JPH03102818A - 化合物半導体アニール装置 - Google Patents
化合物半導体アニール装置Info
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- JPH03102818A JPH03102818A JP23934389A JP23934389A JPH03102818A JP H03102818 A JPH03102818 A JP H03102818A JP 23934389 A JP23934389 A JP 23934389A JP 23934389 A JP23934389 A JP 23934389A JP H03102818 A JPH03102818 A JP H03102818A
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- JP
- Japan
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- chamber
- tube
- annealed
- reaction tube
- annealing
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Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 18
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体のアニール装置に関し、特にＧａ
Ａｓ ＦＥＴ，ＩＣ等のデバイス製造時のイオン注入
層の活性化アニール装置に関する。
Ａｓ ＦＥＴ，ＩＣ等のデバイス製造時のイオン注入
層の活性化アニール装置に関する。
従来、この種のアニール装置は第３図に示すように、ガ
ス導入口４０及び排気孔３７を備え、外周にヒーター３
８が設置された横置きの反応管３９と、反応管３つにゲ
ートバルブ３６を介して接続された準備室３５と、準備
室３５の下部にゲートバルプ３３を介して接続されたグ
ローブボックス３２を備え、被アニール物はキャリャー
ボート３４に乗せ、搬送棒３１により準備室３５と反応
管３９内を出し入れする構造のもの、又第４図に示すよ
うにガス導入口４４及び排気孔４２を備え、外周にヒー
ター４３が設置され、その一端がエンドキャップ４１で
閉塞された反応管４５をもつ一般的な拡散炉タイプで、
キャップ４１側から被アニール物を出し入れする楕遣の
ものがあった． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のアニール装置は反応管３９又は４５の片
側から被アニール物の出し入れをするようになっている
ので、大きなキャリャーポートに被アニール物を載置し
てアニールする場合に反応管の上流側と下流側で熱履歴
が異なってくる．又、水平方向にガスを流すために熱分
布が乱れやすいという欠点がある． 本発明の目的は前記課題を解決した化合物半導体アニー
ル装置を提供することにある．〔発明の従来技術に対す
る相違点〕 上述した従来のアニール装置に対し、本発明は反応炉を
鉛直方向に設置し、ガスを下から上に流すという相違点
を有する． 〔課紘を解決するための手段〕 前記目的を達成するため、本発明に係る化合物半導体ア
ニール装置においては、化合物半導体のアニール用反応
管を鉛直姿勢に設置し、該反応管の下端にガス導入口を
、上端に排気孔をそれぞれ設け、さらに前記反応管の上
下部に化合物半導体の搬出入用の２１！備室をそれぞれ
設置したものである． 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を図により説明する．第１図は
本発明の一実施例を示す椙成図である．図において、外
周にヒーター４を設置した反応管１０を鉛直方向すなわ
ち縦置きに配設し、反応管１０の下端にガス導入口８を
設けるとともに上端に排気孔３を設ける．さらに、反応
管１０の上部にゲートバルブ１３ｂを介して上部準備室
２を接続し、上部準備室２にゲートバルブ１３ａを介し
てグローブボックス１２を接続する．一方、反応管１０
の下部に下部準備室６を接続するとともに、ゲートバル
ブ１３ｃ ， １３ｄを介して取出し室１４を接続する
．５は下部ロードロック、７は水平方向搬送棒、９はボ
ート支持台、１は鉛直方向搬送棒、１１はキャリャーボ
ートである。
ス導入口４０及び排気孔３７を備え、外周にヒーター３
８が設置された横置きの反応管３９と、反応管３つにゲ
ートバルブ３６を介して接続された準備室３５と、準備
室３５の下部にゲートバルプ３３を介して接続されたグ
ローブボックス３２を備え、被アニール物はキャリャー
ボート３４に乗せ、搬送棒３１により準備室３５と反応
管３９内を出し入れする構造のもの、又第４図に示すよ
うにガス導入口４４及び排気孔４２を備え、外周にヒー
ター４３が設置され、その一端がエンドキャップ４１で
