JPS61208218A - 縦型拡散炉装置 - Google Patents
縦型拡散炉装置Info
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- JPS61208218A JPS61208218A JP4996285A JP4996285A JPS61208218A JP S61208218 A JPS61208218 A JP S61208218A JP 4996285 A JP4996285 A JP 4996285A JP 4996285 A JP4996285 A JP 4996285A JP S61208218 A JPS61208218 A JP S61208218A
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- furnace
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、縦型拡散炉装置に関する。
従来、半導体装置の製造に際して矛３図に示すような縦
型拡散炉装置が使用されている。図中１はガス制御部で
ある。ガス制御部ｌにはウェハセクタ一部２が設げられ
ている。ガス制御部ｌの側部には、反応炉３が設けられ
ている。
型拡散炉装置が使用されている。図中１はガス制御部で
ある。ガス制御部ｌにはウェハセクタ一部２が設げられ
ている。ガス制御部ｌの側部には、反応炉３が設けられ
ている。
反応炉３の外周面の部分は、ヒータ４で囲まれている。
反応炉４の底部には、ガス制御部１から導出された反応
ガス供給管５が接続されている。反応炉３の上部には、
被処理体であるウェハ６を搭載したボート７を出入れす
るための開口部が形成されている。開口部は石英で形成
されたヒートバリア８で開閉されるようになっている。
ガス供給管５が接続されている。反応炉３の上部には、
被処理体であるウェハ６を搭載したボート７を出入れす
るための開口部が形成されている。開口部は石英で形成
されたヒートバリア８で開閉されるようになっている。
而して、ボート７はボートルーダ９に接続した状態でウ
ェハセッタ一部２から反応炉３内に出入れされるように
なっている。
ェハセッタ一部２から反応炉３内に出入れされるように
なっている。
このような従来の縦型拡散炉１０では、ボート７を反応
炉３内に出入れする際に開口部が完全に解放された状態
になる。このためガス対流及び熱輻射による熱損失と気
圧の低下が起き、開口部付近で炉内温度の低下と空気の
巻込みを招く。その結果、炉内温度の低下によりボート
７挿入後の炉内温度の不安定時間が長くなる。
炉３内に出入れする際に開口部が完全に解放された状態
になる。このためガス対流及び熱輻射による熱損失と気
圧の低下が起き、開口部付近で炉内温度の低下と空気の
巻込みを招く。その結果、炉内温度の低下によりボート
７挿入後の炉内温度の不安定時間が長くなる。
空気の巻込みによってはウェハ６を汚染する問題があっ
た。
た。
本発明は、ウェハ出入れの際に発生する対流及び熱輻射
に起因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウェハ
汚染を防止することができる縦型拡散炉装置を提供する
ことをその目的とするものである。
に起因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウェハ
汚染を防止することができる縦型拡散炉装置を提供する
ことをその目的とするものである。
本発明は、炉の出入口に隣接してボート保護室を設けた
ことにより、ウェハ出入れの際に発生する対流及び熱輻
射に起因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウェ
ハの汚染防止を達成した縦型拡散炉装置である。
ことにより、ウェハ出入れの際に発生する対流及び熱輻
射に起因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウェ
ハの汚染防止を達成した縦型拡散炉装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。矛１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１１は、ガス制御部である。ガス制御部１
１上には、ウェハセッタ一部１２が設げられている。ガ
ス制御部１１の側部には、反応炉１３が設けられている
。
。矛１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１１は、ガス制御部である。ガス制御部１
１上には、ウェハセッタ一部１２が設げられている。ガ
ス制御部１１の側部には、反応炉１３が設けられている
。
反応炉１３の外周面の部分には、加熱手段であるヒータ
１４が設げられている。反応炉１３の底部には、ガス制
御部ｌかう導出された反応ガス供給管１５が接続されて
いる。反応炉１３の上部には、被処理体であるウェハ１
６を搭載したボート１７を出入するための開口部が形成
されている。開口部は石英で形成されたヒートバリア１
８で開閉されるようになっている。ウェハセッタ一部１
２の側部には、ヒートバリア１８を介して反応炉１３内
と連通ずるボート保護室１９が設げられている。ボート
保ｇ呈ｚ９を構成する壁は、矛２図（５）に示す如く１
例えば内側が厚さ約３ｎの石英層２０で形成され、外側
が厚さ約２ｍの鏡面仕上げステンレス層２１で形成され
ている。ボート保護室１９の底部には、例えばＮ、ガス
のような雰囲気ガスの供給管２２が４ケ所に形成されて
いる。ボート保護室１９の頂部には、雰囲気ガスの排気
管２３が形成されている。。また、ボート保護室１９の
側部に“は、ボート１２を出入れするための開閉扉２４
