明，打開閘閥在反應室和晶圓移載室之間投入或取出晶圓的情況下，控制為小於磊晶膜產生時的第1排氣量的第2排氣量，因此，反應室和晶圓移載室的差壓變小，能夠抑制晶圓移載室的粒子等的塵埃流向反應室而附著於晶圓。另一方面，在反應室中結束磊晶成膜處理之後，直到反應室的氣體之清除處理結束為止，則控制為大於磊晶膜產生時的第1排氣量的第3排氣量，因此，在反應室內中產生的粒子等的塵埃不會附著於晶圓而能夠向反應室外排出。其結果為，能夠提高LPD品質。
以下，基於圖式說明本發明的實施形態。圖1為表示本發明的實施形態之磊晶晶圓的製造裝置1(以下亦僅稱之為製造裝置1。)的方塊圖，中央所示之裝置本體係為以平面圖表示者。本實施形態的製造裝置1為所謂的常壓CVD裝置，其具備:一對的反應爐11,11、設置了處理單結晶矽晶圓等的晶圓WF的晶圓處理機器人121的晶圓移載室12、一對的搬送室13、工廠介面14、收納了複數枚晶圓WF的卡匣15。雖然省略了圖示，但在工廠介面14設有移載裝置，其係將收納於卡匣15的處理前的晶圓WF取出並投入搬送室13、或將已搬送到搬送室13的處理後的晶圓WF收納到卡匣15。
搬送室13，在其與晶圓移載室12之間及其與工廠介面14之間分別設置具有氣密性的門，其具有在處於惰性氣體環境的晶圓移載室12和處於大氣環境的工廠介面14之間，置換環境氣體之空間的功能。例如，將處理前的晶圓WF從卡匣15搬送到晶圓移載室12的情況下，在將工廠介面14側的門打開，將晶圓移載室12側的門關閉的狀態下，將卡匣15的晶圓WF透過工廠介面14搬送到搬送室13之後，將工廠介面14側的門關閉並將該搬送室13置換為惰性氣體環境，之後打開晶圓移載室12側的門並將該晶圓WF搬入晶圓移載室12。相反地，將處理後的晶圓WF從晶圓移載室12搬送到卡匣15的情況下，在將晶圓移載室12側的門打開，將工廠介面14側的門關閉的狀態下，在將晶圓移載室12的晶圓WF搬送到搬送室13之後，將晶圓移載室12側的門關閉並將該搬送室13置換為大氣環境，之後打開工廠介面14側的門並將該晶圓WF透過工廠介面14搬送到卡匣15。
晶圓移載室12，係由密閉的腔室所構成，其一方透過可開閉並有氣密性的門與搬送室13，另一方則透過具有氣密性的可開閉的閘閥114連接。如上述，晶圓移載室12中設有晶圓處理機器人121，其將處理前的晶圓WF從搬送室13向反應室111搬送，並將處理後的晶圓WF從反應室111向搬送室13搬送，其按照機器人控制器122所事先教示的動作軌跡來進行處理操作。再者，機器人控制器122和總括磊晶晶圓的製造裝置1全體之控制的第1控制器16，係彼此傳送接收控制信號，當來自第1控制器16的動作指令信號被傳送給機器人控制器122時，機器人控制器122控制晶圓處理機器人121的動作，並將該晶圓處理機器人121的動作結果從機器人控制器122傳送到第1控制器16，藉此，該第1控制器16得知晶圓處理機器人121的動作狀態。
晶圓移載室12中，從未圖示惰性氣體供給裝置供給惰性氣體，藉由與排氣口連接的洗滌器(洗淨集塵裝置)123將晶圓移載室12的氣體淨化之後，將其放出到系統外。雖省略了詳細的圖示，但洗滌器123可以使用例如過去公知的加壓水式洗滌器。此種加壓水式洗滌器，將來自排氣口的應排氣之氣體導入文氏管（Venturi tube）等，並噴霧加壓水，藉此除去包含在氣體中的塵埃。除此之外，若連同氣體一起將加壓水供到至文氏管，則由於排射器效果而使得來自排氣口的氣體被吸引，而亦具有一種排氣裝置的功能。藉由用循環泵使得設置於洗滌器的貯水槽的貯水循環來供給洗滌器123的加壓水，而循環泵的循環水量則由第3控制器124控制，由第3控制器124進行的循環泵之控制係基於來自第1控制器16的指令信號來執行。再者，例如，藉由洗滌器123的排氣功能而降低晶圓移載室12的壓力之情況下，能夠使得洗滌器123的循環泵的循環水量增加，提高晶圓移載室12的壓力之情況下，能夠使得洗滌器123的循環泵的循環水量減少。另外，要變化壓力也可以用蝶閥或針閥等達成的流路開閉來加以控制。關於晶圓移載室12的壓力之控制如後述。再者，也可以構成為:設置排氣泵以取代或附加於洗滌器123，用第3控制器124來控制該排氣泵的排氣量。這些洗滌器123及/或排氣泵相當於本發明之第1排氣裝置。
反應爐11係為用於依據CVD法在晶圓WF的表面使磊晶膜產生的裝置，其具備反應室111，在該反應室111內設置載置晶圓WF並回轉的晶座112，且在反應室111中設置了供給氫氣及用以產生磊晶膜的原料氣體(四氯化矽SiCl 4或三氯矽烷SiHCl 3等)的氣體供給裝置113。另外，雖然省略了圖示，但在反應室111的周圍設置了用以將晶圓WF升溫到既定溫度的加熱燈。而且，在反應室111和晶圓移載室12之間設置了閘閥114，藉由關閉閘閥114來確保反應室111之與晶圓移載室12的氣密性。這些反應爐11之晶座112的驅動、氣體供給裝置113進行之氣體的供給或停止、加熱燈的ON/OFF、閘閥114的開閉動作之各控制，係由來自第1控制器16的指令信號來控制。再者，圖1所示的磊晶晶圓的製造裝置1係顯示設置了一對反應爐11,11之例，但一個反應爐11亦可、3個以上的反應爐亦可。
