JPH11260744A - 熱処理炉 - Google Patents

熱処理炉

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JPH11260744A
JPH11260744A JP7485998A JP7485998A JPH11260744A JP H11260744 A JPH11260744 A JP H11260744A JP 7485998 A JP7485998 A JP 7485998A JP 7485998 A JP7485998 A JP 7485998A JP H11260744 A JPH11260744 A JP H11260744A
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JP
Japan
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heater
cooling
furnace
cooling medium
quenching
Prior art date
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Pending
Application number
JP7485998A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Hosaka
英二 保坂
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH11260744A publication Critical patent/JPH11260744A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】炉内の冷却に要する時間を大幅に短縮しスルー
プットを向上させると共に炉内の上方と下方とで冷却に
要する時間の差をなくし被処理基板の製品品質の均一化
を図る。 【解決手段】上端が閉塞された筒状のヒータ15と、該
ヒータ内に配設された反応管6と、前記ヒータと反応管
とが成す空間14に連通され該空間より雰囲気ガスを排
出する排熱系とを具備する熱処理炉に於いて、前記ヒー
タの成型断熱部材19中に上下に伸びる冷却媒体導入路
25を所要数設け、前記成型断熱部材より前記冷却媒体
導入路迄貫通する様急冷吹出口24を穿設し、前記冷却
媒体導入路下端より冷却媒体を供給する様構成し、排熱
系に加え、急冷導入ブロア、急冷導入孔、急冷吹出口を
設けたことにより冷却空気を炉内全域に亘って均等に導
入することができるので炉内の冷却に要する時間が大幅
に短縮できスループットが向上すると共に炉内の上方と
下方とで冷却に要する時間の差をなくすことができ被処
理基板の製品品質の均一化が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置の熱
処理炉に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程の一つにシリコンウェー
ハ等被処理基板に不純物の拡散、或は化学気相成長によ
る薄膜の生成等の処理、或はアニール処理等がある。こ
れらの工程は熱処理炉内にウェーハを装入し、所定の温
度に維持した状態で反応ガスを導入して行われる。
【0003】図4に於いて従来の半導体製造用熱処理炉
について説明する。
【0004】上端が閉塞されたヒータ1は上から順にヒ
ータユニット2、ヒータユニット3、ヒータユニット
4、ヒータユニット5が重ねられた円筒形状であり、内
部には外部反応管6が配設され、該外部反応管6はベー
ス(図示せず)にリング状断熱部材の台座(図示せず)
を介して立設され、該外部反応管6内には上端が開放さ
れた内部反応管(図示せず)が同心に設けられている。
該内部反応管内には多数のウェーハ7が装填されたボー
ト8が装入される様になっており、該ボート8は図示し
ないボート支持台を介してボートキャップ9に載設さ
れ、図示しないボートエレベータにより昇降される様に
なっている。前記ヒータ1の上端部には排気管10が連
通され、該排気管10には上流側よりシャッタ11、ラ
ジエタ12、排気ブロア13が設けられ、排熱系を構成
している。
【0005】前記ウェーハ7の処理は、前記ヒータ1に
より所定温度に加熱された状態で前記外部反応管6内を
排気した後、反応ガスを導入して行われる。
【0006】処理後の前記ウェーハ7の無用な酸化等を
