JPH09219375A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JPH09219375A
JPH09219375A JP4947596A JP4947596A JPH09219375A JP H09219375 A JPH09219375 A JP H09219375A JP 4947596 A JP4947596 A JP 4947596A JP 4947596 A JP4947596 A JP 4947596A JP H09219375 A JPH09219375 A JP H09219375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction tube
heater
space
base
semiconductor manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4947596A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4070832B2 (ja
Inventor
Eiji Hosaka
英二 保坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP04947596A priority Critical patent/JP4070832B2/ja
Publication of JPH09219375A publication Critical patent/JPH09219375A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4070832B2 publication Critical patent/JP4070832B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体製造装置に於いて、降温速度を大きく
し、冷却時間の短縮、ひいてはスループットの向上を図
る。 【解決手段】上端が閉塞された筒状のヒータ１がベース
５にリング状断熱材のヒータ台座１４を介して立設さ
れ、前記ヒータ内に反応管２が配設され、前記ヒータと
反応管との間に空間１１が形成され、前記反応管はベー
スを貫通して立設され、前記ヒータ台座に前記空間に連
通する吹込み孔１５を所要数設け、前記空間の上端部に
排熱系を連通し、前記空間を流れる冷却媒体の流量を充
分に確保することで冷却速度が改善される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は反応炉を有する半導
体製造装置、特に冷却特性を改良した半導体製造装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造の工程の１つにシリコンウェ
ーハに不純物の拡散、或は化学気相成長による薄膜の生
成等の処理、或はアニール処理等がある。これら工程は
反応炉内にウェーハを装入し、所定の温度に維持した状
態で反応ガスを導入して行われる。
【０００３】図８により従来の半導体製造用反応炉を説
明する。
【０００４】上端が閉塞された筒状のヒータ１が立設さ
れ、該ヒータ１内に外部反応管２が配設され、該外部反
応管２はベース５を遊嵌して立設され、該外部反応管２
内には上端が開放された内部反応管３が同心に設けられ
ている。前記内部反応管３内には多数のウェーハが装填
されたボート４が装入される様になっており、該ボート
４はボート支持台６を介して炉口蓋７に載設され、図示
しないボートエレベータにより昇降される様になってい
る。前記ヒータ１の上端部には吸気管８が連通され、該
吸気管８には上流側よりラジエタ９、ブロア１０が設け
られ、排熱系を構成している。
【０００５】ウェーハの処理は前記ヒータ１により所定
温度に加熱された状態で図示しない排気管より外部反応
管２内が排気された後、図示しない反応ガス供給管より
反応ガスが導入されて行われる。
【０００６】ウェーハの無用な酸化等を防止する為、ヒ
ータ１、外部反応管２等は所要の温度迄冷却し、その後
ボート４の引出し、ウェーハの搬送、又次バッチ分の未
処理ウェーハが装填されたボート４の装入を行ってお
り、前記冷却は前記ブロア１０により前記ヒータ１と外
部反応管２間の空間１１から空気を吸引し、前記ラジエ
タ９で冷却後排出していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記空間１１から空気
を排出する場合の外気の吸引口は前記ベース５と外部反
応管２間の間隙となり、更に前記ヒータ１のベース５貫
通孔の周囲には断熱材１２が巻付けられている等して前
記吸引口は狭小なものとなっている。従って、前記ブロ
ア１０で吸引した場合の圧力損失が大きく、特に４００
℃以下になると流通空気の量が充分でなく、降温速度が
著しく悪くなっており、冷却時間が装置のスループット
の向上を阻害しているという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上端が閉塞され
た筒状のヒータがベースにリング状断熱材のヒータ台座
を介して立設され、前記ヒータ内に反応管が配設され、
前記ヒータと反応管との間に空間が形成され、前記反応
管はベースを貫通して立設され、前記ヒータ台座に前記
空間に連通する吹込み孔を所要数設け、前記空間の上端
部に排熱系を連通した半導体製造装置、ヒータ台座の内
径をヒータの内径より小径にし、吹込み孔の内端側を上
向きにした半導体製造装置、ベースの反応管貫通孔と反
応管とを断熱材により封止し、該断熱材と前記ヒータ台
座とをインローとした半導体製造装置、外部反応管の外
面、内面の少なくとも１面に所要数のフィンを設けた半
導体製造装置、又更に内部反応管の外面、内面の少なく
とも１面に所要数のフィンを設けた半導体製造装置に係
るものであり、その為、降温速度を大きくでき、冷却時
間を短縮できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
【００１０】尚、図１中、図８中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
【００１１】上端が閉塞された筒状のヒータ１がベース
５にリング状断熱材のヒータ台座１４を介して立設され
ている。前記ヒータ１内に外部反応管２が配設され、該
外部反応管２はベース５を貫通して立設され、該ベース
５の貫通箇所は断熱材１２により封止されている。
【００１２】前記ヒータ台座１４は前記ヒータ１の内径
よりも小径で内部に張出しており、前記ヒータ台座１４
には所要数の吹込み孔１５が形成され、該吹込み孔１５
の内端部は気体の流れが上方に向く様傾斜し、更に内端
孔１６は前記ヒータ台座１４の内側張出し部の上面に形
成され、前記内端孔１６は前記ヒータ１と外部反応管２
間の空間１１に開口している。
【００１３】前記外部反応管２内には上端が開放された
内部反応管３が同心に設けられ、前記内部反応管３内に
は多数のウェーハが装填されたボート４が装入される様
になっており、該ボート４はボート支持台６を介して炉
口蓋７に載設され、図示しないボートエレベータにより
昇降される様になっている。前記ヒータ１の上端部には
吸気管８が連通され、該吸気管８には上流側よりラジエ
タ９、ブロア１０が設けられ、排熱系を構成している。
【００１４】冷却を行う場合は、前記吹込み孔１５より
空気等の冷却媒体を吹込み、更に前記ブロア１０により
空間１１内の雰囲気ガスを吸引排出する。前記吹込み孔
１５は充分な量の冷却媒体を吹き込むに充分な開口面積
を有し、又吹込み孔１５より積極的に冷却媒体を吹込む
ことで、空間１１内を流れる冷却媒体の流量が充分に確
保される。尚、前記吹込み孔１５を形成し、充分な開口
面積を確保しているので前記吹込み孔１５より冷却媒体
を積極的に吹込まなくても前記ブロア１０による吸引で
充分降温特性の改善は見られる。
【００１５】前記した様に、吹込み孔１５の内端部を上
向きにしたことで、吹込み孔１５での圧力損失を少なく
できると共に前記断熱材１２と外部反応管２間の隙間か
らの冷却媒体の漏れを少なくできる。
【００１６】図２は他の実施の形態を示しており、該他
の実施の形態では吹込み孔１５の内端部の傾斜を曲面と
し、冷却媒体の流れが上向きになるのを更に円滑にし、
又前記ヒータ台座１４と前記断熱材１２とをインロー方
式とし、ヒータ台座１４と断熱材１２間の間隙より冷却
媒体が漏出するのを抑止したものである。
【００１７】次に、炉内の放熱効果を高めた実施の形態
について図３、図４により説明する。
【００１８】外部反応管２の外面に、母線方向に沿って
延びるフィン１７を円周に沿って所要のピッチで複数枚
（本実施の形態では１２枚）固着する。前記フィン１７
を固着することで、前記外部反応管２の放熱面積が増大
し、放熱特性が改善される。
【００１９】又図５、図６は内部反応管３にフィン１８
を設けた例を示しており、内部反応管３の外面に、母線
方向に沿って延びるフィン１８を円周に沿って所要のピ
ッチで複数枚（本実施の形態では１２枚）固着したもの
である。本実施の形態でも内部反応管３の放熱面積が増
大し、放熱特性が向上する。尚、フィンは前記外部反応
管２、内部反応管３の内面に設けてもよく、或は外面と
内面の両面に設けてもよい。
【００２０】前記外部反応管２にフィン１７を設けた場
合の本実施の形態での降温特性と従来の降温特性の比較
を図７により説明する。本実施の形態の実測降温特性を
Ａで、又平均降温特性をＡ′で示し、又従来の実測降温
特性をＢで、又平均降温特性をＢ′で示している。
【００２１】実測値に於いて４００℃から１００℃迄降
下する時間を比較すると、本実施の形態と従来例では本
実施の形態が約４０００sec 、従来例が約５１００sec
と大幅に短縮しているのが分かる。又平均降温速度は本
実施の形態が４．６５℃／min 、従来例が３．５８℃／
min であり、向上したことが分かる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、降温速
度を大きくでき冷却時間を短縮できるので、半導体製造
装置のスループットを改善できるという優れた効果を発
揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す一部を破断した立断
面図である。
【図２】同前他の実施の形態を示す部分断面図である。
【図３】本実施の形態に用いられる外部反応管の一例を
示す断面図である。
【図４】同前平面図である。
【図５】本実施の形態に用いられる内部反応管の一例を
示す断面図である。
【図６】同前平面図である。
【図７】本実施の形態と従来例の降温特性を示すグラフ
である。
【図８】従来例の立断面図である。
【符号の説明】
１ ヒータ ２ 外部反応管 ３ 内部反応管 ５ ベース ８ 吸気管 ９ ラジエタ １０ ブロア １４ ヒータ台座 １５ 吹込み孔 １６ 内端孔 １７ フィン １８ フィン

