JP2000021876A - 半導体装置の製造方法と製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法と製造装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄い酸化窒化膜を量産性良く製造することの
できる半導体装置の製造方法または製造装置を提供す
る。 【解決手段】 （ａ）第１と第２のガス導入口を備えた
反応チャンバ内にシリコンウエハを搬送する工程と、
（ｂ）第１のガス導入口から酸化性雰囲気を導入し、シ
リコンウエハを酸化温度まで昇温する工程と、（ｃ）第
１のガス導入口からウエット酸化性雰囲気を導入し、シ
リコンウエハ表面に熱酸化膜を形成する工程と、（ｄ）
反応チャンバ内を不活性ガスでパージし、残留水分を約
１０００ｐｐｍ以下にする工程と、（ｅ）７００℃以上
かつ酸化温度より高いアニール温度を維持しつつ、第２
のガス導入口からチャンバ内にＮＯまたはＮ2 Ｏを含む
雰囲気を導入し、熱酸化膜中に窒素を導入し、酸化窒化
膜に変換する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造技
術に関し、特に薄い酸化窒化膜をシリコンウエハ表面に
形成することのできる半導体装置の製造方法および製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＭＯＳ半導体装置において、より集積
度を高く、かつより動作速度を速くする要求が強い。こ
のためには、ＣＭＯＳ装置の構成要素であるトランジス
タを更に微細化すると共に、駆動能力を高めることが要
求される。ｐチャネルＭＯＳトランジスタでは、表面チ
ャネル型になるようにボロンドープのゲート電極を用
い、かつゲート絶縁膜を薄膜化することが要請される。
【０００３】ゲード絶縁膜を薄膜化すると、ゲート電極
にドープしたボロンが、ゲート絶縁膜を突き抜けて基板
のチャネル領域に到達する現象が生じやすい。チャネル
領域にボロンが拡散するとトランジスタ特性が変化して
しまう。この現象を防止するためには、ゲート絶縁膜を
酸化窒化膜で形成することが有効であると知られてい
る。
【０００４】高集積度の半導体装置を製作するために、
ＬＯＣＯＳ分離に代え、シャロートレンチ分離（ＳＴ
Ｉ）を採用することが提案されている。シャロートレン
チ分離を用いると、半導体素子の作成に先立ち、ウエハ
表面に浅い溝（トレンチ）を形成し、トレンチ内を絶縁
物で埋める工程が行なわれる。結果として、分離領域に
囲まれた活性領域は、凸状の断面構造を有するようにな
る。
【０００５】ところが、凸状の表面上に熱酸化膜を形成
しようとすると、凸部に応力が働き、絶縁膜が成長しに
くくなるシンニング（ＴＨＩＮＮＩＮＧ）現象が生じ
る。シンニング現象が生じると、活性領域に形成される
ゲート絶縁膜の膜厚を安定に一定の値に保つことが困難
になる。シンニングの防止のためには、ウエット酸化を
行なうことが有効であると知られている。
【０００６】ウエット酸化は、ドライ酸化と比べ酸化速
度が速く、より低温で酸化膜を形成できる利点も有す
る。ウエット酸化を採用し、酸化窒化膜を形成するため
には、先ずベース酸化を行い、薄い酸化膜を形成した
後、この酸化膜に窒素を導入する処理が行なわれる。
【０００７】例えば、縦型バッチ拡散炉を用いて多数枚
のウエハに同時にウエット酸化膜を形成し、その後枚葉
式アニール装置を用い、１枚毎のウエハの酸化膜に窒素
を導入する処理を行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
高駆動能力の微細ｐチャネルＭＯＳトランジスタを製作
するためには、ゲート絶縁膜として酸化窒化膜を用いる
ことが有効である。しかしながら、薄い酸化窒化膜によ
りゲート絶縁膜を形成しようとすると、製造プロセスが
複雑化し、スループットが低下し量産には不適当とな
る。
【０００９】酸化膜中に窒素を導入するためには、窒素
含有ガスとしてＮＯやＮ2 Ｏを用いることが望まれる。
しかしながら、現在入手可能な装置において、このよう
なガスを用い得るものは知られていない。
【００１０】本発明の目的は、薄い酸化窒化膜を量産性
良く製造することのできる半導体装置の製造方法または
製造装置を提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、窒素導入のためにＮ
ＯまたはＮ2 Ｏを用いることのできる半導体装置の製造
方法または製造装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、（ａ）少なくとも第１と第２のガス導入口を備えた
反応チャンバ内にシリコンウエハを搬送し、Ｏリングを
用いて反応チャンバをシールする工程と、（ｂ）前記工
程（ａ）の後、前記第１のガス導入口から酸化性雰囲気
を導入して前記反応チャンバ内を酸化性雰囲気に保ちつ
つ、前記シリコンウエハを酸化温度まで昇温する工程
と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記酸化温度を保ちつ
つ、前記反応チャンバ内に前記第１のガス導入口からウ
エット酸化性雰囲気を導入し、前記シリコンウエハ表面
に熱酸化膜を形成する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の
後、前記反応チャンバ内を不活性ガスでパージし、残留
水分を約１０００ｐｐｍ以下にする工程と、（ｅ）前記
工程（ｄ）の後、前記シリコンウエハを７００℃以上か
つ前記酸化温度より高いアニール温度を維持しつつ、前
記第２のガス導入口からチャンバ内にＮＯまたはＮ2 Ｏ
を含む雰囲気を導入し、前記熱酸化膜中に窒素を導入
し、酸化窒化膜に変換する工程とを含む半導体装置の製
造方法が提供される。
【００１３】本発明の他の観点によれば、反応チャンバ
と、反応チャンバの内部空間に連通した第１のガス導入
路と、前記第１のガス導入路とは別の位置で反応チャン
バの内部間に連通した第２のガス導入路と、前記第１お
よび第２のガス導入路の各々に設けられたガス流逆止弁
とを有する半導体装置の製造装置が提供される。
【００１４】量産性良く、薄い酸化窒化膜を作成しよう
とすると、同一チャンバ内でウエット酸化と窒素導入を
行なうことが望まれる。しかしながら、同一チャンバ内
でウエット酸化と窒素導入を行なおうとすると、水分お
よびＯ2 と窒素を含むガスとが混合する可能性が生じ
る。
【００１５】窒素を含むガスとしてＮＯやＮ2 Ｏを用い
ると、ガス混合により硝酸が発生する可能性が高まる。
チャンバ内に硝酸が発生し、逆流してガス配管中に拡散
すると、ガス配管の金属部分が腐食する可能性がある。
【００１６】ウエット酸化性雰囲気と窒素導入用雰囲気
とが混合しないように、プロセスを分離し、中間におい
て不活性ガスで十分パージをすることにより、ガスの混
合を防止し、良質の酸化窒化膜を形成することが可能と
なる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明者等は、同一チャンバ内で
ウエット酸化を行い、その後ＮＯまたはＮ2Ｏを用いて
ウエット酸化膜中に窒素を導入することを提案する。以
