JPH0567577A - 縦型拡散・ｃｖｄ炉 - Google Patents
縦型拡散・ｃｖｄ炉Info
- Publication number
- JPH0567577A JPH0567577A JP25834191A JP25834191A JPH0567577A JP H0567577 A JPH0567577 A JP H0567577A JP 25834191 A JP25834191 A JP 25834191A JP 25834191 A JP25834191 A JP 25834191A JP H0567577 A JPH0567577 A JP H0567577A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- insulating layer
- heat
- layer
- heater
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外被断熱層の余熱を吸収して降温速度を高め
る。 【構成】 外被断熱層１とヒータ層２との間に中空エア
断熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０のエア導出
側に、ラジエータ８に連通する中空エア断熱層内熱排気
ゲート１２を設ける。
る。 【構成】 外被断熱層１とヒータ層２との間に中空エア
断熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０のエア導出
側に、ラジエータ８に連通する中空エア断熱層内熱排気
ゲート１２を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に係り、
特に縦型拡散・ＣＶＤ炉に関する。
特に縦型拡散・ＣＶＤ炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化，多量
生産化に伴い、縦型拡散・ＣＶＤ炉の高速昇降温を行
い、自然酸化膜形成の防止，酸化の防止及びスループッ
トの向上が要求されている。
生産化に伴い、縦型拡散・ＣＶＤ炉の高速昇降温を行
い、自然酸化膜形成の防止，酸化の防止及びスループッ
トの向上が要求されている。
【０００３】図２は従来の縦型拡散・ＣＶＤ炉の１例の
構成を示す簡略断面図である。この従来炉は外被断熱層
１とヒータ層２を組み合わせた円筒形ヒータ内に石英反
応室３を設置し、この反応室３内にウェーハ４を積載し
たウェーハ積載治具５を挿入する。
構成を示す簡略断面図である。この従来炉は外被断熱層
１とヒータ層２を組み合わせた円筒形ヒータ内に石英反
応室３を設置し、この反応室３内にウェーハ４を積載し
たウェーハ積載治具５を挿入する。
【０００４】ヒータ層２と反応室３との間にエア流路６
を設け、このエア流路６にヒータ内熱排気ゲート７，ラ
ジエータ８を通して排気する排気ファン９を接続してい
る。
を設け、このエア流路６にヒータ内熱排気ゲート７，ラ
ジエータ８を通して排気する排気ファン９を接続してい
る。
【０００５】反応室３内に半導体プロセスガスを流して
ウェーハ４の表面に所望の半導体膜を形成するのである
が、その際、半導体膜を形成する前後の温度環境が空気
による酸化をウェーハ表面上に起こさないようにするた
め、ヒータ内燃排気ゲート７，ラジエータ８及び排気フ
ァン９よりなる急冷機構を作動して炉内の余熱を吸収し
てしまわねばならない（一般的に温度は２５０℃以下と
いわれている）。
ウェーハ４の表面に所望の半導体膜を形成するのである
が、その際、半導体膜を形成する前後の温度環境が空気
による酸化をウェーハ表面上に起こさないようにするた
め、ヒータ内燃排気ゲート７，ラジエータ８及び排気フ
ァン９よりなる急冷機構を作動して炉内の余熱を吸収し
てしまわねばならない（一般的に温度は２５０℃以下と
いわれている）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、外
被断熱層１にある余熱を効果的に吸収することができな
いため、半導体膜形成温度からウェーハ出入れ可能温度
までの時間を短縮することが難しいという課題がある。
被断熱層１にある余熱を効果的に吸収することができな
いため、半導体膜形成温度からウェーハ出入れ可能温度
までの時間を短縮することが難しいという課題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明炉は上記の課題を
解決するため、図１に示すように外被断熱層１を有する
ヒータ層２内に反応室３を収設し、この反応室３内にウ
ェーハ４を積載したウェーハ積載治具５を挿入し、前記
ヒータ層２と反応室３との間にエア流路６を設け、この
エア流路６にヒータ内熱排気ゲート７，ラジエータ８を
通して排気する排気装置９を接続してなる縦型拡散・Ｃ
ＶＤ炉において、前記外被断熱層１とヒータ層２との間
に中空エア断熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０
のエア導出側に、前記ラジエータ８に連通する中空エア
断熱層内熱排気ゲート１２を設けてなる。
解決するため、図１に示すように外被断熱層１を有する
ヒータ層２内に反応室３を収設し、この反応室３内にウ
ェーハ４を積載したウェーハ積載治具５を挿入し、前記
ヒータ層２と反応室３との間にエア流路６を設け、この
エア流路６にヒータ内熱排気ゲート７，ラジエータ８を
通して排気する排気装置９を接続してなる縦型拡散・Ｃ
ＶＤ炉において、前記外被断熱層１とヒータ層２との間
に中空エア断熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０
のエア導出側に、前記ラジエータ８に連通する中空エア
断熱層内熱排気ゲート１２を設けてなる。
【０００８】
【作用】このような構成とすることによりヒータ内熱排
気ゲート７，中空エア断熱層内熱排気ゲート１２，ラジ
エータ８及び排気装置９よりなる急冷機構を作動させる
と、ヒータ内熱排気ゲート７及び中空エア断熱層内熱排
気ゲート１２が開となり、エアがエア流路６を通過しそ
の際、反応室３とヒータ層２が冷却され、これと同時に
エアが中空エア断熱層１０を通過しその際、ヒータ層２
と外被断熱層１が冷却される。
気ゲート７，中空エア断熱層内熱排気ゲート１２，ラジ
