JPH09260363A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH09260363A JPH09260363A JP9206396A JP9206396A JPH09260363A JP H09260363 A JPH09260363 A JP H09260363A JP 9206396 A JP9206396 A JP 9206396A JP 9206396 A JP9206396 A JP 9206396A JP H09260363 A JPH09260363 A JP H09260363A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェーハ面内の温度分布の均一性を向上させる
ことができる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】反応管１００は、反応管本体１０と１本の
ガス導入管１１１を備える。ガス導入管１１１は反応管
本体１０の外周面に沿ってらせん状に巻回されている。
ガス導入管１１１の上流側である下端部にガス導入管ガ
ス導入部１２１を設け、その下流側である上端は反応管
本体１０の上部に設けられたシャワー室４２の側壁に連
通させる。ガス導入管１１１が反応管本体１０の外周面
に沿ってらせん状に巻回されているので、ガス導入管１
１１内を流れるガスによる冷却の影響を分散させること
ができ、その結果、ウェーハの面内の温度分布が均一に
なって形成される酸化膜のウェーハの面内分布の均一性
が向上する。
ことができる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】反応管１００は、反応管本体１０と１本の
ガス導入管１１１を備える。ガス導入管１１１は反応管
本体１０の外周面に沿ってらせん状に巻回されている。
ガス導入管１１１の上流側である下端部にガス導入管ガ
ス導入部１２１を設け、その下流側である上端は反応管
本体１０の上部に設けられたシャワー室４２の側壁に連
通させる。ガス導入管１１１が反応管本体１０の外周面
に沿ってらせん状に巻回されているので、ガス導入管１
１１内を流れるガスによる冷却の影響を分散させること
ができ、その結果、ウェーハの面内の温度分布が均一に
なって形成される酸化膜のウェーハの面内分布の均一性
が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特に半導体ウェーハの酸化、拡散、熱処理等の処理
を行う半導体製造装置に関する。
し、特に半導体ウェーハの酸化、拡散、熱処理等の処理
を行う半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の１つに、シリコンウェ
ーハ表面に熱酸化膜を形成する工程があり、この工程
は、例えば図３Ａ、３Ｂに示す縦型の半導体製造装置を
使用して行われる。
ーハ表面に熱酸化膜を形成する工程があり、この工程
は、例えば図３Ａ、３Ｂに示す縦型の半導体製造装置を
使用して行われる。
【０００３】図３Ａは、従来の半導体製造装置１の断面
図であり、図３Ｂは図３ＡのＸ１−Ｘ１線断面図であ
る。
図であり、図３Ｂは図３ＡのＸ１−Ｘ１線断面図であ
る。
【０００４】図３Ａ、３Ｂに示すように、この半導体製
造装置１においては、中空のヒータ２２０内に均熱管２
３０が設けられ、均熱管２３０内に反応管１００が設け
られている。均熱管２３０は熱容量が大きい材料から構
成され炉内の温度均一性を保たせるために使用されてい
る。反応管１００は断面円状の反応管本体１０と１本の
ガス導入管２０とを備えている。反応管本体１０の上側
の天井板１４上には上部ガス導入管４０が設けられ、上
部ガス導入管４０と天井板１４とによりシャワー室４２
が画成されている。シャワー室４２内の天井板１４は、
複数のガス分散孔３２が設けられたガスシャワー板３０
となっており、シャワー室４２はガスシャワー板３０を
介して反応管本体１０内部に連通している。ガス導入管
２０は、反応管本体１０の外面に母線方向に沿って鉛直
方向に設けられており、その上流側である下端部にはガ
ス導入管ガス導入部２１が設けられ、下流側である上端
は反応管本体１０の上部に設けられたシャワー室４２に
連通している。反応管本体１０の下端近傍には排気管５
０が連通して設けられている。ガス導入管ガス導入部２
１は反応ガス供給源（図示せず。）に接続され、排気管
５０は排気装置（図示せず。）に接続している。
造装置１においては、中空のヒータ２２０内に均熱管２
３０が設けられ、均熱管２３０内に反応管１００が設け