閉塞された反応管４５をもつ一般的な拡散炉タイプで、
キャップ４１側から被アニール物を出し入れする楕遣の
ものがあった． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のアニール装置は反応管３９又は４５の片
側から被アニール物の出し入れをするようになっている
ので、大きなキャリャーポートに被アニール物を載置し
てアニールする場合に反応管の上流側と下流側で熱履歴
が異なってくる．又、水平方向にガスを流すために熱分
布が乱れやすいという欠点がある． 本発明の目的は前記課題を解決した化合物半導体アニー
ル装置を提供することにある．〔発明の従来技術に対す
る相違点〕 上述した従来のアニール装置に対し、本発明は反応炉を
鉛直方向に設置し、ガスを下から上に流すという相違点
を有する． 〔課紘を解決するための手段〕 前記目的を達成するため、本発明に係る化合物半導体ア
ニール装置においては、化合物半導体のアニール用反応
管を鉛直姿勢に設置し、該反応管の下端にガス導入口を
、上端に排気孔をそれぞれ設け、さらに前記反応管の上
下部に化合物半導体の搬出入用の２１！備室をそれぞれ
設置したものである． 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を図により説明する．第１図は
本発明の一実施例を示す椙成図である．図において、外
周にヒーター４を設置した反応管１０を鉛直方向すなわ
ち縦置きに配設し、反応管１０の下端にガス導入口８を
設けるとともに上端に排気孔３を設ける．さらに、反応
管１０の上部にゲートバルブ１３ｂを介して上部準備室
２を接続し、上部準備室２にゲートバルブ１３ａを介し
てグローブボックス１２を接続する．一方、反応管１０
の下部に下部準備室６を接続するとともに、ゲートバル
ブ１３ｃ ， １３ｄを介して取出し室１４を接続する
．５は下部ロードロック、７は水平方向搬送棒、９はボ
ート支持台、１は鉛直方向搬送棒、１１はキャリャーボ
ートである。
実施例において、キャリャーボート１１に被アニ−ル物
を装填しＮ２で置換された上部グローブボックス１２に
入れる．上部準備室２との間にあるゲートバルブ１３ａ
を開放し、上部準備室２内の鉛直方向搬送４１１にキャ
リャーボート１１を接続する．グローブボックス１２と
上部準備室２間のゲートバルブ１３ａを閉じ、上部準備
室２内をアニール雰囲気と同一にする．その後、上部準
備室２と反応管１０間のゲートバルブ１３ｂを開放し、
鉛直方向搬送棒１によりキャリャーボート１１をボート
支持台９にまで下げる．この下げるスピードは被アニー
ル物に多大な熱応力を生ぜしめないように設定する．例
えば、ｌ ａｍ／ １０ Ｓｅｃ程度にする．このスピ
ードが遅い場合には一方向からの被アニール物の出し入
れでは装填位置によって熱履歴が変わってくるのである
．鉛直搬送棒１を切りはなし再びゲートバルブ１３ｂを
閉じる．所定のアニール時間アニールする。この間アニ
ールガスはガス導入口８より反応管１０内に導入され、
排気孔３から排出される．この下流から上流への気流は
熱分布をみだすことが少なく、反応管１０内を均質に制
御しやすい。アニール時間が経過したならば下部ロード
ロツク５を下げて下部準備室６内にキャリャーボート１
１を導入する．このときも下降スピードには充分注意す
る必要がある． 下部準備室６と取出し室１４間のゲートバルブ１３Ｃを
開放し、水平搬送棒７で取出し室１４内にキャリャーボ
ート１１を搬送する。下部ロードロック５を閉じる．以
上でアニール工程が終る．第２図にヒーター４の温度プ
ロファイルを示す．〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は反応管を鉛直方向に設置し
、その反応管の上下に準備室を設置し、被アニール物が
上から下に通過できること及びガス流を下から上に流す
ようにしたことにより、被アニール物の熱履歴を均質に
できる効果がある．
を装填しＮ２で置換された上部グローブボックス１２に
入れる．上部準備室２との間にあるゲートバルブ１３ａ
を開放し、上部準備室２内の鉛直方向搬送４１１にキャ
リャーボート１１を接続する．グローブボックス１２と
上部準備室２間のゲートバルブ１３ａを閉じ、上部準備
室２内をアニール雰囲気と同一にする．その後、上部準
備室２と反応管１０間のゲートバルブ１３ｂを開放し、
鉛直方向搬送棒１によりキャリャーボート１１をボート
支持台９にまで下げる．この下げるスピードは被アニー
ル物に多大な熱応力を生ぜしめないように設定する．例
えば、ｌ ａｍ／ １０ Ｓｅｃ程度にする．このスピ
ードが遅い場合には一方向からの被アニール物の出し入
れでは装填位置によって熱履歴が変わってくるのである
．鉛直搬送棒１を切りはなし再びゲートバルブ１３ｂを
閉じる．所定のアニール時間アニールする。この間アニ
ールガスはガス導入口８より反応管１０内に導入され、
