JP4669465B2 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 - Google Patents
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Description
又本発明は、前記基板処理装置に於ける半導体装置の製造方法に係るものである。
又本発明は、筒状の断熱体及び該断熱体の内周面に配設された発熱線から構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に第1の断熱体が設けられたヒータケースと、該ヒータケースと前記発熱部の上端に設けられた天井部とから構成された加熱装置に於いて、前記第1の断熱体の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられる加熱装置に係るものである。
尚、本発明は以下の実施の態様を含む。
2 加熱装置
3 均熱管
4 反応管
5 ウェーハ
6 ボート
7 発熱部
11 ヒータケース
15 空間
16 冷却ガス導入ダクト
20 導通口
36 冷却ガス導入ダクト
44 成形ブロック
45 内層断熱体
46 ガス吹出し孔
57 マニホールドリング
58 下部断熱部材
59 導通孔
Claims (10)
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成された加熱装置を有する基板処理装置に於いて、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられることを特徴とする基板処理装置。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成され、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられた加熱装置の前記発熱線により加熱され、基板が処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成された加熱装置に於いて、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられることを特徴とする加熱装置。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成された加熱装置に於いて、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側には、内周面が前記円筒空間の内周面より外側となる様冷却ガス導入部が設けられ、該冷却ガス導入部の内周面と前記発熱部との間に、前記断熱体よりも熱伝導率の低い第2の断熱材が設けられたことを特徴とする加熱装置。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材と、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられた冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられた加熱装置に用いられる第2の断熱材であって、前記冷却ガス導入部の内周面と前記発熱部との間に設けられ、前記断熱体よりも熱伝導率が低いことを特徴とする第2の断熱材。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成され、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられた冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられ、前記冷却ガス導入部の内周面と前記発熱部との間に、前記断熱体よりも熱伝導率の低い第2の断熱材が設けられる加熱装置の前記発熱線により加熱され、基板が処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材と、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部とを有する基板処理装置に於いて、前記断熱体の外周面と前記円筒空間の内周面より外側に設けられた前記冷却ガス導入部の内周面との間に第2の断熱材が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成された加熱装置に於いて、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられ、前記断熱体の外周面と前記冷却ガス導入部の内周面との間に第2の断熱材が設けられたことを特徴とする加熱装置。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成された加熱装置に用いられる第2の断熱材であって、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられ、前記断熱体の外周面と前記冷却ガス導入部の内周面との間に設けられることを特徴とする第2の断熱材。
- 筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた第1の断熱材とで構成され、前記発熱部の下部を囲繞する様に前記第1の断熱材の下方に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられ、前記断熱体の外周面と前記冷却ガス導入部の内周面との間に第2の断熱材が設けられる加熱装置の前記発熱線により加熱されて、基板が処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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