エータ８及び排気装置９よりなる急冷機構を作動させる
と、ヒータ内熱排気ゲート７及び中空エア断熱層内熱排
気ゲート１２が開となり、エアがエア流路６を通過しそ
の際、反応室３とヒータ層２が冷却され、これと同時に
エアが中空エア断熱層１０を通過しその際、ヒータ層２
と外被断熱層１が冷却される。
【０００９】熱を奪って高温になったエアはラジエータ
８で冷却され、排気装置９により排気されることにな
る。こうしてヒータ層２及び反応室３がエア流路６を通
るエアにより急冷されることは勿論のこと、外被断熱層
１及びヒータ層２が中空エア断熱層１０を通るエアによ
り急冷されることになる。
８で冷却され、排気装置９により排気されることにな
る。こうしてヒータ層２及び反応室３がエア流路６を通
るエアにより急冷されることは勿論のこと、外被断熱層
１及びヒータ層２が中空エア断熱層１０を通るエアによ
り急冷されることになる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の縦型拡散・ＣＶＤ炉の１実施
例の構成を示す簡略断面図である。図１において１は外
被断熱層、２はヒータ層、３はヒータ層２内に設けた石
英反応室、５はウェーハ４を積載したウェーハ積載治具
で、反応室３内に挿入される。６はヒータ層２は反応室
３との間に設けたエア流路、７はヒータ内熱排気ゲー
ト、８はラジエータ、９は排気ファンである。
例の構成を示す簡略断面図である。図１において１は外
被断熱層、２はヒータ層、３はヒータ層２内に設けた石
英反応室、５はウェーハ４を積載したウェーハ積載治具
で、反応室３内に挿入される。６はヒータ層２は反応室
３との間に設けたエア流路、７はヒータ内熱排気ゲー
ト、８はラジエータ、９は排気ファンである。
【００１１】本実施例は、このような構成の縦型拡散・
ＣＶＤ炉において、外被断熱層１とヒータ層２との間に
中空エア断熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０の
エア導入側に中空エア断熱層内エア供給口ゲート１１を
設けると共に中空エア断熱層１０のエア導出側にラジエ
ータ８に連通する中空エア断熱層内熱排気ゲート１２を
設けてなる。
ＣＶＤ炉において、外被断熱層１とヒータ層２との間に
中空エア断熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０の
エア導入側に中空エア断熱層内エア供給口ゲート１１を
設けると共に中空エア断熱層１０のエア導出側にラジエ
ータ８に連通する中空エア断熱層内熱排気ゲート１２を
設けてなる。
【００１２】上記構成の本実施例において、ヒータ内熱
排気ゲート７，中空エア断熱層内エア供給口ゲート１
１，中空エア断熱層内熱排気ゲート１２，ラジエータ８
及び排気装置９よりなる急冷機構を作動させると、ヒー
タ内熱排気ゲート７，中空エア断熱層内エア供給口ゲー
ト１１及び中空エア断熱層内熱排気ゲート１２が開とな
り、エアがエア流路６を通過しその際、反応室３とヒー
タ層２が冷却され、これと同時にエアが中空エア断熱層
１０を通過しその際、ヒータ層２と外被断熱層１が冷却
される。
排気ゲート７，中空エア断熱層内エア供給口ゲート１
１，中空エア断熱層内熱排気ゲート１２，ラジエータ８
及び排気装置９よりなる急冷機構を作動させると、ヒー
タ内熱排気ゲート７，中空エア断熱層内エア供給口ゲー
ト１１及び中空エア断熱層内熱排気ゲート１２が開とな
り、エアがエア流路６を通過しその際、反応室３とヒー
タ層２が冷却され、これと同時にエアが中空エア断熱層
１０を通過しその際、ヒータ層２と外被断熱層１が冷却
される。
【００１３】熱を奪って高温になったエアはラジエータ
８で冷却され、排気ファン９により排気されることにな
る。こうしてヒータ層２及び反応室３がエア流路６を通
るエアにより急冷されることは勿論のこと、外被断熱層
１及びヒータ層２が中空エア断熱層１０を通るエアによ
り急冷されることになる。
８で冷却され、排気ファン９により排気されることにな
る。こうしてヒータ層２及び反応室３がエア流路６を通
るエアにより急冷されることは勿論のこと、外被断熱層
１及びヒータ層２が中空エア断熱層１０を通るエアによ
り急冷されることになる。
【００１４】上記の本実施例によれば、外被断熱層１の
余熱を中空エア断熱層１０を通るエアにより効果的に吸
収することができ、降温速度を高める，即ちウェーハへ
の半導体生成終了からウェーハ出入れ可能温度までの時
間を短縮することができることになる。又、中空エア断
熱層１０内のエア供給口，熱排気ゲート１１，１２を閉
じることにより、半導体膜形成時におけるヒータの温度
特性（均熱ゾーン，温度安定性）も維持できるものであ
る。
余熱を中空エア断熱層１０を通るエアにより効果的に吸
収することができ、降温速度を高める，即ちウェーハへ
の半導体生成終了からウェーハ出入れ可能温度までの時
間を短縮することができることになる。又、中空エア断
熱層１０内のエア供給口，熱排気ゲート１１，１２を閉
じることにより、半導体膜形成時におけるヒータの温度
特性（均熱ゾーン，温度安定性）も維持できるものであ
る。
【００１５】
【発明の効果】上述の説明より明らかなように本発明に
よれば、外被断熱層１とヒータ層２との間に中空エア断
熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０のエア導出側
に、ラジエータ８に連通する中空エア断熱層内熱排気ゲ
ート１２を設けたので、外被断熱層１の余熱を中空エア
断熱層１０を通るエアにより積極的に吸収して降温速度
を高め、ウェーハへの半導体膜生成終了からウェーハ出
入れ可能温度までの時間を短縮することができる。
よれば、外被断熱層１とヒータ層２との間に中空エア断
熱層１０を設け、この中空エア断熱層１０のエア導出側
に、ラジエータ８に連通する中空エア断熱層内熱排気ゲ
ート１２を設けたので、外被断熱層１の余熱を中空エア
断熱層１０を通るエアにより積極的に吸収して降温速度
を高め、ウェーハへの半導体膜生成終了からウェーハ出
入れ可能温度までの時間を短縮することができる。
【図１】本発明の縦型拡散・ＣＶＤ炉の１実施例の構成
を示す簡略断面図である。
を示す簡略断面図である。
【図２】従来の縦型拡散・ＣＶＤ炉の１例の構成を示す
簡略断面図である。
簡略断面図である。