下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
【００１８】図１は、本発明の実施例による半導体装置
の製造装置を示す。本装置は気密な構成を有するが、常
圧で酸化、窒素導入を行なうことを主な機能とする。反
応チャンバ１は、２重石英管構造を有し、その外管１ａ
は真空排気可能な空間を画定する。外管１ａ内に配置さ
れた内管１ｂは、上部にガス流通可能な部分を有する半
開放構造を有する。
【００１９】内管１ｂ内の空間は、その下部において排
気口１１に接続されている。外管１ａと内管１ｂとの間
の中間の空間には、ＮＯやＮ2 Ｏを導入するための窒素
含有ガス導入用配管２およびウエット酸化性雰囲気を導
入するためのウエット酸化性雰囲気導入用配管３が交互
に、かつ内管１ｂ外周上を螺旋状に取り巻くように配置
されている。
【００２０】窒素含有ガス導入用配管２は、外管１ａに
気密に接続された窒素含有ガス導入口６に接続されてい
る。ウエット酸化性雰囲気導入用配管３は、外管１ａに
気密に接続されたウエット酸化性雰囲気導入口７に接続
されている。ウエット酸化性雰囲気導入口７は、酸水素
炎により水分を形成する外部燃焼管８に接続されてい
る。外部燃焼管８には、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｎ2 を供給するこ
とのできる配管９が接続されている。
【００２１】２重管構成の反応チャンバ１の外側には、
ヒータＨ１、Ｈ２が配置されている。ヒータＨ１は、反
応チャンバ１の側壁外側を囲み、ヒータＨ２は、反応チ
ャンバ１の上壁上部に配置されている。
【００２２】なお、２重管構成の代わりに単管を用いる
こともできる。この場合、２種類のガス導入用配管は、
単管の反応チャンバの外側に図２と同様交互に螺旋状に
配置し、反応チャンバ頂部で反応チャンバ内に導入して
もよく、反応チャンバ内で下方より上方に延在させても
よい。
【００２３】反応チャンバ１の下面は、Ｏリング１５を
介して石英製キャップ１０と結合する。石英製キャップ
１０は、その上にウエハキャリアを収納することがで
き、反応チャンバ１と結合／分離可能な構成を有する。
石英製キャップ１０に結合されたウエハキャリア１７の
上には、複数枚（たとえば１００枚）のシリコンウエハ
Ｗが同時に載置される。
【００２４】なお、反応チャンバ１内をパージするため
に、所望数のＮ2 配管１８、１９が所望箇所に設けられ
る。これらのＮ2 配管１８、１９は、配管２、３から導
入され、排気口１１へ排気される活性ガスが反応チャン
バ内に残留しないように適当な位置に配置される。
【００２５】ガス導入口９、６に所望のガスを供給する
ために、図中下部に示すようなガス配管が設けられる。
【００２６】外部燃焼管８に接続する配管９は、図中下
方に示すように、分岐してバルブＶ１、Ｖ２に接続され
る。バルブＶ１は、バルブＶ４、マスフローコントロー
ラＭＦＣ１、バルブＶ１４を介してＯ2 源Ｂ１に接続さ
れると共に、ガス流逆止弁ＣＶ１、バルブＶ５、マスフ
ローコントローラＭＦＣ２、バルブＶ１５を介してＮ 2
源Ｂ２に接続される。
【００２７】バルブＶ２は、バルブＶ７、マスフローコ
ントローラＭＦＣ４、バルブＶ１６を介してＨ2 源Ｂ２
に接続されると共に、ガス流逆止弁ＣＶ２、バルブＶ
６、マスフローコントローラＭＦＣ３、バルブＶ１５を
介してＮ2 源Ｂ３に接続される。
【００２８】このようなガス配管により、配管９にはＨ
2 、Ｏ2 、Ｎ2 の任意の混合ガスを供給することができ
る。Ｈ2 源Ｂ３からＨ2 を供給し、Ｏ2 源Ｂ１からＯ2
を供給し、外部燃焼管８で酸水素塩を形成することによ
り、パイロ酸化を行なうための雰囲気を作成することが
できる。必要に応じてＮ2 で希釈することもできる。
【００２９】また、パイロ酸化を行なう期間外において
は、Ｈ2 配管およびＯ2 配管をバルブＶ７、Ｖ４を閉じ
ることによって閉鎖し、Ｎ2 源Ｂ２からＮ2 を流すこと
ができる。この流路には、ガス流逆止弁ＣＶ１、ＣＶ２
が接続されており、反応チャンバ１内からのガスの逆流
を防止することができる。
【００３０】窒素含有ガス導入用配管６は、図中下方に
示すようにバルブＶ３、ガス流逆止弁ＣＶ３に接続され
ている。 ガス流逆止弁ＣＶ３は、バルブＶ９、マスフ
ローコントローラＭＦＣ６、バルブＶ１２を介してＮＯ
源Ｂ４に接続されると共に、ガス流逆止弁ＣＶ４、バル
ブＶ８、マスフローコントローラＭＦＣ５、バルブＶ１
５を介してＮ2 源Ｂ２に接続されている。ＮＯの代わり
にＮ2 Ｏをガス源Ｂ４とすることもできる。
【００３１】さらに、Ｎ2 源Ｂ２は、バルブＶ１５、フ
ローメータＦＭ、バルブＶ１３、ガス流逆止弁ＣＶ５、
バルブＶ１１を介してマスフローコントローラＭＦＣ６
にも接続されている。
【００３２】マスフローコントローラＭＦＣ６の出口
は、バルブＶ９に接続されていると共に、バルブＶ１０
を介して外部に導出されている。バルブＶ９とＶ１０と
は連動し、一方が閉じた時に他方が開放する構成であ
る。バルブＶ１１とＶ１２も連動して制御される。
【００３３】反応チャンバ１にＮＯを供給しない時に
は、Ｎ2 源Ｂ２からＮ2 を流す。この流路には、ガス流
逆止弁ＣＶ４、ＣＶ５、ＣＶ３が設けられており、反応
チャンバ１内の雰囲気が逆流することを防止している。
このような構成により、配管６にＮ2 希釈のＮＯまたは
Ｎ2 を供給する。
【００３４】なお、図示のガス源の他、任意のガス源お
よびそれらの配管をさらに接続することもできる。たと
えば、塩酸酸化を行なうためにＨＣｌ源およびその配管
を設けてもよい。目的に応じて種々のガス配管を接続で
きることは当業者に自明であろう。
【００３５】図２は、図１の示す反応チャンバを用い、
ウエット酸化および窒素導入を行なうための工程図を示
す。図中横軸は時間を示し、縦軸は反応チャンバ１内の
温度を示す。温度は、反応チャンバ１外部に設けられた
ヒータＨ１、Ｈ２を制御することによって制御される。
【００３６】反応チャンバ１内に多数枚のシリコンウエ
ハＷを収納した後、Ｎ2 を１０リットル／分、Ｏ2 を３
３３ｃｃ／分流し、反応チャンバ１内を３００℃に昇温
する。３００℃の状態を所定時間保持した後、 Ｎ2 ＋
Ｏ2 のドライ酸化性雰囲気を保ったまま１００℃／分の
速度で反応チャンバ１内を昇温し、７５０℃まで加熱す
る。
【００３７】ドライ酸化性雰囲気、７５０℃の状態を１
０分間保った後、雰囲気をＯ2 ガス１０リットル／分、
Ｈ2 １リットル／分に変更し、ジクロルエチレン（ＤＣ
Ｅ）またはＨＣｌを１分程度添加して金属汚染をゲッタ
リングする。なお、金属汚染の可能性がない場合は、こ
のステップは省略してもよい。１分間経過後、外部燃焼
管８内でＨ2 を燃焼させる。外部燃焼管８内での酸水素
炎により、水分が発生する。このようにして、Ｈ2 Ｏと
Ｏ2 とを含むウエット酸化性雰囲気が反応チャンバ１内
に供給される。
【００３８】７５０℃ウエット酸化性雰囲気で５分のウ
エット酸化を行なった後、雰囲気ガスを窒素に切り換え
る。例えば、Ｎ2 を１０リットル／分流し、１分間７５
０℃の状態を維持する。その後、Ｎ2 流量を３０リット
ル／分に増加させ、２０℃／分の昇温速度で９００℃ま