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上端が閉塞された筒状のヒータがベース
    にリング状断熱材のヒータ台座を介して立設され、前記
    ヒータ内に反応管が配設され、前記ヒータと反応管との
    間に空間が形成され、前記反応管はベースを貫通して立
    設され、前記ヒータ台座に前記空間に連通する吹込み孔
    を所要数設け、前記空間の上端部に排熱系を連通したこ
    とを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 ヒータ台座の内径をヒータの内径より小
    径にし、吹込み孔の内端側を上向きにした請求項１の半
    導体製造装置。
  3. 【請求項３】 ベースの反応管貫通孔と反応管とを断熱
    材により封止し、該断熱材と前記ヒータ台座とをインロ
    ーとした請求項１の半導体製造装置。
  4. 【請求項４】 外部反応管の外面、内面の少なくとも１
    面に所要数のフィンを設けた請求項１の半導体製造装
    置。
  5. 【請求項５】 内部反応管の外面、内面の少なくとも１
    面に所要数のフィンを設けた請求項１の半導体製造装
    置。
JP04947596A 1996-02-13 1996-02-13 半導体製造装置 Expired - Lifetime JP4070832B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04947596A JP4070832B2 (ja) 1996-02-13 1996-02-13 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04947596A JP4070832B2 (ja) 1996-02-13 1996-02-13 半導体製造装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006315735A Division JP2007110145A (ja) 2006-11-22 2006-11-22 ヒータ台座及び半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09219375A true JPH09219375A (ja) 1997-08-19
JP4070832B2 JP4070832B2 (ja) 2008-04-02