１ 外被断熱層 ２ ヒータ層 ３ （石英）反応室 ４ ウェーハ ５ ウェーハ積載治具 ６ エア流路 ７ ヒータ内熱排気ゲート ８ ラジエータ ９ 排気装置（ファン） １０ 中空エア断熱層 １１ 中空エア断熱層内エア供給口ゲート １２ 中空エア断熱層内熱排気ゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ 7738−4Ｍ 21/31 Ｂ 8518−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 外被断熱層（１）を有するヒータ層
（２）内に反応室（３）を収設し、この反応室（３）内
にウェーハ（４）を積載したウェーハ積載治具（５）を
挿入し、前記ヒータ層（２）と反応室（３）との間にエ
ア流路（６）を設け、このエア流路（６）にヒータ内熱
排気ゲート（７），ラジエータ（８）を通して排気する
排気装置（９）を接続してなる縦型拡散・ＣＶＤ炉にお
いて、前記外被断熱層（１）とヒータ層（２）との間に
中空エア断熱層（１０）を設け、この中空エア断熱層
（１０）のエア導出側に、前記ラジエータ（８）に連通
する中空エア断熱層内熱排気ゲート（１２）を設けてな
る縦型拡散ＣＶＤ炉。 - 【請求項２】 中空エア断熱層（１０）のエア導入側に
中空エア断熱層内エア供給口ゲート（１１）を設けてな
る請求項１の縦型拡散・ＣＶＤ炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25834191A JPH0567577A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 縦型拡散・ｃｖｄ炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25834191A JPH0567577A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 縦型拡散・ｃｖｄ炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567577A true JPH0567577A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=17318899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25834191A Pending JPH0567577A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 縦型拡散・ｃｖｄ炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567577A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653141A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Toshiba Corp | 熱処理成膜装置 |
| JP2002305189A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 |
| JP2007096334A (ja) * | 2006-11-08 | 2007-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置 |
| JP2011103469A (ja) * | 2010-12-02 | 2011-05-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 |
| JP2014209569A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-11-06 | 株式会社日立国際電気 | 断熱構造体及び半導体装置の製造方法 |
| KR20140129202A (ko) | 2012-03-22 | 2014-11-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP25834191A patent/JPH0567577A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653141A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Toshiba Corp | 熱処理成膜装置 |
| JP2002305189A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 |
| JP4610771B2 (ja) * | 2001-04-05 | 2011-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 |
| JP2007096334A (ja) * | 2006-11-08 | 2007-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置 |
| JP2011103469A (ja) * | 2010-12-02 | 2011-05-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 |
| KR20140129202A (ko) | 2012-03-22 | 2014-11-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 |
| US9695511B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-07-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and method of processing substrate |
| JP2014209569A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-11-06 | 株式会社日立国際電気 | 断熱構造体及び半導体装置の製造方法 |
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