られている。均熱管２３０は熱容量が大きい材料から構
成され炉内の温度均一性を保たせるために使用されてい
る。反応管１００は断面円状の反応管本体１０と１本の
ガス導入管２０とを備えている。反応管本体１０の上側
の天井板１４上には上部ガス導入管４０が設けられ、上
部ガス導入管４０と天井板１４とによりシャワー室４２
が画成されている。シャワー室４２内の天井板１４は、
複数のガス分散孔３２が設けられたガスシャワー板３０
となっており、シャワー室４２はガスシャワー板３０を
介して反応管本体１０内部に連通している。ガス導入管
２０は、反応管本体１０の外面に母線方向に沿って鉛直
方向に設けられており、その上流側である下端部にはガ
ス導入管ガス導入部２１が設けられ、下流側である上端
は反応管本体１０の上部に設けられたシャワー室４２に
連通している。反応管本体１０の下端近傍には排気管５
０が連通して設けられている。ガス導入管ガス導入部２
１は反応ガス供給源（図示せず。）に接続され、排気管
５０は排気装置（図示せず。）に接続している。
【０００５】ボート２１０が、ボートエレベータ（図示
せず。）により昇降されることにより、反応管本体１０
内に導入され、反応管本体１０から取り出されるように
なっている。ボート２１０はボートキャップ６０上に立
設されており、ボートキャップ６０は炉口蓋６２上に設
けられている。反応管本体１０の下端の周囲にはフラン
ジ１２が設けられており、フランジ１２と炉口蓋６２と
の間にはＯ−リング６４が挟まれており、反応管本体１
０を気密に封じている。
せず。）により昇降されることにより、反応管本体１０
内に導入され、反応管本体１０から取り出されるように
なっている。ボート２１０はボートキャップ６０上に立
設されており、ボートキャップ６０は炉口蓋６２上に設
けられている。反応管本体１０の下端の周囲にはフラン
ジ１２が設けられており、フランジ１２と炉口蓋６２と
の間にはＯ−リング６４が挟まれており、反応管本体１
０を気密に封じている。
【０００６】ボート２１０は４本のボート支柱２１２を
備えており、ボート支柱２１２には複数枚のウェーハ２
００が水平姿勢で多段に装填されており、ウェーハ２０
０がボート２１０に装填された状態で酸化され、その表
面に酸化膜が形成されるようになっている。
備えており、ボート支柱２１２には複数枚のウェーハ２
００が水平姿勢で多段に装填されており、ウェーハ２０
０がボート２１０に装填された状態で酸化され、その表
面に酸化膜が形成されるようになっている。
【０００７】ウェーハ２００の酸化処理は、ヒータ２２
０により炉内およびウェーハ２００が酸化処理温度に加
熱保持された状態で、酸素ガスを、ガス導入管２０によ
りシャワー室４２に供給し、シャワー室４２からガスシ
ャワー板３０のガス分散孔３２を介して反応管本体１０
内に分散供給する。酸素ガスとウェーハ２００とが反応
してウェーハ２００の表面に酸化膜が形成される。反応
後のガスは排気管５０を介して排気される。
０により炉内およびウェーハ２００が酸化処理温度に加
熱保持された状態で、酸素ガスを、ガス導入管２０によ
りシャワー室４２に供給し、シャワー室４２からガスシ
ャワー板３０のガス分散孔３２を介して反応管本体１０
内に分散供給する。酸素ガスとウェーハ２００とが反応
してウェーハ２００の表面に酸化膜が形成される。反応
後のガスは排気管５０を介して排気される。
【０００８】反応ガス導入管２０の長さは、反応管本体
１０のヒータ２２０内および均熱管２３０内の長さとほ
ぼ同じ長さである。常温付近の温度でガス導入管ガス導
入部２１から導入された酸素ガスは、ガス導入管２０内
を通過中に加熱され、シャワー室４２に達する頃には反
応管本体１０内の温度やウェーハ２００の温度とほぼ同
じ温度となって、反応管本体１０内に導入されているも
のと考えられている。
１０のヒータ２２０内および均熱管２３０内の長さとほ
ぼ同じ長さである。常温付近の温度でガス導入管ガス導
入部２１から導入された酸素ガスは、ガス導入管２０内
を通過中に加熱され、シャワー室４２に達する頃には反
応管本体１０内の温度やウェーハ２００の温度とほぼ同
じ温度となって、反応管本体１０内に導入されているも
のと考えられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガス導
入管ガス導入部２１から導入されるのは、常温付近の酸
素ガスであるので、ガス導入管２０の上流側ほど炉内と
は温度差が大きく、また炉内からの吸熱量も大きい。従
って、酸素ガスを一本のガス導入管２０により供給する
と、ガス導入管２０の上流側であるほど、ガス導入管２