在反應爐11中也設置了具有相同於晶圓移載室12之構成的洗滌器115。亦即，從氣體供給裝置113供給的氫氣或原料氣體，藉由與設置於反應室的排氣口連接的洗滌器(洗淨集塵裝置)115而被淨化之後，被放出到系統外。關於洗滌器115，雖然也省略了其詳細圖示，但可以使用例如過去公知的加壓水式洗滌器。此種加壓水式洗滌器，將來自排氣口的應排氣之氣體導入文氏管等，並噴霧加壓水，藉此除去包含在排氣氣體中的塵埃。除此之外，若連同氣體一起將加壓水供給到文氏管，則由於排射器效果而使得來自排氣口的氣體被吸引，而亦具有一種排氣裝置的功能。藉由用循環泵使得設置於洗滌器之貯水槽的貯水循環來供給洗滌器115的加壓水，而循環泵的循環水量則由第2控制器116控制，由第2控制器116進行的循環泵之控制係基於來自第1控制器16的指令信號來執行。再者，例如，藉由洗滌器115的排氣功能來降低反應室111的壓力之情況下，能夠使得洗滌器115的循環泵的循環水量增加，提高反應室111的壓力之情況下，能夠使得洗滌器115的循環泵的循環水量減少。另外，要變化壓力也可以用蝶閥達成的流路開閉來加以控制。關於反應室111的壓力之控制如後述。再者，也可以構成為:設置排氣泵以取代或附加於洗滌器115，用第2控制器116來控制該排氣泵的排氣量。這些洗滌器115及/或排氣泵相當於本發明之第2排氣裝置。
參照圖3說明反應爐11中磊晶膜產生之程序。圖3為表示本實施形態的磊晶晶圓的製造裝置1之第1控制器16及第2控制器116所執行的控制內容之時序表，在下部表示反應爐11中磊晶膜的產生工程。橫軸的時間t0到時間t5表示成膜的1個循環。首先，在時間t0時，打開閘閥114，使用晶圓處理機器人121，取出前次處理完畢的晶圓WF並將處理前的晶圓WF載置於反應室111的晶座112。在時間t1時，關閉閘閥114，待機直到時間t2為止，然後在時間t2時，由氣體供給裝置113將氫氣供給到反應室111以使得反應室111為氫氣環境。接著，使加熱燈ON以使反應室111的晶圓WF升溫到既定溫度，因應需要而施以蝕刻或熱處理等的前處理之後，在控制流量及/或供給時間的同時由氣體供給裝置113供給原料氣體。藉此，在時間t3時，於晶圓WF的表面產生磊晶膜。然後，在時間t3時，再由氣體供給裝置113將氫氣供給到反應室111，將反應室111置換為氫氣環境之後，從時間t4待機直到時間t5為止，在時間t5時，打開閘閥114，在時間t5~t6時，使用晶圓處理機器人121，取出這次處理完畢的晶圓WF並將下一個處理前的晶圓WF載置於反應室111的晶座112。
在過去的常壓CVD裝置中，雖然在反應室111及晶圓移載室12分別設置了上述的洗滌器115,123，但僅被使用於本來的氣體淨化之用，雖然具有排氣功能，但沒有進行任何排氣量的控制。相對於此，本實施形態的磊晶晶圓的製造裝置1中，著眼於洗滌器115,123具有的排氣功能，對應上述磊晶膜的產生工程而控制各洗滌器115,123的排氣量，藉此，控制反應室111本身的壓力及反應室111和晶圓移載室12的差壓，藉此抑制粒子等的塵埃附著在晶圓WF。參照圖2及圖3說明此具體的控制。
圖2為表示本實施形態的磊晶晶圓的製造裝置1之第2控制器116所執行的控制程序的流程圖，圖3的上部為表示藉由該第2控制器116的控制而實現之從反應室111的氣體排氣量之遷移的時序表。圖2所示之流程圖的演算係依既定時間間隔(例如10msec)執行。再者，圖3的縱軸係表示來自反應室111之洗滌器115造成的排氣量及來自晶圓移載室12之洗滌器123造成的排氣量，因此，反應室111及晶圓移載室12之壓力的大小，雖會隨著所供給的氣體量而有若干的變動，但將晶圓取出或投入時成為同等的壓力，在成膜中反應室成為低壓力，再成膜後清除中晶圓反應室成為更低壓力。
再者，本實施形態的磊晶晶圓的製造裝置1中，第3控制器124進行的洗滌器123的排氣量控制，係如圖3的洗滌器123(第1排氣裝置)之目標排氣量的圖表所示，被控制為使得該排氣量進入既定的範圍(多少有誤差亦可)，亦即使其成為一定量。另外，與反應室111連接之洗滌器115造成的排氣量可以設定為第1排氣量、第2排氣量及第3排氣量等3種水準的排氣量，如圖3所示，其為第2排氣量＜第1排氣量＜第3排氣量的關係。另外雖然沒有特別限定，但藉由上述3種水準之排氣量的設定，以洗滌器123所控制的排氣量造成的排氣壓為基準時，相對於晶圓移載室12之壓力而言的反應室111之壓力的差係設定為，第1排氣量的排氣壓為-0.4~-0.6kPa、第2排氣量的排氣壓為0~-0.3kPa、第3排氣量的排氣壓為-0.7kPa以上。