排気孔３から排出される．この下流から上流への気流は
熱分布をみだすことが少なく、反応管１０内を均質に制
御しやすい。アニール時間が経過したならば下部ロード
ロツク５を下げて下部準備室６内にキャリャーボート１
１を導入する．このときも下降スピードには充分注意す
る必要がある． 下部準備室６と取出し室１４間のゲートバルブ１３Ｃを
開放し、水平搬送棒７で取出し室１４内にキャリャーボ
ート１１を搬送する。下部ロードロック５を閉じる．以
上でアニール工程が終る．第２図にヒーター４の温度プ
ロファイルを示す．〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は反応管を鉛直方向に設置し
、その反応管の上下に準備室を設置し、被アニール物が
上から下に通過できること及びガス流を下から上に流す
ようにしたことにより、被アニール物の熱履歴を均質に
できる効果がある．
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は第１
図のヒーターの温度プロファイルを示す図、第３図及び
第４図は従来のアニール装置を示す構成図である． １・・・鉛直方向搬送棒 ２・・・上部１！備室３・
・・排気孔 ４・・・ヒーター５・・・下部
ロードロック ６・・・下部準備室７・・・水平方向搬
送棒 ８・・・ガス導入口９・・・ボート支持台
１０・・・反応管１１・・・キャリャーボート １２
・・・グローブボックス１３ａ〜１３ｄ・・・ゲートバ
ルブ １４・・・取出し室
図のヒーターの温度プロファイルを示す図、第３図及び
第４図は従来のアニール装置を示す構成図である． １・・・鉛直方向搬送棒 ２・・・上部１！備室３・
・・排気孔 ４・・・ヒーター５・・・下部
ロードロック ６・・・下部準備室７・・・水平方向搬
送棒 ８・・・ガス導入口９・・・ボート支持台
１０・・・反応管１１・・・キャリャーボート １２
・・・グローブボックス１３ａ〜１３ｄ・・・ゲートバ
ルブ １４・・・取出し室
Claims (1)
- （１）化合物半導体のアニール用反応管を鉛直姿勢に設
置し、該反応管の下端にガス導入口を、上端に排気孔を
それぞれ設け、さらに前記反応管の上下部に化合物半導
体の搬出入用の準備室をそれぞれ設置したことを特徴と
する化合物半導体アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23934389A JPH03102818A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 化合物半導体アニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23934389A JPH03102818A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 化合物半導体アニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102818A true JPH03102818A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17043329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23934389A Pending JPH03102818A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 化合物半導体アニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102818A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051505A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23934389A patent/JPH03102818A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US9666458B2 (en) | 2001-03-16 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| JP2003051505A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US7923352B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US8318567B2 (en) | 2001-06-01 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
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