０近傍でのウェーハ２００の部分的な冷却が生じ、特に
ウェーハ面内の温度分布の不均一性を招いていた。そし
て、ウェーハの温度は酸化膜の成膜速度に影響を与える
ので、ウェーハ面内の酸化膜の膜厚の不均一性を招いて
いた。
入管ガス導入部２１から導入されるのは、常温付近の酸
素ガスであるので、ガス導入管２０の上流側ほど炉内と
は温度差が大きく、また炉内からの吸熱量も大きい。従
って、酸素ガスを一本のガス導入管２０により供給する
と、ガス導入管２０の上流側であるほど、ガス導入管２
０近傍でのウェーハ２００の部分的な冷却が生じ、特に
ウェーハ面内の温度分布の不均一性を招いていた。そし
て、ウェーハの温度は酸化膜の成膜速度に影響を与える
ので、ウェーハ面内の酸化膜の膜厚の不均一性を招いて
いた。
【００１０】従って、本発明の主な目的は、ウェーハ面
内の温度分布の均一性を向上させることができる半導体
製造装置を提供することにある。
内の温度分布の均一性を向上させることができる半導体
製造装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、加熱手
段と、前記加熱手段内に設けられた反応管であって、前
記反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部と
排気部とを有する反応管と、前記反応管の前記排気部側
から前記ガス導入部まで前記反応管の側壁に巻回されて
延在するガス導入管と、を備えることを特徴とする半導
体製造装置が提供される。
段と、前記加熱手段内に設けられた反応管であって、前
記反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部と
排気部とを有する反応管と、前記反応管の前記排気部側
から前記ガス導入部まで前記反応管の側壁に巻回されて
延在するガス導入管と、を備えることを特徴とする半導
体製造装置が提供される。
【００１２】このようにすれば、ガス導入管内を流れる
ガスによる冷却の影響を分散させることができ、その結
果、温度分布の均一性が向上する。
ガスによる冷却の影響を分散させることができ、その結
果、温度分布の均一性が向上する。
【００１３】ガス導入管の本数を１本とすることもで
き、複数本とすることもできる。
き、複数本とすることもできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１５】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態の半導体製造装置に使用する反応管を説
明するための斜視図である。
１の実施の形態の半導体製造装置に使用する反応管を説
明するための斜視図である。
【００１６】本実施の形態において使用するヒータ２２
０、均熱管２３０、ウェーハ２００、ボート２１０、ボ
ート支柱２１２、ボートキャップ６０、炉口蓋６２、フ
ランジ１２、Ｏ−リング６４は図３を参照して説明した
ものと同じであるので、その説明は省略する。またこれ
らの構成要素と反応管１００の位置関係も図３を参照し
て説明したものと同じである。
０、均熱管２３０、ウェーハ２００、ボート２１０、ボ
ート支柱２１２、ボートキャップ６０、炉口蓋６２、フ
ランジ１２、Ｏ−リング６４は図３を参照して説明した
ものと同じであるので、その説明は省略する。またこれ
らの構成要素と反応管１００の位置関係も図３を参照し
て説明したものと同じである。
【００１７】本実施の形態において使用される反応管１
００は、反応管本体１０と１本のガス導入管１１１を備
えている。ガス導入管１１１は反応管本体１０の外周面
に沿ってらせん状に巻回されている。ガス導入管１１１
の上流側である下端部にはガス導入管ガス導入部１２１
が設けられ、その下流側である上端は反応管本体１０の
上部に設けられたシャワー室４２の側壁に連通してい
る。このように、ガス導入管１１１が反応管本体１０の
外周面に沿ってらせん状に巻回されているので、ガス導
入管１１１内を流れるガスによる冷却の影響を分散させ
ることができ、その結果、ウェーハの面内の温度分布が
均一になって形成される酸化膜のウェーハの面内分布の
均一性が向上する。
００は、反応管本体１０と１本のガス導入管１１１を備
えている。ガス導入管１１１は反応管本体１０の外周面
に沿ってらせん状に巻回されている。ガス導入管１１１
の上流側である下端部にはガス導入管ガス導入部１２１
が設けられ、その下流側である上端は反応管本体１０の
上部に設けられたシャワー室４２の側壁に連通してい
る。このように、ガス導入管１１１が反応管本体１０の