Family

ID=12832189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04947596A Expired - Lifetime JP4070832B2 (ja) 1996-02-13 1996-02-13 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4070832B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02191462A (ja) * 1989-01-19 1990-07-27 Nippon Oil & Fats Co Ltd エチレンオキサイド滅菌検知用インジケータ組成物
JP2002367913A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Dowa Mining Co Ltd Ｍｏｃｖｄ装置
JP2011176178A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 熱処理装置および半導体装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02191462A (ja) * 1989-01-19 1990-07-27 Nippon Oil & Fats Co Ltd エチレンオキサイド滅菌検知用インジケータ組成物
JPH0458343B2 (ja) * 1989-01-19 1992-09-17 Nippon Yushi Kk
JP2002367913A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Dowa Mining Co Ltd Ｍｏｃｖｄ装置
JP2011176178A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 熱処理装置および半導体装置の製造方法
US8734148B2 (en) 2010-02-25 2014-05-27 Hitachi Kokusai Electric Inc. Heat treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4070832B2 (ja) 2008-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2714577B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
US5709543A (en) Vertical heat treatment apparatus
JP4498362B2 (ja) 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
JP3910151B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
US5567152A (en) Heat processing apparatus
JP2755876B2 (ja) 熱処理成膜装置
US9460946B2 (en) Substrate processing apparatus and heating equipment
JPH05217929A (ja) 酸化拡散処理装置
JP4355441B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法及び半導体デバイスの製造方法
JPH09219375A (ja) 半導体製造装置
JP4669465B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材
JPH11260744A (ja) 熱処理炉
JPS62206826A (ja) 半導体熱処理装置
JP4860373B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4104070B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材
JP3332955B2 (ja) 熱処理炉の強制空冷装置
JP3081886B2 (ja) 成膜方法
JP4954176B2 (ja) 基板の熱処理装置
JPH0799164A (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP2921945B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP2007110145A (ja) ヒータ台座及び半導体製造装置
JP2001250786A (ja) 半導体製造装置
JP2006093411A (ja) 基板処理装置
JP2011103469A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材
JP2004327528A (ja) 半導体処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070605

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070806

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071016

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20071127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080116

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125

Year of fee payment: 3

R154 Certificate of patent or utility model (reissue)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125

Year of fee payment: 6

EXPY Cancellation because of completion of term