と、ボート１７を反応炉−３に出入するためのボートロ
ーダ２５の移動用スリット２６が形成されている。
１４が設げられている。反応炉１３の底部には、ガス制
御部ｌかう導出された反応ガス供給管１５が接続されて
いる。反応炉１３の上部には、被処理体であるウェハ１
６を搭載したボート１７を出入するための開口部が形成
されている。開口部は石英で形成されたヒートバリア１
８で開閉されるようになっている。ウェハセッタ一部１
２の側部には、ヒートバリア１８を介して反応炉１３内
と連通ずるボート保護室１９が設げられている。ボート
保ｇ呈ｚ９を構成する壁は、矛２図（５）に示す如く１
例えば内側が厚さ約３ｎの石英層２０で形成され、外側
が厚さ約２ｍの鏡面仕上げステンレス層２１で形成され
ている。ボート保護室１９の底部には、例えばＮ、ガス
のような雰囲気ガスの供給管２２が４ケ所に形成されて
いる。ボート保護室１９の頂部には、雰囲気ガスの排気
管２３が形成されている。。また、ボート保護室１９の
側部に“は、ボート１２を出入れするための開閉扉２４
と、ボート１７を反応炉−３に出入するためのボートロ
ーダ２５の移動用スリット２６が形成されている。
このように構成された縦型拡散炉装置３０によれば、ボ
ート保護室１９内にＮ、ガス等の所定の雰囲気ガスを連
続的に供給した状態で、被処理体であるクエへ１６を複
数枚搭載したボート１７を開閉扉２４を開けてボート保
護室１９内に入れ、ボートローダ−２５に取付ける。次
いで、開閉扉２４を閉じてボートローダ−２５を駆動す
ると共に、これに連動してヒートバリア１８を開閉する
ことにより、反応炉１３内へのボート１７の出入操作を
行う。つまり１反応炉１３の開口部は、ボート保護室１
９に連出して外部には直接露出していないので、ボート
１２の出入時に反応炉Ｉｓ内に外気が侵入するのを阻止
することができる。このため、ボート１７の出入の際に
対流及び熱輻射に起因する炉内温度の低下、空気の巻込
みを防止することができる。その結果、炉内の熱損失を
低減できると共にボート１７の出入時の炉内温度の不安
定時間を短縮することができる。
ート保護室１９内にＮ、ガス等の所定の雰囲気ガスを連
続的に供給した状態で、被処理体であるクエへ１６を複
数枚搭載したボート１７を開閉扉２４を開けてボート保
護室１９内に入れ、ボートローダ−２５に取付ける。次
いで、開閉扉２４を閉じてボートローダ−２５を駆動す
ると共に、これに連動してヒートバリア１８を開閉する
ことにより、反応炉１３内へのボート１７の出入操作を
行う。つまり１反応炉１３の開口部は、ボート保護室１
９に連出して外部には直接露出していないので、ボート
１２の出入時に反応炉Ｉｓ内に外気が侵入するのを阻止
することができる。このため、ボート１７の出入の際に
対流及び熱輻射に起因する炉内温度の低下、空気の巻込
みを防止することができる。その結果、炉内の熱損失を
低減できると共にボート１７の出入時の炉内温度の不安
定時間を短縮することができる。
因みに、炉内温度の不安定時間は従来の装置では約４０
分であったが、実施例のものでは約１５分となり、炉内
への外気の巻込み量は従来のものでは界面準位及び酸化
膜中可動イオン密度換算で１〜２Ｘ１０／！ であっ
たが、実施例のものでは３〜５ＸＩＯ７２１ｍに低減で
きることが実験的に確認されている。
分であったが、実施例のものでは約１５分となり、炉内
への外気の巻込み量は従来のものでは界面準位及び酸化
膜中可動イオン密度換算で１〜２Ｘ１０／！ であっ
たが、実施例のものでは３〜５ＸＩＯ７２１ｍに低減で
きることが実験的に確認されている。
以上説明した如く、本発明に係る縦型拡散炉装置によれ
ば、ウェハ出入れの際に発生する対流及び熱輻射に起因
する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウェハの汚染
防止を達成することができるものである。
ば、ウェハ出入れの際に発生する対流及び熱輻射に起因
する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウェハの汚染
防止を達成することができるものである。
【図面の簡単な説明】
矛１図は、本発明の概略構成を示す説明図。
矛２図（５）は、同実施例の要部の斜視図、同図（Ｂ）
は、同要部の平面図、牙３図は、従来の縦型拡散炉装置
の概略構成を示す説明図である。 １１・・・ガス制御部、１２・・・クエハセッタ一部、
１３・・・反応炉、１４・・・ヒータ、１５・・・反応
ガス供給管、１６・・・ウェハ、１７・・・ボート、１
８・・・ヒートバリア、１９・・・ボート保護室、２０
・・・石英層、２１・・・ステンレス層、２２・・・供
給管、２３・・・排気管、２４・・・開閉扉、２５・・
・ボートローダ−１２６・・・移動用スリット、３０・
・・縦型拡散炉装置。 出願人代理人弁理士 鈴 江 武 彦第１図 星 ＣＢ） 第３因 四−
は、同要部の平面図、牙３図は、従来の縦型拡散炉装置
の概略構成を示す説明図である。 １１・・・ガス制御部、１２・・・クエハセッタ一部、
１３・・・反応炉、１４・・・ヒータ、１５・・・反応
ガス供給管、１６・・・ウェハ、１７・・・ボート、１
８・・・ヒートバリア、１９・・・ボート保護室、２０
・・・石英層、２１・・・ステンレス層、２２・・・供
給管、２３・・・排気管、２４・・・開閉扉、２５・・
・ボートローダ−１２６・・・移動用スリット、３０・
・・縦型拡散炉装置。 出願人代理人弁理士 鈴 江 武 彦第１図 星 ＣＢ） 第３因 四−
Claims (1)
- 被処理体を搭載したボートが収容される炉と、該炉の
外側に近接して設けられた加熱手段と、該炉の出入口を
開閉するように設けられたヒートバリアと、該出入口を
介して前記炉内と連通するようにして前記炉に取付けら
れたボート保護室と、該ボート保護室に設けられた開閉