在圖2的步驟S1中，第2控制器116輸入從第1控制器16向製造裝置1的控制信號。此控制信號中包含圖3的下部所示的磊晶膜的各產生工程中被輸出的指令信號，第2控制器116可以得知現在正在執行哪個工程。
在步驟S1中已輸入的來自第1控制器16的控制信號，在反應室111的晶圓WF之取出/投入的情況下，向步驟S3前進，使得洗滌器115造成的排氣量成為第2排氣量以使得循環泵的循環水量減少。藉此，如圖3的時間t0~t1所示，來自反應室111的排氣量減少，藉此，該反應室111的壓力相等或近似於晶圓移載室12的壓力。其結果為，能夠抑制閘閥114打開的瞬間之壓力變動所伴隨的粒子等的塵埃之發生(亦即，揚起)，而且，能夠抑制晶圓移載室12的粒子等的塵埃流向反應室111而附著於晶圓WF的情況。
步驟S2中，來自第1控制器16的控制信號，在並非反應室111的晶圓WF之取出/投入的情況下，向步驟S4前進，來自第1控制器16的控制信號，在晶圓WF的取出/投入後的待機信號的情況下向步驟S5前進。所謂的此待機信號已被輸入，係為晶圓WF的取出/投入完成而閘閥114已關閉的狀態。在步驟S5中，第2控制器116使得洗滌器115造成的排氣量成為第1排氣量以使得循環泵的循環水量為中程度。藉此，如圖3的時間t1~t2所示，來自反應室111的排氣量成為和進行下一個成膜工程時相同的排氣量，能夠順利地遷移到成膜工程。
在步驟S4中，來自第1控制器16的控制信號，在並非晶圓WF的取出/投入後的待機信號的情況下，向步驟S6前進，來自第1控制器16的控制信號，在成膜處理信號的情況下向步驟S7前進。在步驟S7中，第2控制器116，使得洗滌器115造成的排氣量成為第1排氣量以使得循環泵的循環水量為中程度。藉此，如圖3的時間t2~t3所示，來自反應室111的排氣量成為進行成膜工程的排氣量。在此狀態下，進行磊晶膜的成膜處理(清除→升溫→烘烤→沉積)。
在步驟S6中，來自第1控制器16的控制信號，在並非磊晶膜的產生處理信號的情況下，向步驟S8前進，來自第1控制器16的控制信號，在為磊晶膜的成膜處理後的氫氣清除之處理信號的情況下向步驟S9前進。所謂的此氫氣清除信號已被輸入，係為閘閥114還是關閉著的狀態。在步驟S9中，第2控制器116，使得洗滌器115造成的排氣量成為第3排氣量以增加循環泵的循環水量。藉此，如圖3的時間t3~t4所示，藉由來自反應室111的排氣量增加，使得在反應室111內已發生的粒子等的塵埃不附著於晶圓WF，而能夠透過洗滌器115向反應室111外排出。
在步驟S8中，來自第1控制器16的控制信號，在不是磊晶膜的產生處理後之氫氣清除的處理信號的情況下，向步驟S10前進，來自第1控制器16的控制信號，為氫氣清除後的待機信號的情況下向步驟S11前進。此氫氣清除後的待機信號已被輸入，係指閘閥114還是關閉著的狀態。在步驟S11中，第2控制器116，使得洗滌器115造成的排氣量成為第1排氣量以使得循環泵的循環水量為中程度。藉此，如圖3的時間t4~t5所示，因為接近下一個晶圓WF的取出/投入的工程中所執行的第2排氣量，所以能夠減少時間t5時將閘閥114打開的瞬間的晶圓移載室12和反應室111的壓力差。再者，在步驟S11中，第2控制器116，使得洗滌器115造成的排氣量成為第2排氣量以使得循環泵的循環水量減少亦可。在步驟S11中，若使得洗滌器115造成的排氣量為第1排氣量，則具有取得從反應室111排出之塵埃的除去效果和時間t5時將閘閥114打開的瞬間之差壓減少的平衡之效果，相對於此，在步驟S11中，若使得洗滌器115造成的排氣量為第2排氣量，則從反應室111排出之塵埃的除去效果減少了，但在時間t5時將閘閥114打開的瞬間的差壓顯著變小，因此抑制粒子等的塵埃的發生(亦即，揚起)，而且，抑制其從晶圓移載室12流向反應室111並附著於晶圓WF的效果變得更大。
在步驟S10中，來自第1控制器16的控制信號，並非氫氣清除後的待機信號的情況下回到步驟S1，之後重複以上的程序。
如上述，在本實施形態的磊晶晶圓的製造裝置1中，著眼於洗滌器115,123具有的排氣功能，對應磊晶膜的產生工程而控制各洗滌器115,123的排氣量，藉此，控制反應室111本身的壓力及反應室111和晶圓移載室12的差壓，藉此抑制粒子等的塵埃附著於晶圓WF。實際製造如上述般控制的實施例之磊晶晶圓(N=1413枚)、以及使洗滌器115,123的排氣量為一定之情況下的比較例的磊晶晶圓(N=1389枚)，並用SP2的DCO(Darkfield Composite Oblique)模式於200nm以上評價磊晶缺陷，則發現比較例為0.132個/WF，而實施例為0.118個/WF。
