JPH1074817A - ウェハ処理方法 - Google Patents
ウェハ処理方法Info
- Publication number
- JPH1074817A JPH1074817A JP23038296A JP23038296A JPH1074817A JP H1074817 A JPH1074817 A JP H1074817A JP 23038296 A JP23038296 A JP 23038296A JP 23038296 A JP23038296 A JP 23038296A JP H1074817 A JPH1074817 A JP H1074817A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- reaction chamber
- gas
- transfer
- Prior art date
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 搬送室から反応室にウェハを搬送する際、反
応室内に流すパージガスの種類を変更することによって
反応室で製造されるエピタキシャルウェハの結晶性を改
善する。 【解決手段】 ウェハ搬送ロボット３を有する搬送室１
と、ウェハ５を成膜処理する反応室２とをゲートバルブ
７を介して気密に連結し、ウェハ搬送ロボット３により
搬送室１と反応室２間をゲートバルブ７を介してウェハ
搬送する。この際、搬送室にＮ2 ガスを流し、反応室２
にはＨ2 ガスを流すようにする。また、搬送室１の圧力
を反応室２の圧力より高くして、反応室２のＨ2 ガスが
搬送室１に流れ込まないようにする。
応室内に流すパージガスの種類を変更することによって
反応室で製造されるエピタキシャルウェハの結晶性を改
善する。 【解決手段】 ウェハ搬送ロボット３を有する搬送室１
と、ウェハ５を成膜処理する反応室２とをゲートバルブ
７を介して気密に連結し、ウェハ搬送ロボット３により
搬送室１と反応室２間をゲートバルブ７を介してウェハ
搬送する。この際、搬送室にＮ2 ガスを流し、反応室２
にはＨ2 ガスを流すようにする。また、搬送室１の圧力
を反応室２の圧力より高くして、反応室２のＨ2 ガスが
搬送室１に流れ込まないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハ処理方法に係
り、特に処理室にウェハを搬送する際に処理室に供給す
るパージガスに関するものである。
り、特に処理室にウェハを搬送する際に処理室に供給す
るパージガスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２はシリコンウェハ等に成膜処理して
エピタキシャルウェハを製造するための枚葉式半導体製
造装置である。この装置においては、搬送室１からウェ
ハ搬送ロボット３を使って反応室２にウェハ５を搬送
し、エピタキシャルウェハを製造する。従来、搬送室１
から反応室２にウェハ５を搬送する際、各室の空気をパ
ージするために、搬送室１及び反応室２をポンプ６で真
空引きしながら、搬送室１及び反応室２にＮ2 ガスを流
していた。
エピタキシャルウェハを製造するための枚葉式半導体製
造装置である。この装置においては、搬送室１からウェ
ハ搬送ロボット３を使って反応室２にウェハ５を搬送
し、エピタキシャルウェハを製造する。従来、搬送室１
から反応室２にウェハ５を搬送する際、各室の空気をパ
ージするために、搬送室１及び反応室２をポンプ６で真
空引きしながら、搬送室１及び反応室２にＮ2 ガスを流
していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の方法でＮ2 ガスを流した状態で反応室にウェハを搬送
すると、反応室でのエピタキシャルウェハの結晶性が悪
く、実験等の結果からＮ2 ガスがよくないことがわかっ
た。
の方法でＮ2 ガスを流した状態で反応室にウェハを搬送
すると、反応室でのエピタキシャルウェハの結晶性が悪
く、実験等の結果からＮ2 ガスがよくないことがわかっ
た。
【０００４】本発明の目的は、従来技術の問題点を解消
して、ウェハの成膜性を向上させることのできるウェハ
処理方法を提供することにある。
して、ウェハの成膜性を向上させることのできるウェハ
処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ウェハを処理する処理室にウェハを搬送する際、ま
たは処理室からウェハを搬送する際に、処理室にＨ2 ガ
スを流すようにしたウェハ処理方法である。ここで処理
室は、具体的には加熱、酸化、拡散処理、成膜処理等を
行うための室である。ウェハを搬送する際に、処理室に
Ｈ2 ガスを流すようにすると、ウェハの処理性が向上す
る。
は、ウェハを処理する処理室にウェハを搬送する際、ま
たは処理室からウェハを搬送する際に、処理室にＨ2 ガ
スを流すようにしたウェハ処理方法である。ここで処理
室は、具体的には加熱、酸化、拡散処理、成膜処理等を
行うための室である。ウェハを搬送する際に、処理室に
Ｈ2 ガスを流すようにすると、ウェハの処理性が向上す
る。
【０００６】請求項２に記載の発明は、ウェハ搬送ロボ
ットを有する搬送室とウェハを成膜処理する反応室とを
ゲートバルブを介して気密に連結し、ウェハ搬送ロボッ
トにより搬送室と反応室間をゲートバルブを介してウェ
ハ搬送する際に、搬送室にＮ2 ガスを流し、反応室には
Ｈ2 ガスを流すようにしたウェハ処理方法である。ウェ
ハ搬送時、搬送室にＮ2 ガスを流し、反応室にはＨ2 ガ
スを流すとウェハの成膜性が向上する。
ットを有する搬送室とウェハを成膜処理する反応室とを
ゲートバルブを介して気密に連結し、ウェハ搬送ロボッ
トにより搬送室と反応室間をゲートバルブを介してウェ
ハ搬送する際に、搬送室にＮ2 ガスを流し、反応室には
Ｈ2 ガスを流すようにしたウェハ処理方法である。ウェ
ハ搬送時、搬送室にＮ2 ガスを流し、反応室にはＨ2 ガ
スを流すとウェハの成膜性が向上する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。図１はウェハ処理方法を実施するための枚葉式半
導体製造装置である。
する。図１はウェハ処理方法を実施するための枚葉式半
導体製造装置である。
【０００８】同図に示すように、搬送室１にゲートバル
ブ７を介して反応室２が気密に連設される。反応室２は
処理室を構成し、ウェハ上にエピタキシャル膜を成長し
てエピタキシャルウェハを製造する。搬送室１、反応室
２は気密構造となっている。搬送室１には搬送アーム４
を備えたウェハ搬送ロボット３が設けられる。
ブ７を介して反応室２が気密に連設される。反応室２は
処理室を構成し、ウェハ上にエピタキシャル膜を成長し
てエピタキシャルウェハを製造する。搬送室１、反応室
２は気密構造となっている。搬送室１には搬送アーム４
を備えたウェハ搬送ロボット３が設けられる。
【０００９】ウェハ搬送ロボット３により、未処理ウェ
ハ５を保持した搬送アーム４をゲートバルブ７を介して
反応室２に搬入する。ウェハ５を反応室２に残して搬送
アーム４を抜き出し、ゲートバルブ７を閉じてエピタキ
シャルウェハを製造する。ウェハ５の成膜処理が完了す
ると、ウェハ搬送ロボット３により搬送アーム４をゲー
トバルブ７を介して反応室２に挿入し、処理済みのウェ
ハ５を保持し、反応室２からウェハ５を搬送室１に搬送
する。
ハ５を保持した搬送アーム４をゲートバルブ７を介して
反応室２に搬入する。ウェハ５を反応室２に残して搬送
アーム４を抜き出し、ゲートバルブ７を閉じてエピタキ
シャルウェハを製造する。ウェハ５の成膜処理が完了す
ると、ウェハ搬送ロボット３により搬送アーム４をゲー
トバルブ７を介して反応室２に挿入し、処理済みのウェ
ハ５を保持し、反応室２からウェハ５を搬送室１に搬送
する。
【００１０】ところで、搬送室１から反応室２にウェハ
５を搬送するとき、または反応室２から搬送室１にウェ
ハ５を搬送するとき、各室をパージするために、搬送室
１及び反応室２をポンプ６で真空引きしてガスを流す
が、搬送室１には従来通りＮ2ガスを流す。しかし、反
応室２にはＨ2 ガスを流すようにする。このとき、Ｈ2
ガスが反応室２から搬送室１に流れ込まないようにする
ために、その流量を調整する。具体的には、搬送室１の
Ｎ2 流量を増すことで、結果的に搬送室１の室圧を高く
し、反応室２にＮ2 ガスが流入することはあっても、搬
送室１にはＨ2 ガスが流入しないようにしている。
５を搬送するとき、または反応室２から搬送室１にウェ
ハ５を搬送するとき、各室をパージするために、搬送室
１及び反応室２をポンプ６で真空引きしてガスを流す
が、搬送室１には従来通りＮ2ガスを流す。しかし、反
応室２にはＨ2 ガスを流すようにする。このとき、Ｈ2
ガスが反応室２から搬送室１に流れ込まないようにする
ために、その流量を調整する。具体的には、搬送室１の
Ｎ2 流量を増すことで、結果的に搬送室１の室圧を高く
し、反応室２にＮ2 ガスが流入することはあっても、搬
送室１にはＨ2 ガスが流入しないようにしている。
【００１１】このように搬送室１と反応室２間をウェハ
搬送する際、反応室２にＨ2 ガスを流すと、Ｎ2 ガスを
流す場合に比して、エピタキシャル膜の結晶性が良くな
ることがわかった。理由はわからないが、再現性がある
こともわかった。
搬送する際、反応室２にＨ2 ガスを流すと、Ｎ2 ガスを
流す場合に比して、エピタキシャル膜の結晶性が良くな
ることがわかった。理由はわからないが、再現性がある
こともわかった。
【００１２】なお、本発明は枚葉式の半導体製造装置に
限定されず、複数枚のウェハを同時に処理できるバッチ
式にも適用できる。また、処理室は反応室の他に、加熱
室、酸化室、拡散室等である場合にもに適用できる。
限定されず、複数枚のウェハを同時に処理できるバッチ
式にも適用できる。また、処理室は反応室の他に、加熱
室、酸化室、拡散室等である場合にもに適用できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハ搬送時の処理室
に流すパージガスをＨ2 ガスとしたのでウェハの処理性
が向上する。
に流すパージガスをＨ2 ガスとしたのでウェハの処理性
が向上する。
【図１】本実施の形態のウェハ処理方法を実施するため
の半導体製造装置の概略断面図である。
の半導体製造装置の概略断面図である。
【図２】従来例のウェハ処理方法を実施するための半導
体製造装置の概略断面図である。
体製造装置の概略断面図である。
【符号の説明】 １ 搬送室 ２ 反応室 ３ ウェハ搬送ロボット ５ ウェハ ７ ゲートバルブ
Claims (2)
- 【請求項１】ウェハを処理する処理室にウェハを搬送す
る際、または処理室からウェハを搬送する際に、処理室
にＨ2 ガスを流すようにしたウェハ処理方法。 - 【請求項２】ウェハ搬送ロボットを有する搬送室とウェ
ハを成膜処理する反応室とをゲートバルブを介して気密
に連結し、ウェハ搬送ロボットにより搬送室と反応室間
をゲートバルブを介してウェハ搬送する際に、搬送室に
Ｎ2 ガスを流し、反応室にはＨ2 ガスを流すようにした
ウェハ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23038296A JPH1074817A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | ウェハ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23038296A JPH1074817A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | ウェハ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074817A true JPH1074817A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16907000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23038296A Pending JPH1074817A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | ウェハ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232455A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP6485536B1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-03-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23038296A patent/JPH1074817A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232455A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP6485536B1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-03-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
| WO2019130826A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
| JP2019121642A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
| US11414780B2 (en) | 2017-12-28 | 2022-08-16 | Sumco Corporation | Apparatus and method for manufacturing epitaxial wafer |
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