外周面に沿ってらせん状に巻回されているので、ガス導
入管１１１内を流れるガスによる冷却の影響を分散させ
ることができ、その結果、ウェーハの面内の温度分布が
均一になって形成される酸化膜のウェーハの面内分布の
均一性が向上する。
【００１８】なお、反応管本体１０の下端近傍には排気
管５２が連通して設けられている。ガス導入管ガス導入
部１２１は反応ガス供給源（図示せず。）に接続され、
排気管５２は排気装置（図示せず。）に接続している。
管５２が連通して設けられている。ガス導入管ガス導入
部１２１は反応ガス供給源（図示せず。）に接続され、
排気管５２は排気装置（図示せず。）に接続している。
【００１９】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施の形態の半導体製造装置に使用する反応管を説
明するための斜視図である。
２の実施の形態の半導体製造装置に使用する反応管を説
明するための斜視図である。
【００２０】本実施の形態において使用するヒータ２２
０、均熱管２３０、ウェーハ２００、ボート２１０、ボ
ート支柱２１２、ボートキャップ６０、炉口蓋６２、フ
ランジ１２、Ｏ−リング６４は図３を参照して説明した
ものと同じであるので、その説明は省略する。またこれ
らの構成要素と反応管１００の位置関係も図３を参照し
て説明したものと同じである。
０、均熱管２３０、ウェーハ２００、ボート２１０、ボ
ート支柱２１２、ボートキャップ６０、炉口蓋６２、フ
ランジ１２、Ｏ−リング６４は図３を参照して説明した
ものと同じであるので、その説明は省略する。またこれ
らの構成要素と反応管１００の位置関係も図３を参照し
て説明したものと同じである。
【００２１】本実施の形態において使用される反応管１
００は、反応管本体１０と２本のガス導入管３１１、３
１２を備えている。ガス導入管３１１、３１２は反応管
本体１０の外周面に沿ってらせん状に巻回されている。
ガス導入管３１１、３１２の上流側である下端部にはガ
ス導入管ガス導入部３２１、３２２がそれぞれ設けら
れ、その下流側である上端は反応管本体１０の上部に設
けられたシャワー室４２の円周の２等分した位置にそれ
ぞれ連通している。このように、ガス導入管３１１、３
１２が反応管本体１０の外周面に沿ってらせん状に巻回
されているので、ガス導入管３１１、３１２内を流れる
ガスによる冷却の影響を分散させることができ、その結
果、ウェーハの面内の温度分布が均一になって形成され
る酸化膜のウェーハの面内分布の均一性が向上する。
００は、反応管本体１０と２本のガス導入管３１１、３
１２を備えている。ガス導入管３１１、３１２は反応管
本体１０の外周面に沿ってらせん状に巻回されている。
ガス導入管３１１、３１２の上流側である下端部にはガ
ス導入管ガス導入部３２１、３２２がそれぞれ設けら
れ、その下流側である上端は反応管本体１０の上部に設
けられたシャワー室４２の円周の２等分した位置にそれ
ぞれ連通している。このように、ガス導入管３１１、３
１２が反応管本体１０の外周面に沿ってらせん状に巻回
されているので、ガス導入管３１１、３１２内を流れる
ガスによる冷却の影響を分散させることができ、その結
果、ウェーハの面内の温度分布が均一になって形成され
る酸化膜のウェーハの面内分布の均一性が向上する。
【００２２】なお、反応管本体１０の下端近傍には排気
管５１が連通して設けられている。ガス導入管ガス導入
部３２１、３２２は反応ガス供給源（図示せず。）に接
続され、排気管５１は排気装置（図示せず。）に接続し
ている。
管５１が連通して設けられている。ガス導入管ガス導入
部３２１、３２２は反応ガス供給源（図示せず。）に接
続され、排気管５１は排気装置（図示せず。）に接続し
ている。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、反応管内の温度分布の
均一性が向上するので、ウェーハ等の被処理物の面内の
温度分布の均一性を向上させることができ、その結果、
ウェーハ等の被処理物上に形成される酸化膜厚などの均
一性が向上し、ひいては、デバイス特性の均一性が向上
し、歩留まりが向上する。
均一性が向上するので、ウェーハ等の被処理物の面内の
温度分布の均一性を向上させることができ、その結果、
ウェーハ等の被処理物上に形成される酸化膜厚などの均
一性が向上し、ひいては、デバイス特性の均一性が向上
し、歩留まりが向上する。
【００２４】また、反応管の周囲にガス導入管を巻回さ
せて付設する構造であるので、制作費も安価であり、か
つ重量的にもあまり重くならず、メンテナンス時に作業
者が持ち運ぶのも容易である。