1…磊晶晶圓的製造裝置
11…反應爐
111…反應室
112…晶座
113…氣體供給裝置
114…閘閥
115…洗滌器
116…第2控制器
12…晶圓移載室
121…晶圓處理機器人
122…機器人控制器
123…洗滌器
124…第3控制器
13…搬送室
14…工廠介面
15…卡匣
16…第1控制器
WF…晶圓
[圖1]表示本發明的實施形態之磊晶晶圓的製造裝置的方塊圖。
[圖2] 表示圖1的磊晶晶圓的製造裝置之第2控制器所執行的控制程序的流程圖。
[圖3] 表示圖1的磊晶晶圓的製造裝置之第1控制器及第2控制器所執行之控制內容的時序表。

Claims (5)

  1. 一種磊晶晶圓的製造裝置，其包括:
    使磊晶膜在晶圓成長的反應室；
    與前記反應室連通的晶圓移載室；
    設置於前記反應室和前記晶圓移載室的連通部以使得反應室和晶圓移載室之氣體流通開閉的閘閥；
    晶圓移載裝置，設置於前記晶圓移載室，將處理前的晶圓從前記晶圓移載室投入前記反應室，將處理後的晶圓從前記反應室取出至前記晶圓移載室；
    第1控制裝置，其執行將前記晶圓從前記晶圓移載室向前記反應室投入，在前記反應室中執行磊晶成膜處理之後，將前記晶圓從前記反應室取出到前記晶圓移載室的控制；
    第1排氣裝置，將前記晶圓移載室的氣體排氣；
    第2排氣裝置，將前記反應室的氣體排氣；
    第2控制裝置，控制前記第1排氣裝置及前記第2排氣裝置之排氣量；
    前記第2控制裝置，
    將前記第1排氣裝置的排氣量控制在既定的範圍，並且，
    輸入前記第1控制裝置之磊晶膜成長工程的控制信號，基於該控制信號控制前記第2排氣裝置的排氣量，
    其中，在前記反應室中正在執行磊晶成膜處理時，將其控制為第1排氣量，
    打開前記閘閥在前記反應室和前記晶圓移載室之間投入或取出前記晶圓時，將其控制為小於前記第1排氣量的第2排氣量，
    於前記反應室中結束磊晶成膜處理之後，直到前記反應室之氣體的清除(purge)處理結束為止，將其控制為大於前記第1排氣量的第3排氣量。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的磊晶晶圓的製造裝置，前記第2控制裝置，從於前記反應室中結束磊晶成膜處理，且前記反應室之氣體的清除處理已結束的時點，直到打開前記閘閥將前記晶圓取出到前記晶圓移載室的時點為止的期間，將前記第2排氣裝置的排氣量控制為前記第1排氣量或第2排氣量。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載的磊晶晶圓的製造裝置，將由前記第1排氣裝置所控制之排氣量的排氣壓作為基準時，
    前記第1排氣量的排氣壓為-0.4~-0.6kPa、
    前記第2排氣量的排氣壓為0~-0.3kPa、
    前記第3排氣量的排氣壓為-0.7kPa以上。
  4. 一種磊晶晶圓的製造方法，其係為使用具備使磊晶膜在晶圓成長的反應室、與前記反應室連通的晶圓移載室、設置於前記反應室和前記晶圓移載室的連通部以使得反應室和晶圓移載室之氣體流通開閉的閘閥、設置於前記晶圓移載室以將處理前的晶圓從前記晶圓移載室投入前記反應室並將處理後的晶圓從前記反應室取出至前記晶圓移載室的晶圓移載裝置之磊晶晶圓的製造裝置之磊晶晶圓的製造方法，在該方法中:
    將前記晶圓移載室的壓力控制在既定的範圍，並且，
    在前記反應室中正在執行磊晶成膜處理時，將前記反應室的壓力控制為第1壓力，
    打開前記閘閥在前記反應室和前記晶圓移載室之間投入或取出前記晶圓時，將前記反應室的壓力控制為高於前記第1壓力的第2壓力，
    於前記反應室中結束磊晶成膜處理之後，直到前記反應室之氣體的清除(purge)處理結束為止，將前記反應室的壓力控制為低於前記第1壓力的第3壓力。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載的磊晶晶圓的製造方法，從於前記反應室中結束磊晶成膜處理，且前記反應室的氣體之清除處理已結束的時點，直到打開前記閘閥將前記晶圓取出到前記晶圓移載室的時點為止的期間，將前記反應室的壓力控制為前記第1壓力或前記第2壓力。
TW107139442A 2017-12-28 2018-11-07 磊晶晶圓的製造裝置及製造方法 TWI674622B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017254019A JP6485536B1 (ja) 2017-12-28 2017-12-28 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