で昇温させる。９００℃に到達した後、Ｎ2 流量を１０
リットル／分に低下させ、５分間維持する。
【００３９】その後、ウエット酸化性雰囲気導入口７に
はＮ2 を流したまま、窒素含有ガス導入口６にＮＯ（流
量５００ｃｃ／分）をＮ2 （流量１０リットル／分）で
希釈した窒素導入雰囲気を供給し、９００℃で１５分間
アニール処理を行なう。このアニール処理は、ＮＯをウ
エット酸化膜中に導入する処理である。ＮＯアニール処
理が終了した後、窒素導入口６に流すガスをＮ2 １０リ
ットル／分に変更し、１０℃／分〜２０℃／分の降温速
度で反応チャンバ１内を降温する。
【００４０】このような工程により、シリコンウエハＷ
表面上に先ずウエット酸化膜を形成し、その後Ｎ2 で反
応チャンバ１内をパージし、アニール温度に昇温した
後、ＮＯガスによるアニールを行い、ウエット酸化膜中
に窒素を導入する。
【００４１】上述の実施例においては、反応チャンバ１
内でウエット酸化を行なった後、直ちにウエット酸化膜
中に窒素を導入する処理を行なわず、Ｎ2 ガスでパージ
を行なっている。このＮ2 ガスパージによる影響を以下
のような方法で検証した。
【００４２】Ｎ2 ガスパージは、ウエット酸化性雰囲気
を完全に反応チャンバ内から排出するための処理であ
る。特に、ウエット酸化性雰囲気中の水分が、その後に
行なわれるＮＯを用いた窒素導入処理により硝酸に変換
されることを防止する。そこで、反応チャンバ１内の残
留水分の濃度を調べた。
【００４３】図３は、パージ時間に対する反応チャンバ
１内の水分濃度を測定した結果を示す。なお、水分濃度
は排気側でガス分析を行なうことによって測定した。
【００４４】ウエット酸化は、上述のＨ2 流量１リット
ル／分＋Ｏ2 流量１０リットル／分の条件１と、Ｈ2 Ｏ
量を増加させたＨ2 流量２．１３３リットル／分＋Ｏ2
流量６．４リットル／分の条件２の２つの条件で行い、
その後Ｎ2 に切り換えてパージを行なった。図中、曲線
ｗ１が条件１のウエット酸化に引き続くＮ2 パージによ
る水分濃度の変化を示し、曲線ｗ２が条件２によるウエ
ット酸化に引き続くＮ 2 パージによる水分濃度の変化を
示す。
【００４５】曲線ｗ１の場合は、ウエット酸化に続き、
約６分のパージを行なうことにより水分濃度は約１００
０ｐｐｍ以下となり、約８分のパージを行なうことによ
り水分濃度はほぼ０となった。曲線ｗ２の場合は、水分
濃度の低下が比較的ゆるやかであり、約１６分のパージ
により水分濃度は約１０００ｐｐｍ以下に達した。
【００４６】これらの結果から、ウエット酸化における
雰囲気中の水分濃度が比較的低い条件１の場合には、６
分程度以上のパージ時間を設けることが望ましく、ウエ
ット酸化雰囲気中の水分濃度が極めて高い条件２の場合
には、約１６分程度以上のパージ時間を設けることが望
ましいと推定される。図２の工程は、条件１でウエット
酸化を行い、８分以上の窒素パージを行なっているの
で、残留水分濃度は約１０００ｐｐｍを確実に下回って
いると考えられる。
【００４７】さらに、ウエット酸化、Ｎ2 パージ、ＮＯ
アニールの処理により、ウエハの汚染がどのように変化
するかを調べた。反応チャンバを特に処理することな
く、その内部にウエハを放置し、条件２のウエット酸
化、Ｎ2 パージ、ＮＯアニールを１０回繰り返した。そ
の後得られたウエハ中の金属種をＦｅおよびＣａで測定
した。パージ時間は、１５分および５分に設定した。結
果を以下の表に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】Ｆｅの測定結果は、ウエット酸化後５分パ
ージした時よりも１５分パージした時の方が著しく減少
していることが判る。すなわち、水分濃度を約１０００
ｐｐｍ以下にするのに十分な時間のＮ2 パージを行なっ
ても、Ｆｅ汚染は発生せず、逆にＦｅ濃度が減少するこ
とが期待される。Ｃａは、パージ時間によらずほぼ一定
の値を示していると考えることができる。
【００５０】従って、ウエット酸化に引き続き、Ｎ2 ガ
スで残留水分濃度が約１０００ｐｐｍ以下になるまでパ
ージすることが好ましいと考えられる。
【００５１】なお、Ｎ2 でパージする場合を説明した
が、Ｎ2 の代わりにＡｒ等の他の不活性ガスを用いるこ
ともできる。本明細書においては、Ｎ2 およびＡｒ等の
不活性ガスを含めて不活性ガスと呼ぶ。
【００５２】図４は、本発明の実施例による半導体装置
の製造方法を概略的に示す。図４（Ａ）に示すように、
ｎ型ウエル２１を有するｐ型シリコンウエハ２０の表面
上に、熱酸化により薄いバッファ酸化膜２２を形成した
後、その上にＣＶＤによりＳｉＮ膜２３を堆積する。Ｓ
ｉＮ膜２３の上にレジストパターン２４を形成し、その
開口により分離領域を画定する。
【００５３】レジストパターン２４をエッチングマスク
とし、ＳｉＮ膜２３、バッファ酸化膜２２、シリコン２
１を異方性エッチングすることにより、分離用トレンチ
２５を形成する。その後レジストパターン２４は除去す
る。
【００５４】トレンチ２５内の露出Ｓｉ表面にライナー
酸化で熱酸化膜を形成した後、ウエハ表面上にＣＶＤに
よりシリコン酸化膜を堆積し、トレンチ２５を埋め込む
埋め込み酸化膜を形成する。その後、化学機械研磨（Ｃ
ＭＰ）を行なって表面を平坦化し、露出したＳｉＮ膜２
３を除去する。その後、バッファ酸化膜２２を除去し、
露出したシリコン表面を犠牲酸化し、犠牲酸化膜を除去
して清浄なＳｉ表面を露出する。その後、ゲート酸化窒
化膜を作成する。このゲート酸化窒化膜の形成は、図１
に示したような製造装置を用い、図２に示したような工
程により行なう。
【００５５】図４（Ｂ）は、シリコン表面にＳＴＩ酸化
膜２６、ゲート絶縁膜用の酸化窒化膜２７を形成した状
態を概略的に示す。前述のようなウエット酸化、Ｎ2 パ
ージ、ＮＯアニールを行なうことにより、活性領域表面
上に均一で良好な品質を有するシリコン酸化窒化膜２７
を形成することができる。その後、通常のプロセスに従
いＭＯＳトランジスタを作成する。なお、図にはｐチャ
ンネルＭＯＳトランジスタを作成する部分を示すが、ウ
エハの他の部分においてｎチャネルＭＯＳトランジスタ
を作成する。このようなＣＭＯＳ回路の製造プロセスに
ついては、公知の技術を採用でき、例えば「98’最新半
導体プロセス技術 300mm/0.18μm 時代のシステムＬＳ
Ｉ製造プロセス」pp37-46 藤田和義著を参照された
い。
【００５６】図４（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜２
７上に多結晶シリコン層をＣＶＤで堆積し、レジストパ
ターンを用いた異方性エッチングによりゲート電極２８
を作成する。ゲート電極２８のパターニング後、ボロン
イオンを軽くイオン注入し、ＬＤＤ領域２９を形成す
る。なお、ゲート電極２８にもボロンがイオン注入され
る。このイオン注入工程はレジストマスクを用いてｐチ
ャネル領域、ｎチャネル領域に対して別個に行なう。
【００５７】その後ウエハ表面上にＣＶＤにより酸化膜
を堆積し、異方性エッチングを行なうことによってゲー
ト電極２８側壁上にのみ側壁酸化物スペーサ３０を残
す。この側壁酸化物スペーサ３０およびゲート電極２８
をマスクとし、ボロンをイオン注入することにより高濃
度のソース／ドレイン領域３１を作成する。このイオン
注入もｐチャネル領域のみで行い、ｎチャネル領域は別
のイオン注入を行なう。
【００５８】ゲートポリシリコン上とソース／ドレイン
領域上の酸化膜を除去した後、表面にＣｏ膜を形成し、
熱処理を行なうことによりシリコンが露出している領域
上にＣｏシリサイド膜を形成するサリサイド処理を行な
う。このようにして、ゲート電極２８上面上にＣｏシリ
サイド膜３２が形成され、露出したソース／ドレイン領
域３１表面上にＣｏシリサイド膜３３が形成される。そ
の後、層間絶縁膜３５をＣＶＤ等により堆積し、ＣＭＰ
処理を行なうことにより表面を平坦化する。
【００５９】図４（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜３５
上にレジストパターンを形成し、コンタクト孔３６、３
７を開口する。コンタクト孔を開口した後、電極用金属
を堆積し、コンタクト孔内を埋め戻す。その後ＣＭＰ処
理を行なうことにより、コンタクト孔内にプラグ状の電
極３８、３９を残す。その後シンタリングを行なうこと
により電極の特性を改良する。
【００６０】このようにして、電極を備えたｐチャネル
ＭＯＳトランジスタを作成することができる。なお、ウ
エハ内の他の部分においては、同様のプロセスによりｎ
チャネルＭＯＳトランジスタが形成され、全体としてＣ
ＭＯＳＬＳＩが形成される。
【００６１】図５は、図１に示すような製造装置を用
い、図２に示すようなプロセスによりシリコンウエハ上
に酸化窒化膜を形成した後、複数枚のウエハのバッチ内
の分布および単一ウエハ面内の分布を測定した結果を示
す。測定は、ＳＩＭＳにより行なった。
【００６２】図５（Ａ）は、バッチ内のＳＩＭＳ測定結
果を示す。横軸はウエハ表面からのエッチング時間を示
し、縦軸は各元素の検出信号のカウントを示す。検出し
たＳｉ、Ｏ、Ｎの分布は、バッチ内のウエハで均一であ
ることが示されている。
【００６３】図５（Ｂ）は、単一ウエハの面内のＳＩＭ
Ｓ測定結果を示す。図５（Ａ）同様、横軸はエッチング
時間を示し、縦軸は検出信号のカウントを示す。Ｓｉ、
Ｏ、Ｎの分布は、それぞれ極めて狭い幅内に収められて
おり、均一な品質の酸化窒化膜がウエハ面内でほぼ同一
厚さ形成されていることが判る。
【００６４】なお、ウエット酸化による酸化膜も、密度
が不足する場合があることが知られている。このような
酸化膜に対し、オゾン処理を行なうと酸化膜の密度を改
善することができる。
【００６５】図６は、オゾン処理を行なうことのできる
製造装置およびオゾン処理を採用した酸化窒化処理のフ
ローを示す。
【００６６】図６（Ａ）において、外部燃焼管８に接続
される配管９には、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｎ 2 の他、Ｏ3 （Ｏ3
を含むＯ2 ）を供給することができる。なお、Ｏ3 を供
給する時は、Ｏ3 の分解を低減するため、外部燃焼管８
は降温しておくことが好ましい。また、排気管１１には
オゾンキラー１６が接続される。排気中にオゾンが含ま
れる場合にも、オゾンキラー１６によりオゾンを消滅さ
せることができる。
【００６７】図６（Ｂ）は、オゾン処理を含んだ酸化窒
化処理のフローチャートを示す。ステップＳ１は、オゾ
ンベークの工程を示す。オゾンベークは、例えば図２の
フローにおける３００℃の予備加熱の段階において行な
えばよい。このようなオゾンベーク処理は、ウエハ表面
上等の有機物を除去するのに有効である。
【００６８】ステップＳ２は、ウエット酸化処理を示
す。ウエット酸化処理は、図２のフローに示したよう
に、例えば７５０℃のウエット酸化性雰囲気中で行なう
ことができる。
【００６９】ステップＳ３は、ウエット酸化に続くオゾ
ンアニール処理を示す。オゾンアニール処理は、ウエッ
ト酸化性雰囲気に代え、オゾンを含む酸化性雰囲気を供
給し、酸化温度と同一温度で行なえばよい。なお、オゾ
ンが高温の壁に接触すると、消滅する可能性が増大する
ため、外部燃焼管８を介さず、別の配管により反応チャ
ンバ内にオゾンを供給してもよい。
【００７０】ステップＳ４は、オゾンアニール後のＮ2
パージ処理を示す。Ｎ2 パージ処理は、図２のプロセス
におけるＮ2 パージと同様の処理である。酸化温度にお
いて雰囲気をＮ2 に置換し、徐々に昇温してアニール温
度まで昇温する。この間、反応チャンバ内にはＮ2 を流
し続ける。
【００７１】ステップＳ５は、アニール温度におけるＮ
Ｏアニール処理を示す。このアニール処理も、図２に示
すＮＯアニールと同様の条件で行なうことができる。そ
の後、反応チャンバ内にＮ2 を流し、降温すると共にＮ
2 パージを続ける。
【００７２】このように、ウエット酸化とオゾンアニー
ルを組み合わせることにより、不純物が少なく、密度の
高い緻密な酸化膜を作成し、引き続きＮＯアニールを行
なうことにより、良質の酸化窒化膜を作成する。
【００７３】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々
の変更、改良、組み合わせが等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高品質の薄い酸化窒化膜を効率よく製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による半導体装置の製造装置を
概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施例による酸化窒化膜形成プロセス
を示す流れ図である。
【図３】Ｎ2 パージによる水分濃度の変化を示すグラフ
である。
【図４】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を
説明するための概略断面図である。
【図５】図１に示す製造装置を用い、多数のウエハ上に
形成した酸化窒化膜の均一性を測定した測定結果を示す
グラフである。
【図６】本発明の他の実施例による半導体装置の製造装
置および酸化窒化プロセスを示す断面図およびフローチ
ャートである。
【符号の説明】
１ 反応チャンバ ２、３ 配管 ６、７ ガス導入口 ８ 外部燃焼管 ９ 配管 １０ 石英製キャップ １５ Ｏリング １８、１９ ガス導入口 Ｖ バルブ ＣＶ ガス流逆止弁 Ｂ ガス源 ＭＦＣ マスフローコントローラ ２０ シリコンウエハ ２１ ｎ型ウエル ２２ バッファ酸化膜 ２３ ＳｉＮ膜 ２４ レジストパターン ２５ トレンチ ２６ ＳＴＩ酸化膜 ２７ ゲート絶縁膜 ２８ ゲート電極 ２９ ＬＤＤ領域 ３０ 側壁酸化物スペーサ ３１ ソース／ドレイン領域 ３２、３３ Ｃｏシリサイド膜 ３５ 層間絶縁膜 ３６、３７ コンタクト孔 ３８、３９ 金属プラグ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川村 龍也 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 杉崎 太郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 大久保 聡 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 中西 俊郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 高崎 金剛 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA03 AA20 AB32 AB33 AB34 AC11 AC15 AD07 AD11 AD13 AE29 BB02 BB03 BB16 CB05 DP19 EE04 EK06 GH10 5F058 BA06 BC11 BD04 BD10 BF02 BF54 BF55 BF59 BF62 BF63 BF68 BF80 BH04 BH20 BJ01 BJ07

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）少なくとも第１と第２のガス導入
    口を備えた反応チャンバ内にシリコンウエハを搬送し、
    Ｏリングを用いて反応チャンバをシールする工程と、 （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１のガス導入口から
    酸化性雰囲気を導入して前記反応チャンバ内を酸化性雰
    囲気に保ちつつ、前記シリコンウエハを酸化温度まで昇
    温する工程と、 （ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記酸化温度を保ちつつ、
    前記反応チャンバ内に前記第１のガス導入口からウエッ
    ト酸化性雰囲気を導入し、前記シリコンウエハ表面に熱
    酸化膜を形成する工程と、 （ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記反応チャンバ内を不活
    性ガスでパージし、残留水分を約１０００ｐｐｍ以下に
    する工程と、 （ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記シリコンウエハを７０
    ０℃以上かつ前記酸化温度より高いアニール温度を維持
    しつつ、前記第２のガス導入口からチャンバ内にＮＯま
    たはＮ2 Ｏを含む雰囲気を導入し、前記熱酸化膜中に窒
    素を導入し、酸化窒化膜に変換する工程とを含む半導体
    装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記工程（ｂ）〜（ｅ）が常圧で行われ
    る請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 さらに、前記工程（ｅ）の後、前記反応
    チャンバ内を不活性ガスでパージしつつ、前記シリコン
    ウエハを降温する工程を含む請求項１または２記載の半
    導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記工程（ｄ）が、同時に前記シリコン
    ウエハを前記酸化温度から前記アニール温度に昇温する
    サブ工程を含む請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
    装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記工程（ｅ）が、同時に前記第１のガ
    ス導入口から不活性ガスを反応チャンバ内へ流すサブ工
    程を含む請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の
    製造方法。
  6. 【請求項６】 前記工程（ｃ）が、同時に前記第２のガ
    ス導入口から不活性ガスを反応チャンバ内へ流すサブ工
    程を含む請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の
    製造方法。
  7. 【請求項７】 前記アニール温度が８５０℃〜９５０℃
    の範囲の温度である請求項１〜６のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記工程（ｅ）のＮＯまたはＮ2 Ｏを含
    む雰囲気がＮ2 希釈のＮＯで形成される請求項１〜７の
    いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 さらに、（ｆ）前記工程（ａ）の前に、
    前記シリコンウエハ表面にシャロートレンチ分離領域を
    形成する工程を含む請求項１〜８のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 さらに、（ｇ）前記工程（ｅ）の後
    に、前記酸化窒化膜上にボロンをドープしたシリコンで
    形成されたゲート電極を形成する工程を含む請求項１〜
    ９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記工程（ｇ）が、シリコンで形成さ
    れたゲート電極とその両側のシリコンウエハ表面にボロ
    ンをイオン注入する工程を含む請求項１０記載の半導体
    装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 反応チャンバと、 反応チャンバの内部空間に連通した第１のガス導入路
    と、 前記第１のガス導入路とは別の位置で反応チャンバの内
    部空間に連通した第２のガス導入路と、 前記第１および第２のガス導入路の各々に設けられたガ
    ス流逆止弁とを有する半導体装置の製造装置。
  13. 【請求項１３】 前記反応チャンバが真空排気可能な外
    管と半開放の内管を含む２重管構成を有し、 前記第１と第２のガス導入路が前記２重管構成の外管と
    内管との間の中間領域で内管を取り巻いて配置されてい
    る請求項１２記載の半導体装置の製造装置。
  14. 【請求項１４】 さらに、前記２重管構成の外側に配置
    されたヒータを有する請求項１２または１３記載の半導
    体装置の製造装置。
  15. 【請求項１５】 前記第１のガス導入路が、 前記２重管構成の外部に配置された外部燃焼管と、 前記外部燃焼管に接続されＮ2 およびＯ2 を流すことの
    できる第１サブ配管と、 前記外部燃焼管に接続され、Ｎ2 およびＨ2 を流すこと
    のできる第２サブ配管とを有する請求項１２〜１４のい
    ずれかに記載の半導体装置の製造装置。
  16. 【請求項１６】 前記第２のガス導入路が、ＮＯまたは
    Ｎ2 Ｏを含むガスと不活性ガスとのいずれかを選択的に
    流すガス配管を有する請求項１５記載の半導体装置の製
    造装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1160838A2 (en) * 2000-05-31 2001-12-05 Tokyo Electron Limited Heat treatment system and method
EP1351283A1 (en) * 2000-12-05 2003-10-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for treating article to be treated
