JPH01293665A - Ｍｏｓ型トランジスタにおけるゲート酸化膜の形成方法 - Google Patents
Ｍｏｓ型トランジスタにおけるゲート酸化膜の形成方法Info
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- JPH01293665A JPH01293665A JP12550888A JP12550888A JPH01293665A JP H01293665 A JPH01293665 A JP H01293665A JP 12550888 A JP12550888 A JP 12550888A JP 12550888 A JP12550888 A JP 12550888A JP H01293665 A JPH01293665 A JP H01293665A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、メモリー素子あるいはスイッチング素子とし
て電子機器の分野で広範に利用されるＭＯＳ型トランジ
スタのゲート酸化膜の形成方法に関する。
て電子機器の分野で広範に利用されるＭＯＳ型トランジ
スタのゲート酸化膜の形成方法に関する。
本発明は、熱酸化法を用いてゲート酸化膜を設けるに際
して、＆−＆Ｏｚ界面の状態を良好に保ち、同時に＆へ
膜内体の膜質を向上させるために、まず高抵抗のエピタ
キシャル成長層を設け、引きつづき清浄な雰囲気におい
て前記エピタキシャル成長層がほぼ完全に熱酸化される
ような条件で酸化を生ぜしめることにより、電気的に優
れた性質を有するゲート酸化膜の形成方法を提供するも
のである。
して、＆−＆Ｏｚ界面の状態を良好に保ち、同時に＆へ
膜内体の膜質を向上させるために、まず高抵抗のエピタ
キシャル成長層を設け、引きつづき清浄な雰囲気におい
て前記エピタキシャル成長層がほぼ完全に熱酸化される
ような条件で酸化を生ぜしめることにより、電気的に優
れた性質を有するゲート酸化膜の形成方法を提供するも
のである。
従来からＭＯＳ型トランジスタのゲート酸化膜形成には
熱酸化法が用いられており、第２図（ａ）〜（Ｃ）にそ
の工程順断面図を示す。第２図（ａ）において基板１の
表面にパッド酸化ｌＩ２及び窒化膜３を形成後、窒化膜
３をパターニングし、第２図（ｂ）においてフィールド
酸化ＷＡ４を形成し、第２図（Ｃ）において窒化Ｗ！Ａ
３を完全に除去した状態で、第２図（ｄ）に示すように
基板１の表面を直接熱酸化することによりゲート酸化ｇ
１５を形成していた。
熱酸化法が用いられており、第２図（ａ）〜（Ｃ）にそ
の工程順断面図を示す。第２図（ａ）において基板１の
表面にパッド酸化ｌＩ２及び窒化膜３を形成後、窒化膜
３をパターニングし、第２図（ｂ）においてフィールド
酸化ＷＡ４を形成し、第２図（Ｃ）において窒化Ｗ！Ａ
３を完全に除去した状態で、第２図（ｄ）に示すように
基板１の表面を直接熱酸化することによりゲート酸化ｇ
１５を形成していた。
１０００℃以上で形成された熱酸化膜は優れた絶縁層で
あるが、ＭＯＳブ［１セスを低温化するうえで熱酸化工
程のＩｆｔを下げることが重要となる。
あるが、ＭＯＳブ［１セスを低温化するうえで熱酸化工
程のＩｆｔを下げることが重要となる。
更に近年、デバイスの微細化に伴ない、極めて薄い（１
００Å以下）良質の酸化膜が必要となってきている。そ
の場合、キャリアのトラップセンターとなる界面及び酸
化膜中の不純物をいかに少なくするか、あるいは膜のピ
ンホールをいかにしてなくすか、という課題があった。
００Å以下）良質の酸化膜が必要となってきている。そ
の場合、キャリアのトラップセンターとなる界面及び酸
化膜中の不純物をいかに少なくするか、あるいは膜のピ
ンホールをいかにしてなくすか、という課題があった。
従来は、第２図（ｂ）において素子分離のためのフィー
ルド酸化１１４を形成し、更にシリコン窒化膜３を除去
した後に第２図（Ｃ）において化学的な洗浄を行なって
いる。ところが、この化学的洗浄の際に形成された保護
酸化膜中にはＨａ＋などの可動イオンが取り込まれてい
る。そこで本発明では、１×１０ パスカル以下の真空
中においてまずこの保護酸化膜を除去し、シリコン原子
の清浄面を出す。次に基板表面にシリコン化合物ガスと
水素ガスを導入し、のちに形成するゲート酸化膜の膜厚
と同程度以下の膜厚を有する高抵抗のエピタキシャル成
長層を設ける。このあとで前記エピタキシャル成長層の
表面を大気にさらすことなく、引き続き水素と酸素を前
記基板の表面に供給し先に形成したエピタキシャル成長
層をほぼすべて熱酸化する。こうして形成されたゲート
酸化膜は、界面状態及び膜質が極めて優れたものとなる
。
ルド酸化１１４を形成し、更にシリコン窒化膜３を除去
した後に第２図（Ｃ）において化学的な洗浄を行なって
いる。ところが、この化学的洗浄の際に形成された保護
酸化膜中にはＨａ＋などの可動イオンが取り込まれてい
る。そこで本発明では、１×１０ パスカル以下の真空
中においてまずこの保護酸化膜を除去し、シリコン原子
の清浄面を出す。次に基板表面にシリコン化合物ガスと
水素ガスを導入し、のちに形成するゲート酸化膜の膜厚
と同程度以下の膜厚を有する高抵抗のエピタキシャル成
長層を設ける。このあとで前記エピタキシャル成長層の
表面を大気にさらすことなく、引き続き水素と酸素を前
記基板の表面に供給し先に形成したエピタキシャル成長
層をほぼすべて熱酸化する。こうして形成されたゲート
酸化膜は、界面状態及び膜質が極めて優れたものとなる
。
３ｔＯ２１１形成の前に化学的洗浄の工程がなく、かつ
エピタキシャル成長層の表面を大気にさらすことがない
ため、有機物やナトリウムなどによる汚染がない。
エピタキシャル成長層の表面を大気にさらすことがない
ため、有機物やナトリウムなどによる汚染がない。
（実施例）
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。第１
図（ａ）〜（ｅ）は本発明をＭＯＳ型トランジスタに応
用した場合の製造工程順断面図である。
図（ａ）〜（ｅ）は本発明をＭＯＳ型トランジスタに応
用した場合の製造工程順断面図である。
第１図（ａ）の基板１はシリコン（１００）であり、素
子分離のためのしＯＣＯＳ （Ｌｏｃａｌ ０ｘｉｄａ
ｔｉｏｎｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ）の工程が第１図（ｂ）
であり、第１図（Ｃ）は窒化１１２の完全除去及びフィ
ールド酸化膜３の表面エツチングを行なった後の状態を
示す。
子分離のためのしＯＣＯＳ （Ｌｏｃａｌ ０ｘｉｄａ
ｔｉｏｎｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ）の工程が第１図（ｂ）
であり、第１図（Ｃ）は窒化１１２の完全除去及びフィ
ールド酸化膜３の表面エツチングを行なった後の状態を
示す。
ここで化学的な洗浄を行なったのちに真空槽内でのエピ
タキシャル成長及び酸化膜形成の工程に移る。なお化学
的洗浄の最終段階では、 ＨＣＪ、 ｌ−１２０２゜８
２０の混合液を用いて基板表面に１０人前後の厚さを有
する保護酸化膜が形成されている。このような処理が施
された基板は、第３図に示すような構成からなる装置の
予備室８にセットされる。予備室８の真空排気を行ない
予備室８の真空度が１ｘｉｏ＝パスカル以下になった後
、基板はガスを導入しない時のバックグランド圧力が１
×１０″パスカル以下であるような成長層９内に搬送さ
れる。ここで、まず第１図（ｄ）に示すように、所望の
ゲート酸化膜の膜厚と同程度かそれ以下の膜厚を有する
エピタキシャル成長１ＩＩ４を形成する第１の工程につ
いて説明し、次に第１図（ｅ）に示すゲート酸化膜５を
形成する第２の工程を説明する。
タキシャル成長及び酸化膜形成の工程に移る。なお化学
的洗浄の最終段階では、 ＨＣＪ、 ｌ−１２０２゜８
２０の混合液を用いて基板表面に１０人前後の厚さを有
する保護酸化膜が形成されている。このような処理が施
された基板は、第３図に示すような構成からなる装置の
予備室８にセットされる。予備室８の真空排気を行ない
予備室８の真空度が１ｘｉｏ＝パスカル以下になった後
、基板はガスを導入しない時のバックグランド圧力が１
×１０″パスカル以下であるような成長層９内に搬送さ
れる。ここで、まず第１図（ｄ）に示すように、所望の
ゲート酸化膜の膜厚と同程度かそれ以下の膜厚を有する
エピタキシャル成長１ＩＩ４を形成する第１の工程につ
いて説明し、次に第１図（ｅ）に示すゲート酸化膜５を
形成する第２の工程を説明する。
第１図（Ｃ）に示す状態で前述の化学的洗浄工程を経た
基板表面にはＨａイオン等をも取り込んでいる可能性の
ある非常に薄い保ｍｌ化膜が形成されている。ガスを導
入しないときのバックグランドが１×１０ パスカル以
下の状態で基板を約８００〜８５０℃に加熱し、水素ガ
スを、例えば成長室９内部の圧力が１×１０−２パスカ
ルとなるような流１量で一定時＠導入することにより、
前記保護酸化膜を完全に除去する。次にシリコンの原料
ガス、例えば３１ Ｈａ、と水素ガスを、前述の保１１
化膜を除去した工程における基板の温度を維持した状態
で基板上に供給し、エピタキシャル成長を行なう。
基板表面にはＨａイオン等をも取り込んでいる可能性の
ある非常に薄い保ｍｌ化膜が形成されている。ガスを導
入しないときのバックグランドが１×１０ パスカル以
下の状態で基板を約８００〜８５０℃に加熱し、水素ガ
スを、例えば成長室９内部の圧力が１×１０−２パスカ
ルとなるような流１量で一定時＠導入することにより、
前記保護酸化膜を完全に除去する。次にシリコンの原料
ガス、例えば３１ Ｈａ、と水素ガスを、前述の保１１
化膜を除去した工程における基板の温度を維持した状態
で基板上に供給し、エピタキシャル成長を行なう。
この場合、形成するエピタキシャル成長層の膜厚が１０
０Å以下であるような極めて薄い場合には、ジク【１ル
シラン（ｓｉＨ２α２）と水素を交互に導入する分子層
エピタキシャル成長法（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒＬａｙｅｒ
Ｅｐｉｔａｘｙ ： Ｍ Ｉ−Ｅ ）を用いると、単
原子層の膜厚精度で第１図（ｄ）に示すエピタキシャル
成長層を形成することができる。（分子層エピタキシャ
ル成長法については、例えば、新技術開発事業団、西澤
完全結晶プ［１ジエクト研究概要集（’８６．１２）に
詳細な説明がある。）次に、前記エピタキシャル成長層
のみをほぼ完全に酸化する第１図（ｅ）に示す第２の工
程について説明する。前記第１の工程が完了後、基板は
第３図に示す成長室９から酸化室１０に搬送される。こ
のとき成長室９及び酸化室１０はともにガスを導入しな
いときのバックグランド圧力が１×１０″パスカル以下
となりている。酸化の過程は、基板温度を８００〜１０
００℃の範囲で一定に保ち、基板上に水素ガスと酸素ガ
スを同時に導入することによ、り進行する。第４図には
本発明の実施にあたって用いた酸化の条件の一例を示す
。第４図においては、水素ガスと酸素ガスの分圧の和を
パラメータとして横軸に基板温度、縦軸に酸化速度をと
っている。
０Å以下であるような極めて薄い場合には、ジク【１ル
シラン（ｓｉＨ２α２）と水素を交互に導入する分子層
エピタキシャル成長法（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒＬａｙｅｒ
Ｅｐｉｔａｘｙ ： Ｍ Ｉ−Ｅ ）を用いると、単
原子層の膜厚精度で第１図（ｄ）に示すエピタキシャル
成長層を形成することができる。（分子層エピタキシャ
ル成長法については、例えば、新技術開発事業団、西澤
完全結晶プ［１ジエクト研究概要集（’８６．１２）に
詳細な説明がある。）次に、前記エピタキシャル成長層
のみをほぼ完全に酸化する第１図（ｅ）に示す第２の工
程について説明する。前記第１の工程が完了後、基板は
第３図に示す成長室９から酸化室１０に搬送される。こ
のとき成長室９及び酸化室１０はともにガスを導入しな
いときのバックグランド圧力が１×１０″パスカル以下
となりている。酸化の過程は、基板温度を８００〜１０
００℃の範囲で一定に保ち、基板上に水素ガスと酸素ガ
スを同時に導入することによ、り進行する。第４図には
本発明の実施にあたって用いた酸化の条件の一例を示す
。第４図においては、水素ガスと酸素ガスの分圧の和を
パラメータとして横軸に基板温度、縦軸に酸化速度をと
っている。
更に第５図に示すのは、厚さ１００人のゲート酸化膜の
Ｉ−Ｖ特性図であり、第５図において実線は本発明によ
り形成されたゲート酸化膜、破線は従来の方法により形
成されたゲート酸化膜をそれぞれ示している。
Ｉ−Ｖ特性図であり、第５図において実線は本発明によ
り形成されたゲート酸化膜、破線は従来の方法により形
成されたゲート酸化膜をそれぞれ示している。
以上のような工程により形成された酸化膜は、洗浄時の
有機物やナトリウムあるいは炭素による汚染の影響が殆
んどなく、更に酸化される下地のシリコンは基板表面を
原子レベルで清浄化した後に８５０℃以下の低湿で形成
されオートドーピングの極めて少ない良質のエピタキシ
ャルシリコンであるために、第５図に示すようにシリコ
ンと酸化膜との界面及び酸化膜質が従来のものに比べ優
れたものとなる。
有機物やナトリウムあるいは炭素による汚染の影響が殆
んどなく、更に酸化される下地のシリコンは基板表面を
原子レベルで清浄化した後に８５０℃以下の低湿で形成
されオートドーピングの極めて少ない良質のエピタキシ
ャルシリコンであるために、第５図に示すようにシリコ
ンと酸化膜との界面及び酸化膜質が従来のものに比べ優
れたものとなる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施例であるＭＯＳ
型トランジスタのゲート酸化膜の形成方法を示す製造工
程順断面図である。 第２図（ａ）〜（ｄ）は、ＭＯＳ型トランジスタのゲー
ト酸化膜を形成するに際し、従来用いてきた製造方法を
示す工程順断面図である。 第３図は、本発明の実施に際して用いる装置の構成を示
す概略図である。 第４図は、本発明の実施において酸化膜を形成する工程
で用いるところの、酸素と水素の混合ガス圧力をパラメ
ータとした場合の酸化速度の基板温度依存特性図である
。 第５図は、厚さ１００人のゲート酸化膜の１−■特性図
である。 １・・・基板、 ２・・・シリコン窒化膜、 ３・・・フィールド酸化膜、 ４・・・エピタキシャル成長層、 ５・・・ゲート酸化膜、 ６・・・多結晶シリコン。 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 歇化隈形広工程順断面図 第１図 第 ２ 図 第 ３ 図 第４図 ケ゛−ト鉄化牒のｒ−ｖ肴・Ｉ生同 第 ５ 図
型トランジスタのゲート酸化膜の形成方法を示す製造工
程順断面図である。 第２図（ａ）〜（ｄ）は、ＭＯＳ型トランジスタのゲー
ト酸化膜を形成するに際し、従来用いてきた製造方法を
示す工程順断面図である。 第３図は、本発明の実施に際して用いる装置の構成を示
す概略図である。 第４図は、本発明の実施において酸化膜を形成する工程
で用いるところの、酸素と水素の混合ガス圧力をパラメ
ータとした場合の酸化速度の基板温度依存特性図である
。 第５図は、厚さ１００人のゲート酸化膜の１−■特性図