扉と、該ボート保護室に形成された雰囲気ガスの供給管
及び排出管とを具備することを特徴とする縦型拡散炉装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049962A JPH07105356B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 縦型拡散炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049962A JPH07105356B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 縦型拡散炉装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208218A true JPS61208218A (ja) | 1986-09-16 |
| JPH07105356B2 JPH07105356B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=12845649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049962A Expired - Lifetime JPH07105356B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 縦型拡散炉装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105356B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173132U (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-28 | ||
| JPS62276824A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-12-01 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 |
| JPH0192906A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Canon Inc | データ再生装置 |
| JPH01107517A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| JPH0372649A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 処理装置 |
| JPH03241736A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Rohm Co Ltd | 縦型加熱装置 |
| JPH07297145A (ja) * | 1995-03-02 | 1995-11-10 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理装置 |
| JPH1092906A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-04-10 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理装置 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP60049962A patent/JPH07105356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173132U (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-28 | ||
| JPH0447956Y2 (ja) * | 1985-04-16 | 1992-11-12 | ||
| JPS62276824A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-12-01 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 |
| JPH0192906A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Canon Inc | データ再生装置 |
| JPH01107517A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| JPH0372649A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 処理装置 |
| JPH03241736A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Rohm Co Ltd | 縦型加熱装置 |
| JPH07297145A (ja) * | 1995-03-02 | 1995-11-10 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理装置 |
| JPH1092906A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-04-10 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105356B2 (ja) | 1995-11-13 |
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