防止する為、前記ヒータ1、外部反応管6等は所要の温
度迄冷却し、その後前記ボート8の引出し、前記ウェー
ハ7の搬送、又次バッチ分の未処理ウェーハ7が装填さ
れたボート8の装入を行っている。冷却は前記シャッタ
11を開放し、前記排気ブロア13により前記ヒータ1
と外部反応管6との間の空間14から高熱雰囲気ガスを
吸引し、前記ラジエタ12で冷却しつつ排出していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】斯かる冷却方法では空
間14の下端から炉外の冷たい冷却媒体が流入し、ヒー
タ1、外部反応管6を冷却して空間14の上端から排出
される。この為ヒータ1、外部反応管6の下端側は流入
直後の冷たい空気で冷却され、上端側は暖まった空気で
冷却されることとなり、上方のヒータユニット2付近と
下方のヒータユニット5付近とで冷却に要する時間に差
が生じてしまい、全体として冷却する時間が長くなりス
ループットが向上しない。更に炉内の上方と下方とで被
処理基板の熱履歴が異なり製品品質に不均一を生じる可
能性があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上端が閉塞さ
れた筒状のヒータと、該ヒータ内に配設された反応管
と、前記ヒータと反応管とが成す空間に連通され該空間
より雰囲気ガスを排出する排熱系とを具備する熱処理炉
に於いて、前記ヒータの成型断熱部材中に上下に伸びる
冷却媒体導入路を所要数設け、前記成型断熱部材より前
記冷却媒体導入路迄貫通する様急冷吹出口を穿設し、前
記冷却媒体導入路下端より冷却媒体を供給する様構成し
た熱処理炉に係るものであり、又、前記急冷吹出口は斜
め上方に向かって開口し、該急冷吹出口より導入された
冷却媒体が螺旋流れを形成する様にした熱処理炉に係る
ものである。
【0009】排熱系に加え、急冷導入ブロア、急冷導入
孔、急冷吹出口を設けたことにより冷却媒体を炉内全域
に亘って均等に導入することができるので炉内の冷却に
要する時間が大幅に短縮できスループットが向上すると
共に炉内の上方と下方とで冷却に要する時間の差をなく
すことができ被処理基板の製品品質の均一化が図れる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。尚、図中、図4で示したものと
同一のものには同符号を付してある。
【0011】図1に示す様に、上端が閉塞されたヒータ
15は上から順にヒータユニット16、ヒータユニット
17、ヒータユニット18が重ねられた円筒形状であ
り、内部には外部反応管6が配設され、該外部反応管6
はベース(図示せず)にリング状断熱部材の台座(図示
せず)を介して立設され、該外部反応管6内には上端が
開放された内部反応管(図示せず)が同心に設けられて
いる。該内部反応管内には多数のウェーハ7が装填され
たボート8が装入される様になっており、該ボート8は
図示しないボート支持台を介してボートキャップ9に載
設され、図示しないボートエレベータにより昇降される
様になっている。前記ヒータ15の上端部には排気管1
0が連通され、該排気管10には上流側よりシャッタ1
1、ラジエタ12、排気ブロア13が設けられ、排熱系
を構成している。
【0012】図2及び図3に於いて、ヒータユニット1
6、ヒータユニット17、ヒータユニット18について
説明する。尚、ヒータユニット16、ヒータユニット1
7、ヒータユニット18は同じ構造なので、以下ヒータ
ユニット16について説明する。
【0013】ヒータユニット16は半円筒状の成型断熱
部材19aと成型断熱部材19bとの組合わせによる円
筒形状を成し、該成型断熱部材19a,19bの内壁面
にはそれぞれヒータ素線20a,20bが固着され、該
ヒータ素線20a,20bは前記ヒータユニット16内
で螺旋状に連続している。
【0014】前記各成型断熱部材19a,19b中には
急冷導入孔21が円周等分位置に所要数(図示では5
本)上下に貫通する様それぞれ穿設されており、該急冷
導入孔21の上端には該急冷導入孔21と同径の内径を
有する継手管22が嵌接され、該継手管22の上半部は
前記成型断熱部材19の上端より突出している。
【0015】前記ヒータユニット17の継手管22の上
半部は前記ヒータユニット16を構成する成型断熱部材
19の急冷導入孔21下端部に嵌合する様になってお
り、同様に前記ヒータユニット18の継手管22の上半
部は前記ヒータユニット17を構成する成型断熱部材1
9の急冷導入孔21下端部に嵌合する様になっており、
各急冷導入孔21の下端部には継手管22と嵌合可能な
継手受部21aが形成されている。
【0016】前記急冷導入孔21には前記成型断熱部材
19の内壁側、即ち前記ヒータ素線20の設けられてい
る側の該各ヒータ素線20間より前記急冷導入孔21迄
貫通する様斜め上方から急冷吹出口24が穿設されてい
る。
【0017】前記各成型断熱部材19a,19bを組合
わせてヒータユニット16,17,18とし、該各ヒー
タユニット16,17,18を上下に重ねてヒータ15
を形成する際には、前記継手管22を前記急冷導入孔2
1の継手受部21aにそれぞれ嵌込む。
【0018】前記ヒータ15が形成された状態では前記
急冷導入孔21は前記ヒータ15の下端から上端迄連続
する冷却媒体導入路25を形成し、それぞれの冷却媒体
導入路25の下端には急冷導入管26が連通され、該急
冷導入管26には急冷導入ブロア27が設けられてい
る。
【0019】前記ウェーハ7の処理後、前記ヒータ1
5、外部反応管6等を所要の温度迄冷却するには前記シ
ャッタ11を開放し排気ブロア13で空間14から高熱
雰囲気ガスを吸引排気すると共に前記急冷導入ブロア2
7により前記急冷導入管26を介してAIR、N2 等の
冷却媒体を前記各冷却媒体導入路25へ導入する。冷却
媒体は前記冷却媒体導入路25内を上昇し、上昇する過
程で急冷導入孔21に穿設された急冷吹出口24を介し
て前記ヒータ15と外部反応管6との間の空間14へ分
散して吹出し、前記排気ブロア13により前記空間14
から空気を吸引排気し、前記ラジエタ12で冷却しつつ
排出する。前記急冷吹出口24は前述した様に上向きな
ので該急冷吹出口24より前記空間14へ吹出された空
気は上方へ向かって渦巻く様な流線28となる。この
為、前記空間14内での冷却媒体の攪拌が促進され、冷
却効果が増大すると共に冷却の均一化が促進される。
【0020】尚、上記実施の形態では急冷導入孔21を
穿設し継手管22を設けたが、上端部が突出する様に急
冷導入管を成型断熱部材19内に埋設してもよい。
【0021】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、排気ブ
ロア13に加え、急冷導入ブロア27、急冷導入孔2
1、急冷吹出口24を設けたことにより冷却媒体を炉内
全域に亘って均等に導入することができるのでヒータ1
5や外部反応管6等の冷却に要する時間が大幅に短縮で
きスループットが向上すると共に上方のヒータユニット
16付近と下方のヒータユニット18付近とで冷却に要
する時間の差をなくすことができ被処理基板の製品品質
の均一化が図れる等種々の優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るヒータユニットの一
部を示す概略斜視図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るヒータユニットを示
す平面図である。
【図4】従来例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
6 外部反応管 10 排気管 11 シャッタ 12 ラジエタ 13 排気ブロア 15 ヒータ 20 ヒータ素線 21 急冷導入孔 24 急冷吹出口 26 急冷導入管 27 急冷導入ブロア

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上端が閉塞された筒状のヒータと、該ヒ
    ータ内に配設された反応管と、前記ヒータと反応管とが
    成す空間に連通され該空間より雰囲気ガスを排出する排
    熱系とを具備する熱処理炉に於いて、前記ヒータの成型
    断熱部材中に上下に伸びる冷却媒体導入路を所要数設
    け、前記成型断熱部材より前記冷却媒体導入路迄貫通す
    る様急冷吹出口を穿設し、前記冷却媒体導入路下端より
    冷却媒体を供給する様構成したことを特徴とする熱処理
    炉。
  2. 【請求項2】 前記急冷吹出口は斜め上方に向かって開
    口し、該急冷吹出口より導入された冷却媒体が螺旋流れ
    を形成する様にした請求項1の熱処理炉。
JP7485998A 1998-03-09 1998-03-09 熱処理炉 Pending JPH11260744A (ja)

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