CN1294630C (zh) * 2001-05-09 2007-01-10 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的热处理装置及方法
JP2007019131A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Seiko Epson Corp 成膜方法、膜形成方法、成膜装置及び膜形成装置並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2008258614A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 基板上への酸窒化物薄膜の成長方法

Families Citing this family (316)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3472482B2 (ja) * 1998-06-30 2003-12-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
KR100682190B1 (ko) * 1999-09-07 2007-02-12 동경 엘렉트론 주식회사 실리콘 산질화물을 포함하는 절연막의 형성 방법 및 장치
JP2003017595A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 半導体装置
JP2003100860A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Toshiba Corp 半導体装置
US6835630B2 (en) 2002-06-19 2004-12-28 Promos Technologies, Inc. Capacitor dielectric structure of a DRAM cell and method for forming thereof
US7335609B2 (en) * 2004-08-27 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials
US20070212850A1 (en) * 2002-09-19 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials
US7141483B2 (en) * 2002-09-19 2006-11-28 Applied Materials, Inc. Nitrous oxide anneal of TEOS/ozone CVD for improved gapfill
US7431967B2 (en) * 2002-09-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Limited thermal budget formation of PMD layers
KR100470941B1 (ko) * 2002-12-26 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 옥시나이트라이드막 형성방법
US6830998B1 (en) * 2003-06-17 2004-12-14 Advanced Micro Devices, Inc. Gate dielectric quality for replacement metal gate transistors
KR101107656B1 (ko) * 2003-12-10 2012-01-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
CN100338745C (zh) * 2003-12-19 2007-09-19 茂德科技股份有限公司 电容介电层结构及其制造方法
US7642171B2 (en) * 2004-08-04 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
US20070212847A1 (en) * 2004-08-04 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
KR100643493B1 (ko) 2004-09-23 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 장치의 실리콘 산질화막을 형성하는 방법 및 장치
KR100673205B1 (ko) * 2004-11-24 2007-01-22 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리소자의 제조방법
KR20060068848A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 삼성전자주식회사 중수소 가스를 사용하는 반도체 소자의 게이트 산화막형성방법
JP4453021B2 (ja) * 2005-04-01 2010-04-21 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US7736437B2 (en) * 2006-02-03 2010-06-15 Integrated Materials, Incorporated Baffled liner cover
JP4362834B2 (ja) * 2006-10-11 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法および半導体製造装置
JP4407685B2 (ja) * 2006-10-11 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法
GB2445188B (en) * 2006-12-29 2009-07-01 Thermo Fisher Scientific Inc Apparatus and method for generating nitrogen oxides
US20080299780A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 Uv Tech Systems, Inc. Method and apparatus for laser oxidation and reduction
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103811421B (zh) * 2012-11-13 2016-12-21 北大方正集团有限公司 一种形成氧化层的方法
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6573578B2 (ja) 2016-05-31 2019-09-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0072603B1 (en) * 1978-06-14 1986-10-01 Fujitsu Limited Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride
JP2662722B2 (ja) * 1990-01-12 1997-10-15 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置
US5279670A (en) * 1990-03-31 1994-01-18 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical type diffusion apparatus
US5146869A (en) * 1990-06-11 1992-09-15 National Semiconductor Corporation Tube and injector for preheating gases in a chemical vapor deposition reactor
JPH04257226A (ja) * 1991-02-12 1992-09-11 Oki Electric Ind Co Ltd 絶縁膜形成方法
JP3115015B2 (ja) * 1991-02-19 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 縦型バッチ処理装置
US5318633A (en) * 1991-03-07 1994-06-07 Tokyo Electron Sagami Limited Heat treating apparatus
JPH0568866A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置
JPH0568865A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Tokyo Electron Ltd ガス供給システム
US5383984A (en) * 1992-06-17 1995-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus etching tunnel-type
US5540782A (en) * 1992-10-15 1996-07-30 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treating apparatus having heat transmission-preventing plates
JP3207943B2 (ja) * 1992-11-17 2001-09-10 忠弘 大見 低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法
TW289839B (ja) * 1993-02-09 1996-11-01 Gen Instrument Corp
EP0617461B1 (en) 1993-03-24 1997-09-10 AT&T Corp. Oxynitride dielectric process for IC manufacture
US5445522A (en) * 1993-04-26 1995-08-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Combustion device
JP3081886B2 (ja) * 1993-06-30 2000-08-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
JPH0710935U (ja) * 1993-07-24 1995-02-14 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉
JP3474258B2 (ja) * 1994-04-12 2003-12-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
KR0147432B1 (ko) * 1994-06-03 1998-11-02 김주용 반도체 소자의 게이트 절연막 형성방법
JP3188967B2 (ja) * 1994-06-17 2001-07-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JPH08186081A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH08264521A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造用反応炉
KR960039211A (ko) * 1995-04-04 1996-11-21 김주용 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법
US5891809A (en) * 1995-09-29 1999-04-06 Intel Corporation Manufacturable dielectric formed using multiple oxidation and anneal steps
JPH09115904A (ja) 1995-10-14 1997-05-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化膜の作製方法及び酸化膜の作製装置
JP3373990B2 (ja) * 1995-10-30 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びその方法
JP4001960B2 (ja) * 1995-11-03 2007-10-31 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 窒化酸化物誘電体層を有する半導体素子の製造方法
JP3402881B2 (ja) 1995-11-24 2003-05-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3971810B2 (ja) * 1995-11-30 2007-09-05 三星電子株式会社 縦型拡散炉
KR0136232Y1 (ko) * 1996-02-28 1999-03-20 김광호 반도체 제조 장치
JPH09260363A (ja) 1996-03-21 1997-10-03 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH09260364A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法および熱処理装置
US5880040A (en) * 1996-04-15 1999-03-09 Macronix International Co., Ltd. Gate dielectric based on oxynitride grown in N2 O and annealed in NO
JP3981426B2 (ja) 1996-07-12 2007-09-26 シャープ株式会社 ゲート絶縁膜形成方法
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system
JPH10144617A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Sharp Corp 熱処理炉
JPH10163186A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Sony Corp 酸化装置
JP3155487B2 (ja) * 1997-02-12 2001-04-09 株式会社日立国際電気 ウェット酸化装置およびウェット酸化方法
JP3949211B2 (ja) * 1997-03-06 2007-07-25 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3270730B2 (ja) * 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JPH10340909A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6063698A (en) * 1997-06-30 2000-05-16 Motorola, Inc. Method for manufacturing a high dielectric constant gate oxide for use in semiconductor integrated circuits
US5948300A (en) * 1997-09-12 1999-09-07 Kokusai Bti Corporation Process tube with in-situ gas preheating
JP3567070B2 (ja) * 1997-12-27 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JPH11354516A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Sony Corp シリコン酸化膜形成装置及びシリコン酸化膜形成方法
JP3472482B2 (ja) * 1998-06-30 2003-12-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
US6123993A (en) * 1998-09-21 2000-09-26 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus for forming low dielectric constant polymeric films
US6217659B1 (en) * 1998-10-16 2001-04-17 Air Products And Chemical, Inc. Dynamic blending gas delivery system and method
US6191388B1 (en) * 1998-11-18 2001-02-20 Semitool, Inc. Thermal processor and components thereof
US6302963B1 (en) * 1999-12-21 2001-10-16 Axcelis Technologies, Inc. Bell jar having integral gas distribution channeling
US6645302B2 (en) * 2000-04-26 2003-11-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Vapor phase deposition system

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1160838A2 (en) * 2000-05-31 2001-12-05 Tokyo Electron Limited Heat treatment system and method
EP1160838A3 (en) * 2000-05-31 2004-12-01 Tokyo Electron Limited Heat treatment system and method
US6863732B2 (en) 2000-05-31 2005-03-08 Tokyo Electron Limited Heat treatment system and method
KR100783841B1 (ko) * 2000-05-31 2007-12-10 동경 엘렉트론 주식회사 열처리 시스템
EP1351283A1 (en) * 2000-12-05 2003-10-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for treating article to be treated
EP1351283A4 (en) * 2000-12-05 2006-01-25 Tokyo Electron Ltd METHOD AND DEVICE FOR TREATING AN ARTICLE TO BE TREATED
US7208428B2 (en) 2000-12-05 2007-04-24 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for treating article to be treated
CN1294630C (zh) * 2001-05-09 2007-01-10 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的热处理装置及方法
JP2007019131A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Seiko Epson Corp 成膜方法、膜形成方法、成膜装置及び膜形成装置並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP4720323B2 (ja) * 2005-07-06 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 成膜方法、膜形成方法、成膜装置及び膜形成装置並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2008258614A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 基板上への酸窒化物薄膜の成長方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3472482B2 (ja) 2003-12-02
TW440969B (en) 2001-06-16
KR100514131B1 (ko) 2005-09-09
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