JP2017-254019 2017-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201931441A TW201931441A (zh) 2019-08-01
TWI674622B true TWI674622B (zh) 2019-10-11

Family

ID=65802277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107139442A TWI674622B (zh) 2017-12-28 2018-11-07 磊晶晶圓的製造裝置及製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11414780B2 (zh)
JP (1) JP6485536B1 (zh)
KR (1) KR102411407B1 (zh)
CN (1) CN111213223B (zh)
DE (1) DE112018006089T5 (zh)
TW (1) TWI674622B (zh)
WO (1) WO2019130826A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7192756B2 (ja) * 2019-12-19 2022-12-20 株式会社Sumco 気相成長装置及び気相成長方法
JP7279630B2 (ja) * 2019-12-26 2023-05-23 株式会社Sumco 気相成長装置
KR102525514B1 (ko) * 2021-01-28 2023-04-25 에스케이실트론 주식회사 반응성 미세입자의 발생을 억제하는 에피택셜 성장장치 및 에피택셜 성장방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04162709A (ja) * 1990-10-26 1992-06-08 Fujitsu Ltd 半導体製造装置および反応処理方法
JP2000306903A (ja) * 1999-04-16 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529263A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JP3268394B2 (ja) * 1992-03-11 2002-03-25 東京エレクトロン株式会社 処理方法
JPH1074817A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Kokusai Electric Co Ltd ウェハ処理方法
JPH10214828A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Nec Kansai Ltd 半導体製造装置
JP3037280B2 (ja) * 1998-09-24 2000-04-24 九州日本電気株式会社 半導体の製造方法及び製造装置
JP3676983B2 (ja) 2000-03-29 2005-07-27 株式会社日立国際電気 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
KR100647442B1 (ko) * 2000-06-07 2006-11-17 주성엔지니어링(주) 원자층 증착법을 이용한 박막 형성방법
JP2003163212A (ja) 2001-11-27 2003-06-06 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
TW200527513A (en) * 2003-11-20 2005-08-16 Hitachi Int Electric Inc Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP4748594B2 (ja) * 2006-05-16 2011-08-17 株式会社アルバック 真空処理装置および真空処理方法
JP5079902B1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-21 シャープ株式会社 反応室開放方法、及び気相成長装置
JP5928133B2 (ja) * 2012-04-27 2016-06-01 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP6055637B2 (ja) * 2012-09-20 2016-12-27 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP2015070097A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6380063B2 (ja) 2014-12-08 2018-08-29 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04162709A (ja) * 1990-10-26 1992-06-08 Fujitsu Ltd 半導体製造装置および反応処理方法
JP2000306903A (ja) * 1999-04-16 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019130826A1 (ja) 2019-07-04
US20210123159A1 (en) 2021-04-29
US11414780B2 (en) 2022-08-16
KR20200066679A (ko) 2020-06-10
JP6485536B1 (ja) 2019-03-20
DE112018006089T5 (de) 2020-09-10
KR102411407B1 (ko) 2022-06-22
JP2019121642A (ja) 2019-07-22
CN111213223B (zh) 2023-07-07
CN111213223A (zh) 2020-05-29
TW201931441A (zh) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5978301B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP5844900B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
TWI674622B (zh) 磊晶晶圓的製造裝置及製造方法
JP5899318B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP5844899B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP2005064305A (ja) 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
TWI618115B (zh) 基板處理裝置以及清洗腔室的方法
US8012885B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
CN113396469B (zh) 气相成长装置
JP7188256B2 (ja) 気相成長方法及び気相成長装置
JP2006032610A (ja) 成膜装置
US9966256B2 (en) Film forming method and film forming apparatus
JP7279630B2 (ja) 気相成長装置
JPH09199424A (ja) エピタキシャル成長方法
JP2006186015A (ja) 基板処理装置
TWI661472B (zh) 用於在低溫形成磊晶層之方法
US20230295837A1 (en) Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, recording medium, and substrate processing apparatus
JP4415005B2 (ja) 基板処理装置
US20220199397A1 (en) Vapor deposition method and vapor deposition device
JP2005057305A (ja) 被処理体の処理装置及び被処理体の処理方法
JP2005064538A (ja) 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2007088225A (ja) 半導体デバイスの製造方法
KR20120134049A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법