せて付設する構造であるので、制作費も安価であり、か
つ重量的にもあまり重くならず、メンテナンス時に作業
者が持ち運ぶのも容易である。
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体製造装置に
使用する反応管を説明するための斜視図である。
使用する反応管を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の半導体製造装置に
使用する反応管を説明するための斜視図である。
使用する反応管を説明するための斜視図である。
【図３】従来の半導体製造装置を説明するための図であ
り、図３Ａは断面図、図３Ｂは、図３ＡのＸ１−Ｘ１線
断面図である。
り、図３Ａは断面図、図３Ｂは、図３ＡのＸ１−Ｘ１線
断面図である。
１…半導体製造装置 １０…反応管本体 １４…天井板 ３０…ガスシャワー板 ３２…ガス分散孔 ４０…上部ガス導入管 ４２…シャワー室 ５０〜５２…排気管 １００…反応管 １１１、３１１、３１２……ガス導入管 １２１、３２１、３２２…ガス導入管ガス導入部 ２００…ウェーハ ２１０…ボート ２１２…ボート支柱 ２２０…ヒータ ２３０…均熱管
Claims (2)
- 【請求項１】加熱手段と、 前記加熱手段内に設けられた反応管であって、前記反応
管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部と排気部
とを有する反応管と、 前記反応管の前記排気部側から前記ガス導入部まで前記
反応管の側壁に巻回されて延在するガス導入管と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】前記ガス導入管が１本であることを特徴と
する請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206396A JPH09260363A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206396A JPH09260363A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260363A true JPH09260363A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14044028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9206396A Pending JPH09260363A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260363A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100398594B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2003-09-19 | (주)영인테크 | 웨이퍼용 히팅장치 |
| US6984267B2 (en) | 1998-06-30 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Manufacture system for semiconductor device with thin gate insulating film |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP9206396A patent/JPH09260363A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984267B2 (en) | 1998-06-30 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Manufacture system for semiconductor device with thin gate insulating film |
| KR100398594B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2003-09-19 | (주)영인테크 | 웨이퍼용 히팅장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040727 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |