JPH04297025A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH04297025A
JPH04297025A JP3001365A JP136591A JPH04297025A JP H04297025 A JPH04297025 A JP H04297025A JP 3001365 A JP3001365 A JP 3001365A JP 136591 A JP136591 A JP 136591A JP H04297025 A JPH04297025 A JP H04297025A
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JP
Japan
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oven
semiconductor substrates
treating chamber
chamber
furnace
Prior art date
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Application number
JP3001365A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyoshi Kawase
川瀬　康義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/005—Transport systems
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
    • F27B9/02—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity of multiple-track type; of multiple-chamber type; Combinations of furnaces
    • F27B9/028—Multi-chamber type furnaces
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D19/00—Arrangements of controlling devices
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に拡散炉又は気相成長炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の拡散炉又は気相成長炉においては
、図２の動作説明図に示すように、炉芯管と、その外周
に設けたヒーター２と、半導体基板６を出し入れする際
に開閉するシャッタ３と、ガス導入部４と、反応済みで
ガスを排出する排気部５とを備えており（同図（ａ））
、半導体基板６の熱処理又は薄膜形成を行う場合は、シ
ャッタ３を開き、半導体基板６を搭載したボート７を炉
芯管１内に入れ（同図（ｂ））、ガス導入部４より反応
ガスを導入して所定の熱処理を施した後（同図（ｃ））
、シャッタ３を開き（同図（ｄ））、半導体基板６を出
炉していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の拡散炉又は気相
成長炉においては、半導体基板６の入炉と出炉の開口部
が同じであることにより、図２（ｃ）に示すように、炉
芯管１内のボート７の上部Ａにおける半導体基板と下部
Ｂにおける半導体基板とでは熱履歴が異なり、又シャッ
タ３の開く時に大気が炉内に流入するために、半導体基
板間の膜厚均一性が低下するという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の拡散炉又は気相
成長炉を有する半導体製造装置は、前記炉が熱処理又は
薄膜形成を行うための熱処理室と、この処理室をはさん
で隣接し熱処理又は薄膜形成を行なわない予備室とを備
え、前記処理室と前記予備室とはそれぞれシャッターに
よって開閉できる仕切り構造を有し、且つ、ボートに搭
載した前記半導体基板が一方の前記予備室の開口部より
入炉し、次いで隣接する前記処理室にて一定の熱処理又
は薄膜形成処理を行なった後、隣接する別の前記予備室
の開口部より出炉するボート移動手段を備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例の動作説明図で、縦型拡散炉
に適用した場合を示している。
【０００６】本実施例は、ヒータ１３，ガス導入部１６
，排気部１７を有する排気室１１と、ガス導入部１４，
排気部１５を有し、処理室１１の上部及び下部に隣接し
て設けた予備室１０，１２とから構成されており、処理
室１１及び予備室１０，１２はそれぞれシャッタ１８，
１９によって仕切られ、予備室１２の下部には入炉開口
部となるシャッタ２０が設けられ、予備室１０の上部に
は出炉開口部となるシャッタ２３が設けられている（同
図（ａ））。
【０００７】先ず、予備室１０，１２及び処理室１１に
、ガス導入部１４及び１６から窒素等のガスが導入され
る。次にシャッタ２０が開き、ボート２１に搭載された
半導体基板２２が予備室１２に入炉され（同図（ｂ））
、シャッタ２０が閉じる。この状態を１〜１０分保持し
た後、同図（ｃ）に示すようにシャッタ１９が開き、半
導体基板２２は処理室１１へ移動される。同図（ｃ）の
状態で、半導体基板２２はガス導入部１６から導入され
る所定の反応ガスを用いて熱処理又は薄膜形成が行われ
る。
【０００８】同図（ｃ）の状態において、熱処理又は薄
膜形成が完了するとシャッタ１８が開き、半導体基板２
２は窒素等のガスの導入される予備室１０へ移動され（
同図（ｄ））、予備室１０において冷却された後シャッ
タ２３が開き、大気へ出炉される（同図（ｅ））。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の拡散炉又
は気相成長炉を有する半導体製造装置は、半導体基板が
処理室の一方の開口部より入炉し、他方の開口部より出
炉するため、半導体基板間（バッチ内）の熱履歴を均一
にすることが可能となる。又、処理室の入炉側及び出炉
側に予備室を設けることにより、入炉時の処理室への大
気の巻き込みを防止することが出来、半導体基板間の膜
厚均一性を、従来の装置にくらべ１／５以下に低減する
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の動作を同図（ａ）〜（ｃ）
の順に示す動作説明図である。
【図２】図１の続きを同図（ｄ），（ｅ）の順に示す動
作説明図である。
【図３】従来の半導体製造装置の動作を同図（ａ）〜（
ｄ）の順に示す動作説明図である。
【符号の説明】
１　　　　炉芯管 ２　　　　ヒーター ３　　　　シャッタ ４　　　　ガス導入部 ５　　　　排気部 ６　　　　半導体基板 ７　　　　ボート １０，１２　　　　予備室 １１　　　　処理室 １３　　　　ヒーター １４，１６　　　　ガス導入部 １５，１７　　　　排気部 １８，１９，２０，２３　　　　シャッタ２１　　　　
ボート ２２　　　　半導体基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体基板の熱処理を行う拡散炉又は
    気相成長炉を有する半導体製造装置において、前記炉は
    半導体基板の熱処理又は薄膜形成を行う処理室と、この
    処理室をはさんで隣接し熱処理又は薄膜形成を行わない
    予備室とを備え、前記処理室と前記予備室とは開閉可能
    なシャッタによる仕切り構造を有し、且つ、ボートに搭
    載した前記半導体基板が一方の前記予備室の開口部より
    入炉し、次いで隣接する前記処理室にて一定の熱処理又
    は薄膜形成処理を行った後、隣接する別の前記予備室の
    開口部より出炉するボート移動手段を備えることを特徴
    とする半導体製造装置。
JP3001365A 1991-01-10 1991-01-10 半導体製造装置 Pending JPH04297025A (ja)

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JP3001365A JPH04297025A (ja) 1991-01-10 1991-01-10 半導体製造装置
US07/818,075 US5232506A (en) 1991-01-10 1992-01-08 Furnace structure of semiconductor manufacturing apparatus
DE69202867T DE69202867T2 (de) 1991-01-10 1992-01-09 Ofenstruktur einer Herstellungsvorrichtung für Halbleiter.
EP92300191A EP0494783B1 (en) 1991-01-10 1992-01-09 Furnace structure of semiconductor manufacturing apparatus

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EP0494783A1 (en) 1992-07-15
US5232506A (en) 1993-08-03
EP0494783B1 (en) 1995-06-14
DE69202867T2 (de) 1995-11-23
DE69202867D1 (de) 1995-07-20

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