である。 １・・・基板、 ２・・・シリコン窒化膜、 ３・・・フィールド酸化膜、 ４・・・エピタキシャル成長層、 ５・・・ゲート酸化膜、 ６・・・多結晶シリコン。 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 歇化隈形広工程順断面図 第１図 第 ２ 図 第 ３ 図 第４図 ケ゛−ト鉄化牒のｒ−ｖ肴・Ｉ生同 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガスを導入しないときのバックグランド圧力が１×１
０＾−＾４パスカル以下にある第１の真空槽において、 基板温度８５０℃以下で所望のげち酸化膜の膜厚と同程
度以下の膜厚を有する高抵抗エピタキシャル成長層を形
成する第１の工程と、 前記エピタキシャル成長層の形成に際して用いた第１の
真空槽内で、あるいは前記第１の真空槽と同程度以下の
バックグランド圧力にある第２の真空槽に基板を移し、 前記第１の工程にひきつづき基板温度１０００℃以下で
水素と酸素を一定の操作条件のもとで前記基板上に供給
することにより前記エピタキシャル成長層を酸化しゲー
ト酸化膜を形成する第２の工程と、からなるＭＯＳ型ト
ランジスタにおけるゲート酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12550888A JPH01293665A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | Ｍｏｓ型トランジスタにおけるゲート酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12550888A JPH01293665A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | Ｍｏｓ型トランジスタにおけるゲート酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293665A true JPH01293665A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14911864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12550888A Pending JPH01293665A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | Ｍｏｓ型トランジスタにおけるゲート酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105055B2 (en) | 1998-01-09 | 2006-09-12 | Asm America, Inc. | In situ growth of oxide and silicon layers |
| US7232728B1 (en) | 1996-01-30 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | High quality oxide on an epitaxial layer |
| JP2010268014A (ja) * | 1997-07-11 | 2010-11-25 | Applied Materials Inc | 酸化物形成方法 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP12550888A patent/JPH01293665A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7232728B1 (en) | 1996-01-30 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | High quality oxide on an epitaxial layer |
| JP2010268014A (ja) * | 1997-07-11 | 2010-11-25 | Applied Materials Inc | 酸化物形成方法 |
| JP2014209640A (ja) * | 1997-07-11 | 2014-11-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 酸化物形成方法 |
| US7105055B2 (en) | 1998-01-09 | 2006-09-12 | Asm America, Inc. | In situ growth of oxide and silicon layers |
| US7112538B2 (en) | 1998-01-09 | 2006-09-26 | Asm America, Inc. | In situ growth of oxide and silicon layers |
| US8317921B2 (en) | 1998-01-09 | 2012-11-27 | Asm America, Inc. | In situ growth of oxide and silicon layers |
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